Dispositivos Semicondutores de Potncia

Diodo de Potncia

Transistor Bipolar de Potncia (TBP)

MOSFET

IGBT

Outros: SCR, GTO e MCT

Introduo
Eletrnica de Potncia uma cincia aplicada que aborda a converso e o
controle de fluxo de energia eltrica entre dois ou mais sistemas distintos, atravs
de conversores estticos de potncia

E1 (v1, f1)
Aplicaes
Retificador  Fontes de alimentao
 Acionamento de
Conversor mquinas eltricas
Conversor indireto de Conversor direto  Reatores eletrnicos
CC-CC freqncia de freqncia
Conversor  Fontes alternativas de
indireto energia
de tenso  Transmisso em CC
 Compensadores estticos
de reativos
Inversor
 ...
E2 (v2, f2)
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 Introduo

O que um conversor esttico de potncia?

Um conversor esttico pode ser definido como um sistema constitudo

por elementos passivos (resistores, capacitores, indutores, ...) e
elementos ativos (interruptores), associados de uma forma pr-
estabelecida para o controle de fluxo de energia eltrica

i
Interruptores
+ v -

ESTGIOS DE OPERAO CARACTERSTICAS IDEAIS

 Aberto, desligado ou bloqueado  Queda de tenso deve ser nula em conduo
 Fechado, ligado ou conduzindo  Corrente deve ser nula quando bloqueado
 Durante a comutao entre os estgios  Tempos de comutao nulos (entrada em
descritos acima conduo e bloqueio instantneos)

Introduo

Operaes bsicas desejadas

Operao em dois
Operao em
i quadrantes com i
um quadrante
corrente bidirecional
 Diodo  MOSFET
 IGBT com diodo
v em anti-paralelo v

Operao em dois
Operao em
quadrantes com i i
quatro quadrantes
tenso bidirecional
 Tiristor  Arranjo de
diodos com
transistores
v v

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 Introduo

O Diodo de Potncia
Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites
de tenso e de corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido.
Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser
significativos para componentes de maior potncia, caracterizados por uma maior
rea (para permitir maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar
tenses mais elevadas).

Caracterstica ideal
i

on

off v

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 Comutao no Diodo de Potncia
Na entrada em conduo, o diodo pode ser
considerado um interruptor ideal pois ele
comuta rapidamente. A sobretenso devida
elevada resistncia e s indutncias
parasitas.

Durante t2 tem-se a chegada dos

portadores e a reduo da tenso para cerca
de 1V. Estes tempos so, tipicamente, da
ordem de centenas de ns.

No desligamento, a corrente no diodo

Diodos Soft-Recovery: a variao da
corrente negativa, durante o tempo de
recuperao reversa, suavisada. Com
isto diminui-se os picos de tenso
negativos.
torna-se negativa por um perodo, chamado
de tempo de recuperao reversa, antes
de se tornar nula e o diodo bloquear. Durante
esse perodo, so removidos os portadores
de carga armazenados na juno durante a
conduo direta.
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Tipos de Diodo de Potncia

Diodos convencionais (standard)

Tempo de recuperao reversa no especificado

Operao normalmente em 50 Hz ou 60 Hz

Diodos rpidos e ultra-rpidos (fast/ultra-fast)

Tempo de recuperao reversa e carga armazenada na capacitncia de
juno so especificados pelos fabricantes

Operao em mdias e altas freqncias

Diodos Schottky

Praticamente no existe tempo de recuperao (carga armazenada
praticamente nula)

Operao com freqncias elevadas e baixas tenses (poucos
componentes possuem capacidade de bloqueio superior 100 V)

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Tipos de Diodo de Potncia

Tipos de Diodo de Potncia

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 Diodo de Potncia - Datasheet
Como dimensionar um diodo?

Freqncia de operao.

Tenso reversa.

Corrente MDIA e de pico (no-repetitiva).

Perdas = Tenso Mdia x Corrente Mdia.

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Diodo de Potncia - Datasheet

Maior rea de depleo.

Efeito da Temperatura:
(Dificuldade de operao
em paralelo)

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 O Transistor Bipolar de Potncia (TBP ou BPT)
Os transistores bipolares foram os primeiros dispositivos de estado slido
criados. Inicialmente foram construdos em germnio, mas como tal elemento
apresenta grande variao de parmetros com a temperatura, seu uso como
componente de potncia no era possvel. Com a tecnologia de silcio foi possvel
desenvolver os transistores bipolares de potncia (TBP), que, de certa forma,
permitira a emergncia de toda tecnologia de fontes chaveadas.
Com o surgimento dos transistores MOSFET e, posteriormente, dos
IGBTs, no houve posteriores desenvolvimentos nos TBPs, de modo que seu
desempenho, atualmente, inferior aos dos outros transistores de potncia. No
entanto, continua-se a utilizar tal dispositivo, principalmente em aplicaes que no
exijam maiores desempenhos em termos de perdas e velocidade, o que se deve ao
seu custo menor em relao aos outros dispositivos.

O BPT sempre do tipo NPN

A corrente flui atravs do BPT
verticalmente

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O Transistor Bipolar de Potncia (TBP ou BPT)

Estrutura bsica de um TBP

O controle de Vbe determina a
corrente de base, Ib, que, por sua
vez, se relaciona com Ic pelo ganho
de corrente do dispositivo.

O uso preferencial de TBP tipo NPN

Para suportar tenses elevadas,
existe uma camada intermediria
do coletor, com baixa dopagem, a
qual define a tenso de bloqueio
do componente.
se deve s menores perdas em
relao aos PNP, o que ocorre por
causa da maior mobilidade dos
eltrons em relao s lacunas,
reduzindo, principalmente, os tempos
de comutao do componente.

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 TBP rea de Operao Segura (AOS)

A AOS representa a regio do plano

Vce x Ic dentro da qual o TBP pode
operar sem se danificar. medida que
a corrente se apresenta em pulsos
(no-repetitivos) a rea se expande.

Com o transistor desligado (Ib=0) a tenso que provoca a ruptura da juno J2

maior, elevando-se ainda mais quando a corrente de base for negativa. Isto
uma indicao interessante que, para transistores submetidos a valores
elevados de tenso, o estado desligado deve ser acompanhado de uma
polarizao negativa da base.
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TBP rea de Operao Segura (AOS)

A: Mxima corrente contnua de coletor

B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno)
C: Limite de segunda ruptura
D: Mxima tenso Vce
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 TBP Regio de Operao

Regio Ativa (linear): alta dissipao de

calor, no usada em eletrnica de potncia.

Regio de Saturao: tempo elevado de
estocagem, aumenta o tempo da comutao.
Ganho entre 5 e 10.

Regio de Quase-Saturao: preferida em
eletrnica de potncia. IbIbsat e IcIcsat.

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TBP Caractersticas de Comutao

1) Bloqueio.
Carga Resistiva 2) Atraso de entrada em conduo td=0,2s.
3) Tempo de subida da corrente tr=0,7 s.
4) Em conduo.
5) Em conduo.
6) Atraso de bloqueio (tempo de estocagem ts=3 s.
7) Tempo de descida da corrente tf=0,7 s.
8) Bloqueado.
*Valores tpicos para um BJT de 250V/15A.

O tempo de estocagem o
maior de todos.

Os tempos de comutao
aumentam com a temperatura.

A extrao da corrente de base
essencial para diminuir ts.

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 TBP Concluses Gerais

O BPT tem sido substitudo, nos ltimos anos, por interruptores mais eficientes.

Para baixas tenses (<500V) o BPT tem sido substitudo por MOSFETs.

Para tenses elevadas (>500V) o BPT tem sido substitudo por IGBTs.

Comparado com o MOSFET, o BPT apresenta maiores tempos durante as
comutaes (operao em menores freqncias). Contudo, o BPT apresenta menores
perdas em conduo.

Comparado com o IGBT, o BPT apresenta maiores tempos envolvidos nas
comutaes (maiores perdas nas comutaes) e menor capacidade de corrente.

Para aplicaes em tenses mais elevadas (> 500 V), o BPT aparece em alguns
casos em configurao Darlington:

- ganho de corrente = 1(2+1)+2

- T2 no satura, pois sua juno B-C est sempre
reversamente polarizada
- tanto o disparo quanto o desligamento so seqenciais.
No disparo, T1 liga primeiro, fornecendo corrente de
base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes,
interrompendo a corrente de base de T2.
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Exerccios

O que tempo de recuperao reversa de um diodo. Esboar graficamente.

Explique a diferena entre diodos rpidos, diodos genricos e diodos Schottky.

Explique terica e graficamente os problemas de conectar-se diodos em srie e em
paralelo. Descreva as solues empregadas.

O que rea de operao segura de um transistor bipolar. Esboar graficamente.

Dois diodos so conectados em srie para dividir uma tenso VD = 5 kV. As correntes
de fuga dos dois diodos so, IS1=30 mA e IS2=35 mA, respectivamente. (a) Encontrar
as tenses em cada diodo se a resistncia associada a cada diodo seja dada por,
R1=R2=R=100 k; (b) Encontrar os valores de R1 e R2 para que a tenso sobre cada
diodo seja igual metade da tenso sobre ambos, VD1=VD2=VD/2.

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