N .

0 3
MAIO/JUNHO
1964

REVISTA
ELETRNICA
NDICE

9 CONVERSOR DE FREQUNCIA MODULADA

16 CONTROLE AUTOMTICO DE GANHO REFORADO EM RECEPTORES

A TRANSISTOR

20 FONTE DE ALIMENTAO ESTABILIZADA PARA HI-FI

21 TV A CORES

26 OSCILADOR AUXILIAR MODULADO

27 CONSTRUO E FABRICAO DE TRANSISTORES

32 PROJETO DE ESTGIOS DE SAlDA A TRANSISTORES

35 ELEMENTOS DE ELETRONICA

38 FONO-AMPLIFICADOR HiBRIDO

OS ARTIGOS ASSINADOS
SO OE EXCLUSIVA RES-
REDA.i.O E ADMINISTRAO: PONSABILIOAOE OE SEUS
AV. GUILHERME COTCHING, 85 AUTORES

Tel. 93-7425 - C. Postal 9 127 - So Paulo- Brasil

DIRETOR ADALBERTO MIEHE

1!: VEOAOA A REPRODU-
REDATI')R RESPONSAVEL PROF. NAHOR T. MONTEIRO O OOS TEXTOS E OAS
REDATI')R CHEFE ALFREDO FRANKE ILUSTRAES PUBLICA-
SECRETARIO FAUSTO P. CHERMONT DOS NESTA REVISTA,
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ENG. NELSON ZUANELLA RIZAO POR ESCRITO
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5
COMENTRIO

~ste o primeiro nmero de Revista Eletrnica posto

venda em bancas de jornais. Quando travamos os primeiros
planos para o seu lanamento ficou assente - e isto foi
amplamente divulgado - que somente aps um perodo
inicial (pensvamos, de crca de um ano) cogitar-se-io da
distribuio da revista em carter amplo, atravs de bancas de
jornais e revistas. Durante sse intervalo, a divulgao ficaria
limitada s assinaturas. O que realmente aconteceu, ultrapassou
nossas expectativas, mesmo as mais otimistas.
Atingimos, em trs mses, a meta estabelecida para o
nmero de assinaturas durante os primeiros doze mses. Essa
meta, resultado de uma cuidadosa pesquisa, representa a mxima
divulgao que poderia ser esperada, exclusivamente, atravs de
assinaturas. Resolvemos, pois, dar incio imediato segunda fase,
confiando sua execuo maior distribuidora de revistas em
todo o territrio nacional, Fernando Chinaglia Distribuidora S/ A.
~sse mais um passo no sentido de proporcionar a um
nmero cada vez maior de brasileiros, uma revista cujo contedo
corresponda integralmente aos seus intersses.

CORRESPOND~NCIA
Prezado Leitor:

A sugesto j est anotada e

Prezados Senhores:
... Como, hoje em dia, difi-
cilmente encontra11110s publicaes
sbre a parte de el.e trnica que
trata da TRANSMISSO (teoria,
circuitos de transmissores para
Prezados Senhores Editores:
. . . Alm de trabalhar com TV
o HI-FI, sou radioamador. Assim
sendo, o artigo sbre SSB mere-
ce!! meu especial interisse. Seria
muita desejvel a publicao de
esperamos satisfaz-lo e a outros
interessados dentro em breve.
No artigo Amplificador HI-Fl
transistores (Revista Eletrnica n. 0
1) o potencimetro R5 deve ser

radioamadores, antenas de trans- novos artigos sbre o assunto, com Gjustado de maneiro que VCE
misso, etc.) sugira aos Sn. para a apresentao de circuitos de <T5> + VRH = VcE <T4> +
que inc1uam na Revista Eletr6ni- ellcitadores de realizao possvel VR13 = 15 V, onde os smbolos
ca uma parte relativa ao que a ns brasileiros. O SSB de significam:
ellpus acima, pois acredito vir grande intersse otual a todo
a agradar grande quantidade de radioamador ellperimentodor. VcE<T5) - tenso de coletor-
pessoas interessadas no assunte. Segue-se pequena crtica: emissor do transistor
No artigo Amplificador HI-FI T~~
Cordialmente, o Transistores, nada foi dito s-
Edir Backer Casta bre o ajuste dos resistncias R7 VRH tenso no resistor
Maca- RJ e R5 RH
No mesmo artigo encontramos tenso coletor-emis-
Caro senhor: VcE<T4> -
pequenos rros de reviso. Quan. sor do transistor T 1
Realmente, tambm cremos que do o autor se referiu ao traba-
ste assunto seja de intersse da lho de R11 e R12, no queria se Rla tenso no resisto
grande maioria dos leitores; e as- referir a R10 e R121 O desenho R1a
sim sendo j nos prximos n- das curvas de resposta est com-
meros iniciaremos a publicao pleto? R7 deve ser ajustado para a
de uma srie de artigos sugeri- Atenciosamente, menor distoro; isto deve ser
dos por V. Se . Clovis de Vasconcellos Filho feito com osciloscpio ou um ono-
R. Rio de Janeiro - GB lizador de udio.

6 REVISTA ELETRNICA
 No pgina 11, 1. 0 linho, de-
ve-se ler R10 e R12 e no R11 e
R12, como V. Sa. verificou.
A figuro 4 est correto, sendo
que os curvos se confundem de
1000 Hz poro baixo; de 100 Hz
poro cimo os curvos de 8 e 4 W
tambm se confundem.
R.
Prezados Senhores:
Como assinante dessa concei-
tuado e apreciado revisto, e ao
ensejo de permitir um intercm-
bio mais estreito entre ns leito-
res e essa Redoo, conforme j
muito bem sugeriram V. Sas. na
pgina 8 do seu nmero de Ja-
neiro/Fevereiro, venho solicitar-
lhes que, to logo seja possvel,
faam publicar em um dos seus
nmeros, diagramas e coment-
rios tcnicos relativos o amplifi-
cadores de potncia, de udio,
tronsistorizodos.
Tenho apreciado muito a for-
mo como esto sendo trotados os
divenos artigos, e sbre o assun-
to que indiquei acima poro uma
futuro publicao, tenho o dizer,
que achei muito interesasnte o
circuito publicado sob o ttulo
"Amplificador HI-FI o Transisto-
res", estando interessado em mon-
tar uma unidade daquelas, porm
achei-o com pouco potncia.
A dificuldade justamente o
de que necessito de unidode com
potncia maior, e que satisfariam
por exemplo, 16 watts de sada.
Essa potncia no s atende-
rio ao meu coso presente, como
tambm o muitos outros interes-
sados, leitores dessa Revisto.
Assim sendo, venho solicitar-
lhes o especial ateno e colabo-
rao no sentido exominor junto
ao autor daqule projeto, o su-
gesto de utilizar um estgio de
sado, quatro transistores AD139,
ou seja, dois pores casados do-
MAIO/JUNHO 1964
qules transistores, em ligao
PUSH-PULL PARALELO.
. . . Poro tal, encaminho anexo
o esta, um diagrama, no qual
figuro porte do circuito citado
acima, j includo no mesmo o
outro par casado de transistores
AD 139, formando o ligao
PUSH-PULL PARALELO.
Cordialmente,
Milton Weiss Nogueira
Rio de Janeiro - GB
NOTICIRIO
O PRIMEIRO P!NDULO DO
MUNDO INTEIRAMENTE
ELETRONICO- UMA
REALIZAO SUIA
Embora o indstria relojoeiro
suio ainda no tenho anunciado,
h vrios anos j que vem de-
dicando esforos no domnio do
eletrnico. Resultado de doze
anos de trabalho e pesquisas bas-
tante complexos e de milhes em
investimento, o pndulo Soltronic,
inventado, criado e construido por
Solvi! e Titus em Genebra, cons-
titui o primeiro relgio inteiro-
mente eletrnico do mundo no
possuindo nenhuma porte mvel.
De foto, o Saltronic represento o
primeiro aparelho no interior do
qual os eltrons se deslocando so
os nicos partculas mveis per-
fazendo tdos as funes, inclu-
sive substituindo os ponteiros por
painis luminosos. A energia el-
trico fornecido ao sistema pode
ser por meio do rde como duma
bateria. Partindo de uma fre-
qncio do os parcelas referen-
tes o horas, minutos e segundos.
No contendo qualquer porte m-
vel ou cantata eltrico, o que
elimino atritos e possibilidades de
oxidao, o relgio em questo
tem um desempenho de uma pre-
ciso extraordinrios, o que foz
com que posso ser considerado
como o padro de tempo mais
preciso e robusto capaz de ser
produzido industrialmente. Foram
gastos trs anos no suo constru-
o em Genebra, os primeiros pro-
ttipos revelando-se altamente so-
Coro leitor:
J temos programados artigos
acerco dos temos citados por V.
So. Suo publicao se dar den-
tro em breve.
Quanto adaptao meneio-
nodo, esta no dar os resultados
esperados sem modificaes bem
mais complexos e extensos no cir-
cuito. Oportunamente publicare-
mos circuito que satisfar os exi-
gncias acima enumerados.
R.
tisfotrios. O construtor espero
posteriormente fazer um novo mo-
dlo reduzido de 2/3 isto , com
o volume de um relgio comum
de mesa e um relgio de pulso
inteiramente eletrnico, cujo pre-
o quando em produo em srie,
no ultrapassar o de relgios de
boa qualidade oro no mercado.
NOVOS PADROES DE
FREQO!NCIAS, COM
FREQO!NCIAS MENORES
As estaes de f r e q n c i o
WWVB e WWVL foram inclu-
dos no "Notionol Bureou of Ston-
dords" dos EUA. A primeiro ope.
ro no frequncia de 60 kHz e
o WWVL em 20 kHz. No mo-
mento estas estaes esto trans-
mitindo smente padres de fre-
quncia mos, num futuro prximo,
padres de tempo tambm sero
fornecidos. ~stes sinais so de
muito maior estabilidade e pre-
ciso que oqules transmitidos em
altos frequncias pelo WWV e
WWVH.
A preciso dos sinais de alto
frequncia ofetodo pelos mu-
danas no ionosfera, pois esta in-
flui nos reflexes mltiplos que
ocorrem at que o sinal chegue
ao seu destino. Em frequncias
baixos e ultro-boixos, o propa-
gao se d por meio de ondas
que seguem o curvatura terrestre.
Neste coso o ionosfera age como
extremo superior de um gigon-
7
tesco conduto e no como um
refletor. Ento, os variaes des-
ta camada pouco influncia tero
sbre o percurso dos ondas.
A WWVB irradio uma potn-
cia de 5 kW e foi projetado de
modo o cobrir todo o territrio
norte-americano, com uma opera-
o mais estvel em grandes dis-
tncias. (mais de 2.000 milhos),
que suo co-irm o WWVL cujo
potncia de 1 . kW. O sinal de
20 kHz possibilito uma recepo
inter-continental, e suo preciso
de uma porte em 1 O bilhes
num perodo de 1 dia de obser-
vao.
CALCULADORA ELETR6NICA
PARA PROJETAR AUTOMVEIS
EM USO NA FORD INGUSA
Aonlise do potncia e coroc-
terlsticos de um veculo levava
outrof quatro anos, mos no Gr-
Bretonho os engenheiros do Ford
conseguiram reduzir o durao do
trabalho o 40 minutos apenas
graas ao emprgo de uma cal-
culadora eletrnico.
Predizer o rendimento de um
veiculo ainda em face de projeto
era outro demorado tarefo, que
se foz agora em meio hora. Uti-
lizando uma calculadora eletrni-
co os engenheiros do Ford podem
agora conceber carros ideais e
submet-los depois de completos
programas de ensaio de estrado
sem que les cheguem no reali-
dade o sair do prancheta dos
desenhistas.
Em breve podero, com o au-
xlio do calculadora, projetar cai-
xas de cmbio completos e, o
prximo modlo de srie j ser
efetivomente equipado com um
dsses dispositivos.
A Ford reivindico o honro de
ser o primeiro companhia brit-
nico o por uma calculadora em
uso corrente no indstria. Seis
outros mquinas do gnero deve-
ro ser utilizados no clculo dos
8 KEVISTA ELETRNICA
folhas de frias, no plonejomento
do produo, no inventrio de pe- gundo afirmo um porto-voz do
as, no processamento de enco-
mendas e vrios outros importan-
tes otividodes.
NENHUM PADRO OFICIAL
EUROPEU DE TV A C6RES
Aps 1O dias de discusses os
representantes de 19 noes eu-
ropias ao C. C. I . R . no chega-
ram o deciso alguma quanto
esclho de um padro poro os
transmisses de TV o cres no
Velho Continente. Os sistemas
propostos e que esto sendo con-
siderados so o americano NTSC,
o alemo SECAM e o francs
PAL. Embora tenham sido apre-
sentados consideraes o respeito
de inmeros aspectos do projeto
de equipamento de estdio, gra-
vadores magnticos, transmisso-
res, problemas de propagao e
receptores, os representantes de
vrios noes julgam ser os do-
dos cindo insuficientes. Por essa
razo, foi fixado o doto poro
novo reunio no decorrer do ano
vindouro.
Entretanto, no Gr-Bretonho,
existe uma forte presso por por-
te dos indstrias interessados s-
bre os orgos governamentais, no
sentido de ser tomado uma deci-
so rpido. A tendncia do in-
dstria britnico fortemente
favorvel ao sistema americano
NTSC, sabendo-se que vrios in-
dstrias j se encontram prepa-
rados poro iniciar o produo de
equipamentos segundo os normas
dsse sistema, imediatamente aps
o deciso oficial. Noticio-se, por
outro lodo, que os sistemas ale-
mo e francs esto lentamente
perdendo terreno.
"RIFLE" DE LASER PARA
PESQUISAS
Foi desenvolvido por uma fir-
mo norte-americano um laser em
formo de rifle, que, porm, se-
Arsenal Fronkford de Philodel-
phio, ao contrrio do que se pos-
so presumir, no ter qualquer
aplicao letal ou incendirio.
Segundo o mesmo porto-voz, ste
dispositivo seria usado em pes-
quisas fotogrficos, navegao e
localizao, alm de outros, de
menor importncia.
A LUA D!!VER SER
ALCANADA AINDA NESTA
DICA DA
A agncia espacial norte-ame-
ricano ainda tem o possibilidade
de fazer um homem pousar no
lua durante esta dcada, apesar
de falhos eletrnicos e uma re-
duo de oramento por porte do
Congresso dos Estados Unidos te-
rem dificultado esta meto.
Esta declarao foi divulgado
cps o folho do foguete lunar
Ranger VI - folho esta que
trouxe impl jcoes adversos em
conexo com o programo Apollo
do NASA.
Dr. George E. Mueller, admi-
nistrador associado do NASA poro
vo espacial humano, declarou ao
Comit de Cincia e Astronutico
do Congresso dos EEUU que uma
expedio humano ainda seria
possvel em 1968 - o meto
original - mos que mais pro-
vvel o suo transferncia poro
meados de 1969, desde que no
surjam problemas tcnicos de
grande envergadura.
O Dr. Wernher von Braun, di-
reter do Centro de Vos Espa-
ciais do NASA em Huntsville,
afirmou que o folho do Ranger
VI no dever atrasar o pouso no
lua, mos que o falto de atitude
bem definido do Congresso o res-
peito do programo espacial po-
dero ter efeito adverso.
CONVERSOR
DE
FREQNCIA
MODULADA
K. OGIHAKA
H vrios anos so feitas transmisses em
freqncia modulada nas principais cidades do
Brasil. No podemos, certo, falar de um
desenvolvimento rpido desta tcnica em nosso
pas mas, hoje em dia, as transmisses em FM
so muito apreciadas e tm grande nmero de
ouvintes. Todos os maiores fabricantes de re-
ceptores de rdio tm em sua linha pelo menos
um modlo dotado de faixa de FM. Tambm
os fabricantes menores esto agora lanando
receptores AM/FM.
Analisando melhor o projeto de um re-
ceptor de FM, chega-se concluso, em resumo,
que ser necessrio o seguinte:
Unidade de sintonia de FM
Amplificador de FI
Limitador
Detetor de FM
Amplificador de Audio
Amplificador de potncia
Fonte de alimentao
Material diverso, como chassi, gabinete,
caixa acstica (para boa reproduo de graves),
alto-falante, antena dipolo, etc.
Estudando em mincias o circuito, a con-
cluso lgica a convenincia de conjugar a
recepo de FM de AM, resultando um recep-
tor de AM/FM.
claro que, em comparao com um re-
ceptor AM, um aparelho de AM/FM necessita
de maior nmero de componentes.
Neste ltimo haveria um sintonizador de
FM adicional, mais um estgio de FI, chave
comutadora, que faz a permuta das bobinas no
s dos estgios de RF e oscilador mas tambm
dos amplificadores de FI, detetor de FM, alm
de um gabinete suficientemente grande para
boa reproduo e uma antena dipolo.
MAIO/JUNHO 1964
Podemos tambm combinar a recepo de
FM com um circuito de TV e chegamos con-
cluso que mais fcil e econmico montar
um . receptor de FM/TV combinado, de boa
qualidade em FM, comparvel do melhor
receptor de AM/FM.
Para combinar recepo de FM e TV temos.
em princpio, de adicionar apenas um sintoni-
zador de FM ao receptor de TV, uma vez que
todos os demais estgios e requisitos (inclusive
gabinete adequado e antena dipolo) j existem
neste ltimo.
A aplicao dste sistema no to simples
quanto parece, sobretudo quando queremos
trabalhar com componentes normais; claro
que devem ser tomadas algumas medidas espe-
ciais, mas, ainda assim, a combinao FM/TV
bastante econmica e lgica.
O diagrama da fig. 1 ilustra os princpios :
os blocos desenhados com linhas cheias cor:-
respondem a estgios existentes no receptor de
TV; os blocos desenhados em linhas inter-
rompidas devem ser adicionados.
FIG. 1
Diagrama em blocos ilustrando o princpio do conversor para
recepo de FM com receptores de TV . Os blocos represen-
tados em linhas interrompidas devem ser acrescentados aos j6
existentes nos receptores de TV representados aqui, em linhas
cheias.
l'l:ste artigo descreve o estgio conversor,
que permite usar um sintonizador normal de
FM em conjunto com um estgio, tambm nor-
mal, de FI de som de TV. Descreve alm disso,
a comutao das tenses de alimentao para
a recepo de TV e FM.
Os resultados de medies fornecidos neste
artigo foram obtidos usando o circuito de som
de alta qualidade da Fig. 3. Entretanto, qual-
quer estgio de FI de som de TV, de boa quali-
dade, trar resultados satisfatrios, talvez com
sensibilidade um pouco menor, como tambm
com menor rejeio de AM em relao
esperada.
9
DESCRIAO DO CIRCUITO DE RECEPAO
a) Unidade de Sintonia
CARACTERSTICAS PRINCIPAIS:
O sintonizador de F.M. recomendado para
receptores onde economia e tamanho reduzido
so fatres importantes. Contm uma vlvula
ECC85, duplo triodo de alto ganho. A impe-
dncia de entrada do slntonizador de 300
ohms (simtrica) e 75 ohms (assimtrica) .
O primeiro triodo da ECC85 funciona como
amplificador j neutralizado, com o circuito
parcialmente neutralizado na entrada. obtic;l.o
com isso o melhor comproml.&<3o entre ampli-
ficao e estabilidade.
Ambos os circuitos, o de anodo no amplifi-
cador de R.F. e o de oscilador, so ajustados
simultneamente por permeabilidade.
O segundo trio(io funciona como oscilador
e misturador, para a obteno de f =10,7 MHz.
O ganho total de 100 a 200 vzes (da an-
tena grade da 1.8 FI) e a faixa de passagem
de 220 kHz. A sada de baixa impedncia,
proveniente de algumas espiras enroladas sbre
o primeiro circuito sintonizado de F.I. de
10,7 MHz, colocado dentro da unidade.
o circuito ressonante L 1 - C1 que, com-
binado com o anterior forma o secundrio do
transformador de F.I. para 10,7 MHz, pode ser
acoplado ao primrio por cabos torcidos ou
cabo coaxial (comprimento max. 140 mm).
b) Oscilador-Misturador
O triodo da vlvula ECF80 usado como
misturador e tambm oscilador em 15,2 MHz. A
ECC85
6,3V
~~------------------------------------------------------4-----o+l?SV
FIO. 2
Clrcrllto uqumr4tleo do m.tontr.ador/eo""er>r.
10
realimentao do oscilador introduzida no
catodo e o sinal de 10,7 MHz injetado na
grade. O circuito "tanque" do oscilador, situa-
do no anodo da seco triodo, est em srie
com o circuito ressonante para a F .l. de 4,5
MHz e para esta freqncia a impedncia apre-
sentada por L 2 prticamente nula.
Os circuito L 2 - C4 e L 4 - C6 - C7 tm
alto Q de modo que cada um individualmente
apresenta alta impedncia para o sinal no qual
est sintonizado e baixa para o outro. Alm
disso a montagem feita de maneira a no
haver interao entre os dois circuitos sinto-
nizados (L 2 - C4 e L 4 - C6 - C7 ).
A sintonia no circuito de anodo torna o
oscilador independente do sinal aplicado na
grade.
Com a incluso do resistor R 3 de 18 ohms
no catodo, em srie com a bobina de realimen-
tao do oscilador, foi prevista uma compen-
sao parcial s variaes da capacitncia de
entrada com sinais fortes.
c) Amplificador de F.I. de 4,5 MHz
A amplificao da F.I. de 4,5 MHz feita
pela seco pentodo da ECF80. O sinal de 4,5
MHz retirado da juno de L 2 e L 4 e acoplado
pelo capacitor C5 de 4,7 pF grade do pentodo.
A polarizao da grade de crca de- 1,2 V,
resultando transcondutncia da ordem de 4
mA/V com tenso de placa de 168 V e de 145 V
para a grade aux:illar.
Para sinais fortes o estgio funciona como
limitador por grade. A polarizao desenvol-
vida por "escape de grade", constitudo de C:;
e R4 . A constante de tempo de 0,85 micros-
ECF80
R,
2,7k
lW
lOk
REVISTA ELETRONICA
segundos, estando prevista a limitao de pulsos
rpidos de rudo.
A incluso do resistor R 5 de 22 ohms, no
catodo, pretende compensar parcialmente as
variaes da admitncia de entrada, sem uma
perda excessiva de ganho.
d) Acoplamento para o Limitador
O sinal de 4,5 MHz amplificado pela ECFBO
obtido no anodo e transferido para a grade
da vlvula limitadora (V3 - EF184) por aco-
plamento capacitivo em "T", formado por C11 ,
C12 e C13 , entre os circuitos ressonantes
L5 - C11 no anodo do pentodo da ECFBO e
L6 - C13 no limitador.
O acoplamento atravs do capacitar C12 de
1200 pF de baixissima impedncia e permite
o emprgo de cabo coaxial (blindado) ou cabos
torcidos de aproximadamente 50 cm de com-
primento. Com isto, possvel a localizao do
sintonizador e da vlvula ECFBO prximo ao
painel do televisor.
e) Estgio limitador
O circuito foi originalmente projetado para
aproveitar o canal de som (limitador e discri-
minador, de 4,5 MHz j existente em qualquer
receptor de T.V.
Todavia, apresentamos aqui os circuitos do
limitador e do detetor de relao que melhor se
adaptam s exigncias de qualidade em recep-
o de F.M. (Fig. 3) .
FIG. 3
Estgio limitador e discriminador
de alta qualidade opcional, para
uso com o conversor.
f) Ganho do circuito
O ganho total do sistema de recepo de
F .M. medido desde a antena at o anodo da
limitadora, antes da saturao, de aproxima-
damente 300 000 vzes.
g) Detetor de F.M.
O detetor de relao por ns adotado do
tipo simtrico. mais elaborado do que um de-
MAIO/ JUNHO 1964
tetor normalmente usado em T.V., onde a eco-
nomia levada em conta. No caso presente, a
facilidade de obter a simetria e a melhor qua-
lidade de som assim resultante justificam o
emprgo de mais alguns componentes. So
usados 2 diodos OA79 casados, e, mesmo assim,
diferenas eventuais nos diodos tm seu efeito
diminudo pelo resistor R19 que tambm limita
a corrente de pico atravs dles. A escolha ade-
quada de outros componentes dentro de pe-
quenas tolerncias manter o equilbrio, no
havendo necessidade de outros ajustes.
CALmRAAO
A - Calibrao do detetor de relao
Um gerador de R.F. sem modulao ajus-
tado em 4,5 MHz ligado grade da vlvula
limitadora V3 (pino 2). Um circuito em srie,
composto de 1 resistor R 1 de 33 k(l, 1 capacitor
cermico C1 de 2 pF e 1 resistor R 2 de 470 k(l,
ligado ao anodo. Um voltmetro eletrnico
ligado ao ponto-x- na juno de C1 e R 2 , em
srie com um diodo de germnio OA85, con-
forme a fig. 4.
A sada do gerador de R.F. ajustada para
100 mV aproximadamente. Se corretamente
ligado, o voltimetro eletrnico dever indicar
uma deflexo na escala 5 V C.C. O primrio do
transformador discriminador (L 7 ) ajustado
para deflexo mxima do ponteiro. A seguir
o secundrio L8 ajustado para a mnima
deflexo.
~
.,
"''
c.,
IO.,F
-
"''
220
+
~v
~:r I . . ...
Cn
B - Calibrao do Amplificador de F .I. de
4,5 MHz
Passa-se o gerador de R.F., ajustado em
4,5 MHz, grade do pentodo da ECFBO - V2B
(pino 2) .
Com o voltmetro eletrnico ligado ao ponto
-x-, do circuito j descrito, ajustar a sada do
gerador de R.F. para uma indicao de mais
ou menos 2 V na escala 5 V C.C.
li
 EFI84
R,
33k
c,
2p
OA85
...
FIG . 4
Ligao elo gerador de RF e do voltimelro eletrnico, para
calibrao do detetor de relao.
Ajusta-se o ncleo de Lu, na grade da limi-
tadora, para a mxima deflexo do ponteiro.
Ajusta-se a seguir o ncleo de L;;. no anodo do
pentodo ECF80, tambm para o mximo . Se o
ponteiro do voltmetro eletrnico ultrapassar
o fim da escala, a sada do gerador dever ser
atenuada para manter-se a leitura no centro
da escala.
Aps sse ajuste, passa-se o gerador para
o anodo do triodo da ECF80 (pino 1 da V2A)
ligando-o em srie com um resistor de 10 kO e
um capacitar de 1500 pF. Regula-se o ncleo de
L~ , na grade do pentodo, para sada mxima
e retoca-se LG e L6 algumas vzes, at conse-
guir-se o mximo. Finda esta operao retira-
se o gerador e deixa-se ligado o voltmetro ele-
trnico atravs do circuito j citado.
C - Calibrao do Conversor e da F.I. de
10,7 MHz
Liga-se um gerador de R.F. ou de F.M. sem
modulao, ajustado em 10,7 MHz, blindagem
da vlvula ECC85 (V1) no sintonizador. A
FIG. 5
Curl'a de resposta de FI do con 1ersor.
1 ohms e com modulao f = 22,5 kHz e fm (fre-
12
blindagem levantada at um ponto para o
qual o contato com a massa interrompido.
O gerador ajustado at um deflexo no
centro da escala 5 V C.C. do voltmetro ele-
trnico.
Primeiramente ajusta-se o ncleo da bo-
bina de F.I. de 10,7 MHz, L 1 , para o mximo.
Passa-se depois para o ncleo de L2 (oscilador)
sintonizando-o tambm para o mximo. Por
ltimo retoca-se novamente L 4 para indicao
mxima. Repete-se a operao at conseguir-se
o mximo. Anote-se ento, a sada do gerador.
Liga-se agora um gerador de F.M. de 10,7
MHz blindagem de V1 . Introduz-se uma mo-
dulao de 60 Hz e um desvio (varredura) de
300kHz.
Liga-se um osciloscpio de R.F. com var-
redura interna de 60 Hz em substituio ao vol-
tmetro eletrnico e ao dodo no ponto x.
Aplicando-se a sada do gerador anotada
na etapa anterior, observa-se a resposta de F .I.
do circuito, no osciloscpio.
A curva de resposta vista dever apresen-
tar-se com os picos achatados (vide figura 5)
indicando uma resposta (3 dB de atenuao) de
crca de 180 a 220 kHz.
Caso isto no acontea, retoca-se L 1 e even-
tualmente o primrio do transformador de
10,7 MHz colocado dentro do sintonizador para
que apresente o mencionado aspecto no osci-
loscpio.
Como o sintonizador j vem calibrado da
fbrica , a calibrao do circuito de F .M. est
finda com esta operao.
Nota: Desejando-se eliminar a metade infe-
rior da curva de resposta, liga-se o osci-
loscpio em srie com um dodo OA85.
MEDIES E INSTRUMENTOS USADOS
Para as medies que apresentamos a se-
guir empregamos:
I - F.M. - A.M. Signal Generator Radio-
meter, tipo MS24-A.
II - Como indicador de sada foi usado um
milivoltmetro de A.F. PHILIPS GM 6012.
III - Como indicadores auxiliares o oscilos-
cpio de R.F. PHILIPS GM 5662 e o
voltmetro eletrnico HEATHKIT mod .
V7A.
A - Sensibilidade
A sensibilidade foi determinada para uma
relao Sinal/Rudo de 20 dB.
O gerador de F .M. com terminao de 75
REVISTA ELETRNICA
qncia de modulao) = 400 Hz ligado aos tada desde ZERO at um valor em que a sada
terminais de antena do sintonizador. A entra- de udio do adaptador de F.M. fica constante e
da de 300 ohms simtrica e 75 ohms assim- insensvel a variaes do sinal de entrada
trica. Portanto o cabo do gerador dever ser <nvel de O dB).
ligado entre uma extremidade e o terminal Atenuando-se o sinal a partir dsse ponto
central correspondente massa. temos :
O sintonizador e o gerador so sintonizados VARIAO
mesma freqncia. Para facilidade de sin- DE
tonia interessante ligar tambm um volt- SINAL SADA
metro eletrnico em escala C.C. e um oscilos- 1mV 1,8 dB
cpio de A.F. na sada de udio, junto com o 500 tJ.V OdB
voltmetro indicador (milivoltmetro de udio). 300 !J.V O dB
Ao ser sintonizado o sinal, o voltmetro 200 p.V 0,2 dB
acusar uma sbita deflexo para um lado da 100 !J.V 2,9 dB
escala e logo voltar passando pelo ZERO e 50 !J.V 8 dB
prosseguindo para o lado oposto. A sintonia 20 p.V 16 dB
correta quando o voltmetro indicar exata- 10 v. V - 21,5 dB
mente ZERO. Simultneamente, o milivolt- 5 !J.V -27 dB
metro indicar a mxima deflexo e o oscilos- o !J.V -47 dB (Rudo)
cpio mostrar a sada de udio de 400 Hz que
dever ser senoidal sem distoro visvel. D - Caracterstica do Detetor
A sada do gerador de F.M. ento atenua-
da para um valor tal que com a modulao Para a determinao da caracterstica do
ligada (Llf = 22,5 kHz e fm = 400 Hz) e desli- detetor de relao usa-se o gerador de F.M.
gadada (CW), apresente uma relao de 20 dB. com modulao externa de 60 Hz. O desvio
Para o nosso caso, temos as seguintes sen- (b,f) ajustado a 300kHz. Usa-se somente o
sibilidades: osciloscpio na sada de udio, sincronizado em
88 MHz 5 iJ.V) 60 Hz da rde.
98 MHz 4 v. V) p. sada de udio aprox.
O gerador ajustado para uma sada de
12 mVe
1 mV.
108 MHz 5 iJ. V) SINAL/RUDO = 20 dB
A varredura vista no osciloscpio a curva
B - Rejeio de A.M. "S" do detetor de relao.
Sintoniza-se o gerador e o sintonizador de A largura da parte reta da caracteristica
F .M. para a mesma freqncia (98 MHz) . determinada diminuindo-se o desvio (f) de
Principia-se com uma entrada de 10 mV 300 kHz at um valor em que a curva "S"
com o gerador modulado de F .M. com f = 22,5 fique reduzida sua parte linear que vista no
kHz e fm = 400 Hz. Anota-se a leitura no mm- osciloscpio como uma reta inclinada em re-
voltmetro de udio. lao aos eixos horizontal e vertical.
Passa-se o gerador para A.M., na mesma Conseguimos em nosso circuito uma parte
freqncia e para a mesma entrada de 10 mV, linear de aproximadamente 200 kHz.
com modulao interna de 400 Hz e profundi-
dade de 30%. SISTEMAS DE ADAPTAO
A diferena em dB a rejeio de A.M.
Diminuindo-se a intensidade do sinal de Os sistemas de adaptao so necessaria-
entrada temos: mente diversos para diferentes tipos de tele-
visores.
SINAL REJEIO Enquanto o mtodo de acoplamento, j
10 mV 30 dB descrito, entre o circuito sintonizado na placa
1 mV 30 dB do pentodo da ECF80 e o da entrada do limita-
100 iJ.V 26 dB dor, pode servir para a quase totalidade dos
10 !J.V 22 dB receptores de T.V. existentes, a adaptao, ou
5 iJ.V 19 dB melhor, a comutao entre o som de T.V. e o
C - Ao do Limitador som de F.M. propriamente dito, apresenta ques-
tes por vzes complexas referentes comu-
Para determinar a ao do limitador, a tao das fontes de + B e da alimentao dos
sada modulada do gerador de F.M. incremen- filamentos.

MAIO/JUNHO 1964 13
 Como condio para o bom funcionamento
preciso que o limitador, detetor e estgios de
som funcionem em ambos os sistemas com a
mesma eficincia. Isto significa que stes est-
gios devem ficar ligados tanto em recepo de
T.V. como de F .M. com a mesma fonte de ali-
mentao, cuja tenso + B no sofra variao
pela comutao de um sistema para outro.
Outra condio a uniformidade na ali-
mentao dos filamentos do receptor de T .V., os
quais devem estar ou todos ligados em srie ou
iodos em paralelo.
As figuras 6 e 7 do todos os detalhes neces-
srios adaptao do conversor a televisores
com filamentos em srie e em paralelo.
CONSTRUAO DAS BOBINAS
A - Bobina de F.l. de 10,7 Mllz (L 1 ):
A bobina L1 em conjunto com o primrio
colocado dentro do sintonizador forma o trans-
formador de F .I. de 10,7 MHz.
Construo:

Cll.-
~~-r--N--+~*T-'H!'--,-r-----oO, 55 esp. fio Litz 7 x 44 sbre frma de 4> 5 mm
13/16") enroladas lado a lado em espao de
IIOV
aprox. 15 mm.
"' Ncleo de ferrite ajustvel.

MONTAGEM EM CANECA

Caractersticas:

131J.H
105- 110
FIG. 6
Circuito para a comutao TV/FM para televisores com fila B- Bobina osciladora 15,2 MHz- Construo:
mentos em srie. O valor de R deve ser escolhido para com-
pensar o aumento da tenso +B quando usado o conversor
e ficam desligadas as demais vlvulas do receptor TV. ( +Bl L2 16 esp. fio 22 esmalt. enroladas lado a lao
corresponde totalidade das vlvulas do televisor, exceto s frma de 9/ 32" ncleo de "ferrite" ajustvel
de FI e som: +B2 corresponde a estas duas)
L3 3 esp. fio 33 esmaltado sbre L2 espaadas
pelas prprias espiras de L 2 .

Caractersticas

L2 = 1,32 tJ.H Q ~ 140

C Bobinas de F.l. de 4,5 MHz (L4 - L5 - L 6 ):

Estas bobinas so de tipo comumente usado

para a F.I. de som de T.V.

Construo:

53 esp. fio 35 esmalt. enroladas lado a lado

sbre frma de 1/4" e ncleo de ferrite ajus-
tvel. (Fig. 8c).
MONTAGEM EM CANECA desejvel.
Caractersticas:

FIG. 7
Esquema de comutao para filamentos em paralelo: a) quando
D - Bobina discriminadora p. 4,5 MHz
usado um transformador de filamentos e b) quando usado
transformador de f{Jra. N iste caso, o transformador de ff>ra Para a confeco desta bobina pode ser
alimenta somente Os filamentos das vlvulas de FI de som
e udio. Os demais, slo ligados a um transformador de fila- aproveitado um transformador discriminador
mento separado. O astersco indica as vdlvulas limitadora e para T.V.
de udio do receptor de TV.

14 REVISTA ELETRNICA
 Tercirio : L9
o) ...._--;t-1___41_ ___,1] 3116"

5 ----<F\
111-------'1"-- 19 esp. de fio Litz 7 x 41, enrolamento
55 espi ras fio Lifz 7x44 Honey-Comb em espao de 4 mm, sbre a mes-
ma frma de L 7 .

b)
CONSTRUAO

Nota: O enrolamento primrio feito dire-

16 espiras fio 22 tamente em cima do tercirio. (Fig. 9) .

MONTAGEM EM CANECA
c)
..__l+------1:1:------'IJ 114
..

7W-J\
53 espiras fio 35 ... Caractersticas :

Primrio :
FIG . 8 L 7 = 52 tJ.H Q = 50 (no carregado)
Dimenses dos enrolamentos de Ll (a) , L2 e L3 (b) e L4, Secundrio :
L5 e L6 (c) .
L 8 = 11,6 !J.H Q = 50 (no carregado)
:e: possvel conseguir as caractersticas re- KQ = 1,45 (no circuito)
queridas mediante ajuste do acoplamento e
LISTA DE MATERIAL
pela reduo da indutncia do primrio.
Contudo, damos aqui a sua construo Resistores
porque h casos em que ela mais rpida que
o ajuste. Rl 3,9 kO 1W
R2, R9 100 kO 1/ 4 w
Construo Ra 18 o 1/2 w
R4 180 kO 1/4 w
R 5, RIO 22 o l/2 w
R6, RI3 10 kO 1W
57 esp. de fio Litz 7 x 41 enrolamento R7 18 kO 1/2 w
Honey-comb em espao de 4 mm, sbre frma Rs 2,7 kO 1W
de 1/4" com ncleo ajustvel de ferrite . Ru 18 kO 1/4 w
RI2 8,2 kO 1W
Secundrio : L 8 RI4 4,7 kO 1/4 w
RI5 RI6 1 kO 1/2 w
34 esp. de fio esmaltado n .0 28 com C.T . RI7 R IS 10 kO l/2 w
(bifilar), enroladas lado a lado, e frma de Rw 220 o 1/4 w
l/4" com ncleo ajustvel de ferrite . Compri- R2o 47 kO 1/2 w
mento de bobina : 12 mm .
<Tolerncia : A tolerncia geral de 20 %
exceto para RI 5, RI 6, RI 7 e Ris onde desejada
FIG. 9 uma tolerncia de 5% )
Dimenses e liga-
es da bobina dis- CAPACITORES
cr iminadora para 4 ,5
MHz (L7 , L8, L9).
cl 15 pF
c2 12 pF
Ca 33 pF
c4 82 pF
Primrio: L
7
:
Secundrio : c5 4,7 pF
17+ 17 espiras de 47 pF
57 espiras f io 7x41
1
c 6, cll' cl 3 cl4
1
fio 28 esmoi!. bifilar
c, 470 pF
------------W~===t-------- C x, c !l' el O CIG 4,7 pF
Terciria: c1 2 1,2 pF
6RIO 19 espiras fio 7x41
(Continua na pg. 41)

MAIO/ JUNHO 1964 15

 "
CONTROLE
,
AUTOMATICO
DE GANHO
indicados e sem detalhes de ordem secun-
REFORADO dria.
Dos vrios arranjos que sero tratados
EM RECEPTORES individualmente mais adiante, o projetista
poder escolher um ou combinar alguns, con-
forme convenincias e caractersticas finais
A TRANSISTOR desejveis.

CAG pela transcondutncia varivel

A. IDIKA
INTRODUAO
Nste artigo sero abordadas algumas
idias bsicas a respeito de diversos mtodos
para obteno do CAG reforado. Emprega-
mos o trmo "reforado" porque, introduzindo
no circuito arranjos adicionais, consegue-se
reforar o funcionamento do CAG convencio-
nal, aumentando a eficincia total do con-
trle automtico.
Os circuitos apresentados servtrao somen-
te para elucidar_ o funcionamento em prin-
cpio, sem pretenso exatido dos valres
(contrle de estgios anteriores)
N diagrama da figura 1, temos o circuito
de CAG convencional. O contrle automtico
atua no 1.0 estgio de FI, mudando a pola-
rizao da base conforme a intensidade do
sinal: com sinais mais fortes a base do tran-
sistor torna-se mais positiva, a corrente do
coletor diminui e o ganho cai, pois o ganho,
entre outros fatres, uma funo do I c.
No grfico (fig. 2) damos a curva tpica
do ganho de potncia em funo da corrente
do coletor Ic para transistores.
O ganho de potncia pode ser expresso
pela seguinte formula:

Ampl. FI n!!.l Ampl. FI n!!. 2

FIG . I

+ 4,8V +

22R1
+
- c AG

16 REVISTA ELETRNICA
 Voltamos agora para o circuito apresen-
tado na figura 1.
Suponhamos as seguintes tenses e cor-
rentes no 1.0 transistor amplificador de F .I.

Sem sinal
(ou sinal fraco l
tenso de base : 4 v
tenso de emissor: 4,3 v
corrente de coletor: 0,5 mA
!:::,. VBB = -0,3 v
FIG . 2

Sendo:
I Yr,. ~ - admitncia de transferncia em Cl- 1
ou transcondutncia
R,.11 - impedncia de entrada
R" 1 impedncia de sada
Q, - fatr de qualidade do circuito sinto-
nizado em vazio (sem carga)
QL - idem, com carga
Analisando a frmula de ganho, logo no-
tamos que temos duas possibilidades de influir
no ganho do estgio: FIG. 3

a) mudando a transcondutncia I Yre I Sinal forte

b) mudando a impedncia de carga tenso de base: 4,8 v
As duas possibilidades so aproveitadas tenso de emissor: 4,6 v
para o CAG, porm a segunda com menor fre- corrente de coletor: 0,2 mA
qncia. A admitncia de transferncia y re Vm, =+ 0,2 v
funo de I,., e diretamente proporcional
corrente de coletor. Na figura 3 damos a va- A tenso do emissor no estacionria.
riao da transcondutncia I Yre I em funo Quando a base se torna positiva, a corrente de
da corrente do coletor. coletor I c ,., I,, diminui, a queda de tenso em

FIG. 4

+ + r +
22R4

MAIO/ JUNHO 1964 17

R~: diminui tambm, e o resultado final que
o emissor acompanha a subida de base, mas
sempre com certo atraso, fazendo CAG menos
eficiente. Por exemplo, se ficasse o emissor
estacionrio, sempre a 4,3 V, a diferena de
r-...!.:.----..... -- - -,
I
I
a) no primeiro caso o diodo no conduz
e portanto no carrega o circuito sintonizado.
(Fig. 5).
b) no segundo caso o diodo conduz, pois
polarizado na direo de conduo e o
circuito sintonizado fortemente amortecido.
(Fig. 6) .

~
CAG reforado - diodo comutador
FIG . 5
I Com sinais mais fortes a tenso de emissor
'I sobe de 4,3 V para, digamos 4,5 V. (Fig. 7) .
Z2R6
--+--------1
Ampl FI-12.

tenso t::,. V n~o: seria bem maior e em conse-

qncia disso a corrente do coletor deveria
cair muito mais.
1[
Em caso de sinal forte:
tenso de base : -4,8 v
tenso de emissor: -4,3 v
corrente do coletor : 0,1 mA

O CAG seria mais eficiente para a mesma

intensidade de sinal de entrada.
Mais adiante veremos que possvel man- 22R 7

ter a polarizao do emissor constante aumen-

tando a eficincia do CAG. FIG. 7

CAG pela impedncia de carga varivel

Amortecimento do circuito de antena pelo

diodo de sobregarga (fig. 4) . O diodo "D"
ligado em paralelo com o circuito sintonizado
da antena. O catodo tem polarizao fixa,
digamos + 4,5 V em relao ao negativo
comum. O anodo recebe tenso varivel de

FIG. 6
22R8
+ +
FIG. 8
22R5

O diodo comea a conduzir colocando o

emissor no valor de tenso determinado pelo
RE. Em consequencia do CAG a tenso de
divisor de tenso R 1 , R 2 . Agora o emissor per-
emissor da 1.a FI varia de 4,3 V (sem sinal) a
manece fixo em redor de 4,45 volts, no depen-
4,7 V (sinal forte).
dendo mais do sinal de entrada.
Em seguida vamos analisar o comporta-
O funcionamento do CAG fica mais efi-
mento do diodo "D" para duas condies:
ciente, pois com sinais fortes sobe somente a
a) sem sinal (ou sinal fraco) tenso de base, permanecendo a tenso do
b) sinal forte emissor constante.

18 REVISTA ELETRNICA
 OA79
i
0,8 v
~
+
FIG. 9
O dodo comutador pode ser ligado entre o
emissor do 1.0 transistor amplificador de FI
e o emissor do transistor conversor ou outro
ponto no circuito onde a tenso permanece
fixa e 0,1 - 0,2 volt mais positiva em relao
do emissor do 1.0 transistor amplificador de
FI. (Fig. 8).
Diodo comutador mais dodo de sbre-carga
Em vez de amortecer o circuito de antena
(fig. 4), para sinais fortes de entrada, po-
demos combinar outro arranjo amortecendo o
filtro do 1.0 estgio de FI no circuito de cole-
tor do conversor.
+ I
150 - - - CA G p/ trs
FIG. 10
MAIO/ JUNHO 1964
i[
-cAG
22R9
Com sinais fortes na antena, a tenso de
FI (445 kHz) no coletor do estgio conversor
alcana um valor em redor de 1 volt e faz
conduzir o diodo D1 (diodo de sbrecarga).
Alm dste diodo temos no circuito (Fig. 9)
mais um diodo D~ (dodo comutador) o qual
refora a eficincia do CAG convencional.
Contrle dos estgios anteriores e seguintes
mais dodo sbregarca
Quando uma parte da energia encami-
nhada aos estgios precedentes, com a fina-
lidade de comandar o ganho, o arranjo pode
ser denominado CAG para trs. Todos os
(Continua na pll'. 43)
o,
+ +
22R10
19
FONTE
DE
ALIMENTAO
ESTABILIZADA
PARA
H l-FI
MARC AUBERT
apresentada neste artigo uma fonte de
tenso contnua de 30 V a 500 mA para ali-
mentao de amplificadores de udio transis-
torizados, que trabalham com circuitos do tipo
"push-pull" de terminao simples, circuitos
stes que, em geral, utilizam tenses de alimen-
tao desta ordem.
Descrio Geral
O circuito utilizado do tipo regulador
srie, constando de um transistor de potncia
regulando em srie com a fonte, transistor ste
controlado por um amplificador de rro.
O retificador consta de um circuito em
ponte (diodos D 1 a D 4 ), sendo C1 o capacitar de
filtro .
O transistor V 1 o regulador srie, e con-
trolado pelo amplificador de rro V 2 que tem
sua tenso de emissor estabilizada por meio
do dodo Zener D 5 .
R 1 o resistor de polarizao da base de
V 1 e R 2 do dodo Zener.
C2 colocado para diminuir a componente
alternada sobreposta, agindo da seguinte ma-
neira: a tenso alternada sobreposta existente
no emissor de V 1 aplicada por meio d.e C2
base de V 2 . Em V 2 a componente alternada
amplificada e aplicada base de V 1 em contra-
fase com a tenso alternada sobreposta prove-
niente da fonte, cancelando-a em parte.
R 3 e R 4 fazem parte do divisor de polari-
zao da base de V 2 e ao mesmo tempo deter-
20
minam a amplitude da tenso de rro a ser
aplicada base. Como o ajuste dessa polari-
zao crtico devido s variaes dos prprios
resistores R3 e R 4 e dos demais componentes do
circuito, principalmente V 1 , V 2 e D 5 , acon-
selhvel utilizar a um potencimetro, o que foi
feito no prottipo de laboratrio (ver circuito
final, Fig. 1).
v,
r,
..",., -30v
j 40V
=:tlk
FIG. 1
Circuito esquemtico de fonte de alimentao estabilizada para
amplificadores ele alta fidelidade a transistores.
Montagem
V 1 deve estar montado sbre um dissipador
de alumnio de 3 mm com uma rea de 100 cm2.
V~ e D~ necessitam de uma aleta de refri-
gerao.
stes dissipadores so necessrios a fim de
que o circuito trabalhe bem a temperaturas de
at 50C.
Caractersticas
No projeto foram levadas em conta :
I - Tenso de rde: variao mxima
permissvel: 100 a 120 V para funcio-
namento ideal. A tenso mxima de
120 V no deve ser ultrapassada, caso
contrrio o Zener pode ser danificado.
O circuito funcionar relativamente
bem com tenses de rde de at 90 V,
no havendo porm, regulao algu-
ma.
No caso de o aparelho funcionar em
regies onde a tenso de rde ultra-
passar 120 V, como s vzes o caso,
dever ser mudado o nmero de espi-
ras do secundrio do transformador,
de maneira que a corrente no Zener
no ultrapasse os 45 mA mximos;
(Continua na pg. 45)
REVISTA ELETRNICA
TELEVISO
A
,..
CORES
Em fevereiro ltimo, reuniu-se novamente
o C.C.I .R., a fim de serem discutidas e adotadas
definitivamente as normas europias para te-
leviso a cres. Nenhum resultado prtico
trouxe essa reunio, pois a deciso foi adiada
para uma futura reunio . Continua, pois, a
luta pela preferncia, na Europa, dos trs
grandes sistemas rivais de TV a cres: NTSC ,
P AL e SECAM. Damos, neste artigo, um resumo
das principais caractersticas de cada um, as
suas diferenas, semelhanas, vantagens e des-
vantagens.
SISTEMA N.T.S.C.
No sistema americano N.T .S.C. existem trs
sinais transmitidos simultneamente, um sinal
de luminncia e dois sinais de crominncia. O
sinal de luminncia ocupa tda a faixa do canal
de vdeo e fornece informaes a respeito da
luminosidade da cena transmitida. Os outros
dois sinais de crominncia modulam uma onda
sub-portadora tanto em amplitude como em
fase , de tal modo que a qualquer instante infor-
maes so transmitidas sbre a saturao e a
tonalidade da cr da parte da imagem que est
sendo varrida.
A freqncia da onda sub-portadora esco-
lhida entre os mltiplos mpares da metade da
freqncia da varredura de linha para que as
freqncias transportando informaes de cr
fiquem compreendidas entre as bandas late-
rais do sinal de luminncia.
A sub-portadora eliminada na transmis-
so e o sinal de crominncia supriinido quan-
do no h variaes de cromaticidade, mas s
de luminosidade na cena transmitida.
SISTEMA SECAM
O sistema francs SECAM utiliza um sinal
de luminncia e dois de crominncia mas trans-
mite somente um dos dois sinais de crominn-
cia simultneamente com o de luminncia.
MAIO/ JUNHO 1964
Existe entretanto um "revezamento" entre
os dois sinais de crominncia, sendo que um
dles transmitido pelo tempo de durao de
uma linha de imagem, quando desligado, e o
outro sinal transmitido pelo tempo de dura-
o da segunda linha, aps o que volta a ser
transmitido o primeiro sinal e assim por
diante.
O sinal de crominncia modula em fre-
qncia a sub-portadora cuja freqncia esco-
lhida (como no sistema N.T.S.C.) entre os
mltiplos mpares da metade da freqncia de
varredura.
Ser visto, entretanto, que existe uma
interao entre o sinal de luminncia e o de
crominncia, que est compreendido entre as
bandas laterais do primeiro, pelo fato de a
modulao ser feita em freqncia . So toma-
das medidas para evitar que essa interferncia
seja muito prejudicial numa imagem em bran-
co e prto.
SISTEMA PAL
O sistema PAL um desenvolvimento do
sistema N.T.S.C. onde se procura resolver os
problemas da distoro cromtica introduzida
por variaes de fase durante a transmisso.
Como no sistema N.T.S.C. as informae>
sbre colorao so transmitidas pela fase da
onda sub-portadora, qualquer variao dessa
fase (causada, por exemplo, por reflexo em
obstculos ou interferncia entre vrios sinais
que chegam simultneamente antena do re-
ceptor) pode causar distores de tonalidade
da imagem recebida em cres.
Apesar de o sistema PAL transmitir infor-
maes sbre a colorao atravs do ngulo de
fase da onda sub-portadora, as distores
introduzidas por variaes do ngulo so dimi-
nudas de modo a no serem prejudiciais, inver-
tendo-se a fase de um dos sinais de crominn-
cia em linhas alternadas. A fase do outro sinal
permanece constante durante tda a trans-
misso.
Essa alternncia de fase (o nome PAL
derivado de "Phase Alternation Line" ) suaviza
a distoro cromtica entre as linhas e diminue
a sensibilidade do sistema distoro de fase .
No tocante ao resto o sistema PAL se asseme-
lha ao sistema N.T.S.C.
21
CARACTERSTICAS COMUNS AOS
TRI.:S SISTEMAS
A partir destas sumrias descries, ser
visto que existem caractersticas comuns aos
trs sistemas. O ponto de partida para cada
sistema o conjunto de sinais da cmara cor-
respondentes s cres rubra ( ), verde e azul da
cena. Os sinais emitidos devem produzir, no
receptor, outros que correspondam s compo-
nentes de cres que vo ser enviadas ao cines-
cpio.
Uma vez que os sistemas devem ser com-
patveis, os sinais de luminncia devem ser
idnticos. Os sinais de crominncia, embora
um pouco diferentes nos sistemas N.T.S.C. e
SECAM, so formados por sinais provenientes
dois sinais de crominncia que modulam a sub-
portadora. J!:stes dois sinais so conhecidos
como sinais I e Q.
Para o sinal Q a banda transmitida sim-
trica em relao freqncia da sub-portadora
e tem largura total de 0,5 MHz.
O sinal I transmitido em banda vestigial
<banda lateral inferior completa- 1,5 MHz-
e banda lateral superior incompleta - 0,6
MHz -) . O nvel do sinal I 1,3 MHz abaixo da
sub-portadora de- 2 dB.
Estas faixas de freqncias so escolhidas
a fim de se ajustarem s caractersticas do
lho humano.
o.9 16RI

de diferenas de cres. . 520

O mtodo de intercalar os sinais de lumi-

il\lll
o fj
nncia e os de crominncia na banda de vdeo 51 o I ~ms:o
o. 7 9'1
A
o mesmo para os trs sistemas.
Estas caractersticas semelhantes vo ser
melhor estudadas antes de serem vistos os v- o. 6
l. dR
II l;!so
amarelado

rios mtodos de codificao e transmisso,

soo verde
Il, /lal 580 r'illo
usados em cada sistema.
o. 5

0,4
ifliiil"''lo- ./ q,
SINAIS DE LUMINANCIA
rJ.~~C~~
O . .....
O sinal de luminncia em cada um dos sis- 0,3
l1 ve.de arulado- 600

IJ650
!!liiii
'I
/ raso ftj rubro
(vermelho
~~~)
temas originado na cmara, correspondendo 490l l
./
/
III III
0,2
s componentes rubras, verdes e azuis da cena.
~ ~~ioleto~ III
OIUI !!III
Uma vez que algumas cres parecem ter mais -ao
o.1
intensidade que outras, mesmo tendo sido elas
projetadas com a mesma energia (a diferente
sensibilidade s cres uma das caracters-
470-
n.oo
0,1
Bl
0,2 Q,3 0,4 0.5 0.6 0,7 0.8

ticas do lho humano que deve ser levada em

conta na reproduo em cres), os trs sinais
provenientes da cmara so misturados na pro-
poro de suas intensidades visuais.
Se Eu, representa a tenso do sinal "gama-
corrigido" correspondente colorao rubra
num certo instante, Ev, a tenso correspon-
dente colorao verde e EA, colorao azul,
ento o sinal de luminncia Ey, dado por:
Ey. = 0,30 ER, + 0,59 Ev, + 0,11
SINAIS DE CROMINANCIA
Os sinais de crominncia nos trs sistemas
so formados por sinais originados de diferen-
as de cres.
Nos sistemas N.T.S.C. e PAL os sinais de
diferenas de cres so usados para produzir
(*) Utilizamos a designao 41
rubra.. ao invs de
uverm.elha", a fim de poder usar as inieiais R, V, e A,
respectivamente, rubra, verde e azul.
FIG. 1
J foi estabelecido que o lho humano no
s tem menos poder de resoluo a variaes de
cromaticidade do que de intensidade de luz,
como tambm a discriminao varia com a
cromaticidade.
A faixa mais larga de freqncia exigida
EA, corresponde aos sinais que representam as cro-
maticidades situadas numa linha entre a cr
laranja e o azul de quinolina no Diagrama de
aromaticidade.
A faixa mais estreita corresponde aos sinais
que representam as cromaticidades situadas
na linha verde - magenta. Estas duas linhas
so mostradas na Fig. 1 (Linhas A e B). O
sinal I representa a linha laranja-azul e o sinal
Q representa a linha verde-magenta. Se E 1, e
EQ, representam respectivamente as tenses
dos sinais I e Q, gama-corrigidos, prova-se

22 REVISTA ELETRNICA
experimentalmente que a ' melhor relao pos- E 01 , = 1,43 (En, - Ey ,)
svel entre os sinais dados obtida quando: Ee2 = 1,12 (EA, - Ey,)
E 1, = 0,74 (ER, - E1.,) - 0,27 (EA, - Ey,) e Estas expresses podem ser escritas como
EQ, = 0,48 (ER,- Ey ,) + 0,41 (EA, - Ey,) anteriormente com os trmos das tenses do
Nestas expresses <En,- E,., ) representa a iconoscpio, dando:
diferena entre o sinal rubro que vem da c- Ecl = 1,0 En,- 0,84 Ey,- 0,16 EA,,
mara e o sinal de luminncia, e (EA, - Er ,) E02 , = - 0,34 En,- 0,66 Ev, + 1,0 EA,,
representa a diferena entre o sinal azul e o
sinal de luminncia. (Eu, - E)., ) e (EA, - Er,) Ser visto que quando En, = Ev, = EA, ,
so, portanto, chamados sinais de "diferena tanto Ec1, e Ec2 , se anulam, e, conseqentemente,
de cres". Dependendo dos valores de En,, EA, e o desvio da freqncia da onda sub-portadora
E,., , os sinais de diferena de cr podem ter nulo.
vlores positivos ou negativos. TRANSMISSAO NO SISTEMA N.T.S.C.
As expresses para I e Q (Er> e EQ,) podem
ser equacionadas em relao s tenses das At agora foi mostrado que so formados
trs vlvulas de imagem substituindo o valor dois sinais de crominncia e um de luminn-
de E.,., : cia. Agora ser visto o mtodo de transmisso.
Os sinais I e Q so usados simultneamente
E 1, = 0,60 Ew - 0,28 Ev, - 0,32 EA,
para modular em amplitude a sub-portadora
E,1, = 021 En, - 0,52 Ey, + 0,31 EA,
em quadratura. Realmente os sinais I e Q mo-
Pode-se notar que quando Ew = Ev, = EA,,
o que ocorre quando uma parte cinza da cena
est sendo varrida, tanto I como Q se anulam.
Isto importante porque estas partes cinzas
representam uma variao de brilho e no de
cromaticidade e devem portanto ser produzi-
das somente por variaes do sinal de lumi-
nncia.
Esta tcnica de anular o sinal de cromi-
nncia para partes cinzas da cena, ou, de ma-
neira geral, fazer com que o brilho de qualquer
parte da imagem permanea constante para
um sinal de luminncia invarivel- apesar de
existirem variaes no sinal de crominncia -
chamado de princpio da luminncia cons-
tante. Na prtica, ste princpio da luminnsia
constante no funciona sempre, pois so neces-
srias as correes-gama dos sinais azul, rubro
e verde que vm da cmara.
A correo-gama necessria por causa da
no-linearidade das caractersticas do cines-
cpio, produzindo uma sada luminosa propor-
cional potncia 2,2 da tenso do sinal aplica- FIG. 2
do. Esta "esxpanso" no cinescpio . corrigida
por meio de uma "compresso" dos sinais da dulam duas sub-portadoras de freqncias
cmara, que chamada correo-gama. O des- idnticas, mas defasadas de 90 , que so
vio da luminncia constante, na prtica, depois somadas. A Fig. 2 um diagrama veto-
relativamente pequeno. o mtodo pelo qual os ria! mostrando as duas sub-portadoras em qua-
sinais I e Q modulam a onda sub-portadora dratura moduladas por I e Q e a resultante que
ser considerado a posteriori. o sinal da sub-portadora definitiva.
No sistema SECAM os dois sinais de cromi- Como I e Q variam em amplitude com a
nncia que so transmitidos alternadamente cromaticidade da parte da imagem que var-
so formados diretamente dos sinais de dife- rida, tambm variaro a amplitude e o ngulo
rena de cres. Se E" 1 , e E'" 2 , representam as de fase da resultante, produzindo sinais cor-
tenses dos dois sinais de crominncia gama- respondentes ao tom e saturao da cr da
corrigidos, em qualquer instante: cena. A amplitude da resultante d informao

MAIO/JUNHO 1964 23
sbre a saturao, ao passo que os ngulos cor-
respondem s variaes de tonalidades <Ver
Fig. 2).
Pode-se mostrar que o sinal da portadora
pode ser descrito em funo dos vetares
<R'- Y') e (A'- Y') . ~les tm a relao de
fase com I e Q mostrada na Fig. 2, o sinal Q
fazendo um ngulo de 33 com a direo
<A- Y) . Os sinais de luminncia e som so
frequincld
subpoi'Udor
transmitidos de maneira convencional, como
no sistema de televiso branco e prto, por mo-
dulao das ondas sub-portadoras de vdeo e
de som.
Um diagrama de bloco dos principais est-
gios de transmisso de vdeo mostrado na Fig.
3. Os sinais da cmara so gama-corrigidos e
passados para a "Matriz", onde so adicionados
nas propores corretas a fim de formarem os
sinais I, Q e o sinal de luminncia Y.
Os sinais I e Q atravessam um filtro passa-
baixo para limitar a largura das bandas s me-
didas requeridas, e depois vo ao estgio mo-
dulador. A sada do modulador corresponde ao
sinal de crominncia com a freqncia da sub-
portadora suprimida. Esta freqncia deve
ser um mltiplo mpar da metade da freqncia
Filtro
passa-banda Sinal de luminncia
2,l-4,2MHz
Sinal
composto
de vdeo
Oscilador tocai
FIG. 4
da varredura horizontal, tendo sido escolhido o
valor 3,57954 MHz no sistema americano. Esta
a harmnica de ordem 455 da metade da fre-
qncia de varredura horizontal numa imagem
de 525 linhas.
A supresso da sub-portadora evita inter-
ferncia numa cena em branco e prto, que de
outra maneira apareceria como um conjunto
de pontos.
24
No receptor a cres, mostrado no diagrama
de bloco da Fig. 4, o sinal da portadora sepa-
rado do sinal de luminncia por meio de um
filtro passa-banda. A banda dsse filtro (para
o sistema americano) de 2,1 MHz a 4,2 MHz,
uma vez que os componentes da crominncia
da cena se estendem de crca de i,5 MHz abaixo
da freqncia da sub-portadora at crca de
0,6 MHz acima da mesma.
FIG. 3
O sinal da sub-portadora passa atravs do
estgio de demodulao sincronizada onde pode
ser "heterodinizado" com o sinal de um osci-
lador local cuja freqncia a mesma da sub-
portadora. Notar-se- que a freqncia dste
oscilador local dever ser exatamente a mesma
que a da sub-portadora e que uma certa refe-
rncia de fase deve ser usada, do contrrio
ocorrero distores de tonalidade. neces-
sria, portanto, uma forma de pulso de sincro-
nizao, e ste produzido transmitindo-se
um curto sinal de sub-portadora no modu-
lada depois do pulso de sincronizao de linha.
ste o pulso de "referncia de cr" mostrado
na Fig. 2 onde se pode ver que ste pulso
defasado de 180 em relao ao eixo de refe-
rncia (A'- Y').
Canho
verde Ao cinescpio
Canho
azul
Saindo do demodulador, os sinais I e Q so
introduzidos atravs de filtros passa-baixo, na
matriz. A sada desta corresponde aos trs
sinais originais da cmara, e encaminhada ao
cinescpio.
Um outro mtodo de demodulao usado
em receptores domsticos deteta os sinais
(R' - Y') e (A' - Y') diretamente da onda
sub-portadora. ~sses dois sinais so dirigidos
REVISTA ELETRNICA
matriz, e so obtidos, na sada da mesma, sinais
correspondendo a (ER, - EY,) , <Ev, - E1 ,) e
(EA, - ET,). ::Sses sinais polarizam as grades
do cinescpio, enquanto que o sinal de lumi-
nncia Ey, polariza os catados.
Os feixes eletrnicos dos canhes corres-
pondem aos sinais Eu,, Ev, e EA,.
FIG. 5
TRANSMISSAO NO SISTEMA SECAM
Um diagrama de bloco dos principais est-
gios do transmissor SECAM mostrado na Fig.
5. Os trs sinais da cmera so gama-corrigidos
e enviados matriz, cuja sada corresponde ao
sinal de luminncia e aos dois de crominncia
de acrdo com as equaes dadas anterior-
mente. Os sinais de crominncia vo para um
rel eletrnico que os seleciona alternada-
mente para a transmisso e sse sinal selecio-
Sino I
FIG. (, comj)oslo
de vdeo
....
nado, depois de p&.ssar por um filtro passa-
baixo, modula em freqncia a sub-portadora.
A freqncia nominal da sub-portadora para
uma imagem de 625 linhas de 4,4 MHz.
Sendo a modulao feita em freqncia, a
"intercalagem" do sinal de crominncia no
sinal de luminncia no ser perfeita, podendo
haver interferncia. Isto acontece porque a
sub-portadora no pode ser suprimida, como
no sistema N.T.S.C. A interferncia aparece
como um desenho pontilhado na imagem e
especialmente desagradvel na imagem com-
MAIO/JUNHO 1964
patvel branco e prto. A fim de reduzir sse
fenmeno, diminue-se a amplitude da sub-por-
tadora at o menor nvel possvel que ainda d
proteo a rudos .
No receptor, mostrado no diagrama de
bloco da Fig. 6, o sinal de crominncia sepa-
rado do sinal de luminncia atravs de um
Aos estgios
de R.F.
Sinal de
cro m inncia
1 6 R5
Frequencia da
subportador il
filtro passa-banda. A sada do filtro, que
Ec1 , ou Ec2 , dependendo do instante conside-
rado, vai para um rel eletrnico, diretamente
e atravs de um circuito de tempo. O tempo
de retardo dsse circuito o tempo de durao
da varredura de uma linha, 64 (J.S para uma
imagem de 625 linhas.
As duas entradas do rel eletrnico so
portanto a seqncia Ec 1 , , Ec 2 , , Ecl, etc., para
uma entrada e Ec2 , , E01 , Ec 2 , etc . . . para a outra.
Ao cinescpio
Esta chave comutada na freqncia da var-
redura, e as sadas constituem sinais indepen-
dentes E, I> e E,. 2 sses dois sinais so passados
matriz e so obtidos sinais na sada corres-
pondendo a <Eu, - EY,), (Ey, - EY,) e
(EA, - E,.,) . Como descrito anteriormente,
sses dois sinais vo s grades dos canhes
correspondentes e o sinal de luminncia EY,
levado aos catados.
(Continua na plf. 41)
25
 OSCILADOR
AUXILIAR
MODULADO
LUIZ VELLEGO FILHO
Na maioria dos modernos receptores de
rdio encontrada uma tomada para a ligao
de fonocaptores . Fazem exceo os receptores
portteis e os de alimentao por c.a - c.c.,
maioria dos quais necessrio incorporar
essa tomada.
A adaptao de uma dessas tomadas no ,
em geral, muito complicada; no entanto, po-
dem surgir problemas, quer mecnicos, quer
eltricos. Nos receptores de c.a.-c.c., a liga-
o de um dos terminais de rde ao chassi pode
ter resultados desagradveis.
Uma das solues freqentemente adotada.s
o uso de um "oscilador fonogrfico", que
transmite um sinal de RF modulado ao recep-
tor. O sinal de modulao fornecido por um
fonocaptor e o receptor pode estar localizado
a vrios metros do oscilador. 1!:sse tipo de apa-
relho , na realidade, um pequeno transmissor
e a rigor, no passa de uma brincadeira. Alm
disso, quando incorretamente construido ou
operado sem o necessrio cuidado, pode cons-
tituir-se numa fonte de interferncias muito
inoportuna.
O pequeno aparelho, descrito neste artigo,
elimina os inconvenientes das alteraes do
circuito, assim como os do uso do tipo "sem fio".
Trata-se de um oscilador trabalhando num
dos extremos da faixa de ondas mdias <pode-
ria trabalhar em qualquer outra) e cujo sinal
modulado pelo sinal de udio fornecido pelo
fonocaptor. Seus terminais de sada so ligados
aos terminais de antena e terra do receptor,
eliminando com isto a irradiao de interfe-
rncias e reduzindo ao mesmo tempo a potncia
de sada necessria. Evidentemente, no se
ter a possibilidade de levar o fonocaptor e o
oscilador a qualquer ponto da sala, mas isto
no representa desvantagem na grande maio-
ria dos casos, pois ningum estar constante-
mente carregando seu toca-discos em baixo
do brao ...
26
O circuito
Trata-se de um oscilador Colpitts, que
opera no extremo inferior da faixa de ondas
mdias, modulado por um fonocaptor cermico
ou de cristal, ou ainda, microfone de cristal ou
dinmico.
Foi utilizado um transistor OC71, em con-
figurao de base massa (atravs de C 1 ).
Nestas condies, os sinais no emissor e no
coletor esto em fase e o divisor capacitivo
C3 -C 6 introduz a realimentao necessria para
que o transistor oscile. A freqncia de osci-
lao determinada pela capacidade do con-
IZO
R,
... c, ...
10 z~
...
FIG. I
Circuito esquemtico do oscilador auxiliar modulado .
junto C3 -C6 e pela indutncia da bobina L1 .
Esta indutncia pode ser variada pelo ajuste
do respectivo ncleo de ferrite, permitindo a
escolha da frequncia de operao mais ade-
quada, isto , onde no se encontra emissora
interferente.
A modulao obtida fazendo-se percorrer
o potencimetro R2 pela corrente de udio.
Como sse potencimetro faz parte do circuito
de polarizao do emissor, uma variao da
corrente de udio altera o valor do potencial
emissor-base. Em outras palavras, a amplitude
das oscilaes varia de acrdo com a ampli-
tude do sinal de udio na entrada. Por essa
mesma razo o potencimetro R 2 serve igual-
mente para ajustar a profundidade de modu-
lao.
O sinal de sada retirado atravs de
C5 e R 5
Montagem
A montagem do prottipo dste aparelho
foi feita sbre uma placa de fenolite de
(Continua na pc. 43)
REVISTA ELETRNICA
CONSTRUO
E
FABRICAO
DE
TRANSISTORES
Tanto aqules que j esto familiarizados
com os aspectos tericos do funcionamento dos
transistores, como os que esto se iniciando no
seu estudo, certamente encontraro no presen-
te artigo informaes de grande intersse, rara-
mente descritas em revistas do ramo.
Alm dos aspectos fsicos da estrutura dos
transistores de juno, descreveremos tambm
duas modernas tcnicas que permitem a fabri-
cao dsse tipo de transistores em escala in-
dustrial - aquela conhecida como mtodo de
juno por liga e o processo de difuso de liga.
O mtodo de juno por liga adotado
principalmente na produo de transistores
de udio-freqncia e, numa forma modificada,
na produo de transistores de potncia. A
tcnica de difuso de liga, embora seja muito
mais complexa e requeira padres de preciso e
tecnologia quase inacreditveis~ permite a fa-
bricao de transistores particularmente reco-
mendados para aplicaes em altas freqncias,
tendo em vista o seu timo desempenho.
O TRANSISTOR DE JUNAO POR LIGA
A Fig. 1 ilustra o corte transversal de um
transistor tpico de juno por liga.
FIG . I
MAIO/ JUNHO 1964
De acrdo com a figura, a estrutura dste
tipo de transistor consta de uma pequena fatia
de germnio do tipo N, em cujas faces princi-
pais so fundidos, um em cada face, dois mi-
nsculos gros do metal chamado ndio. A
temperatura e a durao do processo de fuso
so controladas de tal modo que alguns tomos
de ndio penetram nos reticulados de germnio
formando com ste uma liga metlica, consti-
tuindo assim duas zonas P, uma em cada face
da fatia de germnio que originalmente era do
tipo N.
o processo de fabricao comea com a
produo de germnio altamente refinado, cujo
teor de impurezas residuais de ordem tal
que no ultrapassa a proporo de um tomo
de impureza em cada dez milhes de tomos
de germnio. &se padro de pureza bem mais
elevado que aqules que se conseguem com
processos qumicos usuais, e obtido por uma
tcnica .conhecida por refino local ou refino
superficial. O processo, que realizado num
ambiente quimicamente inerte, consiste em
fazer passar vagarosamente um lingote de ger-
mnio razovelmente puro atravs de um tubo
circunvolto por bobinas dispostas em interva-
los convenientes, atravessadas por correntes de
R.F. Na Fig. 2 est ilustrado um frno de refino
local empregado no processo.
A medida que o lingote se move atravs do
tubo, as zonas que momentneamente ficam
rodeadas pelos enrolamentos se fundem sob o
efeito da induo de correntes parasticas de
RF que as percorrem, ocasionando a concentra-
o de impurezas nas regies fundidas, uma
vez que a solubilidade geralmente maior no
estado lquido que no estado slido (recrista-
lizado). Depois de vrias passagens atravs do
tubo, tdas as impurezas ficam concentradas
na extremidade posterior do lingote a qual
rejeitada.
O germnio puro assim obtido necessita
ser preparado em forma de cristais simples,
seja do tipo N ou P. Isso feito submetendo,
primeiramente, o metal ao estado de fuso, e
em seguida adicionando, em proporo deseja-
da o metal escolhido como doador ou aceptr.
Em geral a proporo dessas impurezas propo-
sitais da ordem de um para cem mil.
27
 FIG. 2
Um pequeno monocristal previamente pre-
parado, conhecido como "cristal-semente"
agora introduzido e vagarosamente retirado.
Em trno da semente desenvolve-se um cristal
simples contnuo de mesma configurao estru-
tural que a semente e , logicamente, de ger-
mnio do tipo N ou P, conforme a impureza
adicionada. A formao de cristal pode cons-
tituir um processo separado ou pode ser combi-
nado com o processo de refino local.
A tcnica de formao de cristal acima
descrita a mesma tanto para a fabricao de
transistores de juno por liga como para os
de difuso de liga. Nos pargrafos seguintes
continuaremos com a descrio das etapas
sucessivas de fabricao dos transistores de
juno por liga; a fabricao dos de difuso cada superfcie que separa o slido do metal
de liga ser tratada com certa extenso no item
seguinte.
O primeiro passo consiste em cortar o
cristal formado em fatias delgadas e dividi-las
novamente em pedaos menores. Em seguida
sses pedaos so submetidos aos tratamentos
28
quimicos at atingir as espessuras requeridas.
Os cristais assim preparados esto agora pron-
tos para serem aproveitados para formar a re-
gio de base dos transistores.
As zonas que constituem o emissor e o co-
letor so formadas fundindo, primeiramente,
uma minscula pastilha cilndrica de ndio
sbre cada uma das faces do cristal-base, sendo
que a pastilha de coletor trs vzes maior que
aquela do emissor. o processo de fuso rea-
lizado numa atmosfera redutora, a fim de evitar
a oxidao. Quando as pastilhas se fundem,
uma certa quantidade de germnio se dissolve
no ndio, e, posteriormente, quando o conjunto
esfria e o material comea a se recristalizar,
forma-se uma zona de material do tipo P em
fundido. Devido ao mtodo peculiar de prepa-
rao e corte do cristal, as superfcies de juno
so relativamente planaB. A temperatura e a
durao so controladas de modo a resultar
apenas uma zona extremamente delgada de
germnio do tipo N, entre as zonas do tipo P.
REVISTA ELETRNICA
 O conjunto agora soldado ao suporte de
cristal feito de nquel, ou terminal de base, e o
conjunto todo montado sbre uma base de
vidro atravessada por trs fios ou lides. Um
dsses lides soldado ao terminal de base, e os
outros dois s pastilhas de emissor e coletor,
respectivamente.
Finalmente o transistor completado
encerrado dentro ,de um invlucro de vidro
contendo graxa silicosa prova de umidade e
o conjunto encapsulado num invlucro ciln-
drico de metal que auxilia a remoo do calor
gerado no interior do transistor durante o
funcionamento .
LI QOCcio Cio ,;,min o r
~~~~~~~-Lm;, ,,
....
Qermci"IO
Sue~or1e
melllco de
ITIO I"IfOQIIfl
FIG. 3
A descrio acima diz respeito mais par-
ticularmente aos transistores de udio-fre-
qncia de pequenas potncias. Os transistores
de potncia do tipo juno por liga so fabri-
cados de maneira essencialmente anloga, mas,
para aumentar a dissipao trmica permitida,
os prprios elementos so considervelmente
maiores que os de outros tipos e o transistor
completo montado com seu coletor sbre uma
placa macia de cobre, de modo que h apenas
dois eletrodos de ligao, semlo o terceiro a
TRANSISTOR
TPICO DE
JUNO POR
LIGA
MAIO/JUNHO 1964
prpria placa de cobre. A estrutura de um
transistor de potncia acha-se reproduzida em
corte transversal esquemtico na Fig. 3.
O TRANSISTOR DE DIFUSO DE LIGA
Para se produzir um bom transistor de
RF , imprescindvel manter a capacitncia in-
terna a menor possvel, e, isso, na prtica, sig-
nifica manter a rea da juno de base com o
coletor a mnima possvel. :l!:sse requisito sa-
tisfeito no transistor de difuso de liga graas
adoo de uma estrutura completamente
diferente daquela do transistor comparativa-
mente mais simples que o de juno por liga,
j descrito. Todavia, o seu processo de fabri-
cao envolve uma srie de operaes demora-
das e complexas .
Em vista disso, ser mais conveniente
comearmos pelo exame da estrutura geral de
um transistor de difuso por liga, ilustrada
esquemticamente na Fig. 4.
O transistor fabricado da seguinte ma-
neira:
Sbre urna fatia delgada de germnio do
tipo P que posteriormente constitui o coletor,
produz-se uma camada de material base do
tipo N. Sbre ela funde-se, lado a lado, dois
gros de liga de chumbo e antimnio, e em se-
guida submete-se o conjunto ao tratamento
trmico, a fim de garantir a difuso do anti-
r===~=j:_::j~rff.====:t- Bose (N)
ColetOt (P)
-+--uooao do
'-------------,.,..,..J ole!or
FIG. 4
mnio atravs da camada do tipo N e tambm
no material do tipo P, o que aumenta a pro-
fundidade do material de base do tipo N na
regio imediatamente abaixo dos gros . O
gro esquerda forma a ligao base, ao passo
que o da direita, aps recoberto com pelcula
de alumnio num estgio intermedirio de fa-
bricao e tratamento trmico, forma uma
pequena zona P imediatamente abaixo dle, e
forma o emissor.
Feita essa breve explanao, podemos pas-
sar descrio dos estgios sucessivos da fabri-
cao propriamente dita.
29
 A produo de transistores de juno por
difuso de liga comea a partir de um cristal
simples de germnio do tipo P. O cristal cor-
tado em fatias que, por sua vez, so polidas e
subdivididas em tiras como no caso de transis-
tores de juno por liga; porm, mais largas e
suficientes, na realidade, para fabricar oito
transistores, embora no sejam separveis se-
no aps o estgio d~ formao de base e
emissor.
Essas tiras so desbastadas quimicamente
at a espessura requerida. Depois de cauteri-
zadas, lavadas e scas, cada cristal aferido
quanto espessura num aparelho automtico
que a classifica em diferentes compartimentos
de acrdo com o tamanho, dentro de pequenas
tolerncias.
A etapa seguinte, conhecida por pr-difu-
so, a produo de uma camada delgada de
tipo N sbre tda a superfcie do cristal do tipo
P, a fim de diminuir a resistncia de base do
futuro transistor, e assim possibilitar melhor
resposta de freqncia. Para sse fim, os cris-
tais so colocados em ampolas de quartzo con-
tendo uma proporo rigorosamente pesada
de p de germnio-antimnio. As ampolas
so submetidas ao alto vcuo e seladas, e depois
aquecidas a altas temperaturas durante um
tempo rigorosamente especificado. Isso pro-
voca a vaporizao do antimnio, bem como a
penetrao do mesmo, por difuso, no cristal
at a profundidade desejada. Aps o resfria-
mento, as ampolas so abertas e o seu contedo
peneirado, a fim de separar o p remanescente
dos cristais.
Enquanto isso preparam-se os gros que vo
formar a base e o emissor. Num frno de pre-
'"''''"m'~
Mko~
' ~
6 16rnlna,, ' '
t gtrm!SrMo.
I '
rr
I
1 1
:: ':
Bandeja dt ' '
QfOfitt
FIO. S
parao de ligas funde-se, em proporo apro-
priada, chumbo e o antimnio e o metal fun-
dido vazado em barras que posteriormente
so cortadas em pedaos menores. :mstes, por
30
sua vez, so transformados em pequenos gros
do tamanho indicado na Fig. 6, mediante um
processo engenhoso no qual o metal re-fun-
dido e extrudado sob presso atravs de pulve-
rizao, caindo num banho de leo onde le se
solidifica em forma de pequenas esferas. De-
pois de sucessivas limpezas os gros so colo-
cados num dispositivo automtico de penei-
rao que retm somente aqules de dimenses
corretas.
Agora necessrio fundir os gros sbre as
tiras de cristal. Essa operao na qual 16 esfe-
ras de metal, cada uma de dimetro um pouco
maior que um dcimo de milmetro, so prsas
ao cristal deixando espaamentos entre centros
de exatamente 200 mcrons, isto com inter-
valos vazios de apenas 50 mcrons, de grande
delicadeza e requer grande percia e equipa-
mentos engenhosos. o gabarito empregado est
ilustrado na Fig. 5.
Gem"~ p 1'\,Co,_ N
~===========:::Yv, ..
FIG. 6
As tiras de cristal so arranjadas numa
pequena bandeja de grafite e sbre elas colo-
cada uma tira fina de mica dotada de furos
apenas um pouco maiores que os gros e espa-
ados a distncias corretas. Sbre a tira de
mica coloca-se um certo nmero de gros, dis-
tribuindo-os de maneira tal que apenas um
gro caia em cada furo, sendo removidos os
gros excedentes. Em seguida coloca-se uma'
tampa de grafite sbre a tira, a fim de segurar
os gros em posio e prende-se a mesma com
: :
'
r
, ,
1 , grampos.
" ,.
Os gabaritos cheios so agora transporta-
dos em transportadores atravs de um frno
onde so submetidos a um programa de trata-
mento trmico rigorosamente controlado, du-
rante o qual os gros so firmemente fundidos
s tiras de cristal. A Fig. 6 mos~ra na parte
superior uma pequena seco transversal da
tira de cristal e em baixo o aspecto da tira
tda.
REVISTA ELETRNICA
 Deve-se lembrar que nessa etapa os gros
esto meramente vinculados camada do tipo
N de uma face do cristal, por um processo de
liga. A etapa seguinte o processo de difuso
durante o qual o gro do lado esquerdo de cada
par transforma-se em conexo de base e o
emissor formado pelo gro direita.
Uma pequena quantidade de tinta de alu-
mnio aplicada automticamente nos gros
direita e, por ser sse metal material aceptor,
capaz de formar a zona P necessria. Os cris-
tais, revestidos de uma pelcula refratria que
impede que os gros se soldem por fuso du-
rante o processo seguinte so novamente sub-
metidos a um tratamento trmico cuidadosa-
mente controlado e cronometrado.
Os gros se difundem agora mais profun-
damente no germnio, at mesmo abaixo da
camada N pr-difundida. Uma vez que a tem-
peratura mxima durante sse tratamento
N:=-r~=--=QQ==p~..1
I_
FIG. 7
trmico mais elevada que durante o processo
de liga e fica acima da temperatura de vapo-
rizao do antimnio, ste se difunde no
chumbo e forma uma camada do tipo N abaixo
dos gros, constituindo assim a base, junta-
mente com a camada N pr-difundida.
Alm disso, nos gros direita, o alumnio
se difunde no germnio. J que a velocidade de
difuso do alumnio menor que a do anti-
mnio, forma-se uma camada P entre o gro
e a base difusa do tipo N. Durante a recrista-
lizao dissolvido mais alumnio que o anti-
mnio no gro, de modo que o gro direita e
a camada P adjacente constituem o emissor.
Quando os cristais j estiverem frios, a ca-
mada refratria removida por dissoluo,
deixando o conjunto tal como se afigura na
vista de corte ilustrada na Fig. 7, onde esto
indicadas as diversas zonas.
A camada do tipo N situada no fundo do
cristal deve ser agora removida a fim de deixar
livre uma superfcie de germnio do tipo p
sbre a qual soldado o terminal de ligao
do coletor. Isso feito por corroso qumica,
protegendo-se a face que aloja o cristal com
MAIO/JUNHO 1964
uma tinta especial anti-corrosiva. Depois dsse
processo de corroso procede-se lavagem e
secagem.
Um "pente" de nquel apresentando oito
"dentes" que, eventualmente, formam os ter-
minais de ligao dos coletores dos oito transis-
tores; agora soldado superfcie plana (do
tipo P) de cada cristal, usando uma solda de
liga de ndio, pois ste metal um elemento
aceptor. Os transistores so separados cortan-
do-se os pentes.
Cada transistor ento montado sbre
uma base con.c;tituda de disco de vidro, atraves-
sado por quatro lides soldados ao vidro da
base. Em volta do disco coloca-se uma cinta
de ao estanhada com uma solda conveniente.
Um dos lides, o "lide de grade", soldado a
essa cinta e os demais so cortados e dobrados
na medida. O terminal de coletor soldado a
um dos lides; os gros de base e emissor so
ligados aos lides restantes por meio de fios
estanhados de cobre extremamente finos .
TRANSISTOR
DE DIFUSO
DE LIGA
O passo seguinte consiste em remover o
mximo possvel de material desnecessrio, a
fim de reduzir ao mnimo a rea da superfcie
que divide a base do coletor, e assegurar, dsse
modo baixa capacitncia entre a base e o cole-
tor. Durante sse processo a pequena rea com-
preendida entre os lides de coletor e emissor
protegida.
A Fig. 8 mostra a constituio do transis-
tor nesse estgio, onde as linhas tracejadas in-
dicam as partes que devem ser removidas.
(Continua na p~:. 39)
31
PROJETO
,
DE ESTAGIos
, Porm,
DE SAlDA EP I E. = lln e portanto, I, = rp~n ou
rv = n . r.
A Vemos da, que se E. corresponde a n vzes
E11 , observa-se o inverso no que diz respeito
TRANSISTORES relao de r. e rP, ou seja, I, corresponde a IP
dividido por n .
A. A . DUBBELMANN
Exemplo:
lTm transformador com relao de espiras
n = 3 ligado a 110 V e carregado com um re-
sistor de 1 000 (.l . Pergunta-se os valores de
E 9 , r., IP e P 8
Soluo:
2.a Parte
E9 nE1, = 3 X 110 = 330 V
Transformadores 330
r. E. I R c= ---
1000
= 0,33 A
Como vimos na 1.a parte dste artigo, uma rP n .I. = 3 X 0,33 = 0,99 A
tenso alternada aplicada a uma indutncia P. = E9 r. = 330 X 0,33 = 108,9 W
induz nesta outra uma tenso igual e de fase
oposta a tenso aplicada. IMPEDANCIA DE ENTRADA
Supondo-se existir, no campo magntico da
primeira, outra bobina com o mesmo nmero Considerando novamente P,. = P, a impe-
de espiras, claro que tambm nesta ser indu- dncia de entrada do transformador pode ser
zida uma tenso e que esta tenso ser igual fcilmente calculada:
induzida na primeira bobina. tambm evi-
dente que, quando o nmero de espiras secun- 2
e P. = E. I R ,.
drias fr n vzes maior que o nmero de espi-
ras primrias, a tenso induzida ser n vzes e portanto
maior qua a tenso aplicada ao primrio.
O fator n denominado relao de espiras
e determinado, como j vimos, pelo quociente
do nmero de espiras Ns do secundrio pelo ou ainda
nmerode espiras NP do primrio. Dsse modo
n = N. I N1, . Evidentemente, n tambm pode
ser menor que 1, e neste caso, a tenso de sada
E. ser menor que Ep. Generalizando :
Em conseqncia disso :
E8 = n . Ep ou E8 I EP = n
Aplicando-se uma carga resistiva R c ao
secundrio do transformador, fluir uma cor- cu
rente E9 I R c = r .
Supondo-se o transformador livre d,e per- No caso do exemplo acima,
das, a potncia absorvida por R c deve ser igual
potncia fornecida pela fonte de tenso liga- Zv = Rc I n2 = 1000 I 9 = 111 (.l
da ao primrio.
Assim, A frmula ZP = R c 1 n2 mostra claramente
P" . = PP ou E. . r. EP . rP ou ainda que, atravs de uma escolha apropriada do
r.=rP .EPI E9 valor de n, pode ser obtida qualquer impe-

32 REVISTA ELETRNICA
 n
r--A--.. Is
~----~----~ ~--~~~~-------o
a)
b)
- Ip
Rc
7 7
d)
dncia primria desejada, para qualquer valor
de Rc; esta a importante caracterstica men-
cionada na primeira parte dste artigo.
PERDAS E EFICUNCIA
At agora consideramos o transformador
livre de perdas. Isto, porm, na prtica, nunca
acontece, pois os enrolamentos do transforma-
dor tm uma certa resistncia; as lminas do
ncleo agem como espiras em curto-circuito
<correntes parasticas) e necessria uma
certa potncia para compensar as perdas por
histerese. Normalmente, as duas ltimas for-
mas de perdas do transformador so relativa-
mente insignificantes quando se usam lminas
MAIO/JUNHO 1964
FIO. I
c)
Rc
27Rl
e)
delgadas para reduzir as perdas por correntes
parasiticas.
o que resta so as chamadas perdas no
cobre, decorrentes da resistncia dos enrola-
mentos. O circuito equivalente de um trans-
formador livre de perdas realmente muito
simples, pois consiste simplesmente de um re-
sistor de valor igual a Rcfn2 em paralelo com a
reatncia ~ do enrolamento primrio, como
pode ser visto na figura lB. Nas freqncias
do meio da faixa <1000Hz) a reatncia ~ tor-
na-se to grande que sua influncia pode ser
desprezada, permitindo simplificar ainda mais
o circuito equivalente que neste caso consiste
somente do resistor Rc 1 n2.
33
 Porm, como j vimos, os transformadores
no so, de modo algum, dispositivos perfeitos,
devendo-se por essa razo levar em conta uma
certa resistncia dos enrolamentos primrio e
secundrio. A fig. 1D mostra o circuito equi-
valente de um transformador real. A resistn-
cia do primrio indicada por RP e a do
secundrio por R 9 Refletida ao primrio, R 8
torna-se R. 1 n2 e dessa maneira a impedncia
de entrada do primrio fica:
ou
desde que a freqncia seja suficientemente
elevada para permitir desprezar a influncia
de x 1_. Esta ltima condio ilustrada na
fig. 1E.
A eficincia, que o quociente da potncia
absorvida pela carga pela potncia consumida
no primrio (multiplicado por 100%) pode ser
fcilmente calculada. Observando a fig. 1E,
vemos que a corrente IP atravessa as trs resis-
tncias, fornecendo a cada uma a potncia de
2
11, R; a potncia de sada
a potncia de entrada total
2 2
Pe =I" [RP + (R9 + Rc)ln2] = IP . ZP
e a eficincia
11 = P.IPe = (Rc/n2)1Zp = (Rcln2ZJJ) X 100%
Exemplo:
Um transformador de sada est carregado
com um alto-falante cuja bobina mvel possui
impedncia de 3,2 O. Temos:
n = 0,34, R. = 0,4 0, e RP =
Calcular (a) impedncia de entrada do primrio
(b) eficincia
(a) ZP = RP + (Rc + R ln2
zp = 2,32 + (3,2 + o,4> 1 o,116
= 2,32 + 31,o3 = 33,35 n
(b) -r, = (RJn2 . ZP) X 100%
11 = (3,210,116 X 33,35) X 100% = 82%
RESPOSTA DE FREQmNCIA
Normalmente, o espectro completo de udio
no transferido carga. com eficincia uni-
forme. Capacidades parasticas e indutncia de
34
fuga reduzem a eficincia na parte alta do
espectro ao passo que o baixo valor de xL tem
efeito semelhante na parte baixa.
A resposta de alta freqncia dos trans-
formadores geralmente em uso nos circuitos a
transistores boa (30-50 kHz), graas aos bai-
xos valores de impedncia a encontrados. Por
essa razo, no trataremos das altas freqn-
cias, considerando o transformador ideal neste
aspecto.
A resposta de baixa freqncia do trans-
formador determinada pela relao entre sua
indutncia primria e a carga refletida para o
primrio, em paralelo com a impedncia de
sada da fonte excitadora. A resposta de baixa
freqncia dada pela freqncia na qual a
potncia de sada de um transformador exci-
tado por corrente cai metade do seu valor a
1000 Hz. Esta freqncia designada como
ponto de corte de baixa freqncia (ponto de
-3 dB) e varia entre 2 Hz (para um amplifi-
cador de alta fidelidade) e 200 Hz (para um
amplificador de "public-address"); um valor
de 50 Hz normalmente considerado suficiente
para um bom receptor de rdio.
fcil calcular a freqncia de corte, bas-
tando lembrar que P 8 proporcional ao qua-
drado da tenso E sbre a impedncia Z, con-
sistindo esta ltima do arranjo em paralelo da
resistncia R (igual a (R. + R)ln 2) e da rea-
tncia xL (Fig. 1D).
Se chamarmos tenso E, sbre Z, de E 1
freqncia de 1000 Hz e de E2 freqncia de
corte, e aos valores correspondentes de P 8 , res-
pectivamente P 1 e P 2 , teremos:
2
P 2 IP 1 = P 2 12P2 = E2 I E1
~
de maneira que
2
E2 = E2112 ou E2 = E 1 I y'T ou ainda,
E 2 /E 1 = 1/ -y2
2,32 0
A tenso E proporcional ao valor de Z,
pois fornecida uma corrente constante ao
primrio do transformador. Designando por
8)
Z 1 a impedncia a 1000 Hz e por Z2 aquela
freqncia de corte, teremos
Z21Z 1 = E2/E 1 = li y' 2
O valor de Z pode ser calculado de :
wLR
z
(Continua na ptr. 47)
REVISTA ELETRNICA
ELEMENTOS
DE
"
ELETRONICA A distncia entre os tomos crca de 18
vze~ o seu dimetro; esta curiosa circunstn-
cia faz com que uma barra de cobre, por exem-
plo, seja formada na sua maior parte por espa-
ELETRICIDADE os vazios e por uma pequena parte de cobre
propriamente dito. Pode-se perguntar: "a
barra no se separa numa quantidade de pe-
quenos tomos"? "O que mantm a barra sem
l.a PARTE se desagregar"? A razo que existe uma forte
ligao entre os tomos (chamada coeso) que
1 - O que o tomo?
os mantm juntos.
Para demonstrar que h espao entre os
Suponhamos que temos um bloco cbico de tomos, deixe-se cair uma esfera de metal
cobre com tdas as arestas iguais a 1 cm, ou num solo de pedra. O ressalto da esfera de-
seja 1 cms de cobre. vido ao elstica do espao entre os tomos.
Agora suponhamos que partimos o bloco
ao meio com um cinzel afiado. Depois partimos 2 - Em que consiste um tomo?
uma das metades em duas partes iguais e con-
tinuamos esta operao at que o bloco torne-se Se fssemos capazes de ver um tomo atra-
to pequeno que no possa mais ser visto a vs dum conjunto de lentes de ampliao bas-
lho nu (Fig. 1) . Se fssemos capazes de en- tante grande, ficaramos assombrados com o que
contrar um cinzel infinitamente afiado e uma veramos: partculas muito menores gravitando
lente que ampliasse 100 000 vzes, poderamos volta dum ncleo. Faz lembrar crianas
correndo volta da me, mas sem nunca a
~6iiD~ agarrarem (Fig. 2). Tecnicamente falando, as
crianas so os eltrons e a me o ncleo com
-- ~ os prtons. Os eltrons so as menores pores
de eletricidade e designam-se por carga eltri-
~ ~Lj ...
FIG. 1

k~
Partindo um cm3 em 100.000 peda{;os a partcula mais pe-
quena obtida o tomo.

dividir o bloco em 100 000 pedaos aproxima-

~
damente. Nestas condies chegaramos a uma
pequenssima partcula que, se tornasse a ser
dividida, deixaria de ter as caractersticas do
bloco de cobre inicial. (Por propriedades ca-
ractersticas entendemos o ponto de fuso, con-
duo da eletricidade e do calor, etc.>. Esta
pequenssima partcula chamada tomo e FIG. 2
A: . .
todos os materiais como o cobre, ferro, alum- Um tomo constitudo por um ncleo p'Ositivo d volta do
nio, etc., so compostos dstes tomos. Para qual giram os eltrons negativos.
ter uma idia de quo pequeno ste tomo re-
paremos no seguinte exemplo: se amplissemos ca. J se calculou que o ncleo tem um di-
uma gta de chuva 2 000 milhes de vzes ela metro 100 vzes menor que o prprio tomo. O
ter as dimenses da terra; se aumentssemos eltron , por sua vez umas 1 000 vzes menor,
um tomo o mesmo nmero de vzes ste teria de tal modo que prticamente o tomo pouco
apenas as dimenses duma bola de futebol! contm no seu interior.

MAIO/JUNHO 1964 35
 O ncleo possue igualmente uma ou mais
cargas eltricas, que por natureza so opostas
s dos eltrons.
Franklin, conhecido entre outras coisas
por ter inventado o pra-raios, distinguiu esta
diferena chamando ao eltron negativo (-)
e ao ncleo positivo <+). conhecido o fato de
que, desde a criao de Ado e Eva, sres dife-
rentes se atraem e sres iguais se repelem.
Isto aplica-se tambm s cargas eltricas. Os
eltrons, negativos, possuindo todos carga da
mesma natureza repelem-se uns aos outros, e
so atrados para o ncleo, que tm carga
oposta. Pode-se pensar que o ncleo, atraindo
os eltrons, ret-los-ia, pondo assim trmo ao
movimento de rotao. Tal no sucede porque
os eltrons giram a grandes velocidades, ori-
ginando-se portanto uma fra que os afasta
do ncleo. Esta fra a fra centrfuga e
suficiente para compensar exata~ente a fra
atrativa do ncleo. Pode-se saber como esta
fra se faz sentir enchendo um balde com gua
e rodando-o rpidamente. Verificamos que a
gua no sai do balde, apesar de ste ficar vol-
tado para baixo durante parte do percurso
(Fig. 3).
FIG. 3
Demonstrando a ao da ftJra centrffuga
Voltemos ao tomo. Sabemos agora que
ste constitudo por um ncleo carregado
positivamente, volta do qual giram um ou
mais eltrons. A composio do tomo difere
em cada espcie de matria. Por exemplo, o
hidrognio apresenta a constituio mais sim-
ples: apenas um eltron e um prton no ncleo.
No cobre giram 29 eltrons volta do ncleo,
na prata 47, enquanto que no urnio h o
maior nmero de eltrons - 92.
36
Em muitos materiais os eltrons percorrem
diferentes trajetrias volta do ncleo. No
cobre, 2 eltrons percorrem trajetrias cir-
culares ou rbitas volta do ncleo; em trno
dste, 8 eltrons movem-se em duas trajetrias
elticas; vm depois mais trs elipses cada
uma com 6 eltrons e finalmente 1 eltron
numa rbita circular (Fig. 4) .
(
o
'---o 29 R"
FIG. 4
No tomo do cobre giram volta do ncleo 29 e:trons.
Cada tomo tem, portanto, uma constitui-
o caracterstica. uma contradio do dito
popular de que "o hbito no faz o monge". O
tomo compara-se tambm com uma cebola
com as suas vrias camadas. Como o ncleo
tem sempre uma carga que neutraliza total-
mente a carga dos eltrons, o tomo eltri-
camente neutro no estado normal.
Pode agora acontecer que, em certos ma-
teriais, um ou mais eltrons no so to forte-
mente atrados pelo ncleo como os outros. Em
tais casos um eltron pode algumas vzes aban-
donar o tomo, movendo-se como uma carga
negativa livre. o tomo que perdeu ste el-
tron deixou de estar em equilbrio eltrico, pois
no estado neutro a carga positiva d.o ncleo
iguala a carga negativa dos eltrons. Logo que
um eltron deixa o tomo a carga negativa
total fica menor que a carga positiva do ncleo
e o tomo toma um carter positivo. Desig-
namo-lo, ento, um on positivo. Um on posi-
tivo , pois, um tomo que no tem a sua carga
de eltrons completa. Examinemos um pedao
de fio de cobre. J!:ste fio constitudo por to-
mos, cada um com um ncleo e eltrons. No
fio os tomos no se encontram encostados
uns aos outros; pelo contrrio, h um espao
REVISTA ELETRNICA
 se ligue a um outro tomo ou v chocar-se de
tal modo contra outro que liberte um novo
eltron.
O fato de haver muitos ou poucos dstes
eltrons errantes depende inteiramente da
constituio do material. So stes eltrons
errantes - chamados eltrons livres - que se
encarregam de transportar a eletricidade.

3 - O que a corrente eltrica

Enquanto o fio de cobre est abandonado a

si prprio, os eltrons podem deslocar-se entre
os tomos mas nunca abandonar o prprio fio.
FIG. Sa Contudo, quando ns ligamos ste fio a uma
Muitos eltrons livres vo-se deslocando entre os 4tomos bateria, que tem um polo positivo e um polo
do condutor.
negativo, os eltrons livres do fio sero impe-

FIG. Sb FIG. 7a
Num isolador di/lei/mente h4 eltrons livres. O isolamento volta do /lo prticamente no conduz corrente
e o ponteiro fica no O.

entre les, avaliado em 10 vzes o dimetro dos

prprios tomos. Um eltron que tenha aban-
donado o seu prprio tomo (isto pode ser
causado por influncia de um outro tomo, por
ex.) deslocar-se- chocando-se aqui e acol
com os outros tomos do fio. Pode ser que le

b)

FIG. 7b
Liguemos uma fonte de F.E.M. atravs de um ampermetro,
a um fio de cobre; o ponteiro move-se, sinal de que passa
corrente.

lidos pela fra de conduo da bateria para o

polo positivo. Esta fra de conduo, chamada
FIG. 6
fra-eletromotriz (em abreviatura F.E.M.),
1f: necess4rla uma fra de conduiio para produzir o movi-
mento da 4gua: o mesmo se aplica e/etricidade. (Continua na pJr. 47)

MAIO/JUNHO 1964 37
FONO-
AMPLIFICADOR
,
HIBRIDO
Eng. REINALDO S. RAMOS
Conforme havia sido prometido, publica-
mos neste nmero o circuito de um pr-ampli-
ficador para o AMPLIFICADOR HBRIDO
(Revista Eletrnica n.0 2, pg. 26) .
11:ste pr-amplificador, de alta impedncia
de entrada (aproximadamente 220 k0), per-
mite o emprgo de fontes de sinal de impedn-
cia elevada, sejam cpsulas de cristal ou cer-
mica, sejam estgios detetores de TV, AM ou
FM, ou ainda, microfones de cristal.
O circuito da fig. 1 incorpora, alm do es-
tgio pr-amplificador, tambm o estgio hbri-
do j publicado anteriormente.
o pr-amplificador composto de dois es-
tgios, ambos utilizando transistores OC75. O
primeiro estgio est ligado em configurao
de coletor comum (ou seguidor de emissor,
correspondente ao seguidor de cato do). Esta
configurao proporciona uma alta impedncia
Entrados: ( 1) Pick up cristal e ciromica
microfone de cristal
(2) Rodlo, TV
Circuito esquemtico completo do Fono-Amplifrcador Hibrido. Incorpora o Amplificador Hibrido da Revista
n.0 2 (com pequenas alteraes) e um prl-ampli/icador que permite o uso de fontes
de sinal de alta impedncia.
38
de entrada, razo por que foi escolhida no pre-
sente caso. No fornece, por outro lado, ampli-
ficao alguma, pelo contrrio, introduz algu-
ma atenuao; por essa razo, foi adicionado
um segundo estgio.
A adio de um resistor de 270 kO em srie
com a entrada permite seu uso com cpsulas de
cristal ou cermica e microfone d.e cristal. Esta
resistncia necessria para fins de equaliza-
o. Se uma cpsula de cermica que exige mais
que 500 kO de carga fr empregada, R 1 pode ser
aumentada pois o pr-amplificador tem ganho
suficiente.
Embora R 1 reduza a relao sinal/rudo,
esta suficientemente alta para permitir essa
reduo sem prejudicar o desempenho do pr-
amplificador.
O contrle de tonalidade utilizado refora
os graves ao mesmo tempo que corta os agudos,
de maneira que le introduz uma equalizao
extra.
O pr-amplificador suporta uma tenso de
2 Ver na base do 1.0 transistor sem a ocorrncia
de distoro por sobrecarga, o que plenamente
suficiente. (a mxima tenso que se pode obter
de uma cpsula de cristal crca de 1 Ver para
discos de 78 rpm).
A tenso mxima de sada crca de 1 V.r
sem corte do sinal no coletor de T 2
A resistncia R 16 aumenta artificialmente
a carga do pr-amplificador (uma vez que o
FIG. I
REVISTA ELETRNICA
amplificador oferece uma carga de crca de
1,2 kQ).
Seu uso permite a obteno de alto ganho
com baixa distoro.
Resultados Experimentais
-Impedncia de entrada (S 1 na pos. 2):
220 kQ. Distoro para 1,5 V de entrada e 0,5 V
de sada (S1 na posio 2), contrle de tonali-
dade com derivao terra, contrle de volume
ajustado para 0,5 V em carga de 1,2 kQ):
< 1% a 1000Hz
Relao sinal/rudo com S 1 na posio ( 1)
(pior situao)
> 70 dB (entrada em curto)
> 60 dB (entrada aberta)
(medidas feitas com chassi fechado)
Resposta de freqncia:
50 Hz a 10 kHz (- 3 dB)
Distores para 250 mV na entrada (S 1 na
posio 1) e volume ajustado para 100 mV de
sada:
100 Hz- 0,5%
1kHz- 0,25%
10kHz- 0,5%
Atuao do contrle de tonalidade:
Contrle de volume na posio mdia, con-
trle de tonalidade na posio de corte das
altas, entrada ajustada para sada de 100 mV:
+ 6 dB a 200 Hz
- 10 dB a 3,5 kHz
- 20 dB a 9kHz
Sensibilidade do amplificador 35 mV para 3,5 W
Sensibilidade total:
pos. 1 25 mV p/ 3,5 W
pos. 2 10 mV p/ 3,5 W
CONSTRUO E FABRICAO
DE TRANSISTORES
(Continuao da pg. 31)
Agora vem uma seqncia complexa de
processos de desbaste eletroltico, lavagem e
limpeza (dez ao todo) durante o qual todo o
material desnecessrio removido e a superf-
cie tda do transistor completamente liber-
tada da contaminao produzida pelos rea-
gentes, vernizes, etc., usados nos processos
precedentes, os quais se no removidos dariam
lugar a fugas de corrente entre os gros.
MAIO/JUNHO 1964
Os transistores esto agora aptos a serem
submetidos aos testes preliminares que incluem
a verificao das correntes de fuga entre
emissor e base, coletor e base, bem como a cor-
rente de base sob condies especificadas, e a
tenso entre base e emissor numa corrente
especificada.
FIG. 8
Os transistores aprovados nesses testes re-
cebem banho de verniz base de silcio a fim
de receber refro mecnico nas juntas sol-
dadas, reduzindo assim o risco de formao
de fraturas devidas s conexes defeituosas.
Procede-se agora ao teste de capacitncia entre
base e coletor e os transistores esto assim
prontos para o estgio final de fabricao, ou
seja o encapsulamento.
Os transistores so encerrados no interior
de cpsulas metlicas estanhadas internamen-
te. Antes de alojarem os transistores, as cpsu-
las so enchidas de graxa silicosa e submetidas
centrifugao, a fim de impedir que alguma
bolha de ar fique retida, e so aquecidas ao
vcuo para expulsar tda a umidade.
A operao de encapsulamento realizada
numa prensa quente, de modo que a camada
estanhada da cinta da base se solde camada
estanhada da cpsula, proporcionando assim
uma juno prova de umidade.
Os transistores so agora submetidos ao
teste final que consiste na medio de caracte-
rsticas estticas e dinmicas, teste de rudo e
medio do ganho de potncia num circuito
prtico.
Acreditamos que os leitores concordaro
que, no decorrer do processo de fabricao,
sses transistores sofrem inmeros processos
engenhosos, os quais atestam eloqentemente
quo intensas foram as pesquisas cientficas e
tecnolgicas que possibilitaram a fabricao
dos transistores atuais. Outrossim, ho de con-
cordar que os numerosos e variados tratamentos
a que sses dispositivos so submetidos, alguns
dos quais de natureza um tanto drstica, so
tais que visam no somente assegurar excelen-
tes caractersticas eltricas como tambm o
mais elevado grau de confiana no servio.
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