NAME:______________________________________

    PUID:  ______________________________________  
 
 
SOLUTIONS  ECE  606  Exam  4:  Spring  2013  
March  28,  2013  
Mark  Lundstrom  
Purdue  University  
 
This  is  a  closed  book  exam.    You  may  use  a  calculator  and  the  formula  sheet  at  the  end  of  
this  exam.  
 
There  are  four  equally  weighted  questions.    To  receive  full  credit,  you  must  show  your  
work  (scratch  paper  is  attached).  
 
The  exam  is  designed  to  be  taken  in  60  minutes,  but  you  may  use  the  full,  75  minute  class  
period.  
 
Be  sure  to  fill  in  your  name  and  Purdue  student  ID  at  the  top  of  the  page.  
 
DO  NOT  open  the  exam  until  told  to  do  so,  and  stop  working  immediately  when  time  is  
called.  
 
 
40  points  possible,  10  per  question  
 
1)   2  points  for  each  part  –  10  points  total  
 
2)    2  points  for  each  part  –  10  points  total  
 
3a)   4  points  
3b)   2points  
3c)   2  points  
3d)   2  points  
 
4)    2  points  for  each  part  –  10  points  total  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ECE-­‐606     1   Spring  2013  
 Exam  4:  ECE  606   Spring  2013  
 
Answer  the  five  multiple  choice  questions  below  by  choosing  the  one,  best  answer.    
 
1) What  can  we  determine  from  a  plot  of  one  over  junction  capacitance  squared  vs.  
reverse  bias  voltage?  
a)     The  minority  carrier  lifetime.  
b)   The  minority  carrier  diffusion  coefficient.  
c)     The  semiconductor  bandgap.  
d)   The  doping  density.  
e)     The  series  resistance.  
 
2) When  is  the  diffusion  capacitance  important?  
( )
a)     For  low  DC  forward  bias  and  for  frequencies  that  are  well  below   1 2!" n .  
b)     For  low  DC  forward  bias  and  for  frequencies  that  are  well  above   1 ( 2!" ) .  
n

c)     For  high  DC  forward  bias  and  for  frequencies  that  are  well  below   1 ( 2!" )   n

d)   For  high  DC  forward  bias  and  for  frequencies  that  are  above   1 ( 2!" ) .   n

e)      For  low  DC  forward  bias  and  for  frequencies  that  are  well  below   1 ( 2!" ) .  
n

 
3) There  are  two  PN  junctions  in  a  bipolar  transistor.  Each  one  can  be  either  forward  
biased  (FB)  or  reverse  biased  (RB).    In  the  “saturation”  region  of  operation,  how  are  
these  two  junctions  biased?  
a)     Emitter-­‐base  is  FB  and  base-­‐collector  is  FB.  
b)   Emitter-­‐base  is  FB  and  base-­‐collector  is  RB.  
c)   Emitter-­‐base  is  RB  and  base-­‐collector  is  FB.  
d)   Emitter-­‐base  is  RB  and  base-­‐collector  is  RB.  
e)   Emitter-­‐base  is  zero-­‐biased  and  base-­‐collector  is  zero-­‐biased.  
 
4)   The  increase  in  collector  current  as  the  magnitude  collector  voltage  increases  is  
known  as  the  Early  effect  and  is  due  to  what  physics?  
a)     Quantum  mechanical  tunneling.  
b)   Impact  ionization.  
c)     SRH  recombination  
d)   The  decreasing  width  of  the  quasi-­‐neutral  base.  
e)     Generation  in  the  space  charge  region.  
 
5) To  achieve  a  high  common  emitter  current  gain,   ! DC ,  the  base  of  an  NPN  silicon  BJT  
must  be  doped  much  less  heavily  than  the  emitter.    Why?  
a)   To  minimize  recombination  in  the  emitter-­‐base  junction.  
b)   The  minimize  recombination  in  the  base.  
c)   To  minimize  current  crowding  in  the  base.  
d)   To  put  the  base  in  high-­‐level  injection.  
e)   To  increase  the  ratio  of  the  electron  current  injected  into  the  base  and  the  hole  
current  injected  into  the  emitter.  
ECE-­‐606     2   Spring  2013  
 Exam  4:  ECE  606   Spring  2013  
 
2)   Consider  an  NPN  BJT  with  the  following  parameters:  
  I En = 2  mA   I Ep = 0.01    mA   I Cn = 1.98  mA     I Cp = 0.0001  mA  
 

     
2a)  Determine  the  base  transport  factor,   ! T .  
 
Solution:  
I 1.98
  ! T = Cn = = 0.99       ! T = 0.99  
I En 2.00
 
2b)  Determine  the  emitter  injection  efficiency, !  
 
Solution:  
I En 2.00
  ! = = = 0.995   ! = 0.995  
I En + I Ep 2.00 + 0.01
 
2c)    Determine  the  current,   I E  
 
Solution:  
I E = I En + I Ep = 2.00 + 0.01 = 2.01     I E = 2.01 mA  
 
 
2d)    Determine ! DC .  
 
Solution:  
    ! DC = " ! T = 0.995 # 0.99 = 0.985     ! DC = 0.985  
 
2e)    Determine ! DC .  
 
  Solution:  
 
" DC 0.985
  ! DC = = = 65.9     ! DC = 65.9  
1# " DC 1# 0.985

ECE-­‐606     3   Spring  2013  

 Exam  4:  ECE  606   Spring  2013  
 
3)   Sketch  the  minority  hole  concentration  in  the  base  of  a  PNP  BJT  for  the  following  
conditions.    In  each  case,  indicate  the  magnitude  of   !p  at   x = xn  and  at   x = xn + WB .  
 
 
 
3a)       Forward  active  region.  
 
 

 
 
 
 
3b)     Inverted  active  region.  
 
 

 
 
 
 
ECE-­‐606     4   Spring  2013  
  
Exam  4:  ECE  606   Spring  2013  
 
3c)   Saturation  
 
 

   
 
 
3d)   Cut-­‐off  
 
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

ECE-­‐606     5   Spring  2013  

 Exam  4:  ECE  606   Spring  2013  
4)   Consider  the  impact  of  changing  some  key  BJT  device  parameters  on  some  key  figures  of  
merit.    For  each  of  the  5  changes  below,  explain  in  words  whether  the  change  increases,  
decreases,  or  has  no  effect  on  the  current  gain,   ! DC .    Assume  negligible  recombination  in  the  
base  and  emitter.  
 
6a)   Double  the  width  of  the  quasi-­‐neutral  base.  
 
 
Solution:  
 
I N D W
! = C = DE n E  
I B N AB D p WB
 
Double  the  base  width,  the  beta  drops  by  a  factor  of  2.    This  is  because  the  
diffusion  gradient  of  electrons  in  the  base  drops  by  a  factor  of  2,  so  the  collector  
current  drops  by  the  same  factor,  but  the  base  current  is  unaffected.  
 
 
6b)     Double  the  base  lifetime.  
 
 
Solution:  
 
I N D W
! = C = DE n E  
I B N AB D p WB
 
No  effect.    Since  the  assumption  is  no  recombination,  the  base  lifetime  has  no  
effect.  Making  it  bigger  will  have  no  effect.  
 
 
6c)   Double  the  base  doping.  
 
 
Solution:  
 
I N D W
! = C = DE n E  
I B N AB D p WB
 
Double  the  base  doping,  the  beta  drops  by  a  factor  of  2.    This  is  because  the  
electron  density  at  the  beginning  of  the  base,  as  given  by  the  Law  of  the  Junction,  
will  drop  by  a  factor  of  two,  because  it  goes  as   ni2 N AB .  
 
 

ECE-­‐606     6   Spring  2013  

 Exam  4:  ECE  606   Spring  2013  
 
 
6d)   Double  the  width  of  the  quasi-­‐neutral  emitter.  
 
Solution:  
 
I N D W
! = C = DE n E  
I B N AB D p WB
 
Double  the  emitter  width,  the  beta  increases  by  a  factor  of  2.    This  is  because  the  
gradient  of  minority  carrier  holes  in  the  emitter,  which  determines  the  back-­‐
injected  hole  current  (the  base  current),  is  reduced  by  a  factor  of  2.  
 
 
6e)   Double  the  emitter  doping.  
 
Solution:  
 
I N D W
! = C = DE n E  
I B N AB D p WB
 
Double  the  emitter  doping,  the  beta  increases  by  a  factor  of  2.    This  is  because  the  
hole  density  at  the  beginning  of  the  emitter,  as  given  by  the  Law  of  the  Junction,  will  
drop  by  a  factor  of  two,  because  it  goes  as   ni2 N DE .  
 
 
 
 
 
 

ECE-­‐606     7   Spring  2013  

  
 
SCRATCH  PAPER  

ECE-­‐606     8   Spring  2013  

  
SCRATCH  PAPER  
 

ECE-­‐606     9   Spring  2013