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1. INTRODUÇÃO .................................................................................... 4
4
2. REFERENCIAL TEÓRICO
Neste capitulo iremos falar sobre os fundamentos teóricos de um transistor,
dispositivo utilizado para a realização das análises deste trabalho, nele será apresentado
a composição, modos de operação, modelos e suas aplicações.
5
Figura 1: Estrutura do TJB a) pnp e b) npn.
Fonte: BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013
JEB JCB
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Saturação Direta Direta
6
2.3. Modelos de transistor
Existe alguns modelos de circuitos equivalentes para o TJB. Neste
tópico, iremos tratar de dois tipos deles.
Figura 3: a) TJB como fonte de corrente controlada por tensão e b) TJB como fonte de corrente
controlada por corrente.
Fonte: SEDRA, 2000.
1.1.2. Modelo T
Para análise de pequenos sinais de transistores, existe outro modelo
alternativo, o modelo T. Neste modelo, o TJB é representado como uma fonte de
corrente controlado por tensão onde 𝑣𝑏𝑒 é a tensão de controle. Assim como no modelo
𝜋-hibrido, o modelo T produz algumas equações também.
7
𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒
𝑖𝑏 = − 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = (1 − 𝑔𝑚 𝑟𝑒 )
𝑟𝑒 𝑟𝑒
𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒 𝛽
= (1 − 𝛼) = (1 − )
𝑟𝑒 𝑟𝑒 𝛽+1
𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒
= =
(𝛽 + 1)𝑟𝑒 𝑟𝜋
Na Figura 4, é a apresentado duas versões diferentes do modelo T para
operação com o TJB.
Figura 4: a) Representação com fonte de corrente controlada por tensão e b) Representação com fonte de
corrente controlada por corrente.
Fonte: SEDRA, 2000.
8
Figura 5: Circuito operando em modo de saturação
Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013)
9
3. RESULTADOS E DISCUSSÕES
10
𝑅1 = 𝑅𝐵1 32,2 39,6𝑘
𝑅𝐶 3,6k 3,8𝑘
i) 𝑅𝐵 470k 470𝑘
𝑅𝐸 0,51k 0,6𝑘
j) 𝑅𝐵 510k 510𝑘
𝑅𝐶 3,3k 3,3𝑘
𝑅𝐵2 16k 16,5𝑘
k) 𝑅𝐸 0,75k 0,9𝑘
𝑅𝐶 2,2k 2,2𝑘
𝑅𝐵1 82k 81𝑘
Para o circuito (a) percebeu-se que a tensão em 𝑉𝐶 não teria como ser 20 𝑉, pois
está é a tensão da fonte e antes de chegar ao coletor do transistor essa tensão sofre uma
queda em seu valor devido o resistor 𝑅𝐶 = 3,3 𝑘Ω.
Para o circuito (b) notou-se o mesmo problema apresentado no circuito (a).
Novamente no coletor do transistor, mas agora 𝑅𝐶 = 4,7 𝑘Ω.
Para os circuitos a seguir os transistores operam no modo ativo cujas principais
características são 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉, 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 , 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 .
Analisando o circuito (c) percebe-se que 𝑉𝐸 = 0 𝑉, pois a tensão medida será
diretamente com o terra. Aplicando a lei de Kirchhoff das malhas para o terminal da
base do transistor tem-se 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸 = 0, por tratar-se do transistor no
modo ativo, 16 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 − 0,7 = 0. Isolando 𝐼𝐵 tem-se 𝐼𝐵 = 0,033𝑚𝐴 donde 𝐼𝐶 =
2,97 𝑚𝐴 e 𝐼𝐸 = 3 𝑚𝐴. Além disso, 𝑉𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 8𝑉, e 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 = 0,7𝑉.
Portanto,
𝑉𝐵 = 0,7 V 𝐼𝐵 = 0,033 mA
{ 𝑉𝐶 = 8 𝑉 𝑒 { 𝐼𝐶 = 2,97 mA
𝑉𝐸 = 0 V 𝐼𝐸 = 3 mA
No circuito (d) percebe-se que 𝑉𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 onde 𝐼𝐶 = 80𝐼𝐵 e 𝐼𝐸 = (80 + 1)𝐼𝐵 ,
logo, 𝑉𝐶 = 6𝑉 e isolando 𝑅𝐶 tem-se 𝑅𝐶 = 1,9 kΩ . Além disso, 𝑉𝐸 = 0 𝑉, conforme
discutido, logo, 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 = 0,7 𝑉 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 . Isolando 𝑅𝐵 tem-se 𝑅𝐵 = 283 kΩ.
Desse modo,
𝑉𝐵 = 0,7 V 𝐼𝐵 = 40 µA
{𝑉𝐶 = 5,92 V 𝑒 {𝐼𝐶 = 3,2 mA
𝑉𝐸 = 0 V 𝐼𝐸 = 3,2 mA
11
No circuito (e), 𝑉𝑒 = 0, logo, 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶 = 7,2𝑉. Além disso,
(𝛽 + 1)I𝐶 = 𝛽I𝐸 e 𝐼𝐸 𝛽 = I𝐶 , assim, isolando 𝛽 tem-se 𝛽 = 199, 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 𝛽 = 3,98 𝑚𝐴
e 𝑣𝑐𝑐 = 2,7𝑘𝐼𝐶 + 7,2 = 18 𝑉. Como estamos no modo ativo, 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 e 𝑅𝐵 I𝐵 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 , ou seja, 𝑅𝐵 = 865 𝑘Ω.
Portanto,
𝑉𝐵 = 0,7 V 𝐼𝐵 = 20 µA
{𝑉𝐶 = 7,2 V 𝑒 {𝐼𝐶 = 3,98 mA
𝑉𝐸 = 0V 𝐼𝐸 = 4 mA
Como no circuito (f) 𝑣𝐸 = 2,1 𝑉 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 , 𝐼𝐸 = 3,08 𝑚𝐴 e 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 =
9,4 𝑉. Sendo 𝐼𝐸 𝛽 = 𝐼𝐶 (𝛽 + 1) tem-se 𝛽 = 151 e 𝐼𝐶 = 3,02 𝑚𝐴. Tendo 𝑣𝐶𝐶 − 𝑣𝐶 =
2,6𝑘𝐼𝐶 conclui-se que 𝑣𝐶𝐶 = 17,25𝑉. Para encontrar 𝑅𝐵 faz-se 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸 −
𝑅𝐵 𝐼𝐵 = 0, isto é, 𝑅𝐵 = 723 𝑘Ω.
𝑉𝐵 = 2,8 V 𝐼𝐵 = 20 µA
{𝑉𝐶 = 9,4 𝑉 V 𝑒 {𝐼𝐶 = 3,02 mA
𝑉𝐸 = 2,1 V 𝐼𝐸 = 3,08 𝑚𝐴
Resolvendo o circuito (g) pelo teorema de Thévenin para descobrir o valor da
corrente na base do transistor tem-se 𝐼𝐵 = 𝑉𝑇𝐻 /𝑅𝑇𝐻 onde 𝑅𝑇𝐻 = 𝑅𝐵1 //𝑅𝐵2 = 7,94 𝑘Ω
e 𝑉𝐵 = 𝑉𝑇𝐻 = 𝑅𝐵2 𝑉𝐶𝐶 /(𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 ) = 2,05 𝑉. Desse modo, 𝐼𝐵 = 21,42 µ𝐴 e como
𝛽 = 220, 𝑉𝐶 = 𝑅𝐶 𝛽𝐼𝐵 e 𝑉𝐸 = 𝑅𝐸 (𝛽 + 1)𝐼𝐵 .
Assim,
𝑉𝐵 = 2,05 V 𝐼𝐵 = 21,42 µ𝐴
{𝑉𝐶 = 14,8 V 𝑒 { 𝐼𝐶 = 1,71 mA
𝑉𝐸 = 1,2 V 𝐼𝐸 = 1,73 mA
Para o circuito (h) 𝐼𝐶 = (V𝐶𝐶 − V𝐶 )/R 𝐶 = (18 − 12)/R 𝐶 = 1,3 𝑚𝐴. Não há
como aplicar o método de Thévenin, pois o valor de 𝑅𝐸 é desconhecido, logo, supondo
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 , 𝑣𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 1,6 𝑉, 𝑉𝑏 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0,7 + 1,6 = 2,3 𝑉. Para descobrir o
valor de 𝑅1 faz-se 𝑅1 = 𝑉𝑅1 /𝐼𝑅1 = (𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑏 )/ 𝐼𝑅1. Supondo 𝐼𝑅1 ≅ 𝐼𝑅2 , 𝑅1 = (𝑉𝑐𝑐 −
𝑉𝑏 )/(VB/5,6k) = 38,2 𝑘Ω , logo, I𝐵 = 2𝐼𝑅2 = 0,8 𝑚𝐴
𝑉𝐵 = 2,3 V 𝐼𝐵 = 0,8 𝑚𝐴
{ 𝑉𝐶 = 12 V 𝑒 {𝐼𝐶 = 1,3 𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 1,6 V 𝐼𝐸 = 1,3 𝑚𝐴
No circuito (i) aplicando a lei de Kirchhoff das malhas tem-se 𝑉𝐶𝐶 −
𝑅𝐶 (𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 ) − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 0, mas 𝐼𝐶 = 120𝐼𝐵 E 𝐼𝐸 = 121𝐼𝐵 , logo, 16 −
𝑅𝐶 (81𝐼𝐵 ) − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 − 0,7 − 𝑅𝐸 (81𝐼𝐵 ) = 0. Substituindo os valores dos resistores e
isolando 𝐼𝐵 tem-se que 𝐼𝐵 = 15,81 µA, 𝐼𝐶 = 1,89 𝑚𝐴 e 𝐼𝐸 = 1,91 𝑚𝐴. Além disso,
𝑉𝐸 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 , 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐸 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶 , 𝑉𝐵𝐸 = V𝐵 − V𝐸 = 0,7 V .
12
Conclui-se, portanto, que
𝑉𝐵 = 1,67 V 𝐼𝐵 = 15,81 µA
𝑉
{ 𝐶 = 8,22 V 𝑒 { 𝐼𝐶 = 1,89 𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 0,97 V 𝐼𝐸 = 1,91 𝑚𝐴
No circuito (j) nota-se que 𝑉𝐸 = 0, ou seja, 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 = 0,7.
Aplicando a lei de Kirchhoff das malhas na malha que corresponde à fonte, ao terminal
da base e do emissor do transistor e ao terra, 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0 donde insolando 𝐼𝐵
obtém-se 𝐼𝐵 = −0, 022 𝑚𝐴. Aplicando agora a lei de Kirchhoff das malhas na malha
que corresponde à fonte, ao terminal do coletor e do emissor, 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0.
Supondo 𝛽 = 100,
𝑉𝐵 = −0,7 V 𝐼𝐵 = −0, 022 𝑚𝐴
{ 𝑉𝐶 = −7,3 V 𝑒 { 𝐼𝐶 = −2,21 𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 0 V 𝐼𝐸 = −2,22 𝑚𝐴
No circuito (k), de modo simular ao circuito (g) aplicar-se-á o teorema de
Thévenin para descobrir o valor da corrente na base do transistor. Assim, 𝐼𝐵 =
𝑉𝑇𝐻 /𝑅𝑇𝐻 onde 𝑅𝑇𝐻 = 𝑅𝐵1 //𝑅𝐵2 = 13,4 𝑘Ω e 𝑉𝐵 = 𝑉𝑇𝐻 = 𝑅𝐵2 𝑉𝐶𝐶 /(𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 ).
Desse modo, 𝐼𝐵 = 3,54 𝑚𝐴 e como 𝛽 = 220, 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐸 − 𝑅𝐶 𝛽𝐼𝐵 e 𝑉𝐸 =
𝑅𝐸 (𝛽 + 1)𝐼𝐵 .
Assim,
𝑉𝐵 = −3,59 V 𝐼𝐵 = −0,016 𝑚𝐴
{𝑉𝐶 = −11,6 V 𝑒 { 𝐼𝐶 = −3,54 mA
𝑉𝐸 = −2,66 V 𝐼𝐸 = −3,55 mA
Analisando os circuitos em que o transistor atua como um amplificador sabe-se
que a corrente no coletor é dada por 𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝𝑉𝐸𝐵 /𝑉𝑇 para transistores pnp e por
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝𝑉𝐵𝐸 /𝑉𝑇 para transistores npn onde 𝑉𝑇 = 26 𝑚𝑉 é a tensão térmica do
transistor, 𝑉𝐸𝐵 é a tensão entre os terminais do emissor e coletor do transistor e 𝐼𝑆 é a
corrente de saturação. Além disso, o ganho dos circuitos é dado por 𝑔𝑚 = 𝐼𝐶 /𝑉𝑇 =
𝑉𝑂𝑈𝑇 /𝑉𝑖𝑛 .
Para 𝑉𝑖𝑛 = 0 no circuito (a), 𝑉𝐸𝐵 = 𝑉𝐸 − 𝑉𝐵 = 0,8 𝑉. De acordo com os dados
apresentados na questão, 𝐼𝐶 = 3,6 𝑚𝐴, 𝑉𝐶 = 𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 1,08 𝑉 e 𝑔𝑚 = 0,14.
Sendo 𝑉′𝑖𝑛 = 5 mV, 𝑉′𝐸𝐵 = 0,795 𝑉 e 𝐼 ′ 𝐶 = 2,85 𝑚𝐴. Assim, 𝑉′𝐶 = 𝑉 ′ 𝑂𝑈𝑇 = 0,855 𝑉
e 𝑔′𝑚 = 0,11.
Como 𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐵𝐸 = 0 no circuito (b), 𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 = 6 ∗ 10−16 𝐴. Assim, 𝑉𝑂𝑈𝑇 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 1𝑘𝐼𝑆 , ou seja, 𝑉𝑂𝑈𝑇 ≅ 𝑉𝐶𝐶 . Sendo 𝑉′𝑖𝑛 = 20 mV,𝐼′𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝20/26,
ou seja,𝑉′𝑂𝑈𝑇 ≅ 𝑉′𝐶𝐶 . Em ambos os casos o sinal não é amplificado.
13
No circuito (c) o sinal também não é amplificado, pois o microfone é curto-
circuitado. Logo, o ganho é nulo, pois a tensão da saída é igual a entrada.
14
𝐼𝐶 = 3,6 𝑉𝐶 = 2,4
i) 𝐼𝐵 = 0,03 𝑉𝐵 = 2,9
𝐼𝐸 = 3,6 𝑉𝐸 = 2,3
𝐼𝐶 = −3,6 𝑉𝐶 = − 0,2
j) 𝐼𝐵 = −0,02 𝑉𝐵 = − 0,7
𝐼𝐸 = −3,7 𝑉𝐸 = 0
𝐼𝐶 = −3,3 𝑉𝐶 = −14,7
k) 𝐼𝐵 = −0,3 𝑉𝐵 = −3,9
𝐼𝐸 = −3,3 𝑉𝐸 = −3,1
15
Figura 6: Esquema de simulação do circuito (a)
Fonte: Os autores.
Fonte: Os autores.
16
Na Figura 8 o circuito apresenta dois resistores, uma fonte de tensão e um
transistor npn. Na questão não apresentava os valores das correntes, então na simulação
obtemos, para 𝑉𝐶 = 8,5 𝑉, 𝑉𝐵 = 0,7 𝑉 e 𝑉𝐸 = 2,96 ⋅ 10 −9 𝑉, com isso, podemos dizer
que o transistor está no modo ativo, pois, a tensão de coletor é maior que a da base e a
tensão 𝑉𝐶𝐸 é menor que 0,2𝑉.
Fonte: Os autores.
Fonte: Os autores.
17
Na Figura 10 o circuito contém dois resistores, uma fonte de tensão e um
transistor npn. na questão não foi mencionado o 𝑅𝐵 , Logo após, foi calculado e
realizado a simulação do circuito, então obtemos as tensões no coletor, base e emissor
de 8,53 𝑉, 0,7 𝑉 e 0 𝑉, com isso, sabemos que o circuito está no modo ativo, pois, a
tensão no coletor e maior que na base e a base é maior que no emissor.
Fonte: Os autores.
18
Figura 11: Esquema de simulação do circuito (f)
Fonte: Os autores.
Fonte: Os autores.
19
Figura 13: Esquema de simulação do circuito (h)
Fonte: Os autores.
Fonte: Os autores.
20
0 𝑉, na base foi −0,7𝑉 e no coletor foi de −4,69𝑉 aproximadamente, com isso,
podemos concluir que o circuito está no modo ativo.
Fonte: Os autores.
Fonte: Os autores.
21
Na Figura 17 (a) e (b) encontra-se o mesmo circuito, porém com a tensão de
entrada diferente, sendo, uma com 0 𝑉 e outra com 5 𝑚𝑉. Ao simular notamos que com
o aumento na tensão de entrada a corrente da base, coletor e emissor diminui, mas a
tensão aumenta, sendo assim, o circuito se encontra no modo ativo.
Fonte: Os autores.
22
Figura 18: (a) Circuito com tensão de entrada 0𝑉 e (b) 20𝑚𝑉.
Fonte: Os autores.
Na Figura 19 (a) e (b) o circuito encontra com um resistor, uma fonte de tensão,
um transistor pnp e um microfone, analogamente a Figura 18 (a) e (b) no lugar do
microfone, foram adicionados um resistor e uma fonte de tensão. Ao adicionar uma
tensão de 0V e logo após uma de 20mV, a tensão no coletor permanece igual, somente a
corrente 𝐼1 ≠ 𝐼8 .
23
Figura 19: Circuito C com tensão de entrada (a) 0𝑉 e (b) 20𝑚𝑉.
Fonte: Os autores.
Na Figura 20 (a) e (b) foram utilizados 2 resistores, três fontes de tensão e um
transistor npn, todos os dados foram apresentados na questão. Ao simular encontramos
logo que o circuito está no modo ativo, comprovando que está trabalhando como um
amplificador, com isso, observamos que ao aumenta a tensão de entrada o circuito não
amplifica a tensão no coletor, base ou no emissor e sim o circuito amplifica a corrente.
24
Figura 20: (a) circuito D com 0 𝑉 na entrada e (b) com 5 𝑚𝑉.
Fonte: Os autores.
25
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
SEDRA, Adel S. Microeletrônica. Ed. -São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007.
26
ANEXO A – LISTAS DOS CIRCUITOS PARA ANÁLISE
27
Universidade Federal Rural do Semi-Árido
Campus Pau dos Ferros
Obs.: Todas as questões devem apresentar solução analítica, numérica e os resultados práticos.
c)
Modos de Operação
Implemente/Projete os circuitos abaixo e analise o
comportamento dos mesmos. Verifique qual o
modo de operação. Apresente os valores das
correntes e tensões. Os valores dos componentes
devem ser utilizados conforme disponibilidade
laboratorial.
a)
d)
b)
e)
Boa Sorte!
Universidade Federal Rural do Semi-Árido
Campus Pau dos Ferros
Obs.: Todas as questões devem apresentar solução analítica, numérica e os resultados práticos.
f) i)
j)
g)
k)
h)
Boa Sorte!
Universidade Federal Rural do Semi-Árido
Campus Pau dos Ferros
Obs.: Todas as questões devem apresentar solução analítica, numérica e os resultados práticos.
a)
d)
b)
Obs.: β = 100
e)
Boa Sorte!
ANEXO B – DATASHEET DO TRANSISTOR BC337
BC327, BC327-16,
BC327-25, BC327-40
Amplifier Transistors
PNP Silicon
Features http://onsemi.com
MAXIMUM RATINGS 2
Rating Symbol Value Unit BASE
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering, marking, and shipping information in
the package dimensions section on page 4 of this data sheet.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE −
(IC = −100 mA, VCE = −1.0 V) BC327 100 − 630
BC327−16 100 − 250
BC327−25 160 − 400
BC327−40 250 − 630
(IC = −300 mA, VCE = −1.0 V) 40 − −
SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance Cob − 11 − pF
(VCB = −10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz)
1.0
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT
0.7 D = 0.5
0.5
0.3
THERMAL RESISTANCE
0.2
0.2 0.1
qJC(t) = (t) qJC
0.1 0.05 qJC = 100°C/W MAX
P(pk) qJA(t) = r(t) qJA
0.07 0.02
SINGLE PULSE qJA = 375°C/W MAX
0.05 t1 D CURVES APPLY FOR
0.01 POWER
0.03 SINGLE PULSE t2
PULSE TRAIN SHOWN
0.02 DUTY CYCLE, D = t1/t2 READ TIME AT t1
TJ(pk) − TC = P(pk) qJC(t)
0.01
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
t, TIME (SECONDS)
http://onsemi.com
2
BC327, BC327−16, BC327−25, BC327−40
-1000 1000
1.0 s 1.0 ms TJ = 135°C VCE = -1.0 V
TA = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100 ms
dc
-100 TA = 25°C 100
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
(APPLIES BELOW RATED VCEO)
-10 10
-1.0 -3.0 -10 -30 -100 -0.1 -1.0 -10 -100 -1000
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-1.0 -1.0
TJ = 25°C TA = 25°C
-0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
-0.8
V, VOLTAGE (VOLTS) VBE(on) @ VCE = -1.0 V
-0.6 IC = -0.6
-500 mA
-0.4 -0.4
IC = -300 mA
-0.2 IC = -100 mA -0.2
VCE(sat) @ IC/IB = 10
IC = -10 mA
0 0
-0.01 -0.1 -1.0 -10 -100 -1.0 -10 -100 -1000
IB, BASE CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
θV, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/°C)
+1.0
0
Cib
10
-1.0
Cob
qVB for VBE
-2.0
1.0
-1.0 -10 -100 -1000 -0.1 -1.0 -10 -100
IC, COLLECTOR CURRENT VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
http://onsemi.com
3
BC327, BC327−16, BC327−25, BC327−40
ORDERING INFORMATION
Device Order Number Specific Device Marking Package Type Shipping†
BC327G 7 TO−92 Straight Lead 5000 Units / Bulk
(Pb−Free)
BC327−25ZL1G 32725 TO−92 Bent Lead 2000 / Tape & Ammo Box
(Pb−Free)
BC327−40ZL1G 7−40 TO−92 Bent Lead 2000 / Tape & Ammo Box
(Pb−Free)
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
BC327, BC327−16, BC327−25, BC327−40
PACKAGE DIMENSIONS
TO−92 (TO−226)
CASE 29−11
ISSUE AM
NOTES:
A B STRAIGHT LEAD 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
BULK PACK Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
R IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND
P BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
L
SEATING INCHES MILLIMETERS
PLANE K DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.175 0.205 4.45 5.20
B 0.170 0.210 4.32 5.33
C 0.125 0.165 3.18 4.19
D 0.016 0.021 0.407 0.533
X X D G 0.045 0.055 1.15 1.39
H 0.095 0.105 2.42 2.66
G J 0.015 0.020 0.39 0.50
H J K 0.500 --- 12.70 ---
L 0.250 --- 6.35 ---
V C N 0.080 0.105 2.04 2.66
P --- 0.100 --- 2.54
SECTION X−X R 0.115 --- 2.93 ---
1 N V 0.135 --- 3.43 ---
NOTES:
A B BENT LEAD
R 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
TAPE & REEL ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
AMMO PACK 3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND
DIMENSION R IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P
P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
T
MILLIMETERS
SEATING
PLANE K DIM MIN MAX
A 4.45 5.20
B 4.32 5.33
C 3.18 4.19
D 0.40 0.54
X X D G 2.40 2.80
J 0.39 0.50
G K 12.70 ---
J N 2.04 2.66
V P 1.50 4.00
C R 2.93 ---
V 3.43 ---
SECTION X−X
1 N
STYLE 17:
PIN 1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
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5