1 2 Teoria - Diodos

UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA I – ING.
ELECTRICA
1-2- Diodos semiconductores.
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DIODOS SEMICONDUCTORES
Principios físicos de los semiconductores
Daremos una explicación resumida, sobre los aspectos más importantes que tratan el
funcionamiento interno del “diodo semiconductor”, que permitan tratar sin
inconvenientes los temas posteriores. Para un análisis cuantitativo de este segmento, es
necesario recurrir a la bibliografía recomendada.
La mayoría de los dispositivos
electrónicos (diodos, transistores,
tiristores, etc.) utilizan como materia
básica, los materiales semiconductores.
Éstos, así como los metales y muchos
materiales aisladores son de naturaleza
cristalina. Los átomos de estos
materiales, forman una estructura
geométrica uniforme, denominada red
cristalina. Materiales de uso común son
el germanio (Ge) y el silicio (Si). Estos,
son de valencia cuatro (4). También se
utiliza el arseniuro de galio (GaAs), el
boro (B), el fósforo (P), el indio (In) y el
antimonio (Sb). Últimamente, se esta
utilizando, con propiedades mejoradas
en los dispositivos semiconductores, el
carburo de silicio (CSi).
El dibujo representa una red cristalina, donde los círculos mayores son los núcleos
(iones positivos) de los átomos y los círculos menores son los electrones (negativos)
periféricos o de última capa. Las líneas curvas, representan los enlaces covalentes que
requieren cada uno de dos electrones. Estos enlaces son los que unen a los átomos
vecinos para formar la estructura cristalina regular, estable y eléctricamente neutra.
Con esta estructura ideal, si aplicamos una pequeña tensión eléctrica en el material, no
se producirá circulación de corriente eléctrica, debido a que los electrones de valencia,
están ligados a los átomos vecinos a través de los enlaces. La conducción solo puede
tener lugar, cuando se establece una imperfección en la red cristalina que rompa
algunos de estos enlaces y los electrones liberados formen parte de la corriente
eléctrica. En la naturaleza real o la fabricación de estos materiales, se verifica una
conducción eléctrica que a igualdad de condiciones, resulta mucho menor que la de un
metal; de allí el nombre de “materiales semiconductores”.
Niveles de energía atómica
En los materiales, la conducción eléctrica se produce cuando los electrones

“periféricos” tienen suficiente energía para moverse a través de la estructura cristalina,
sin estar ligados a ningún átomo. De allí la conveniencia de diferenciar las
características entre un conductor, un semiconductor y un material aislante,
mediante consideraciones energéticas.
Para el caso de un átomo aislado, los electrones no pueden tener energías arbitrarias,
cualquiera, sino que solo pueden tener ciertos valores discretos de energía.
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Apunte de cátedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.
UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA I – ING. ELECTRICA
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Si tomamos la teoría del átomo de Rutherford, La energía de un electrón que se
encuentra girando alrededor de su núcleo vale:
w = - q2 / (4.П.εo.r) (energía total), siendo “q”, la carga del electrón, “εo” la
permitividad del vacío, y “r”, el radio o distancia del electrón al núcleo. La energía es
mas negativa (menor) cuando el electrón se encuentra cerca de su núcleo.
El átomo de Bohr explica los espectros de emisión de luz del átomo de hidrogeno,
estableciendo los niveles discretos de energía de los electrones. Cuando un electrón
salta de un nivel de energía mayor a uno menor, lo hace desprendiéndose de esa
diferencia de energía, en forma luminosa. La frecuencia de dicha radiación vale : f =
(w2—w1) / h, siendo w2 el nivel de energía superior, w1 el nivel inferior y “h” es la
constante de Planck.
La teoría quántica explica a través del “principio de exclusión de Pauli” que en un
átomo no puede haber dos electrones con el mismo valor de energía; decimos entonces
que un átomo aislado tiene un conjunto de niveles de energía discretos.
Bandas de energías atómica en los materiales
Cuando se reúnen varios átomos, los niveles de energía se desdoblan, apareciendo otros
niveles de energía permitidos. Cuando tenemos muchos átomos la diferencia de energía
de los niveles es pequeña. A los fines prácticos se puede considerar que los niveles de
energía permitidos, forman una banda continua de energía. Sin embargo en los
materiales, estas bandas de energía son finitas y existen regiones continuas de energía
prohibida. De allí que en los materiales tenemos para sus electrones bandas de energía
permitidas y bandas de energía prohibida, como lo muestra la siguiente figura para un
aislador o un semiconductor(a la temperatura T = 0 ºK).
Banda vacía permitida

Energía (Banda de conducción)
de los
electrones Varios Del orden eV
eVpara para Banda prohibida
aislador semiconductor
Banda llena (banda de
valencia)
Banda prohibida
Banda llena
Como en realidad no son bandas continuas, encontraremos dentro de esas bandas un

valor finito de electrones que están ocupando los niveles discretos de energía,
correspondiente a la banda. Cuando el número de electrones que tienen energía en
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dicha banda es el máximo, decimos que la banda esta llena. El tamaño de las bandas
prohibida y si las bandas ocupadas están llenas o no, es lo que determina que un
material se comporte como conductor, semiconductor o aislador.
Materiales aisladores:
A la temperatura del cero absoluto, todas las bandas de energía están ocupadas y entre la
banda de valencia y la banda de conducción, existe un salto de energía de varios
electrón-voltio (eV). Para este caso la banda de conducción esta vacía. Al no tener
ningún electrón con ese nivel de energía, el aislador no conduce corriente eléctrica
cuando se le aplica una tensión eléctrica en sus extremos. Si esa tensión eléctrica es de
un valor muy alto, es posible entonces que se puedan energizar algunos electrones de la
banda de valencia y pasen a la banda de conducción; en esta situación el material
aislante conduciría corriente eléctrica.(Ejemplo, seria el caso de las descargas eléctricas
en los “aisladores de las líneas eléctricas por sobretensiones atmosféricas)
Energía
de los
electrones
Banda parcialmente
llena (banda combinada
de valencia y de
conducción)
Banda prohibida
Banda llena
Materiales conductores:
Los conductores en el cero absoluto tienen una banda parcialmente llena denominada
banda combinada de valencia y conducción. Estas bandas consisten en niveles de
energía discretos que están muy próximos entre si. Por lo tanto algunos de los electrones
de la banda parcialmente llena, requieren incrementos de energía extremadamente
pequeños para elevarse a un nivel superior de energía. De aquí que la aplicación de
pequeños campos eléctricos, produzcan la conducción eléctrica. Por otra parte la
elevación de la temperatura, aumenta la agitación térmica de los electrones y átomos,
aumentando la probabilidad de colisiones, haciendo crecer la resistencia eléctrica del
material.
Materiales semiconductores :
En el cero absoluto, la distribución de bandas de energía (no los valores de energía),
son equivalentes a los materiales aislantes, con la diferencia que el intervalo de energía
entre la banda llena más alta (banda de valencia) y la banda de conducción inmediata
superior, es pequeño, del orden del electrón-voltio (eV).
La acción de la temperatura (calor) y la luz puede provocar el salto de algunos de los
electrones de valencia y pasar a la conducción. Estos materiales, a la temperatura
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ambiente, una baja conductividad eléctrica, que puede incrementarse con el aumento de
temperatura. La conductividad del material esta relacionada con la cantidad de
portadores de carga por unidad de volumen del material. Mientras mas alta sea la
densidad de los portadores, mayor será la conductividad.
Portadores de carga: huecos y electrones Electrón libre,

excitado por
efecto térmico
Además de la conducción debida
A los electrones libres, en un
Semiconductor existe un mecanismo que
da lugar a otro tipo de conducción.
Cuando un electrón se excita térmicamente,
Liberándose de su enlace covalente, deja
Atrás un espacio singular llamado “hueco”, Hueco
en el sitio del enlace. Antes que ocurra dejado por
esta vacante, cada uno de los átomos del el electrón
semiconductor tenían una carga neutral.
Al faltar el electrón el “hueco” queda
Cargado positivamente por la acción
Combinada de todos los átomos que lo
Rodean. Este “hueco positivo” puede
contribuir a la conducción eléctrica, dado
que es posible que otro electrón de la
vecindad lo ocupe, desapareciendo el
hueco en ese lugar, trasladándolo a la zona
del átomo vecino.
Este proceso continuará en forma errática, de modo que sin la aplicación de un campo
eléctrico, el “hueco” vaga libremente, de la misma forma que un “electrón libre”.
Aunque la dinámica del movimiento de un hueco difiere considerablemente a la de un
electrón libre (el movimiento continuado de un hueco, es una serie de movimientos de
varios electrones), el análisis de su comportamiento mediante “la mecánica quántica”,
indica que se puede considerar al “hueco” como una partícula libre en el material, con
carga positiva. La magnitud de su carga es igual a l a del electrón y su masa aparente es
ligeramente inferior a la del electrón.
Si el material es puro y la red cristalina permanece inalterable por la acción de la
temperatura y la luz, el semiconductor tendrá portadores de carga electrones y huecos
en la misma cantidad. Tales materiales se les denominan “intrínsicos”. La corriente
eléctrica producida por estos portadores, se denomina “corriente intrínseca”.
Átomos donadores y receptores
En un semiconductor se puede aumentar la cantidad de electrones libres o de

conducción, mediante el aditamento de impurezas dopantes llamadas “donadores”. Los
átomos donadores tienen en su capa de electrones de valencia, un electrón más que los
átomos del cristal del semiconductor. Para el semiconductor de silicio o germanio, se
agregan átomos donadores de fósforo, arsénico y antimonio. Para el semiconductor de
arseniuro de galio, pueden incluir elementos del grupo VI de la tabla periódica (que
actúan como donadores para los átomos de arsénico) o del grupo IV (que actúan como
donadores para los átomos de galio). Cuando agregamos a un semiconductor un átomo
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donador, el electrón adicional de Este, se libera fácilmente por acción de la agitación
térmica, formando parte de los electrones de conducción eléctrica. El electrón liberado
deja un ion positivo, fijo en el lugar del átomo de impureza donador, pero el
semiconductor, mantiene la neutralidad de cargas. Un semiconductor dopado con
electrones adicionales se conoce como de “tipo n”
UBICACIÓN DE ENERGIA DE LOS ELECTRONES DE ATOMOS

DONADORES
Energía de SEMICONDUCTOR TIPO N

los
electrones
Banda de conducción
Nivel de energía de los

electrones donadores
0,01eV
valencia)
Banda prohibida
Banda llena
Se pueden crear huecos adicionales, en el semiconductor, añadiendo impurezas

dopantes “receptoras”. Para el silicio y el germanio se agregan átomos receptores de
boro, indio y aluminio. Para el semiconductor de arseniuro de galio, incluyen los
elementos del grupo II de la tabla periódica (actúan como receptores para los átomos de
galio) o del grupo IV (actúan como receptores para los átomos de arsénico).
Los átomos receptores o aceptores, tienen en su capa de valencia un electrón menos
que los átomos del semiconductor que se va a impurificar. Estos átomos se incorporan a
la red cristalina y ponen a disposición de sus átomos vecinos, un sitio de enlace
covalente “vacío”. Con una pequeña energía térmica, un electrón de enlace cercano,
puede fácilmente ocupar este espacio vacío. Cuando lo hace, queda en ese lugar en
forma fija, creando un ion negativo fijo y a su vez creando un hueco que queda
libremente para aportar a la conducción eléctrica. Podemos decir entonces que las
impurezas, del tipo receptoras, generan huecos móviles. La neutralidad del
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semiconductor, se mantiene. Un semiconductor que presenta abundancia de portadores
de carga positiva, como lo son los huecos , se dice que es un material del tipo “p”
UBICACIÓN DE ENERGIA DE LOS ELECTRONES DE ATOMOS

RECEPTORES
Energía de SEMICONDUCTOR TIPO P

los
electrones
Banda de conducción
Nivel de energía de
0,01eV electrones receptores

valencia)
Banda prohibida
Banda llena
Un semiconductor al cual se le agregó impurezas donadoras o receptoras, se dice que

es “extrinsico”. Cuando se agregan en forma simultanea átomos donadores y
receptores al semiconductor, sus efectos tienden a cancelarse entre si. Si es igual el
numero de donadores y receptores, agregados el semiconductor se convierte en
“intrínsico”. Cuando las concentraciones de donadores y receptores no sean iguales, las
concentraciones resultantes de portadores huecos y electrones no pueden ser
determinadas por simple adición algebraica de impurezas dopantes. En cualquier
semiconductor a una temperatura distinta de cero, las concentraciones de huecos y
electrones quedan afectadas por los procesos duales de “generación y de
recombinación”. La concentración neta de portadores esta gobernada por un efecto
termodinámico conocido como “acción de masas”, así como el principio físico básico
de la “neutralidad de cargas”.
Características físicas de la unión PN
La unión “pn” esta formada por la aleación metálica de un semiconductor de tipo “p” y
uno de tipo”n”. Normalmente es fabricada a partir de un solo cristal, por difusión, en el
cual cada uno de los lados de la unión (juntura) ha sido impurificado adecuadamente.
De esta forma la estructura puede ser tratada como continua. Esta estructura así
concebida da lugar a discontinuidades abruptas en la concentraciones de huecos y
electrones a cada lado de la juntura, limite de la zona “p” y zona “n”. El dibujo
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siguiente muestra el aspecto físico de la juntura como así también la distribución de las
densidades de átomos donadores, átomos receptores, huecos, electrones, densidad total
de la carga eléctrica y distribución del potencial eléctrico
Iones Iones
receptores juntura donadores
negativos positivos
Campo eléctrico
interconstruido
Tipo”P” Tipo “N”
Zona de
agotamiento
Densidad de
átomos receptores
Densidad de
átomos portadores
Densidad de
huecos
Densidad de
electrones
Densidad total de
carga
- +
- Distribución
potencial eléctrico
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Cuando la unión se forma por primera vez, debido al gradiente de portadores de carga
(huecos del lado P y electrones del lado N) se produce por un proceso de difusión, una
corriente de portadores que cruzan la juntura, dejando a cada lado de la misma los iones
de los átomos del cristal; iones positivos del lado N e iones negativos del lado P. Este
proceso se produce en una región muy estrecha denominada “región de agotamiento” o
“zona de la carga espacial no neutralizada”.Tiene estas denominaciones dado que en
esta zona no existen portadores de carga. Debido a los iones de la carga espacial, se
genera un campo eléctrico denominado “campo ínter construido” o “barrera de
potencial”. Este campo eléctrico es tal que tiende a oponerse a la difusión de nuevos
portadores de carga para cada lado de la juntura, haciendo que esta corriente disminuya.
Cabe aclarar por otra parte que en los materiales extrínsecos, tenemos portadores
mayoritarios y minoritarios. Los mayoritarios como dijimos se generan por el agregado
de impurezas donadoras o receptoras. Los portadores minoritarios, se generan por efecto
térmico. En un semiconductor tipo “P” los portadores mayoritarios son los huecos; los
minoritarios los son electrones. Si el material es de tipo “N”, los portadores
mayoritarios son los electrones y los minoritarios son los huecos.
Volviendo, después de esta aclaración a la circulación de corrientes en una juntura
“PN”, los portadores minoritarios encuentran al campo eléctrico “ínter construido”
favorable para que estos puedan atravesar la juntura estableciéndose una corriente
eléctrica de portadores minoritarios. En el equilibrio y sin un campo eléctrico externo
aplicado a la juntura, estas dos corrientes, la de difusión de portadores mayoritarios
(que genera la barrera de potencial) y la de portadores minoritarios (generados
térmicamente), se igualan y como circulan en sentido opuesto, la corriente neta que
atraviesa la juntura, es igual a cero.
Polarizacion directa de la juntura PN:
Vamos analizar ahora la polarizacion directa de la juntura PN cuando le aplicamos un

potencial eléctrico externo a través de dos conectores conectados “ohmicamente” a los
semiconductores P y N respectivamente como muestra la siguiente figura:
POLARIZACION DIRECTA
Tipo”P” Tipo “N”
Contacto Contacto
ohmico + - ohmico
VD
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En este caso, el potencial externo aplicado se opone al de la barrera de potencial. El

potencial neto en la zona de la juntura disminuye, provocando esto, que los portadores
mayoritarios puedan atravesarla (“inyección de portadores”), y de manera la corriente
debido a estos portadores, se incremente. Se produce entonces una circulación de
corriente en el circuito eléctrico formado por la fuente de tensión externa VCC, los
conectores, los contactos ohmicos y el semiconductor PN. La corriente aportada por los
portadores minoritarios, permanece inalterable(es de sentido contrario). Solo puede
aumentar , si aumenta la temperatura.
Las densidades de portadores mayoritarios que se inyectan a cada lado de la juntura,
están gobernadas por un principio fisico llamado “relación de Boltzman”; estas, se
incrementan en forma exponencial con el valor del voltaje externo aplicado.
Pn = pno. e(VD/VT)
np = npo . e(VD/VT)
pn = concentración de huecos.
np = “ de electrones
pno = “ de huecos antes de aplicar la tensión VD
npo = “ de electrones antes de aplicar la tension VD
VT = K.T/ q se denomina tensión térmica donde:
K = constante de Boltzman ( 1,38 x 1º(-23) J/K)
T = temperatura absoluta en gradas kelvin
q = la carga del electrón ( 1,6 x 10-19 coulombs)
A la temperatura normal (300ºK) VT = 25,88 mv.
Polarizaciòn inversa de la juntura PN
POLARIZACION INVERSA
Tipo “N” Tipo”P”
Contacto Contacto
óhmico - + óhmico
VD
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Si el voltaje VD aplicado a la juntura PN es inverso o negativo, el campo eléctrico
externo tendrá el mismo sentido que la barrera de potencial y por lo tanto en la juntura
el campo eléctrico se incrementa. Como resultado la inyección de portadores
minoritarios decrece, haciéndose prácticamente nula. La corriente debido a estos
portadores entonces se hace cero; solo queda la corriente debida a los portadores
minoritarios, denominada de saturación inversa y que no es afectada por la tensión
inversa aplicada, prácticamente. Las “relaciones de Boltzman” se cumplen para tensión
inversa dado que los exponentes se hacen negativos y las concentraciones de portadores
mayoritarios decrecen hasta hacerse igual a cero.
Cápsula
El diodo semiconductor
Esta construido por una unión “PN”, con dos

terminales metálicos exteriores, que conectan
a los materiales “p” y “n” por medio de P N
contactos “ohmico”. El material utilizado para
formar la unión pn puede ser el Germanio,
silicio, o arseniuro de galio. De acuerdo al
semiconductor que se utilice, dimensiones Terminal Juntura Terminal
geométricas y características físicas para ánodo “PN” cátodo
formar la juntura, definirán las propiedades
eléctricas del diodo como ser capacidad de
Anodo Catodo
corriente, tensión inversa que soporta,
velocidad de conmutación, etc.
SÌMBOLO
El símbolo del diodo nos indica con el sentido de la flecha, la circulación de la

corriente “directa” (debida a los portadores mayoritarios), que se produce cuando
polarizamos, con una fuente de tensión externa, el ánodo mas positivo que el cátodo. En
diodos reales tenemos varias maneras de identificar los terminales. Una forma es a
traves de una banda circular próxima al Terminal de ánodo; otra es la impresión sobre
la capsula del símbolo del diodo. En laboratorio, utilizando un multìmetro o medidor de
resistencia en el que se conoce la polaridad del medidor. Cuando indique baja
resistencia es que estamos polarizando en directa al diodo y el Terminal positivo del
instrumento, nos indica el ánodo del diodo
Característica tensión—corriente
La teoría de la juntura nos lleva a formular a esta relación V—I como:
iD = Is .(e(vD/n.VT)—1) donde:
Is: “corriente de saturación” inversa .;es función de la concentración de impurezas
donadores y aceptores, como así también de la temperatura, área de la unión y de otras
constantes físicas. Para diodos de Ge, su valor es del orden del micro amperes. Para
diodos de silicio es del orden de los nanoamperes y para un diodo de silicio en circuito
integrado, esta en el orden del micro Amper.
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vD: Tensión aplicada en los terminales del diodo. Es positiva cuando el ánodo se
polariza mas positiva que el cátodo; vd es negativa cuando se invierte la polarización.
n: Coeficiente de emisión. Vale entre 1 y 2, dependiendo del tipo de semiconductor, la
magnitud de la corriente directa y del valor de Is. Para diodos discretos de silicio,
operando con corrientes del orden de los 10 ma o menores n = 2. Para diodos integrados
o discretos operando con valores mayores de 10 ma, n=2. Para diodos de Ge. n =1.
VT = K.T/q : “tensión equivalente térmica” cuyos valores ya lo hemos definidos
anteriormente.
+id(mA)
Región
polarización
directa
-vd (volt)
+vd (volt)
Vd=0,6 volt
Región Silicio
polarización
inversa
-id(nA)
Polarizaciòn directa del diodo semiconductor:
En la formula, vemos que para vd = 115 mv la corriente del diodo se puede expresar
como iD= Is. e(VD/n.VT). Por otra parte la corriente vale cero, para valores de
0<= vD => 0,5 a 0,7 volt (silicio). Superando este valor, la corriente comienza a
incrementarse con características exponencial según se muestra el grafico. La tensión
directa de “vd” para la cual la corriente del diodo comienza a incrementarse, se le
denomina “tensión umbral” o de “activación” y la designamos como vγ (gama); su
valor oscila en 0,5 a 0,7 volt. Para el silicio, 0,2 volt. aprox. para el germanio y 0,9 a
1,0 volt. para el AsGa.
Para valores altos de corriente, prácticamente la característica V—I, deja de ser
exponencial para convertirse en lineal; el diodo se comporta como una resistencia
eléctrica, predominado, la caída ohmica. La V—I en directa es dependiente de la
temperatura. La caída “vD” disminuye con el aumento de la temperatura en un valor de
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aproximado d(vD)/dt = -2,5 mV/ºC. Esto significa que si mantenemos vd = cte. La
corriente del diodo “id” crece con la temperatura.
Polarización inversa del diodo
Si vd es negativa, el término exponencial de la fórmula, se hace cero con valores bajos

de vd. La relación V—I se transforma en id = - Is. La corriente inversa del diodo se
hace muy pequeña, del orden del micro Amper para Ge o nanoamper para Si. y As.Ga.
Teóricamente Is es debido a los portadores minoritarios a ambos lados de la juntura pn.
En diodos prácticos, la corriente inversa depende no solamente de los portadores
minoritarios sino que hay que agregarle la corriente de fuga superficial y a un efecto de
recombinación de 2ª orden. Como los portadores minoritarios se generan por efecto
térmico, entonces “—Is” es función de ella. En los diodos prácticos que estamos
tratando, su valor se incrementa en 0,07% /ºC lo que significa que se duplica por cada
10º de aumento de la temperatura. Si seguimos aumentando la tensión inversa aplicada,
llega un momento que los portadores minoritarios adquieren suficiente energía del
campo eléctrico aplicado como para romper enlaces covalentes y generar nuevos
portadores de carga. Este fenómeno se vuelve en “avalancha” y hace que la corriente
inversa comience a crecer rápidamente y por efecto de potencia disipada inversa se
destruya la juntura por efecto de la temperatura.
40ºC 20ºC
+id(ma)
Región
polarización
directa
-vd(volt)
+vd(volt)
Vd=0,6 volt
Región Silicio
20ºC polarización
inversa
40ºC -id(na)
Corriente inversa en los diodos reales

La corriente inversa medible en un diodo real ( IR o IcBo) tiene dos componentes : Is
debido a los portadores minoritarios y dependiente de la temperatura e If debido a la
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corriente superficial y dependiente prácticamente en forma lineal de la tensión inversa
aplicada. IR = Is + If (If es una corriente de huecos en la superficie de la juntura)
Problema: Un diodo a la Tj = 75ºC tiene una corriente Is = 5 na y If = 10 na para una

tensión inversa VR= -vd = 15 volt. Determinar la corriente IR para VR = 30 volt.
IR1 = Is1 + If1 = 5+10 = 15 na para Tj1 = 75ºC y VR1 = 15 volt. Tj1=Tj2
IR2 = Is2 + If2 = 5 + 2x10 = 25 na para Tj2 = 75ªc y VR2 = 30 volt Is1=Is2
Problema: Determinar la corriente inversa del diodo del problema anterior si para
VR2 = 30 volt., la temperatura de la juntura aumenta a Tj2 = 100 ºC ; Is2 = 5 na.
Is3 = Is2x 1,07(Tj2-Tj3) = 5 x 5,43 = 27 na
IR3 = Is3 + If3 = 27 + 20 = 47 na If3 = If2
Problema: Determinar la corriente de fuga superficial para el diodo 1N4001 en base a

los datos suministrados por el fabricante.
Datos: IR1 = 10 ua para Tj1 = 25ºC y VR1 = 50 volt.
IR2 = 50 ua para Tj2 = 100ºC y VR2 = 50 volt.
IR1 = Is1 +If =

IR2 = Is1x(1,07)exp.(Tj2-Tj1) + If tenemos dos ecuaciones con dos incógnitas
despejando: If = 9,7 ua y Is1 = 0,3 ua para Tj = 25ºC
Problema: Determinar la resistencia inversa del diodo anterior para Tj1 = 25ºC
Tj2 = 100ºC y VR1 = VR2 = 50 volt.
Para Tj1 Ri1 = VR1 / IR1 = 50/10 = 5 Megohm

Para Tj2 Ri2 = VR2 / IR2 = 50/50 = 1 “
Problema : Determinar la resistencia directa del diodo 1N4001, definida como la

relación entre la caída de tensión directa y la corriente directa que circula (denominada
también como resistencia eléctrica en continua)
De los datos del fabricante tomemos para Id = 1 amper Vd = 0,93 volt a Ta = 75 ºC
RD = Vd /Id = 0,93 /1 0,93 ohm Ta = temperatura ambiente.
Resolución de un circuito eléctrico que tiene un diodo semiconductor

El problema consiste en determinar la corriente que circula por el diodo y la tensión en
sus extremos, cuando forma parte de un circuito lineal.
Como primera medida conviene realizar una simplificación, aplicando Thevenin en los
extremos del diodo, quedando el circuito según muestra la figura.
Luego tenemos varias alternativas como ser plantear las ecuaciones V—I del diodo y
la de la recta de carga y resolver analíticamente:
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iD = Is .(e(vD/n.VT)—1)
La resolución de ecuaciones con términos exponenciales es complicada; No obstante
un método practico es utilizar programas de computación como las planillas de calculo
(Exel o Qpro) y resolver por aproximación. Otra alternativa (complicada para resolver
manualmente) es por el método iterativo. También se puede resolver gráficamente.
Resolución grafica: Para ello, +iD(ma)

representamos la ecuación V—I del Vth/Rth
diodo y la recta de carga del circuito Q
equivalente de Thevenin.La intersección
en el punto “Q”, es la solución del Q’
vD
problema. Si invertimos la tensión de
Thevenin del circuito, la ecuación de la
recta de carga pasa por el tercer
--Vth Vth
cuadrante y la intersección será en el
punto Q’ donde la corriente es
prácticamente cero y la tensión del diodo
(inversa) es el valor de la tensión de --Vth/Rth
Thevenin.
Resolución gráfica cuando Vth es una tensión alterna:

En este caso la tensión varia en el tiempo y de la misma forma variara la recta de carga,
pero su pendiente (--1/Rth) permanece inalterada por lo que su graficación serán
infinitas rectas paralelas que intersectan a la característica V—I del diodo; sus valores
limites, serán los que tome “Vth”.
Problema:
Para el circuito de la figura, determinar la corriente y la tensión del diodo, por el
método grafico, suponiendo que se dispone la característica V—I del diodo.
iD
vD
Modelos aproximados lineales del diodo semiconductor

Se utiliza para obtener estos modelos, la técnica de modelado lineal por tramos. De
acuerdo a la aplicación y exactitud del modelo, podemos encontrar distintas
aproximaciones a saber:
1ª aproximación: Se considera al diodo
ideal. Cuando esta polarizado directamente o id
sea para vd>=0, el diodo conduce sin
presentar resistencia alguna. Cuando se lo
polariza inversamente, el diodo no conduce.
Esta aproximación se la puede utilizar para
realizar un análisis de funcionamiento de un vd
circuito o para cálculo preliminar cuando la
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tension equivalente de Thevenin del circuito
asociado, es muy alta respecto a la caída de
tensión directa del diodo.
id
2ª aproximación: En este caso se le asigna
al diodo una caída de tensión directa por
ejemplo Vd = 0,7 volt. para diodos de Si. ,
Vd=0,7volt
Vd = 0,2 volt para Ge. y Vd=0,9 volt para
diodos de AsGa. Superada esta tensión , el Si
diodo comienza a conducir si oponer
resistencia. Esta aproximación puede
utilizarse para cálculos primarios o para
detección de fallas en circuitos prácticos. vd
Polarizado inversamente, no conduce
3ª aproximación: Esta aproximación se la

utiliza para cálculos mas exactos y consiste id
el linealizar la curva real del diodo, teniendo
en cuenta el normal de trabajo. Por ejemplo A
si el punto de trabajo es el punto “A”, la
curva se puede representar con dos términos:
uno, la pendiente en el punto de trabajo vd
did/dvd cuyo valor inverso representa a una
resistencia eléctrica, denominada resistencia
“dinámica rd”. El otro término representa la
caída de tensión directa en el momento que
el diodo comienza a conducir y cuyo valor Vj(umbral)
lo obtenemos por la intersección de la
pendiente en el punto de trabajo, con el eje
de las tensiones Vj (tension umbral).
De esta forma la tensión del punto “A” la obtenemos como:
vdA = Vj + rdA x idA
Los circuitos equivalentes de las aproximaciones son los siguientes:
Problema: para el circuito de la figura, se solicita determinar:

a)- La corriente que circula por el diodo y la carga, tomando en cuenta las tres
aproximaciones.
b)- el error porcentual de las dos primeras aproximaciones respecto a la tercera.
___________________________________________________________________ 15
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Datos del diodo: vd2 = 0,93 volt, para id2 = 1Amper ; vd1= 0,7 volt, para id = 0
Modelo lineal del diodo semiconductor para corriente alterna de baja señal
Cuando un diodo se polariza directamente en continua, circula una corriente “Id”

constante y se produce el sus extremos, una caída de tensión continua “Vd”.
Si la corriente cambia en una pequeña cantidad +- ∆Id en torno a “Id”, también se
producirá una variación de tensión +- ∆Vd en sus extremos; en el caso de variaciones
muy pequeñas ∆Id y ∆Vd están relacionadas por la pendiente tangencial de la
característica V—I del diodo en el punto de polarizacion. Debido a la curvatura, esta
pendiente no es constante, sino que varia con el punto de polarizacion (Id, Vd). Resulta
entonces de interés determinar la expresión matemática para esta pendiente y su valor
reciproco que tiene dimensiones de resistencia dvd / did = rd. Esta resistencia se le
denomina “resistencia dinámica” del diodo en su punto de polarizacion. Para obtener la
expresión teórica de “rd” partimos de la ecuación del diodo:
id = Is . (e(vd/nVT) –1) donde VT= K.T/q.
Para polarizacion directa y vd > 115 mv, el termino “—1” en la expresión anterior,
representa menos del 1% por lo que podemos despreciarlo, quedando la ecuación:
id = Is . e(vd/n.VT) = Is . e((q.vd)/(K.T)) para n=1. Diferenciando esta expresión:
d(id) = q/(K.T) . Is. e ((q.vd)/(K.T)). d(vd) = q/(K.T) .id. d(vd) .

la resistencia dinámica la definimos como :
rd = dvd/did = (K .T) / (q .id) En esta ultima expresión vemos que “rd” es función de la
temperatura y del punto de polarizacion dado por el valor de “id”. Si tomamos una
temperatura ambiente de 20ºC la ecuación de “rd” nos queda:
rd(ohm) = 25 / id(ma) Esta ultima expresión es la que se utiliza para analizar la

dependencia de la resistencia dinámica con la corriente de polarizacion en cc.
Problema: Determinar la 3ª aproximación lineal del diodo en la vecindad del punto de

operación Id = 1ma para n =1,6 , Is = 10exp(-4) amper es y VT = 25,88 mv
Partimos de la ecuación: id = Is. ( e(vd/n.VT) -1) y la derivamos obteniendo:
d(id)/d(vd) = Is/(n.VT) . e(vd/nVT) = 1/rd. Como id es aprox igual a Is. e(vd/nVT)

entonces la inversa de la resistencia dinámica vale:
1/rd = id / e(vd/nVT) resolviendo resulta rd = 40 ohm.
___________________________________________________________________ 16
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para calcular Vj aplico la inversa de la ecuación o sea aplico logaritmo en base “e” a
ambos miembros y despejo Vd valor de la caída de tensión para Id =1ma.
Vd = n .VT. Ln (id/Is + 1) = 0,74 voltios. A este valor le resto la caída de tensión en la

resistencia dinámica y obtengo el valor de Vj
Vj = Vd - id . rd = 0,74 volt - 10(-3)amp. . 40 ohm = 0,7 volt.
Problema: Calcular la resistencia dinámica de un diodo de silicio con n=1 a ta= 20ºC
Polarizado en directa con valores de corriente continua de 10ua 500 ua ,1ma, 5 ma.
Circuito equivalente del diodo semiconductor para señales incrementales
El comportamiento del diodo polarizado directamente con señales alternas

incrementales o de baja magnitud, se puede entonces representar mediante su
resistencia dinamica”rd”. Para altas frecuencias, es necesario incluir además una
capacitancia en paralelo con “rd” , denominada capacidad de difusión o de
almacenamiento “Cd”. Mas adelante analizaremos las capacidades del diodo.
Diodo polarizado en Circuito equivalente

directo
Ahora bien , podríamos hacernos la siguiente pregunta ¿ que tan pequeña es una señal
incremental pequeña? La respuesta es que debe ser extremadamente pequeña a fin de
mantener a “rd” constante durante la variación de la señal en torno al punto de
polarizacion. Para el caso de señales alternas distintas de cero, la pendiente de la
característica V—I del diodo cambia, por lo que “rd” no se mantiene constante y la
relación tensión / corriente no es lineal. No obstante es común utilizar el modelo
anterior, suponiendo a rd = cte. , pero reconociendo al mismo tiempo que la no
linealidad (llamada también distorsión) aumenta con la amplitud de la señal.
En la región de polarizacion inversa, “rd” es de un valor muy alto y en algunos casos
no se la tiene en cuenta. En esta región también hay que considerar una capacidad
denominada “capacidad de transición Ct”. Para funcionamiento en baja frecuencia el
diodo puede considerarse como un circuito abierto.
Diodo polarizado Circuito equivalente

inversamente
___________________________________________________________________ 17
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Los valores de los componentes de ambos dibujos son aproximados, solamente para
tener una idea del orden de los mismos. Rs tiene en cuenta la resistencia serie del
cuerpo (ohmica) del diodo.
Problema: En el circuito de la figura, se muestra un diodo conectado con una

resistencia en serie y alimentado con una fuente de tensión continua de 10,7 volt. Si la
fuente de señal de ca genera una onda senoidal de 100 mv pico a pico, calcular la caída
de tensión en corriente alterna, en los extremos del diodo, para Tamb = 20ºC
Solución: Calcularemos primero la corriente directa que circula por el diodo; para ello
utilizaremos la 2ª aproximación del diodo con una caída de tensión Vd = 0,7 volt
Id = (Vcc—Vd) / Rs = (10,7 – 0,7) / 10.000 = 0,001 A = 1 ma

Para calcular la resistencia dinámica rd usamos la formula:
Rd(ohm) = 25 / Id(ma) = 25 / 1 = 25 ohm

Para la señal “va”, el resistor Rs y la resistencia dinámica, forman un divisor de
tensión, donde la caída de tensión (ca) en “rd” vale:
vd(ca) = rd . va /(Rs.+rd) = 25 . 100 /(10.000+25 = 250 uvolt (pico a pico)

Como vemos, en los extremos del diodo, tendremos una onda de tensión senoidal de
amplitud 250 uv p.p superpuesta a un nivel de continua de 0,7 volt.
___________________________________________________________________ 18
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Parámetros eléctricos suministrados por los fabricantes de diodos
semiconductores
Tensiones eléctricas (valores máximos):

VRWM = Tensión inversa de pico de operación (amplitud senoidal)
VRRM = Tensión inversa de pico repetitiva (la duración del pico esta especificada)
VRSM = Tensión inversa de pico no repetitiva no repetitiva
VR = Tensión inversa de continua.
VF = Caída de tensión instantánea para una determinada corriente directa.
VF(av) = Caída de tensión promedio para un ciclo completo.
Corrientes eléctricas (valores máximos):
Io (IFAV) = Máxima corriente promedio para una forma de onda senoidal con un
ángulo de conducción de 180ª y determinada frecuencia (50 o 60c/seg. para diodos de
baja frecuencia)
IFSM = Máxima corriente de pico no repetitiva (con especificación de su duración)
IR = Corriente inversa máxima con especificación de la temperatura de la
juntura y la tensión inversa aplicada.
IR(av) = Corriente promedio inversa para una determinada corriente directa IFAV.
Otros parámetros especificados:
-Temperaturas máximas de almacenamiento y operación

-Resistencias térmicas de disipación.
-Curvas V—I típicas en función de la temperatura.
-Potencia disipada por el diodo como función de la corriente media.
-Parámetros físicos y mecánicos.
Ejemplo : Diodo 1N4001 (designación Motorota semiconductor)
VRWM = VRRM = VR =50 volt

VRSM = 60 volt
VF = 0,93 volt(valor típico) para id = 1amper. Valor máximo esperado 1,1 volt.
VF(av) = 0,8 volt. (máximo)
Io ò IFAV = 1 amper
IFSM = 30 amperes (para un ciclo)
IR = 0,05ua para Tj = 25ºC y VR = 50 volt. (máximo esperado 10 ua)
IR = 10 ua para Tj = 100ºC y VR = 50 volt. (máximo esperado 50 ua)
IR(av) = 30 ua para IFAV 1 amper y Tj = 75ºC
Vc o Vj = 0,7 volt (tensión de codo)
Resistencia dinámica rd = (0,93—0,7) / 1 = 0,23 ohm para Io = 1 Amper
___________________________________________________________________ 19
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
id Id=1 A
Vd=0,93 Volt
vd
Vc=0,7 volt
Tiempos de conmutación del diodo semiconductor
Cuando un diodo semiconductor pasa del estado de polarización directa al estado de

polarización inversa y viceversa, el diodo pasa por un periodo de transición hasta que
recupera su estado de estabilidad. Estos tiempos de transición, se los define de la
siguiente manera:
Tiempo de recuperación directa (tfr)

Este tiempo se lo define cuando el diodo pasa de la condición inversa a la directa.
El tiempo “tfr” se lo mide como diferencia de tiempo entre el instante que la tensión
directa vale un 10% y el instante que alcanza el 90%. En la practica este tiempo no
suele traer inconvenientes, salvo en los diodos de potencia
Tiempo de recuperación inversa (trr):

Este tiempo se produce cuando el diodo pasa de la conducción directa a la inversa.
Suele traer inconvenientes en los diodos o en los transistores de juntura bipolar cuando
trabajan con señales eléctricas de alta frecuencia
Tipo N Tipo P
pn(0)
np(0) pno
npo
x=0 (inicio juntura)

Concentración portadores
minoritarios con polarización directa
___________________________________________________________________ 20
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
.
Concentración de portadores
minoritarios con polarización inversa
Tipo P Tipo N
pn(0)
np pn
pno
npo x=0
np(0)
np: portadores minoritarios (huecos) en el material “n” lejos de la juntura

pn: portadores minoritarios (electrones) en el material “p” lejos de la juntura
np(0): portadores minoritarios (huecos) en el material “n” en la zona de juntura
pn(0): portadores minoritarios (electrones) en el material “p” en la zona de juntura.
Cuando se le aplica polarización directa a la juntura pn, se produce una elevada

concentración de portadores minoritarios a ambos lados de la juntura, consecuencia de
la inyección de portadores mayoritarios sobre la juntura. Esta concentración disminuye
al alejarnos de la juntura por un efecto de recombinación hasta alcanzar los niveles
normales ( npo y pno ) correspondientes al material tipo “p” y tipo “n”
respectivamente.
Cuando polarizamos inversamente, en la zona de la juntura (para x= 0 ) prácticamente
no tenemos concentración de portadores minoritarios. Vemos entonces que para pasar
del estado de conducción directa al estado inverso debemos eliminar la concentración
de portadores minoritarios en exceso hasta llegar al valor que corresponde al estado
inverso. Durante esta transición, el diodo conducirá corriente eléctrica, solo limitada
por el circuito externo. Pasado este periodo, el diodo comienza a aumentar su tensión
inversa y la corriente inversa comienza a disminuir hasta llegar al valor correspondiente
“Is” para ese estado.
En el siguiente grafico podemos ver que cuando el diodo esta con polarización directa,
conduce la corriente id ≈ VF / RL. Cuando se polariza inversamente en el tiempo “t1”,
el diodo pasa a conducir una corriente inversa de valor id ≈ -VR / RL. Durante el
intervalo (t2—t1) = ts (tiempo de almacenamiento), se produce la eliminación de la
carga en exceso, llamada también “carga almacenada”. A partir de “t2”, comienza un
periodo de transición, donde se eliminan las cargas del resto del material. El diodo a
partir de este tiempo, comienza a incrementar su tensión inversa, bloqueando la
corriente inversa, hasta reducirse al valor de Is.
___________________________________________________________________ 21
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
El tiempo Trr = ts + tt se denomina “tiempo de recuperación inversa”. Este valor , es
generalmente suministrado por el fabricante, y depende de : la corriente directa previa
a la conmutación, de las características de decrecimiento de esta corriente (di/dt) y de
las características físicas del diodo. Un tiempo de recuperación largo, respecto a la
frecuencia de conmutación, produce una disipación de energía en exceso, elevando la
temperatura por encima de los valores máximos lo cual puede provocar la inutilización
del diodo semiconductor. Por esta razón, cuando se debe trabajar con frecuencias de
conmutación altas, se debe seleccionar diodos que tengan un “trr” bajo.
vi VF
-VR
(pn—pno )
en la juntura
t1
t2 t
id
VF/RL
t
-VR/RL
ts tt
vd trr
Almacenamiento
portadores
minoritarios t
-VR
En el siguiente grafico podemos ver que cuando el diodo esta con polarización directa,
conduce la corriente id ≈ VF / RL. Cuando se polariza inversamente en el tiempo “t1”,
el diodo pasa a conducir una corriente inversa de valor id ≈ -VR / RL. Durante el
___________________________________________________________________ 22
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intervalo (t2—t1) = ts (tiempo de almacenamiento), se produce la eliminación de la
carga en exceso, llamada también “carga almacenada”. A partir de “t2”, comienza un
periodo de transición, donde se eliminan las cargas del resto del material. El diodo a
partir de este tiempo, comienza a incrementar su tensión inversa , bloqueando la
corriente inversa, hasta reducirse al valor de Is.
El tiempo Trr = ts + tt se denomina “tiempo de recuperación inversa”. Este valor, es
generalmente suministrado por el fabricante, y depende de: la corriente directa previa a
la conmutación, de las características de decrecimiento de esta corriente (di/dt) y de las
características físicas del diodo. Un tiempo de recuperación largo, respecto a la
frecuencia de conmutación, produce una disipación de energía en exceso, elevando la
temperatura por encima de los valores máximos lo cual puede provocar la inutilización
del diodo semiconductor. Por esta razón, cuando se debe trabajar con frecuencias de
conmutación altas, se debe seleccionar diodos que tengan un “trr” bajo.
___________________________________________________________________ 23

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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA I – ING.

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Polarizaciòn directa del diodo semiconductor:

Polarización inversa del diodo

Si vd es negativa, el término exponencial de la fórmula, se hace cero con valores bajos

Corriente inversa en los diodos reales

Problema: Un diodo a la Tj = 75ºC tiene una corriente Is = 5 na y If = 10 na para una

Problema: Determinar la corriente de fuga superficial para el diodo 1N4001 en base a

IR1 = Is1 +If =

Para Tj1 Ri1 = VR1 / IR1 = 50/10 = 5 Megohm

Problema : Determinar la resistencia directa del diodo 1N4001, definida como la

RD = Vd /Id = 0,93 /1 0,93 ohm Ta = temperatura ambiente.

Resolución de un circuito eléctrico que tiene un diodo semiconductor

Resolución grafica: Para ello, +iD(ma)

Resolución gráfica cuando Vth es una tensión alterna:

Modelos aproximados lineales del diodo semiconductor

3ª aproximación: Esta aproximación se la

Problema: para el circuito de la figura, se solicita determinar:

Cuando un diodo se polariza directamente en continua, circula una corriente “Id”

id = Is . (e(vd/nVT) –1) donde VT= K.T/q.

id = Is . e(vd/n.VT) = Is . e((q.vd)/(K.T)) para n=1. Diferenciando esta expresión:

d(id) = q/(K.T) . Is. e ((q.vd)/(K.T)). d(vd) = q/(K.T) .id. d(vd) .

rd(ohm) = 25 / id(ma) Esta ultima expresión es la que se utiliza para analizar la

Problema: Determinar la 3ª aproximación lineal del diodo en la vecindad del punto de

Partimos de la ecuación: id = Is. ( e(vd/n.VT) -1) y la derivamos obteniendo:

d(id)/d(vd) = Is/(n.VT) . e(vd/nVT) = 1/rd. Como id es aprox igual a Is. e(vd/nVT)

1/rd = id / e(vd/nVT) resolviendo resulta rd = 40 ohm.

Vd = n .VT. Ln (id/Is + 1) = 0,74 voltios. A este valor le resto la caída de tensión en la

Vj = Vd - id . rd = 0,74 volt - 10(-3)amp. . 40 ohm = 0,7 volt.

Circuito equivalente del diodo semiconductor para señales incrementales

El comportamiento del diodo polarizado directamente con señales alternas

Diodo polarizado en Circuito equivalente

Diodo polarizado Circuito equivalente

Problema: En el circuito de la figura, se muestra un diodo conectado con una

Id = (Vcc—Vd) / Rs = (10,7 – 0,7) / 10.000 = 0,001 A = 1 ma

Rd(ohm) = 25 / Id(ma) = 25 / 1 = 25 ohm