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ESCOLA TCNICA REZENDE-RAMMEL

CURSO TCNICO DE MECATRNICA

ELETRNICA APLICADA I

NOME _______________________ TURMA _______ ANO ___

O TRANSISTOR BIPOLAR
IDIA BSICA

O nome transistor vem da juno das palavras transferir e resistor que significa transferncia de resistncia.

O termo bipolar resulta do fato do funcionamento deste tipo de transistor envolver portadores de cargas positivas
(lacunas) e portadores de cargas negativas (eltrons).

O transistor bipolar formado pela justaposio de materiais semicondutor tipo P e tipo N, obtendo-se dois tipos de
estrutura, o PNP e o NPN dependendo de qual regio a intermediria.

TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP

JUNO B/E JUNO B/C JUNO B/E JUNO B/C

EMISSO COLETOR EMISSOR COLETOR

N P N P N P
E C E C

BASE BASE
B B

EMISSOR

densamente dopado; sua funo injetar portadores de carga na base.

BASE

levemente dopada e muito fina; ela permite que a maioria dos portadores de carga injetados pelo emissor passe para
o coletor.

COLETOR

Possui uma dopagem intermediria, entre a dopagem densa do emissor e a dopagem fraca da base; sua funo
coletar os portadores de carga que vm da base. A regio do coletor a mais extensa das trs e deve dissipar mais calor que a
base e o emissor.

JUNO

O transistor possui duas junes, uma entre o emissor e a base, e outra entre a base e o coletor. A difuso dos
portadores de carga atravs da juno produz duas camadas de depleo, o potencial de barreira aproximadamente igual a 0,7
V para o silcio e 0,3 V para o germnio na temperatura de 25 C.

ELISIO 1
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POLARIZAO DOS TRANSISTORES

JUNO BASE EMISSOR

A juno base emissor deve ser polarizada diretamente. Neste caso, a juno funciona como um diodo polarizado
diretamente, ou seja, circula por ela uma grande corrente de portadores majoritrios que so injetados pelo emissor na regio
da base (eltrons no NPN e lacunas no PNP).
Existe uma pequena corrente em sentido contrrio devido aos portadores minoritrios. Esta corrente chamada de
corrente de fuga.

N P N P N P

E C E ++++++ C
++++++
+
B B
IB Portador minoritrio IB Portador minoritrio

VEB VEB

JUNO BASE COLETOR

A juno base coletor deve ser polarizada inversamente. Neste caso a barreira de potencial aumenta, diminuindo a
corrente dos portadores majoritrios. Porm, os portadores minoritrios atravessam a barreira com facilidade no sentido
contrrio, fazendo circular uma pequena corrente reversa.

N P N P N P

E C E C

B B
Portadores minoritrios Portadores minoritrios

VCB VCB

POLARIZAO DAS DUAS JUNES

Aplicando-se as duas polarizaes temos uma grande emisso de portadores majoritrios na regio da base. Como a
base fracamente dopada e fisicamente bem pequena, s uma pequena quantidade de portadores absorvida pela base. Devido
atrao maior exercida pelo coletor, a grande maioria dos portadores atravessa a juno base coletor e se dirigem para o
coletor.

N P N P N P

+ + + + + + + + ++ + + + + + ++ +
+++++++++++++++++++
+ + + + + + + + ++ + + ++ + + + +
++++++

IE IB IC IE IB IC

VEB VCB VEB VCB

ELISIO 2
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Para compreender por que os portadores se dirigem menos base e mais para o coletor, basta lembrar que a base
mais estreita que o emissor e o coletor menos dopado que o emissor. Assim, os portadores que vm do emissor saturam a base
rapidamente atravs das recombinaes, fazendo com que eles se dividam da seguinte maneira:
Uma pequena parte dos portadores de carga injetada pelo emissor, 2% sai pelo terminal de base, formando a
corrente de base. E o maior parte dos portadores injetados pelo emissor, 98% atrado pelo coletor, formando a corrente de
coletor.

FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR BIPOLAR

Para anlise de funcionamento do transistor bipolar tomaremos como base o transistor PNP, o transistor NPN ter sua
anlise feita em forma de exerccio.
Inicialmente, polarizamos a primeira funo diretamente, para isto colocado um resistor de emissor (RE) para limitar
a corrente e um miliampermetro que ir indicar a quantidade de portadores injetados.

P N P
ME IE
E B C

IB
RE
MB IE>>>IB

VEE

Teremos neste caso uma juno polarizada diretamente e uma grande corrente de portadores majoritrios sendo
injetados na regio da base. Esta corrente limitada pelo resistor RE, j que a juno polarizada diretamente apresenta baixa
resistncia.
Como sabemos a base bem menor que o emissor e fica saturada de portadores majoritrios, pois a corrente de base
muito menor que a corrente de coletor.
A segunda juno polarizada inversamente atravs de um resistor de coletor (RC). O alto campo eletrosttico
aplicado entre coletor e base (VCB) ir atrair os portadores majoritrios fazendo fluir pelo coletor uma grande corrente.

P N P
ME IE IC MC IE = IB + IC
E B C
IC >> IB

IB Exemplo:
RE RC IC = I mA
MB IE>>>IB IB = 0.02 mA
IC = 0,98 mA
+ +

VEE VCC

ELISIO 3
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Para se entender o fato de a corrente no terminal do coletor ser praticamente igual corrente no terminal do emissor, a
despeito da polarizao reversa da juno coletor-base, notamos que as lacunas abundantes agora na regio N, pois a grande
maioria no poder ser absorvida pela base, sero atradas pelo campo negativo aplicado no coletor.

P N P
IE=1mA + + + + + + ++ IC = 0,98 mA
++++++++++++++
++++++++++++++
+++++++

RE RC
IB = 0.02 mA

+ +

VEE VCC
Nesta anlise falamos em termos de lacunas se deslocando, porm, sabemos que sempre que lacunas se deslocam num
sentido, eltrons se deslocam em sentido contrrio.

GANHO DO TRANSISTOR BIPOLAR:

A finalidade principal da utilizao do transistor obter um ganho, isto , obter uma corrente ou uma tenso de sada
maior que a corrente ou tenso de entrada.
Na anlise de transistor trabalha-se com portadores de carga ento a anlise ser uma funo da corrente.

CORRENTE . DE . SAIDA
GANHO. DE . CORRENTE =
CORRENTE . DE . EMISSOR
No exemplo apresentado teremos:

CORRENTE . DE . COLETOR IC 0,98mA

GANHO. DE . CORRENTE = = = = 0,98
CORRENTE . DE . EMISSOR IE 1mA
Notamos que o ganho de corrente menor que a unidade. Surge, ento, a pergunta: De que maneira o transistor
amplifica, se a corrente de sada menor que a corrente de entrada? Existem duas respostas: a primeira que o transistor no
sempre utilizado de acordo com a configurao analisada, existindo outras maneiras de ligar o transistor que so capazes de
fornecer ganho de corrente maior que 1; a segunda resposta que, mesmo nessa configurao em que o ganho de corrente
menor que a unidade, obtm-se ganho de tenso e de potncia.
Examinemos essa afirmativa. Considerando somente o transistor, sem levar em conta as resistncias colocadas
externamente no circuito.
As tenses de entrada e sada do transistor so dadas pelos produtos das correntes de entrada e sada, respectivamente,
pelas resistncias das junes coletor-base e emissor-base. Como sabemos a juno PN polarizada diretamente tem uma baixa
resistncia, da ordem de 25 . E a juno PN polarizada inversamente tem uma elevada resistncia, da ordem de 50K.

TENSAO. DE . ENTRADA = CORRENTE . DE . ENTRADA REISTENCIA. DE . ENTRADA

TENSAO. DE . ENTRADA = 1mA 25 = 0,025V

TENSAO. DE . SAIDA = CORRENTE . DE . SAIDA RESISTENCIA. DE . SAIDA

TENSAO. DE . SAIDA = 0,98mA 50 K = 4,9V

ELISIO 4
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Temos, ento para ganho de tenso:

TENSAO. DE . SAIDA
GANHO. DE . TENSAO =
TENSAO. DE . ENTRADA

4 ,9V
GANHO. DE . TENSAO = = 196
0,025V

Por sua vez, o ganho de potncia dado por:

POTENCIA. DE . SAIDA
GANHO. DE . POTENCIA =
POTENCIA. DE . ENTRADA

TENSAO. DE . SAIDA CORRENTE . DE . SAIDA

GANHO. DE . POTENCIA =
TENSAO. DE . ENTRADA CORRENTE . DE . ENTRADA

4 ,9V 0,98mA
GANHO. DE . POTENCIA = = 1920
0,025V 1mA

Nota-se que os ganhos foram calculados de maneira muito simplificada, sem levar em conta o circuito externo do
transistor, e servem apenas para dar uma idia do funcionamento do mesmo. Verificamos, portanto, que, embora o ganho de
corrente seja menor que a unidade, apresenta ganho de tenso e potncia elevadas, devido passagem da corrente de uma
regio de baixa resistncia, a juno emissor-base, para uma regio de alta resistncia, a juno coletor-base. Desse fato
originou-se o nome do dispositivo, TRANSISTOR, que provm da contrao das duas palavras inglesas Transfer Resistor, ou
seja, de transferncia de resistncia.

CONVENES RELACIONADAS AO TRANSISTOR BIPOLAR

SIMBOLOGIA DO TRANSISTOR BIPOLAR

Os trs terminais de um transistor recebem os nomes de EMISSOR (E), BASE (B) e COLETOR (C).

TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP

E C E C
N P N P N P

B B

E C E C

B B

A SETA COLOCADA NO
EMISOR

A SETA APONTA PARA O

MATERIAL TIPO N.

ELISIO 5
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CONVENES PARA CORRENTES E TENSES

Ao analisar um circuito eletrnico podemos consider-lo como uma caixa com quatro terminais externos, no nos
interessando que tipo de circuito existe dentro da caixa. Este conjunto de componentes eltricos, representado simplesmente
por uma caixa com quatro terminais externo, chamado de QUADRIPOLO.

QUADRIPOLO

CIRCUITO
ENTRADA QUALQUER SADA

O transistor pode perfeitamente ser considerado como um quadripolo, pois um terminal comum entrada e sada.

ENTRADA SADA

No estudo dos quadripolos, a conveno geral utilizada para as correntes consider-la positiva, quando entrando no
quadripolo e negativa quando saindo, e conveno para tenso entre um ponto e o ponto comum consider-la positiva,
quando o potencial deste ponto maior que o potencial do ponto comum e negativa quando o potencial deste ponto menor
que o ponto comum.

Ie(entrando)POSITIVA
1 Ie Is 2 Is(saindo) NEGATIVA
Ve > Vc POSITIVA
Ve Vs VS <Vc NEGATIVA

COMUM COMUM Vc Tenso no ponto

comum

GANHO. DE . CORRENTE Ai = Is Ic

GANHO. DE . TENSAO Av = Vs Ve

GANHO. DE . POTENCIA Ap = Ps Pe

A importncia deste conceito que os fabricantes de componentes, quando apresentam as folhas de especificaes e curvas
caractersticas de transistores utilizam esta conveno.

TENSES E CORRENTES NOS TRANSISTORES

PNP NPN

C C
IC IC
VCB VCB
P N
IB IB
B VCE B VCB
N
P N
VBE IE VBE IE

E E

ELISIO 6
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RELAES BSICAS DO TRANSISTOR BIPOLAR

IE = IC + IB VCE = VCB + VBE

LIGAES DO TRNASISTOR BIPOLAR

Existem trs maneiras de ligar um transistor bipolar num circuito, dependendo de qual terminal comum entrada e a
sada.
Cada configurao apresenta caractersticas diferentes com relao s outras, dando com isto deferentes oportunidades
de escolhas relativas a uma determinada situao.

BASE COMUM

ENTRADA SADA ENTRADA SADA

PNP NPN

EMISSOR COMUM

SADA SADA

ENTRADA ENTRADA

PNP NPN

COLETOR COMUM

SADA SADA

ENTRADA ENTRADA

PNP NPN

CONFIGURAO CARACTERSTICAS

Ai Gv RENTRADA RSADA

EMISSOR-COMUM elevado elevado mdia alta

BASE-COMUM 1 elevado baixa alta

COLETOR-COMUM elevado 1 muito elevada muito baixa

ELISIO 7
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CONFIGURAES DO TRANSISTOR BIPOLAR:

CONFIGURAO BASE COMUM:

Nesta configurao o emissor o terminal de entrada e o coletor o terminal de sada, sendo que o terminal de base
comum s tenses de entrada e sada.

TRANSISTOR PNP TRANSISTOR NPN

VCE VCE
CE IE IC CS CE IE IC CS

ve vs ve vs
RE VEB VCB RC RE VEB VCB RC
IB IB

VEE VCC VEE VCC

Observamos que o transistor est polarizado normalmente, isto , a juno emissor-base polarizada diretamente e a
juno coletor-base inversamente.

ANLISE DO TRANSISTOR PNP

IC
IE = 0 IC = ICB0 VCB

ICB0
RC
VCB

VCC
Se o terminal do emissor for aberto a corrente de emissor ser nula (IE=0). Neste caso estaremos com um diodo
(coletor-base) polarizado inversamente, circulando uma peque na corrente de fuga formada por portadores minoritrios que
recebe o nome de ICBO (corrente de coleto-base quando o emissor est aberto).

Se, agora, fecharmos o circuito de entrada, ser injetada uma corrente pelo emissor. Sabemos que aparecer no coletor
essa mesma corrente de emissor multiplicada pelo ganho de corrente do transistor, mais a corrente ICBO que j existia na
ausncia de IE.
IE IC

RC VEB VCB RC

IE

VEE VCC

GANHO DE CORRENTE

Ganho de corrente definido pela razo entre a corrente de sada e a corrente de entrada. No caso da configurao
base comum, tem a razo da corrente de coletor pela corrente de emissor.
Esta relao recebe a denominao de ganho alfa ().
Ganho de corrente na configurao base comum
=IC / IE

ELISIO 8
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A expresso da corrente do coletor (IC) ser:

IC = ICBO + IE Na prtica, por ser um valor muito pequeno ICBO no considerado.

Observao:
Todas as anlises para o transistor NPN, assemelham-se aos que ocorrem no transistor PNP, invertendo-se, porm,
todas as correntes e tenses.

CURVA CARACTERSTICA DE ENTRADA

Para cada valor constante de tenso de sada VCB, variando-se a tenso de entrada VEB, obtm-se uma variao da
corrente de entrada IE.
IE

VCB1
VCB2
VCBn VCB1 > VCB2 > VCBn

Vd VEB

Notamos que a caracterstica de entrada ou caracterstica de emissor semelhante curva caracterstica de um

diodo, pois a juno emissor base funciona como um diodo polarizado diretamente. Ou seja, a partir do momento em que a
tenso de entrada faz os portadores vencerem a barreira de potencial (Vd 0,7V para o silcio e Vd 0,3V para o germnio), a
corrente atravs da juno dispara. Assim, nesta regio da curva, pequenas variaes de VEB causam grandes variaes de IE.

CURVA CARACTERSTICA DE SADA:

Para cada valor constante de corrente de entrada de IE, variando-se a tenso de sada VCB, obtm-se uma corrente de
sada IC, cujo grfico tem o seguinte aspecto.

IC IE1
IE2


IE1 > IE2 > IEn


IEn
VCE
A corrente de sada ou caracterstica de coletor pode ser dividida em trs regies distintas, pois em cada uma delas o
transistor tem um comportamento especfico.

IC
REGIO
ATIVA
REGIO
DE
SATURAO REGIO
DE
CORTE
VCE

Na regio de corte, as duas junes esto polarizadas inversamente, fazendo com que a corrente de coletor (sada)
seja praticamente nula (IC =0). Portanto, o transistor est cortado.

ELISIO 9
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Na regio de saturao, as duas junes esto polarizadas diretamente, fazendo com que uma pequena variao da
tenso VCB (sada) resulte numa enorme variao de corrente de coletor (sada). Neste caso, o transistor est saturado.

Na regio ativa, a juno emissor-base est polarizada diretamente e a juno coletor-base inversamente. Esta a
regio central do grfico de sada, onde as curvas so lineares. Portanto, esta regio utilizada na maioria das aplicaes,
principalmente na amplificao de sinais, para que a distoro seja mnima.

.CONFIGURAO EMISSOR COMUM:

Na ligao emissor comum, o terminal comum entrada (base), e sada (coletor) o emissor. Esta configurao a
mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os diversos parmetros dos transistores fornecidos pelos manuais tcnicos
tm como referncia a configurao emissor comum.

TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP

IC Cs IC Cs

VCB VCB
Ce RC Ce RC
IB IB
VCE VCE
Vs Vs
Ve RB VBE VCC V RB VBE VCC

VBB IE IE
VBB

A juno base-emissor deve ser polarizada diretamente e a juno coletor-base deve ser polarizada inversamente
Nesta polarizao como o emissor a referncia a bateria VCC colocada entre o coletor e o emissor, porm, o potencial de
coletor deve ser maior que o potencial de base.

CURVA CARACTERSTICA DE ENTRADA:

Para cada valor de tenso de sada VCE, variando-se a tenso de entrada VBE, obtm se uma corrente de entrada IB.
IB
VCE1
VCE2
VCEn VCE1 > VCE2 > VCEn

Vd VBE
A curva caracterstica de entrada, caracterstica de base", semelhante da configurao base comum, pois tem-se
tambm a juno polarizada diretamente. Observa-se, portanto, que possvel controlar a corrente de base variando-se a tenso
entre base e emissor.
CURVA CARACTERSTICA DE SADA:

Para cada valor constante de corrente de entrada IB, variando-se a tenso de sada VCE, obtm-se uma corrente de
sada IC, cujo grfico tem o seguinte aspecto.

IC IB1
IB2


IB1 > IB2 > IBn


IEn
VCE
ELISIO 10
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A caracterstica de sada, ou caracterstica de coletor, tambm muito parecida com a da configurao base comum.
Mas, observa-se que a inclinao das curvas de IB constante, na regio ativa, maior.

IC
REGIO
ATIVA
REGIO
DE
SATURAO REGIO
DE
CORTE
VCE

Nesta curava, notamos tambm as trs regies de trabalho do transistor:

Corte IC 0

Saturao VCE 0

Ativa regio entre corte e a saturao (IB linear).

GANHO DE CORRENTE:

Ganho de corrente representa a razo entre a corrente de sada pela de entrada, que no caso da configurao emissor
comum representa a razo entre a corrente de coletor pela corrente de base, recebendo a denominao de ganho beta ().
Ganho de corrente na configurao emissor comum.
= IC / IB

O ganho de corrente na configurao emissor comum nas folhas de dados e nos manuais de caractersticas dos
fabricantes recebe a denominao de hFE (sendo FE maisculo).

hFE = = IC / IB

Sendo IC muito maior que IB, o ganho de corrente sempre muito maior que 1,. Ou seja, na configurao emissor
comum, o transistor funciona como um amplificador de corrente.
Por outro lado, como a inclinao das curvas varia para cada valor de IB, o ganho de corrente no constante.
Valores tpicos de so de 50 a 900.

RELAO ENTRE E :

Os manuais dos fabricantes fornecem os valores de hFE = da configurao emissor comum. Porm, pode-se obter o
ganho da configurao base comum.
Num transistor, as correntes se relacionam da seguinte forma:

IE = IB + IC
Pelas equaes dos ganhos de corrente, tem-se:

IB = IC e IE = IC

Substituindo-se IB e IE, teremos:

= + IC
IC IC (Dividindo-se por IC)

ELISIO 11
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1 = 1 +1 1 = 1+ 1

= 1

= +1

CONFIGURAO COLETOR COMUM:

Na configurao coletor comum, a base o terminal de entrada de corrente e o emissor o terminal de sada de
corrente do circuito, sendo que o terminal de coletor comum s tenses de entrada e sada.

TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP

IC Cs IC Cs

VBE VBE
Ce RE Ce RE
IB IB
VEC VEC
Vs Vs
Ve RB VBC VCC Ve RB VBC VCC

VBB IE IE
VBB

Para a configurao coletor comum, no necessrio curvas especficas de entrada e sada. Podendo ser utilizada as
mesmas caractersticas da configurao emissor comum.

GANHO DE CORRENTE:

O ganho de corrente representa a razo entre a corrente de sada (IE) e a corrente de entrada (IB), recebendo a
denominao de ganho gama ().
Ganho de corrente na configurao coletor comum
= IE / IB

Como IE >> IB o ganho praticamente igual a 1 (um). =1

LIMITES DE TRANSISTORES BIPOLARES:

Os transistores como quaisquer outros dispositivos, tm suas limitaes (valores mximos de alguns parmetros) que
devem ser respeitados, para evitar que os mesmos se danifiquem. Os manuais tcnicos fornecem pelo menos quatro parmetros
que possuem valores mximos:

Tenso mximo de coletor: VCE max

Corrente mxima de coletor: IC max

Potncia mxima de coletor: PC max

Onde:
CONFIGURAO EMISSOR COMUM E COLETOR COMUM:

Pcmax = VCEmax x ICmax

ELISIO 12
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CONFIGURAO BASE COMUM

Pcmax = VCBmax x ICmax

Tenso de ruptura de junes (Vr)

VrCBO tenso de ruptura entre coletor e base, com emissor aberto.

VrCEO Tenso de ruptura entre coletor e emissor com base aberta

VrCES tenso de ruptura entre coletor e emissor com base e emissor curto-circuitado.

IC

LIMITE DE
POTNCIA
MXIMA
DO
TRANSISTOR

VCE

ICMAX Se o transistor trabalhar com corrente de coletor abaixo de seu valor mximo, estaremos fazendo com que
trabalhe com segurana, no impondo nenhum risco ao seu funcionamento. Para que isto ocorra, basta traarmos por Icmximo
(valor fornecido pelo fabricante) uma paralela ao eixo VCE onde todo valor de IC abaixo dela no leva o transistor a risco
nenhum.

VrCEO Pelo valor de VCE=VrCEO traamos uma perpendicular ao eixo de VCE, onde qualquer valor de VCE
inferior a VrCEO, no impe risco algum ao transistor. Em geral, se escolhermos para VCE um valor inferior a VrCEO, j
estaremos eliminando a hiptese desse valor ser ultrapassado.

Os fabricantes fornecem o valor de VCEMXIMO.

PcMAX Esta curva pode ser traada ponto a ponto, pela expresso PcMAX= VCE x IC, onde PcMAX fixo e
fornecido pelo fabricante, e variando-se os valores de VCE e IC de modo a manter o produto de ambos, constante e igual a
PcMAX. Obteremos desta forma uma srie de pontos que determinaro quando unidos seu traado. Qualquer ponto abaixo desta
curva, estar num valor inferior a PcMAX, portanto no impondo nenhum risco ao transistor.

ICBO Com o transistor trabalhando com corrente de coletor muito prximo de zero, fica sujeito a REGIO DE
ALTA DEFORMAO. Nos projetos com transistores bipolares devemos fugir dessa rea para no ocasionar distoro ao
sinal aplicado.

REGIO DE SATURAO Esta regio no apresenta pontos coordenados de VCE e IC, devendo ser evitada
quando na utilizao de amplificadores lineares para que no tenhamos no sinal reproduzido de forma distorcida.

REGIO DE ICMAX
SATURAO
CURVA DE
DISSIPAO
ICBO REA MXIMA
TRANSISTOR TIL
PRXIMO DO
CORTE

VrCEO(VCEMAX)
ELISIO 13
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TABELA DE TRANSISTORES BIPOLARES DE BAIXO SINAL

USO GERAL / BAIXA FREQUNCIA

IPO PL VCEO IC PTOT HFE A IC VCESAT A IC/IB APLICAES TPICAS
(V) (MA) (MW) (MA) (MV) (A/MA)
BC107 N 45 100 300 125-500 2 200 0,1/5 AF- amplif, uso geral
BC108 N 20 100 300 125-900 2 200 0,1/5 AF- amplif, uso geral
BC109 N 20 100 300 240-900 2 200 0,1/5 AF- pr-amplif, baixo rudo
BC177 P 45 100 300 75-260 2 250 0,1/5 AF- amplif, uso geral
BC178 P 25 100 300 75-500 2 250 0,1/5 AF- amplif, uso geral
BC179 P 20 100 300 125-500 2 250 0,1/5 AF- pr-amplif, baixo rudo
BC327 P 45 500 800 100-600 100 700 0,5/50 AF- excitador e sada at 1W
BC328 P 25 500 800 100-600 100 700 0,5/50 AF- excitador e sada at 1W
BC327 N 45 500 800 100-600 100 700 0,5/50 AF- complementar do BC327
BC338 N 25 500 800 100-600 100 700 0,5/50 AF- complementar do BC328
BC368 N 20 1000 1000 85-375 500 500 1/100 AF- estgio de sada at 3W
BC369 P 20 1000 1000 85-375 500 500 1/100 AF- complementar do BC328
BC375 N 20 1000 800 100-400 150 250 0,7/70 AF- estgio de sada at 2W
BC376 P 20 1000 800 100-400 150 280 0,7/70 AF- complementar do BC375
BC546 N 65 100 500 110-450 2 600 0,1/5 AF- amplif, uso geral
BC547 N 45 100 500 110-800 2 600 0,1/5 AF- amplif, uso geral
BC548 N 30 100 500 110-800 2 600 0,1/5 AF- amplif, uso geral
BC549 N 30 100 500 200-800 2 600 0,1/5 AF- pr-amplif (baixo rudo)
BC550 N 45 100 500 200-800 2 600 0,1/5 AF- pr-amplif (baixo rudo)
BC556 P 65 100 500 75-475 2 650 0,1/5 AF- amplif, uso geral
BC557 P 45 100 500 75-800 2 650 0,1/5 AF- amplif, uso geral/
BC558 P 30 100 500 75-800 2 650 0,1/5 AF- amplif, uso geral
BC559 P 30 100 500 125-800 2 650 0,1/5 AF- pr-amplif (baixo rudo)
BC560 P 45 100 500 125-800 2 650 0,1/5 AF- pr-amplif (baixo rudo)
BC635 N 45 1000 1000 40-250 150 500 0,5/50 AF- amplif e excitador
BC636 P 45 1000 1000 40-250 150 500 0,5/50 AF- complementar do BC635
BC637 N 60 1000 1000 40-250 150 500 0,5/50 AF- amplif e excitador
BC638 P 60 1000 1000 40-250 150 500 0,5/50 AF- complementar do BC637
BC639 N 80 1000 1000 40-250 150 500 0,5/50 AF- amplif e excitador
BC640 P 80 1000 1000 40-25 150 500 0,5/50 AF- complementar do BC639
BCY58 N 32 200 330 125-700 2 700 0,1/2,5 Amplificao e comutao
BCY59 N 45 200 330 125-700 2 700 0,1/2,5 Amplificao e comutao
BCY78 P 32 200 345 125-700 2 800 0,1/2,5 Amplificao e comutao
BCY79 P 45 200 345 125-700 2 800 0,1/2,5 Amplificao e comutao
JA100 P 25 100 500 90-600 1 500 0,1/5 AF- Amplif, uso geral
JA101 P 45 100 500 90-600 1 500 0,1/5 AF- Amplif, uso geral
JC500 N 25 200 500 90-600 1 600 0,1/5 AF- Amplif, uso geral
JC501 N 45 100 500 90-600 1 600 0,1/5 AF- Amplif, uso geral
JC546 N 65 100 500 110-450 2 600 0,1/5 AF- Ampli, uso geral
JC547 N 45 100 500 110-800 2 600 0,1/5 AF- Amplif, uso geral
JC548 N 30 100 500 110-800 2 600 0,1/5 AF- Amplif, uso geral
JC556 P 65 100 500 75-475 2 650 0,1/5 AF- Amplif, uso geral
JC557 P 45 100 500 75-800 2 650 0,1/5 AF- Amplif, uso geral
JC558 P 30 100 500 75-800 2 650 0,1/5 AF- Amplif, uso geral

ELISIO 14
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MDIA POTNCIA / BAIXA FREQUNCIA

USO GERAL
TIPO PL VCEO IC PTOT HFE A IC VCESAT A IC/IB APLICAES TPICAS
(V) (A) (W) (MA) (MV) (A/MA)
BD135 N 45 1,5 8 40-250 0,15 0,5 0,5/5 AF- amplif e excitador
BD136 P 45 1,5 8 40-250 0,15 0,5 0,5/5 AF- complementar do BD135
BD137 N 60 1,5 8 40-250 0,15 0,5 0,5/5 AF- amplif e excitador
BD138 P 60 1,5 8 40-250 0,15 0,5 0,5/5 AF- complementar do BD137
BD139 N 80 1,5 8 40-250 0,15 0,5 0,5/5 AF- amplif e excitador
BD140 P 80 1,5 8 40-250 0,15 0,5 0,5/5 AF- complementar do BD139
BD233 N 45 2 25 40-250 0,15 0,6 1/100 AF- amplif e excitador
BD234 P 45 2 25 40-250 0,15 0,6 1/100 AF- complementar do BD233
BD235 N 60 2 25 40-250 0,15 0,6 1/100 AF- amplif e excitador
BD236 P 60 2 25 40-250 0,15 0,6 1/100 AF- complementar do BD235
BD237 N 80 2 25 40-250 0,15 0,6 1/100 AF- amplif e excitador
BD238 P 80 2 25 40-250 0,15 0,6 1/100 AF- complementar do BD237
BD239 N 20 3 15 85-375 0,5 0,5 2/200 AF- amplif p/ sada at 10W
BD330 P 20 3 15 85-375 0,5 0,5 2/200 AF- complementar do BD329
BD433 N 22 4 36 85-375 0,5 0,5 2/200 AF- amplif p/ sada at 15Wa
BD434 P 22 4 36 85-375 0,5 0,5 2/200 AF- complementar do BD433
BD435 N 32 4 36 85-375 0,5 0,5 2/200 AF- amplif p/ sada at 15W
BD436 P 32 4 36 85-375 0,5 0,5 2/200 AF- complementar do BD435
BD437 N 45 4 36 85-375 0,5 0,7 3/300 AF- amplif p/ sada at 15W
BD438 P 45 4 36 85-375 0,5 0,7 3/300 AF- complementar do BD437

DARLINGTONS
TIPO PL VCEO IC PTOT HFE A IC VCESAT A IC/IB APLICAES TPICAS
(V) (A) (W) (MA) (MV) (A/MA)
BD675 N 45 4 40 750 1,5 2,5 2,0/6 AF- sada at 25W
BD676 P 45 4 40 750 1,5 2,5 2,0/6 AF- complementar do BD675
BD677 N 60 4 40 750 1,5 2,5 1,5/6 AF- sada at 25W
BD678 P 60 4 40 750 1,5 2,5 1,5/6 AF- complementar do BD677
BD679 N 80 4 40 750 1,5 2,5 1,5/6 AF- sada at 25W
BD680 P 80 4 40 750 1,5 2,5 1,5/6 AF- complementar do BD679
BD681 N 100 4 40 750 1,5 2,5 1,5/6 AF- sada at 25W
BD682 P 100 4 40 750 1,5 2,5 1,5/6 AF- complementar do BD681
BD683 N 120 4 40 750 1,5 2,5 1,5/6 AF- sada at 25W
BD684 P 120 4 40 750 1,5 2,5 1,5/6 AF- complementar do BD683

ELISIO 15
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AUTO-AVALIAOO TRANSISTOR BIPOLAR

NOME _______________________ TURMA _______ ANO ___

01] Qual a origem do termo transistor?

02] Por que transistor bipolar?

03] Quais os tipos de transistores bipolares?

04] O que emissor?

05] O que coletor?

06] O que base?

07] Quantas junes possui um transistor bipolar?

08] O que regio de depleo?

09] Qual o valor do potencial de barreira das junes?

10] Como deve ser polarizada a juno base-emissor de um transistor bipolar?

11] Como deve ser polarizada a juno base-coletor de um transistor bipolar?

12] Faa a representao de um transistor NPN indicando tenses e correntes.

13] Faa a representao de um transistor PNP indicando tenses e correntes.

ELISIO 16
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14] O que ganho de corrente?

15] Represente um transistor NPN com a ligao base comum.

16] Represente um transistor NPN com a ligao emissor comum.

17] Represente um transistor NPN com a ligao coletor comum.

18] Como definido o ganho de corrente de um transistor em base comum?

19] Como definido o ganho de corrente de um transistor em emissor comum?

20] Como definido o ganho de corrente de um transistor em coletor comum?

21] Como se caracteriza o ganho de corrente de um transistor em:

a base comum
bemissor comum
ccoletor comum

22] Como se caracteriza o ganho de tenso de um transistor em:

a base comum
bemissor comum
ccoletor comum
23] Como se caracteriza resistncia de entrada de um transistor em:
a base comum
bemissor comum
ccoletor comum

24] Como se caracteriza resistncia de sada de um transistor em:

a base comum
bemissor comum
ccoletor comum

25] faa a anlise de um transistor PNP na configurao base comum indicando as corrente e tenses.

26] faa a anlise de um transistor NPN na configurao base comum indicando as corrente e tenses.

ELISIO 17
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27] faa a anlise de um transistor PNP na configurao emissor comum indicando as correntes e tenses.

28] faa a anlise de um transistor NPN na configurao emissor comum indicando as correntes e tenses.

29] faa a anlise de um transistor PNP na configurao coletor comum indicando as correntes e tenses.

30] faa a anlise de um transistor NPN na configurao coletor comum indicando as correntes e tenses.

ELISIO 18