金屬反射膜材料簡介

李秉璋 1, 王正和 2
1 工業材料研究所 研究員 2 工業材料研究所 副研究員
一、前言
When God began creating the heavens and the earth, the earth was at first a
shapeless, chaotic mass, with the Spirit of God brooding over the dark vapors.
Then God said “Let there be light.”. And light appeared. And God was pleased with it,
and divided the light from the darkness.
從舊約聖經的記載, “光”起源於混沌之初。由於大氣中的水分子把太空中的 X 光
(短波長)與微波(長波長)吸收, 只讓特定頻譜範圍的光線(太陽光)照射到地球表面,
因此孕育了地球上億萬個依賴太陽能量的物種。
“光”是什麼? 光具有波動(電磁波)及粒子(俗稱光子,photon)兩種特性, 例如短波長
的 X-光會被電子散射的現象,必須以粒子理論來解釋。當把光當成電磁波的時候,
可以用三個物理量來描述它的性質, 這三個物理量分別是波向量(k)、電場(E)及磁
場(B)。圖一簡單地把三者之間的關係, 以三個互相垂直的向量來表示¸並且以電
磁正弦振盪(sinusoidal oscillation)的波長(wave length)來表示光的能量。圖二以對
數指標列出各種不同波長(或頻率)的電磁波, 其中波長在 4x10-5 到 8x10-5 公分
(400~800 nm)之間的電磁波稱為可見光。
隨著半導體科技的突飛猛進, 光電工業開發了大量的消費產品, 進入了我們每一
個人的生活。表一把光電產品依據照明、電子裝置及雷射等分類,分別介紹各種光
電技術及元件。各種光電元件除了充份運用各種半導體材料的光特性之外, 金屬
反射膜也扮演相當重要的地位。另外, 金屬膜在傳統光學元件中也是不可或缺的
角色。利用金屬的反射、半反射、分光、濾光等特性, 設計出不同的半反射鏡、光線
分割稜鏡與中性光密濾光片等光學元件。

圖一光波可視為電場及磁場交互
振盪而成
 圖二各種不同波長(頻率)
的電磁波

表一

二、材料為甚麼透明? 為甚麼反射?
自然界所有的固體皆由原子排列而成, 而原子由電子與原子核所組成。非導電材
料的電子因為受原子核的束縛, 可以用彈簧模型(Lorentz model) 來表示電子與原
子核之間的振盪。當光波(電磁波)進入時,由於光波的電場(E)對電子產生交互作
用, 造成電子位移,而使固體產生極化(polarization), 光波的能量被電子振盪吸收

圖三 Lorentz 模型,中間白色
球為原子核,其他小黑球為電
子,不同粗細的彈簧代表固體
的異方向性
一部份而造成光速與波長改變, 稱為光的色散現象。
在此非導體介質中的光速可以用下列的公式來表示
V=C/n 　V:光在介質中的速度
　 C: 光在真空中的速度
n:介質的折射係數(refractive index)
光在介質中除了光速改變之外,　其電場的振幅也會隨穿透距離而依 e-2k’x 遞減,
其中 k’為吸收係數(coefficient of absorption), 而 x 為穿透距離。
導體材料中的外殼層電子(自由電子)並沒有被原子核束縛, 當被光波照射時, 光
波的電場使自由電子吸收了光的能量, 而產生與光相同頻率的振盪, 此振盪又放
出與原來光線相同頻率的光, 稱為光的反射。如圖四 所示, 這種電子的振盪隨著
深度的增加而減小, 使電子振盪的振幅(amplitude)減小到原來 1/e 時(e 為自然對
數)的深度稱為穿透深度(skin depth,δ) , 此穿透深度決定了材料是透明還是反射,
通常大部份金屬的穿透深度只有幾十或百奈米(nanometer, nm) 。
穿透深度與材料的基本性質的關係如下:
δ=√(λ/πcμσ)
λ: 真空中光的波長速
c : 光速
μ;導磁係數
σ:靜導電係數(static conductivity)
由上述公式可以了解,光線的波長愈長愈容易穿透金屬, 這就是為什麼波長較長
的紅外線比短波長的紫外光更容易穿透金屬。另外值的注意的是, 金屬的導電係
數愈高, 穿透深度愈淺, 反射率(reflectivity)愈高。因此金屬反射膜材料大都使用高
導電度的金(Gold, Au)、銀(Silver, Ag)、鋁(Aluminum, Al)與銅(Copper, Cu)等材料。

入射光

圖四光照射到導體而
使自由電子振盪,此振
盪隨著深度的增加而
減小 δ

自由電子振盪

光學元件的反射主要可以分類成前反射式(front-surfaced reflection)及背反射式
(back-surfaced reflection)兩種, 如圖五所示, 光線直接照射在反射膜上的方式稱為
前反射, 光線穿過透明介質再照到反射膜的方式稱為背反射。前反射式效果最佳,
但是必需考慮反射膜的表面品質而且容易被刮傷及容易氧化。背反射式只需考慮
將透明介質的表面研磨、拋光後, 再鍍上一層足夠厚度的反射膜即可, 對於鍍膜的
表面品質要求比較不嚴格。
光線 光線

前反射 背反射

圖五 前反射與背反射 金屬

透明介質

三、金屬反射膜鍍膜方式與性質
銀在可見光和近紅外光部份為最佳的反射膜材料, 如表二所示, 銀膜在波長 800
nm 時的反射率可以達到 99.2%。鋁在近紫外光、可見光、近紅外光都有良好的反
射率, 是鍍光學反射鏡最常使用的材料, 但是鋁膜材質較軟而且容易氧化, 通常用
於背反射膜, 當用於前反射膜時, 其表面必需鍍上保護膜, 也可以鍍上金屬或非金
屬膜來提高在特定波長的反射率。 金與銅在 650~800nm 的反射率表現不錯, 但是
當波長小於 500nm 時, 金、銅的反射率卻遠低於鋁、銀。
表二 幾種金屬反射膜在不同波長的反射率
金屬種類 800nm 650nm 500nm
反射率 % 反射率 % 反射率 %
鋁 Aluminum 86.7 90.5 91.8
銀 Silver 99.2 98.8 97.9
金 Gold 98.0 95.5 47.7
銅 Copper 98.1 96.6 60.0

金屬反射膜的鍍膜方式可以分類為三種:
1. 蒸鍍(evaporation)
2. 濺鍍(sputtering)
3. 離子披覆(ion plating)
蒸鍍是在真空中將金屬加熱蒸發產生金屬蒸氣, 使其附著在基板上凝聚成薄膜。
蒸鍍的基板材質沒有限制, 從紙、金屬到陶磁都能使用。圖六為簡單的加熱式蒸
鍍, 另外還有電子槍加熱式及離子輔助式蒸鍍。濺鍍的原理如圖七所示, 主要利用
輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面, 靶材的原子被彈出
而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是
鍍膜速度卻比蒸鍍慢很多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀
運動以加速靶材周圍的氬氣離子化, 造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加, 提高
濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都採用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用 RF 交流
濺鍍。 表三列出幾種常用的金屬反射層材料的濺射率及平均鍍膜速度, 由表中可
已看到銀的鍍膜速度最快, 約為鋁的三倍, 另外鍍膜速度最慢的是矽與鈦。離子披
覆與濺鍍類似, 但是將基板與周圍保持 0.5~2KV 的負電壓, 使基板的前端產生暗
區(darkspace), 在此狀態下由蒸發源放出的金屬蒸氣在輝光放電的電漿(plasma)中
形成離子, 再被暗區加速後打到基板形成披覆。

圖六電阻式加熱蒸鍍
表三 幾種常用的金屬反射層材料的濺射率及平均鍍膜速度
元素 濺射率 平均鍍膜速度
圖七濺鍍原理,靶材原子被 Ar+打出靶
nm/min
材表面而沉積到基板
Ag 3.4 2650
Al 1.2 760
Au 2.8 2200
Cr 1.2 1000
Cu 2.3 1800
Nb 0.65 500
Pd 2.4 1870
Rh 1.5 1170
Si 0.5 400
Ti 0.6 470

表四 幾種鍍膜方式與薄膜性質比較
蒸鍍 濺鍍 離子披覆
粒子能量 eV 0.1-1 1-10 >100
鍍膜理論密度 95% 98% 98%
晶粒大小 大 小 非常小
非晶質
膜的附著力 小 中 大
鍍膜速率 mm/min. 0.1-75 0.01-0.5 0.1-50

表四將以上三種鍍膜方式與薄膜性質作一個比較, 蒸鍍薄膜的密度最差, 只能達

到理論密度的 95%, 鍍膜的附著力也最差, 但是蒸鍍的鍍膜速率最快。離子披覆不
只密度最高、晶粒最小, 鍍膜與基板的附著力也是三種鍍膜中最大的, 可是離子披
覆最大的缺點是基板必需是導電材料,而且鍍膜時, 基板的溫度會升高到攝式幾
百度, 上述的缺點使離子披覆的應用受到很大的限制。
接下來討論幾種鍍膜性質與鍍膜方式、鍍膜參數的關係。首先來看幾種鍍膜方
式鍍出來的純鋁薄膜在不同波長時的反射率, 如圖八所示, 離子披覆的鋁膜由於
電極的污染, 純鋁薄膜中混入雜質元素(Cu), 因此反射率普遍比蒸鍍薄膜低 5%。
而濺鍍薄膜由於表面形成凸起(hillock), 造成粗糙度增加,因而使反射率偏低, 由其
在短波長段特別明顯。Hillock 為沉積薄膜時最容易發生的缺陷。圖九為純鋁濺鍍
薄膜表面 hillock 的電子顯微鏡(scanning electron microscope, SEM)照片, 可以看到
圓形的 hillock 與薄膜基地有明顯界面。為了更進一步了解整個薄膜表面的 hillock
分佈情形, 可以使用原子力顯微鏡(atomic force microscope, AFM)來觀察薄膜表面。
圖十為可重覆讀寫光碟(re-writable compact disc, CD-RW) 中的 Al-Ti 反射膜的
hillock 分佈情形。Hillock 的形成主要與薄膜沉積時的熱應力/應變(thermal
stress/strain)有關, 另外靶材的成份及真空中殘留的氧或水分子也會影響 hillock 的
形成。在實際鍍膜時, 將基板的溫度提高及增加鍍膜速率, 可以減少 hillock 的形成
圖十一為蒸鍍純鋁膜時, 基板溫度、鍍膜速率與 hillock 密度的關係, 由圖中可看到
當鍍膜速率低於 3 A/s 以下及基板溫度低於 350 K 以下時, hillock 的密度可以高到
每平方公分有 20 個。
再來看看晶粒大小(grain size)與鍍膜參數的關係。圖十二為蒸鍍純鋁膜時, 基板溫
度、鍍膜速率與晶粒大小的關係。由於鍍膜原子到達基板後必需經過成核
(nucleation)與成長(growth)來形成薄膜, 因此當基板溫度升高, 晶粒成長速度增加,
因此薄膜的晶粒較大。另外還有晶粒的方向性(orientation)也與鍍膜參數有關, 在
這篇文章中不作討論。

圖八 幾種鍍膜方式鍍出來的
純鋁薄膜在不同波長時的反
射率

圖九純鋁濺鍍薄膜表面
的 hillock
圖十濺鍍 Al-Ti 反射膜的表面
情形

圖十一 蒸鍍純鋁膜時, 基
板溫度、鍍膜速率與
hillock 密度的關係

圖十二為蒸鍍純鋁膜
時, 基板溫度、鍍膜速
率與晶粒大小的關係
結語
各種金屬的光學性質差異很大, 從最低折射率的銀(n=0.2) 到最高折射率的鎢
(n=3.46), 各有其特殊的性質及應用。由於真空鍍膜技術的進步, 使的各種特殊的
光學鍍膜可以被開發出來。又隨著半導體科技的發展, 人類對於材料的需求, 也愈
來愈嚴苛, 金屬材料對於光學的貢獻, 也隨著材料科技的發展, 而更加重要。當大
部份的科學家一直要把半導體越作越小時, 我們為什麼不想一想在微觀的世界裏,
金屬能扮演什麼角色呢?