SOP E Beam

NCKU Micro-Nano Technology Center/Souther n Region MEMS Center Page1
Electron Beam Evaporation
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SOP Electron Beam Evaporation 12345-678 1 曾昭富 2003/4/17
目錄
1.0 蒸鍍原理……………………………………………………………3
1.1 前言…………………………………………………………………..3
1.2 原理…………………………………………………………………..3
2.0 儀器介紹…………………………………………………………….5
2.1 儀器型號及規格……………………………………………………..5
2.1.1 廠商聯絡資料………………………………………………………..5
2.2 控制面板………………………………………………………….….7
3.0 操作指導……………………………………………………………12
3.1 HMI 人機介面操作手冊…………………………………………….12
3.1.1 主畫面說明…………………………………………………………..12
3.1.2 Alarm 畫面說明……………………………………………………..22
3.2 鍍膜步驟(完整實作)………………………………………………...24
4.0 設備維護……………………………………………………………31
5.0 參考文獻…………………………………………………….33
1.0 蒸鍍原理
1.1 前言：
所謂的物理氣相沉積（physical Vapor Deposition，通常簡稱為 PVD），就是以
物理現象的方式，來進行薄膜沉積的一種技術。在半導體製程的發展上，主要的 PVD
技術，有蒸鍍（Evaporation）及濺鍍（Sputtering）等兩種。前者是藉著對被蒸鍍物
體加熱，利用被蒸鍍物在高溫（接近其熔點）時所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜的
沉積；而後者，則是利用電漿所產生的離子，藉著離子對被濺鍍物體電極（Electrode）
的轟擊（Bombardment），使電漿的氣相（Vapor Phase）內具有具有被鍍物的粒子
（如原子），來產生沉積薄膜的。關於濺鍍部分，我們在磁控濺鍍機的操作原理中另
外說明。接下來簡明敘述蒸鍍原理。
1.2 原理：
圖 2.1 顯示一個簡易的真空蒸鍍機（Vacuum Evaporator）的示意圖。它主要是由
一個用以執行真空蒸鍍的蒸鍍室（Evaporator Chamber）
，及一組用以提供蒸鍍所需之
真空度真空系統所組成的。在蒸鍍室內，固態的沉積材料，稱為蒸鍍源（Source），
將被放置在一只由高溫材料（Refractory）所製程的坩堝（Crucible）內，且這個由導
電材料所組成的坩堝，將與外界的直流電源相接。當適當的電流通往坩堝之後，藉著
坩堝因電阻效應所產生的熱，置於坩堝內的蒸鍍源將被加熱，一直到接近蒸鍍源的熔
點附近。這時，原本處於固態的蒸鍍源的蒸發能力將非常強，利用這些被蒸發出來
的蒸鍍源原子，我們可以在離蒸鍍源上方不遠處的晶片表面上，進行薄膜的沉積，如
圖 2.1 所示。這種設計的坩堝，通常是以鎢、鉬、或鉭所製成的。而蒸鍍源，則大都
局限在熔點較低的材料，如鋁等。
圖 2.1 真空蒸鍍示意圖圖 2.2 蒸發用電子槍工作原理
除了圖 2.1 的真空蒸鍍法之外，在高溫材料的蒸鍍上，我們通常是以所謂的電子
束蒸鍍法（Electron Beam Evaporation，簡稱 EBE）來進行的，如圖 2.2 所示。其
基本原理與圖 1 的真空蒸鍍法完全一樣。主要是的差別，是在於 EBE 是利用電子束
（Electron Beam）來執行蒸鍍源加熱，且加熱的範圍可局限在蒸鍍源表面極小，以
免前者必須對整個蒸鍍源加熱，以便進行沉積的這種能量使用使用效率極低的方式。
縮所以，在半導體製程上的應用，蒸鍍法通常使用是以 EBE 來進行的，如鋁的蒸鍍
便是一例。
2.0 儀器介紹
2.1 儀器型號
名稱廠牌型號
真空腔體
ULVAC
（Chamber）
抽氣系統 Cryo Pump： U-12H

ULVAC
（Pumping System） Rotary Pump： VD-301
電子束電子束源：EGK-3M
ULVAC
（E-beam Source）電源供應器：HPS-510S
真空計系統
Pirani Gauge：GP-1SRY
(Vacuum Gauge ULVAC
ION Gauge：GL-TL3RY
System）
膜厚控制系統
（ Thickness Control ULVAC CRTM-6000
System）
2.1.1 廠商聯絡資料
公司名稱：優貝克科技股份公司
公司地址：台南縣新市鄉信義街 186 號
電話＆傳真：(06)501-2908＆(06)501-2911
網址：http://www.ulvac.com.tw
2.2 設備規格
名稱功能
真空腔體（Chamber）提供真空環境
抽氣系統（Pumping System）抽真空速率 5×10-6Torr
電子束產生源
電子束（E-beam Source）
X.Y 雙軸向掃瞄
壓力偵測範圍
真空計系統（ Vacuum Gauge Pirani Gauge：3×103〜4×10-1Pa
System） ION Gauge ： 1.3 × 10-2 〜 1.3 ×
10-6Pa
膜厚控制系統（Thickness Control 蒸鍍速度及厚度量測
System）
自動抽真空
系統（System）自動/手動蒸鍍
CRYO PUMP 自動再生
2.3 控制面板
POWER-LAMP & E.P.O. & BUZZER
¾ POWER-LAMP：主電源指示燈（AC 220V 輸入時指示）

¾ E.P.O.：緊急停止開關
¾ BUZZER：蜂鳴器（ALARM 時，警報響起）
TAUCH PANEL
操作方式請參看人機介面操作說明
VACUUM GAUGE
操作方式請參看 TPG-256A 單體說明書
CRTM-6000
操作方式請參看 CRTM-6000 單體說明書
E/B POWER SUPPLY CONTROL PANE
操作方式請參看 HPS-510S 單體說明書
CRYO TEMP
正常值＜-6.0
SUBSTRATE HEATER CONTROLLER 面板
1Æ
2↑ 3↑ 4↑
1.電流表(HEATER CURRENT)—POWER 輸出時,HEATER 所產生之電流.
2.AUTO/MANUAL—自動或手動蒸鍍模式切換鍵,AUTO 時由自動蒸鍍單元
(AUTO DEPOSITION UNIT)控制其 ON/OFF 開關.
3.ON/OFF—電源輸入開關 ON/OFF.
4.溫控器(TEMP CONTROLLER)—基板加熱溫度控制器.(操作方式請參看
WEST-8100 單體說明書)
JIG ROTATION CONTRLLER
1Æ ³3
2Æ ³4
1.速度調整器—基板迴轉速度控制旋鈕。
2.RUN/STOP—馬達運轉之 ON/OFF 控制。
3.ON/OFF—電源輸入開關。
4.AUTO/MANUAL—基板迴轉機構之自動或手動控制切換
鍵,AUTO 時由自動蒸鍍單元(AUTO
DEPOSITION UNIT)控制其 ON/OFF 開關.
3.0 操作指導
3.1 人機介面操作手冊
3.1.1 主畫面說明
目前操作選擇模
式顯示,初始值顯
示 NONE
操作模式選
擇按鍵
(圖一)
跳至製程跳至跳至跳至跳至跳至
Recipe 操作參數製程警報視密碼設系統操
設定畫面設定畫面紀錄窗畫面定畫面作簡介
畫面畫面
打開控制電源後，HMI 會出現如上之主畫面，畫面中為本機之實體圖，所有控
制的閥門及泵狀態在實際動作時，將會改變為紅色，以提示操作者。畫面下方為功能
選單，除紅色部分需密碼輸入才可進入外，其餘皆可供操作者選擇進入操作。
畫面右方有操作模式選擇按鍵可供操作者選擇執行。[Normal]、[Auto Depo]、
[CRYO Pump]、[Manual]說明如下。
一•[Normal]：一般操作模式，包含[Pump Down]、[Vent]、[Baking]三大功能。
當按下操作模式選擇(Mode Select)，[Semi-auto]按鍵後，主畫面將出現
一操作功能開始選單[Semi-auto Mode]，如下圖二，按下[Start]，開始進入
一般操作模式出現三大功能，如下圖三，按下[Stop]，則停止[Semi-auto]功
能。按下[EXIT]，離開操作功能開始選單。
按下 START
出現三大功
能選單
(圖二)
按下[Start]
則進入三大
功能畫面
(圖三)
按下 Start 開始
Pump Down 動
作
(圖四)
按下 Start 開始
Vent 動作
(圖五)
按下 Start 開始
Baking 動作
(圖六)
[Pump Down]：腔體抽真空至 Chamber Vacuum IonGauge 之設定點二(SET2)到
達。PV 值顯示 Pump Down 已執行時間；(單位)：分鐘。完成
後 Buzzer 聲響一聲，按鍵指示燈顯示紅色。
[Vent]：腔體破真空至 Chamber ATM Pressure Switch 動作到達。
PV 值顯示 Vent 已執行時間；(單位)：分鐘。
[Baking]：腔體烘烤至設定時間到達，(註：Baking 溫度由 West-8100
溫控器設定，並設定於第九個 Pattern 中，可設九個階段加熱 Step，
設定方法請參考 West-8100 操作手冊)
PV 值顯示 Baking 已執行時間；(單位)：分鐘。
SV 顯示 Baking 時間設定值；(單位)：分鐘。
若已完成所需功能動作，再按下操作模式選擇(Mode Select)，[Semi-auto]按鍵
後，在操作功能開始選單[Semi-auto Operate]下按下[EXIT]鍵可離開[Semi-auto]功
能選擇，並停止 Semi-auto 動作。
畫面左方之 Jig 及 Shutter 按鍵可供操作者操作。
當手動旋轉坩鍋之定位後，必須按下畫面上方之 Hearth 定位確認按鍵，方可
啟動 E-Gun。(如圖八)。
JIG 旋轉時顯示
即時轉速
按 Start 開始
JIJIG 旋轉
(圖七)
坩鍋定位
(圖八)
二•[Auto Depo]：自動蒸鍍操作模式，可供操作者操作自動蒸鍍流程。
當按下操作模式選擇(Mode Select)，[Auto Depo]按鍵後，主畫面將出
現 Auto Depo 進入自動蒸鍍畫面，如下圖九：完畢後按

下
可 RESET
RUN NO.
坩鍋定位
回主畫面
(圖九)
畫面上方之流程狀態指示燈會依目前實際運轉狀態顯示紅燈。
[Rough]：Chamber 抽真空單元運轉，包含 R.P ,M.B.P，SRV，RV 等自動動作中。
[MV]：主閥開啟/關閉，CRYO Pump 與 Chamber 間之主閥自動開啟動作中。
[Heat]：Chamber 加熱中，自動依操作者所設定之 Recipe 指定溫控器動作中。
[HI-V]：高真空及 E/B Interlock 偵測中。
[DEPO]：自動鍍膜開始動作，依操作者於 CRTM-6000 中之設定動作中。
[Cool]：工作物開始冷卻動作，依操作者於 Set up 畫面中所設定之 Cooling 時
間動作中。
[Vent]：Chamber 開始破真空動作，依操作者於 Set up 畫面中所設定 SVV open
之時間動作中。當整個製程完成後，Buzzer 將發出連續響聲，[Vent]指
示燈閃爍，由操作者按下後才停止，製程完成。
在 Auto Depo 畫面，中間 CRTM Sub Recipe 將會顯示目前正在執行的 Recipe 設定
參數。
Auto Depo Time 顯示各單元動作之執行時間。
[Start]：按下啟動鍵，開始執行 Auto Depo 製程。
[Stop]：按下啟動鍵，停止執行 Auto Depo 製程。
操作者在 Auto Depo 流程中隨時皆可切換至主畫面，並可於主畫面中監視 Auto Depo
流程如下圖十、十一、十二、十三、十四。(按鍵可切換流程圖)。
流程圖
切換
(圖十)
流程圖
切換
(圖十一)
流程圖
切換
(圖十二)
流程圖
切換
(圖十三)
(圖十四)
3.1.2 Alarm 畫面說明
在任何畫面執行中，若系統發生故障或操作者按下畫面下方功能鍵中的[Alarm]
鍵，皆會進入 Alarm Recorder 畫面，如下(圖十五)。
本畫面左邊為故障原因顯示視窗，可同時顯示目前所有發生故障的原因，右
邊為各故障排除方式提示視窗，操作者可利用畫面左下方之上下鍵選擇查看各個故障
原因排除方式提示，供維修人員迅速排除故障。
在任何畫面執行中，若系統發生故障，蜂鳴器將會自動發出響聲並跳至此
Alarm Recorder 畫面以提醒操作者系統發生故障，操作者可按下畫面右下方之
[Silence]鍵，可停止蜂鳴器響聲，若故障已排除後，按下[Reset]鍵後可將此警報消除。
故障排除提
警報器警報復歸
上下鍵選擇
靜音鍵鍵
查看故障排 (圖十五)
除提示
3.2 鍍膜步驟(完整實作)
1.破真空 a.進入 semiauto (star) b.將 pump down 停止(STOP) c.將 vent 開啟
a.進入 semiauto (start)

通常此步驟為開啟狀態
選取 Start
b. 將 pump down 停止
(Stop)
選取 Stop
c. 將 vent 開啟
(Starts)
選取 Start
2. 放置 wafer 於腔體中.
3. 抽真空
a. 進入 semiauto (star)
b. b.將 pump down 開啟抽至真空度為 7.7×10-6 Torr
c. 將 pump down 停止
a.進入 semiauto (start)

選取 Start
b. 將 pump down 開啟
(Start)
抽至真空度為 2×10-6 Torr 選取 Start
C. 將 pump down 停止
(Stop)
選取 Stop
4. 離開 semiauto (stop)
選取 Stop
5. 開啟 Power
a. 開啟主開關(on) b. 將 High voltage c. 將 Emission control
轉至 Remote 轉至 Remote
6. 進入 CRTM-6000 設定靶材參數以及膜厚.
a、按下 MENU 鍵出現 MENU 畫面，使用 U V 上下鍵選擇 PROGRAM MENU，ENT 為確定鍵

b、出現 PROGRAM MENU 畫面，使用 U V 上下鍵選擇 DEPOSITSION PROGRAM，按下 ENT 鍵
確定
c、出現 DEPOSISION PROGRAM 畫面，使用 U V 上下鍵選擇，到 DEPOSITSION PROGRAM
No.01 2/6 的畫面，設定膜厚 4.000kA（依製程所需）
MENU
1. DATA DISPLAY
2. PROGRAM MENU
3 MUNTENANCE
E
DEPOSITSION PROGRAM No.01 2/6
PROGRAM MENU RATE RAMP 1 00:00
1. STSYEM PARAMETER RATA 1 4.0A/s 4.000kA
2. DEPOSITSION RATE RAMP 2 00:00
PROGRAM RATA 2 0.0A/s 0.000kA
3. PROCESS PROGRAM RATE RAMP 3 00:00
4. DIGITAL RATA 3 0.0A/s 0.000kA
d、設定膜厚後，按下 MENU 鍵出現 PROGRAM MENU，使用 U V 上下鍵選擇 PROCESS
PROGRAM，按下 ENT 鍵確定

e、出現 PROCESS PROGRAM 1/5 畫面，使用 U V 上下鍵選擇 01（依製程所需）
，按下 ENT
鍵確定
f、等參數設定好，連續按下 MENU 鍵出現 MENU 畫面，使用 U V 上下鍵選

擇 DATA DISP 按下 ENT 鍵確定
PROGRAM MENU
PROCESS PROGRAM 1/5
1. STSYEM PARAMETER
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2. DEPOSITSION
01
PROGRAM
11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
3. PROCESS PROGRAM
4. DIGITAL
ENTER(1-20)
5. DIGITAL OUTPUT
g、出現監控膜厚畫面
LAYER01 PROGRAM01 00:00

MENU 10.9A/s 80.0% 1.925 kA
1. DATA DISPLAY
2. PROGRAM
MENU
NOTE：10.9A/s 指蒸鍍速率，80.0%指輸出功率，1.925kA 指累積膜厚，PROGRAM 1 指目前程

式1
目前膜厚計程式設定有:Al、Cr、Ti、Au、Pt、Fe、Ni
7. 進入 Auto DEPO (start)
選取 Start
8. 啟動 Hearth 定位確認
啟動定位確
認
9. 調整電子束位置(sweep=2,轉速約 70rpm)
10. 開始自動沉積,直到沉積完成.(此過程包含 DEPO - Cool - Vent – Over)
11.沉積完成
12.破真空(即重複步驟 1)
◎若要再鍍另一種金屬則參造下列步驟: 繼步驟 10.後，接以下步驟。
11*. Auto Depo Ready (stop)
12*. 更改 program (CRTM 6000) 以及轉動靶材.
13*. Auto Depo Ready (star) 以及啟動 Hearth 定位確認.
14*. 調整電子束位置(sweep=2,轉速約 70rpm)
15*. 開始自動沉積,直到沉積完成.此過程包含 DEPO - Cool - Vent - Over
16*. 沉積完成
17*. 破真空(即重複步驟 1)
4.0 設備維護
真空計(VACUUM GAUGE)定期檢查表
項目每日每週每月每季半年每年說明
PIRANI GAUGE SENSOR ※→更換
1 ˇ
HEAD ˇ→檢查
2 ION GAUGE SENSOR HEAD ˇ ※
3 LOG .調整 ˇ
4 歸零調整 ˇ
模厚計(FILM THICKNESS GAUGE)定期檢查表
1 檢查石英振盪器之壽命 ˇ ※→更換
2 檢查 CRTS-4 冷卻水接頭 ˇ ˇ→檢查
真空腔體(VACUUM CHAMBER)定期檢查表
1 清潔防著板 ˇ ※→更換
2 反射鏡(清潔) ˇ ˇ→檢查
3 視窗玻璃(清潔) ˇ ※
4 真空腔體內部(清潔) ˇ
5 檢查 E-GUN 流量計水量 ˇ
其他(OTHERS)定期檢查表
1 檢查空壓及水壓是否足夠 ˇ ※→更換
2 檢查 N2 壓力是否足夠 ˇ ˇ→檢查
3 三相電源(電壓)是否正常 ˇ
4 檢查接地線是否脫落 ˇ
排氣系統(PUMPING SYSTEM)定期檢查表
排氣系統保養 ※→更換
1 ※
(MAIN PUMP OVERHAUL) ˇ→檢查
2 魯式邦浦(booster)真空油 ※
3 油迴轉幫浦真空油 ※
4 油霧捕捉器(有安裝者) ※
5 CRYO PUMP 再生 ˇ
6 CRYO PUMP 壓力溫度計 ˇ
7 CRYO TEMP(mV) ˇ
真空幫浦定期檢查表
點檢期間
點檢內容
每日每週每月每季
1. 檢視油的位準及油的顏色 ˇ
檢查空氣混抽閥(gas-ballast)正常動作否
2. ˇ
(附有空氣混抽閥裝置之幫浦)
3. 檢視幫浦是否有異音或異狀振動 ˇ
4. 清除吸氣口的過濾網 ˇ
5. 檢視皮帶是否鬆弛(皮帶傳動式幫浦) ˇ
更換幫浦油之時機
1. 真空度惡化時。
2. 過多的水氣進入幫浦時。
3. 幫浦油變成乳白色或深褐色時。
4. 當有凝縮氣體或溶劑污染幫浦油時。
5. 幫浦油異常的髒或有甚多的泥濘物累積於幫浦底部時。
5.0 參考文獻
1. 莊達仁編著，VLSI 製造技術，4 版，高立圖書有限公司，P158-160，
87 年 7 月
2. 李正中，薄膜光學與鍍膜技術，2 版，藝軒圖書出版社，P276-278，
90 年元月
3. 台灣日真電子束蒸鍍機操作手冊
4. 優貝克科技股份有限公司－HMI 人機介面操作手冊

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Electron Beam Evaporation

3.1.2 Alarm 畫面說明……………………………………………………..22

圖 2.1 顯示一個簡易的真空蒸鍍機（Vacuum Evaporator）的示意圖。它主要是由

圖 2.1 真空蒸鍍示意圖 圖 2.2 蒸發用電子槍工作原理

除了圖 2.1 的真空蒸鍍法之外，在高溫材料的蒸鍍上，我們通常是以所謂的電子

束蒸鍍法（Electron Beam Evaporation，簡稱 EBE）來進行的，如圖 2.2 所示。其

基本原理與圖 1 的真空蒸鍍法完全一樣。主要是的差別，是在於 EBE 是利用電子束

縮所以，在半導體製程上的應用，蒸鍍法通常使用是以 EBE 來進行的，如鋁的蒸鍍

抽氣系統 Cryo Pump： U-12H

抽氣系統（Pumping System） 抽真空速率 5×10-6Torr

POWER-LAMP & E.P.O. & BUZZER

¾ POWER-LAMP：主電源指示燈（AC 220V 輸入時指示）

操作方式請參看 TPG-256A 單體說明書

操作方式請參看 CRTM-6000 單體說明書

E/B POWER SUPPLY CONTROL PANE

操作方式請參看 HPS-510S 單體說明書

SUBSTRATE HEATER CONTROLLER 面板

1.電流表(HEATER CURRENT)—POWER 輸出時,HEATER 所產生之電流.

(AUTO DEPOSITION UNIT)控制其 ON/OFF 開關.

JIG ROTATION CONTRLLER

2.RUN/STOP—馬達運轉之 ON/OFF 控制。

DEPOSITION UNIT)控制其 ON/OFF 開關.

[Pump Down]：腔體抽真空至 Chamber Vacuum IonGauge 之設定點二(SET2)到

達。PV 值顯示 Pump Down 已執行時間；(單位)：分鐘。完成

[Vent]：腔體破真空至 Chamber ATM Pressure Switch 動作到達。

PV 值顯示 Vent 已執行時間；(單位)：分鐘。

[Baking]：腔體烘烤至設定時間到達，(註：Baking 溫度由 West-8100

溫控器設定，並設定於第九個 Pattern 中，可設九個階段加熱 Step，

設定方法請參考 West-8100 操作手冊)

PV 值顯示 Baking 已執行時間；(單位)：分鐘。

能選擇，並停止 Semi-auto 動作。

畫面左方之 Jig 及 Shutter 按鍵可供操作者操作。

當手動旋轉坩鍋之定位後，必須按下畫面上方之 Hearth 定位確認按鍵，方可

當按下操作模式選擇(Mode Select)，[Auto Depo]按鍵後，主畫面將出

現 Auto Depo 進入自動蒸鍍畫面，如下圖九： 完畢後按

[Rough]：Chamber 抽真空單元運轉，包含 R.P ,M.B.P，SRV，RV 等自動動作中。

[MV]：主閥開啟/關閉，CRYO Pump 與 Chamber 間之主閥自動開啟動作中。

[Heat]：Chamber 加熱中，自動依操作者所設定之 Recipe 指定溫控器動作中。

[HI-V]：高真空及 E/B Interlock 偵測中。

[DEPO]：自動鍍膜開始動作，依操作者於 CRTM-6000 中之設定動作中。

[Cool]：工作物開始冷卻動作，依操作者於 Set up 畫面中所設定之 Cooling 時

[Vent]：Chamber 開始破真空動作，依操作者於 Set up 畫面中所設定 SVV open

在 Auto Depo 畫面，中間 CRTM Sub Recipe 將會顯示目前正在執行的 Recipe 設定

Auto Depo Time 顯示各單元動作之執行時間。

[Start]：按下啟動鍵，開始執行 Auto Depo 製程。

[Stop]：按下啟動鍵，停止執行 Auto Depo 製程。

操作者在 Auto Depo 流程中隨時皆可切換至主畫面，並可於主畫面中監視 Auto Depo

3.1.2 Alarm 畫面說明

鍵，皆會進入 Alarm Recorder 畫面，如下(圖十五)。

Alarm Recorder 畫面以提醒操作者系統發生故障，操作者可按下畫面右下方之

a.進入 semiauto (start)

b. b.將 pump down 開啟 抽至真空度為 7.7×10-6 Torr

a.進入 semiauto (start)

a. 開啟主開關(on) b. 將 High voltage c. 將 Emission control

a、按下 MENU 鍵出現 MENU 畫面，使用 U V 上下鍵選擇 PROGRAM MENU，ENT 為確定鍵

d、設定膜厚後，按下 MENU 鍵出現 PROGRAM MENU，使用 U V 上下鍵選擇 PROCESS

PROGRAM，按下 ENT 鍵確定

f、等參數設定好，連續按下 MENU 鍵出現 MENU 畫面，使用 U V 上下鍵選

LAYER01 PROGRAM01 00:00

NOTE：10.9A/s 指蒸鍍速率，80.0%指輸出功率，1.925kA 指累積膜厚，PROGRAM 1 指目前程

7. 進入 Auto DEPO (start)

10. 開始自動沉積,直到沉積完成.(此過程包含 DEPO - Cool - Vent – Over)

圖 2.1 真空蒸鍍示意圖圖 2.2 蒸發用電子槍工作原理

抽氣系統（Pumping System）抽真空速率 5×10-6Torr

現 Auto Depo 進入自動蒸鍍畫面，如下圖九：完畢後按

b. b.將 pump down 開啟抽至真空度為 7.7×10-6 Torr

12*. 更改 program (CRTM 6000) 以及轉動靶材.

13*. Auto Depo Ready (star) 以及啟動 Hearth 定位確認.