1.1.

1. ¿Qué significa el transporte balístico?

Los operadores sufren scattering y a medida que atraviesan el canal, esperando que los
efectos cuánticos desempeñen un papel importante

2. Menciona las medidas de la ruta libre media inelástica:

La longitud de relajación de energía de ¼ ve donde e es el tiempo de relajación de energía y

v es una velocidad de fermi

3. ¿Qué efectos se presentan en una fase coherente?

Inferencia de fase en el transporte y variaciones macroscópicas

4. ¿Qué significa que haya una fluctuación de una sola impureza?

El cambio de conductancia no será de 1%, se regirá por la interferencia de fluctuación lo cual

es considerado de orden e2=h

5. ¿Por qué surge una fluctuación y como se ven afectados los dispositivos?

Por la falta de promedio de conjunto en el número limitado de operadores de dispositivos,

afecta en la reducción de escala de los tamaños de transistores

1.1.2 Algunas consideraciones físicas

6. ¿Cómo se relaciona la resistencia en los conductores macroscópicos?
R= La resistencia que se encuentra entre dos contactos está relacionada con la conductividad
a granel y las dimensiones del conductor.
 7. ¿Qué es el transporte difusivo?
R= Son estados casi ondulados con tasas de dispersión muy altas.
8. ¿Qué ocurre con el exponente crítico para dos y tres dimensiones?
R= En dos dimensiones, no existe un valor crítico del
exponente, ya que generalmente es siempre
negativo, acercándose a 0 asintóticamente. Y para tres
dimensiones, el exponente crítico cambia de negativo a positivo a medida que uno pasa de
baja conductividad a alta conductividad.
9. ¿Qué ecuación podemos reelaborar para que el estado de baja conductividad
dé?
R= La ecuación 1.6

1.2 Observables mesoscópicos en nanoestructuras

10. ¿Qué es el transporte balístico?

Es el transporte de partículas a través de la región activa sin dispersión. Ocurre cuando el

camino libre medio de las partículas es mucho mayor a la longitud que delimita el medio, en
la dirección en la que se propaga la partícula.

11. ¿Para qué es utilizada la fórmula de Landauer?

La fórmula de Landauer es la herramienta teórica estándar para examinar el transporte

balístico en uniones nano y mesoescalar. Relaciona la resistencia eléctrica de un conductor
cuántico con las propiedades de dispersión del conductor.

Dónde:

G es la conductancia eléctrica

Es la conductancia cuántica

T Cabe señalar que el coeficiente de transmisión T es el de todos los posibles estados de

energía que pueden pasar a través de la estructura de un lado a otro
 12. ¿Qué es la longitud de coherencia?

Es la distancia de propagación sobre la que una onda coherente mantiene un grado

especificado de coherencia. Generalmente se define para sistemas débilmente desordenados
por la constante de difusión.

1.3 Espacio y escalas de tiempo

La variedad de efectos no lineales solo ilustra la dificultad para tratar el transporte no
equilibrado en estructuras pequeñas
13. ¿Cuál sería su consecuencia con las nanoestructuras?
Una de las características centrales de la nanoestructura es que el transporte no se puede tratar
de forma aislada.
Los efectos tales como la interferencia de fase, con las consiguientes fluctuaciones de
conductancia universales y la localización débil, y el calentamiento del portador, todo
depende de los tamaños relativos de las dimensiones de las longitudes de correlación
importantes
14. ¿Cuáles son los parámetros clave que se toma en consideración?
Cuando se supone que tenemos un gas de electrones casi bidimensional localizado en una
interfaz tomamos la movilidad más baja de la interfaz, en cada caso, se elige una densidad
de inversión modesta, y las longitudes características se calculan a partir de: La densidad (es
la densidad de la hoja de los transportistas en la cuasi-bidimensional gas de electrones en la
interfaz), movilidad, tiempo de dispersión, vector de onda de fermi, velocidad de fermi, mfp
elástico, mfp inelástico, tiempo de ruptura de fase, constante de difusión y longitud de
coherencia de fase.

En algunas pequeñas nanoestructuras, el transporte no es balístico ni difusivo, sino que está

en algún lugar entre estos dos límites. Para estas estructuras, la longitud efectiva de relajación
de fase no es el camino libre medio inelástico ni la longitud de coherencia. Estas estructuras
son más difíciles de entender, y generalmente son bastante sensibles a los límites condiciones
15. ¿Qué debe emplear para asegurar el estudio?
La longitud real (y la terminología descriptiva) es apropiado para la situación en estudio.
 16. ¿El transporte en sistemas a nanoescala es definido por?:
Las escalas de longitud características asociadas con el movimiento de los portadores. Un
dispositivo nano es una estructura funcional con dimensiones a nanoescala que realiza alguna
operación útil, por ejemplo, un transistor a nanoescala

1.4 Nanoestructuras y nanodispositivos

17. ¿Qué es un nanodispositivo?

Es una estructura funcional con dimensiones a nanoescala que realiza alguna operación útil

18. De forma genérica ¿Cómo se constituye un nanodispositivo electrónico?

Están constituidos por una fuente y pozos para los portadores de carga que funcionan como
los contactos de origen y drenaje, y por una puerta que controla las características de
transferencia de la región activa.

19. ¿De qué depende la naturaleza del transporte en un nanodispositivo?

Depende de las escalas de longitud características de la región activa del dispositivo (L)

20. ¿Las regiones masivas en el canal activo de los nanodispositivos se están

remplazando por? ¿Por qué?

Por nanoalambres o nanotubos, esto para mantener el control de carga en el canal, ya que las
longitudes de los canales se escalan a dimensiones nanométricas.

21. ¿En términos de que se comprende mejor el comportamiento de un solo

electrón?

De la capacitancia, de una pequeña unión de túnel, y del cambio correspondiente en la energía

electrostática cuando un electrón atraviesa una barrera de un lado al otro.

22. Mencione las principales dificultades en la fabricación de CNT

El crecimiento dirigido de los nanotubos de carbono con la quiralidad deseada, y en el

posicionamiento en una superficie semiconductora, adecuada para producción a gran escala.