viii Popis češće korištenih oznaka

L difuzijska duljina nosilaca naboja

m masa
m0 masa mirovanja elektrona, m0 = 9,109⋅10–31 kg
mc* efektivna masa elektrona u vodljivom pojasu
mv* efektivna masa šupljina u valentnom pojasu
N neto koncentracija primjesa
N0 površinska koncentracija primjesnih atoma
NA koncentracija akceptorskih atoma
NA– koncentracija jednostruko ioniziranih akceptorskih atoma
Nc efektivna gustoća kvantnih stanja u vodljivom pojasu
ND koncentracija donorskih atoma
ND+ koncentracija jednostruko ioniziranih donorskih atoma
Nv efektivna gustoća kvantnih stanja u valentnom pojasu
n koncentracija elektrona
n0 ravnotežna koncentracija elektrona
n0p ravnotežna koncentracija elektrona u p-tipu poluvodiča
ni intrinsična koncentracija nosilaca naboja
np0 koncentracija elektrona u p-tipu poluvodiča uz površinu ili uz rub pn-barijere
p koncentracija šupljina
p0 ravnotežna koncentracija šupljina
p0n ravnotežna koncentracija šupljina u n-tipu poluvodiča
pn0 koncentracija šupljina u n-tipu poluvodiča uz površinu ili uz rub pn-barijere
Q naboj
Q površinska gustoća primjesnih atoma tijekom redistribucije
q elementarni naboj (naboj elektrona), q = 1,602⋅10–19 C
R mjera neto generacije/rekombinacije nosilaca naboja
rd dinamički otpor
rs serijski otpor
S površina
s brzina površinske rekombinacije nosilaca
T temperatura
t vrijeme
U napon
UK kontaktni potencijal
UT naponski ekvivalent temperature