國立中山大學物理學系

碩士論文

以霍爾效應量測法對氮化鎵半導體作電性分析

Investigation of GaN semiconductor using Hall measurement

研究生：莊耿林 撰

指導教授：羅奕凱 博士

中華民國 九十二 年 七 月
 致謝辭

在研究所的這一段日子中，我首先要感謝我的指導教授羅奕凱老師，
多謝他把我帶入這一個領域，讓我的學習領域變的更加的廣闊。再來要感
謝實驗室的所有成員，如蔡振凱、黃志豪學長、姚文醮同學、與鳴宏、彥
其、昭榮、建鋒、東煒學弟和慧瑀學妹。感謝學長的實驗指導，醮哥的互
相鼓勵，學弟妹讓我的研究所的生活添加歡樂

再來我要感謝我的父母，感謝他們不管我的研究生生活如何的崎嶇，
他們永遠支持我，他們是我的精神支柱。

最後，我要感謝所有曾經幫助我與陪伴我的人。
摘要

我們利用霍爾效應量測法，對用分子束磊晶成長的 GaN 半導體作電

性分析。在此研究中，我們對低溫 GaN 緩衝層具有不同成長參數的 GaN
半導體作電性分析，包括：成長溫度、厚度、成長速率與 N/Ga 比率等，
得到較高的成長溫度、厚度較薄、成長速率較慢和較低的 N/Ga 比率來成
長緩衝層，具有提高樣品品質的功能之結論。在對 GaN 磊晶層條件的研
究上，我們對不同 N/Ga的比率與導入不同的銦之樣品作分析，發現以N/Ga
磊晶比率為 22.5 的樣品具有較佳的品質，以及樣品的品質會隨著 In 加入
的量增加而提高。
Abstract
In the study we employ Hall measurements to analyze that the GaN
semiconductor by MBE. In the study we analyze the parameters of low
temperature buffer layer growth, include the temperature of growth buffer layer,
buffer layer thickness, growth rate and N/Ga ratio on growth low temperature.
From the result of experiment we know the higher temperature of growth
buffer layer, thinner of buffer layer, slower rate of growth and lower ratio of
N/Ga growth can get the superior quality GaN semiconductor. In study the
GaN epitaxy layer, we analyze that N/Ga ratio of GaN epitaxy layer and
indium during the epitaxy process. From the result of experiment we know the
ratio of N/Ga at 22.5 is the best quality and to increase the indium content can
improve the GaN of quality.
 目錄
中文摘要

英文摘要
第一章 簡介 1

第二章 霍爾效應 4

2-1 電阻率的量測介紹 4
2-2 遷移率與載子濃度 7
2-3 霍 爾 效 應 8
2-3.1 Hall bar 量測法 10
2-3.2 Van der Pauw 量測法 10

第三章 實驗架設 20

3-1 樣品的處理步驟 20
3-2 儀器架設 22
3-3 實驗步驟 27

第四章 實驗結果 38

4-1 緩 衝 層 的 研 究 38
4-1.1 緩衝層的成長溫度 39
4-1.2 厚度(時間) 39
4-1.3 Ga 的流量(成長速率) 40
4-1.4 N/Ga 成長速率比 40
4-2 GaN 磊 晶 的 研 究 41
4-2.1N/Ga 的磊晶速率比 41
4-2.2 導入 In 的研究 42
第五章 結果討論 51

5-1 緩 衝 層 的 研 究 51
5-1.1 緩衝層的成長溫度 51
5-1.2 緩衝層厚度 52
5-1.3 緩衝層成長率 53
5-1.4N/Ga Ratio 53
5-2 GaN epitaxy 的 研 究 54
5-2.1N/Ga 的磊晶速率比 54
5-2.2 加入 In 的研究 55

第六章 結論 68

Reference 69
 第一章 簡介

藍色發光二極體是近十年來半導體發光技術研發的重要突破，極
具商業價值。例如藍色發光二極體 (LED) 可大量使用於大型室外顯
示幕、燈號等用途；雷射光束的聚焦點大小受限於「繞射極限」的限
制與雷射波長成反比，所以短波長的藍色雷射二極體 (LD)，可提高
光碟片的容量，目前容量為紅光雷射的五倍以上 (約 25 GB 的容量)。

早期已商品化的藍光 LED，主要是利用 SiC 材料製造，其發光

亮度約百分之一燭光，遠低於一般紅光 LED (大於一燭光)，且此材
料所產生的藍光有點偏綠，非標準的純藍色，使用價值很低。在藍光
LD 方面，1991 年 3M 公司已成功利用 Ⅱ- Ⅵ 族 ZnSe，產生波長
為 490 nm 的藍光雷射，但是其工作溫度必須降到 77 K，無法於室
溫下操作，壽命僅數小時，所以不具商業價值。 1995 年日本日亞
(Nichia) 公司以雙異質結構 (double heterostructure) 的Ⅲ - Ⅴ族氮化
銦鎵(InGaN)，成功的將藍光 LED 的亮度推昇至一個燭光以上。緊
接著該公司，在 1996 年初發表於室溫下操作之藍光 LD。

最近有很多光電材料的研究，朝向利用 GaN 做為藍色發光材料，

主要是因為 GaN 半導體屬於直接能隙(direct wide band gap)之半導體
材料，其能隙為 3.4 eV，換算其發光波長大約是紫外光的範圍(364.7
nm)，由於其具有如此的特性，所以極適合應用於作 LED 、LD、和
紫外光偵測元件。 [1-3]高亮度藍光及綠光 LED 是目前最成功的 GaN
元件。因為 GaN 高亮度的藍光、綠光 LED 的開發成功，使得戶外
全彩 LED 顯示器及 LED 交通號誌得以實現。各種 LED 的應用也

1
更加廣泛。以高亮度藍光 LED 激發螢光物質可以產生白光，並具有
低耗電及高壽命的特性，未來有可能取代一般照明用的白熾燈泡。而
GaN 為基礎的，加上鋁或銦元素形成三元化合物，如氮化銦鎵
(In1-xGaxN)和氮化鋁鎵(Al1-xGaxN)，可以由控制銦或鋁的百分比去調
製成不同發光波長的光電元件。

一般在工業中常用的 GaN 半導體磊晶法有：(一) LPE 法(液相磊

晶法；Liquid Phase Epitaxy)、(二) VPE 法(氣相磊晶法；Vapor Phase
Epitaxy)、(三) MOCVD 法(有機金屬氣相磊晶法； Metal Organic Vapor
Epitaxy)。目前以 MOCVD 為生產高亮度產品的主流。而我們實驗室
的 GaN 磊晶是採用 MBE 系統 (分子束磊晶法； Molecular Beam
Epitaxy)，由於分子束磊晶法的優點是可以精確控制不同磊晶層的成
分與成長速度，對研究 GaN 半導體的特性是相當重要的。我們可以
藉由精確改變不同的成長參數，來產生不同性質的 GaN 半導體。由
於不同的長晶條件，對 GaN 半導體的特性影響非常大，所以我們期
望藉由研究不同 GaN 的磊晶成長條件以求長出高品質的樣品。

此篇論文中，我們利用霍爾效應的原理，來對半導體樣品作其電
性量測分析。所以我們將此篇論文名稱定為：利用霍爾效應量測法對
GaN 半導體作電性分析。以下為此篇論文各章節的內容介紹：

在第二章中，我們將介紹霍爾效應。在此章節中，我們首先討論
材料常見的電性量測：電阻率的量測。最後，再說明霍爾效應由
Lorentz force 所推導出的結果，包括霍爾係數(Hall coefficient , RH)、
電子遷移率(mobility , µ)和載子濃度(carrier density , n)。以霍爾效應對
半導體電性量測的應用上，我們常見的有：1.樣品幾何結構類似長條
狀的 Hall bar 量測法，與 2.樣品結構較不規則的 van der Pauw 量測方

2
法。在此章節的最後部份，我們將對此兩種方法作介紹並對其優缺點
作說明。

第三章為實驗架設。我們在此章節中，介紹樣品的處理步驟與實
驗架設，再逐一說明實驗中所使用的量測程式及計算程式，最後再說
明實驗步驟。

第四章是電性量測結果。研究項目包含：1.在不同的低溫 GaN 緩
衝層(Buffer layer)成長參數之下的電性，與 2.以不同的 N/Ga 比率和
磊晶過程中注入銦的比率之下成長 GaN 半導體磊晶層電性的變化。

第五章是結果討論。對樣品表面結構的 FESEM 圖及 HRXRD 實

驗結果與我們電性量測結果作比較說明。

最後在第六章中，對我們此篇論文的實驗結果作一個結論。

3
 第二章 霍爾效應

材料的電子特性研究至目前為止大約可以分為三個階段。在 19
世紀早期時，一個材料的基本物理量是量測其電流和電壓所得到的電
阻值。但是後來發現不同的樣品形狀會有不同的電阻值，所以單單只
有電阻並不足夠來說明一個材料的特性和其他材料的差異。由於這樣
需求之下，科學家便去研究材料的內在特性，如電阻率(resistivity,
O-cm)便應勢而生，因為電阻率並不受一些樣品的特殊幾何形狀影
響。電阻率的提出，提供科學家去定義一材料其電流傳輸的性能和不
同樣品之間有意義的比較。然而在 20 世紀初，科學家又發現到不一
樣的材料亦可以擁有相同的電阻率，此現象在半導體材料上尤其明
顯，只有電阻率並無法說明所有觀察到的結果，所以電阻率並不是材
料的基本參數。最後，提出了載子濃度和遷移率來說明現今大部分材
料的電性量測結果。所以在此章節中，我們將介紹電阻率的量測技術
和遷移率與載子濃度的量測。最後再介紹霍爾效應的原理及其於量測
半導體材料上的應用。

2-1 電阻率的量測介紹

在量測電阻率的方法上，我們有下列常見的幾種量測法：

直接量測法：

此為最古老來量測塊狀樣品電阻率的方法。於一長條狀樣品的截
面上通電流 I，沿著樣品的長邊量其電位降 V，其電阻為

4
V/I= R= (?L)/I，? 即為電阻率， A 為樣品之截面積， L 為量測長度。此
方法雖然方便，但是其電阻值會加入了接觸點的電阻值這一項，而使
得量測值變得較不準確。對較短的量測物而言，這一個影響可能會更
顯著。針對此問題，可以使用電阻對外加電壓的關係圖，來降低此效
應的影響，而增加對電阻率量測準確率。[4]假如在有接觸點電阻存
在之下，隨著外加電壓的增加，所量測到的總電阻通常一開始會減
少，然後再增加，最後維持定值。在電阻率的計算上，選取的電阻為
總電阻在定值時的區間，因為此區段的電阻受接觸電阻的影響較小。

此量測方法造成不準確性的另一個成因為，少數的載子可能經由
此接觸點注入樣品中，而造成所量到的電阻比實際上樣品的電阻還
低。

兩點探針量測法：

對照上述的量測法，下面所介紹的兩點探針量測法，可以改進直
接量測法所遇到的問題。

圖 2-1 為其實驗圖示，此量測法限定樣品截面必須是均勻的，通
入的電流一定要保持低電流，以避免對樣品加熱，電壓探針必須擁有
高阻抗。

雖然此量測法對接觸點的要求並不會非常嚴苛，但是粗糙的接觸
點則會使得在接觸點附近的等電位線呈現歪曲的現象。且假如探測位
置太接近樣品的末端，也會造成量測上的不準確性。針對這一個問題
的解決方法為：樣品的截面對角線長度，不要超過樣品長度的三分之
一，且電壓探針最好位於長度一半的位置上。

5
一點探針量測法：

兩點探針量測法是兩根電壓探針皆可移動，而一點探針量測法則
只有一根探針在移動。只要通入的電流維持定值，則參考點可以在任
何位置上，由電壓降對探針的位移改變量可定義出電阻率為
ρ= (dV/dx)×(A/I)。

線性四點量測法：

在半導體工業上，最常用線性四點量測法來量測半導體的電阻
率，其實驗架構如圖 2-2。[5]通常四根探針位於一條線上，電流由外
面兩接觸點流入樣品中，由四點中間的兩點量其電壓，其電阻率為：

V  1 1 1 1 
ρ = 2π   + − −  (2-1)
I  S 1 S 3 S1 + S 2 S 2 + S 3 

Si 為探針之間的距離，單位為 cm。當每一根探針等間距時，即
Si= S1= S2= S3，電阻率則為ρ=2πS × (V/I)。由於電流可以設定為 mA
甚至於 µA，而電阻率的單位為 O-cm，所以相當於量測電位為 mV 或
µV。這意指可以相當精確的量測其變化及差異。

方程式(2-1)適用於樣品長度為無窮長的條件之下，但是在實際
上，所有的長度皆是有限的，所以必須對所量測到的電阻率加以修正：

?actual= F × ?meas. (2-2)

6
 ?actual 為樣品實際電阻率，F 為修正因子，?meas.為電阻率量測值。
圖 2-3 為在各種樣品的幾何圖形之下的修正因子關係圖。[6]

非線性量測法：

相對於線性量測法，非線性量測法的探針並非在同一線上。在非
線性量測法中，最常於工業中使用的為正方形排列法與 van der Pauw
量測法。正方形排列法，其探針之間的距離固定，其電流由相鄰的兩
電極流入樣品，量測另兩電極的電位降。其電阻率為：[7]

ρ=(2πS)/[(2-√2)(V/I)] (2-3)

其中 S 為探針距離。而 van der Pauw 量測法，我們會在霍爾效應

中說明。

2-2 遷移率與載子濃度

元件中載子遷移率的高低，是說明此元件其電性的重要依據。首
先，載子的傳輸速度與遷移率成比率關係式，一具有較高遷移率的材
料是具有較高的頻率響應，因此載子在元件中漂移的時間較短。第
二，電子元件內的電流與其遷移率是相關的，較高的遷移率可以具有
較高的電流。較高的電流對元件中的電容充電較快，形成較高的頻率
響應。遷移率一般可分為下列數種：微觀遷移率，敘述載子在各別能
帶中的遷移率；導電率遷移率，是由半導體材料的電阻率求出；漂移
遷移率，是由 Haynes 和 Shockley 所發現，量測少數的載子在電場之

7
下的漂移，是一個以元件為導向的遷移率，因此對於判斷元件的好壞
非常有用。其與載子的漂移速度 vdrift 有直接的關係：

vdrift= µd × E (2-4)

其中 E 為電場。實驗方法如圖 2-4，少量的載子在射極處引入此
樣品中。當載子到達射極時，即會被偵測到，並且會像一個脈衝顯示
於示波器上。漂移遷移率可由下式得知：

µd= d/(E×t)= (d×L)/(V×t) (2-5)

d 為射極與集極之距離，V 為所加的直流電壓，L 為電極之距離，

而 t 則為脈衝波所行進之時間。關於載子的注入，除了上述用接觸點
注入電子的方法外，亦可用光脈衝[8]和脈衝電子束[9]的方法來達到
注入載子的目的。

霍耳遷移率，是由霍爾效應所得到的遷移率。在研究遷移率和載
子濃度中，我們常用霍耳效應量測來求得。

2-3 霍爾效應[10]

霍爾效應是由 Edwin H. Hall 所發現的現象，1879 年 Hall 在作外

加磁場下導體中電流傳輸的受力作用性質研究時，發現在與電流方向
的正交方向上可以量測到電壓。當時他設想，在磁場作用下導體內的
電流會有偏斜的傾向。

在一般有關固態的書中，皆會對霍爾效應作詳細的說明，所以在

8
此，我們直接引用其推導結果。霍爾效應的基本原理是建立在 Lorentz
force 上，圖 2-5 為霍爾效應量測原理示意圖。因為在一般量測上得到
的是電壓，所以我們首先說明霍爾電壓。

VH= (IxBz/t) × (1/pq)= (IxBz/t) × RH (2-6)

其中VH稱為霍爾電壓，Ix、Bz與t分別為流入試片的電流、外加的
磁場與試片的厚度， RH稱為霍爾係數，為p與q相乘的倒數，p為載子
濃度。要注意的是，VH與EH的關係和一般的定義[E= -(dV/dx)]差個負
號。當載子為電子時，VH為負，因而 RH也為負。當載子分別為電洞與
電子而言，其霍爾係數分別為:

RH= 1/(pq)= (VHt)/(IxBz) For holes

RH= -1/(pq)= (VHt)/(IxBz) For electrons (2-7)

若試片的電阻係數(resistivity, ?xx)為已知，從[?xx= 1/(nqµ)]則載子

遷移率就可從µ= RH/?xx獲得。

一般霍爾效應量測中，我們是同時決定了電阻係數、載子種類、
濃度及遷移率。所以可以廣泛的應用在半導體材料特性分析上。

雖然圖2-5所示之試片為一柱狀，但一般霍爾效應量測所使用的
試片都是片狀塊材，如半導體晶片，或者為薄膜，如金屬薄膜及半導
體薄膜。而且，通常外加磁場都與試片厚度的方向(成長方向)平行，
所以上面公式所含的t(沿磁場方向)實際上就是試片的厚度。

9
2-3.1 Hall bar量測法

在一般的霍爾量測上，我們常使用的方法可分為兩種：Hall bar
和van der Panw。Hall bar量測法上樣品的幾何圖形，如圖2-6(a)與圖2-5
所示之圖形相似，但是擁有四個接點作為量測電極。電流由點1流入
樣品，由點3流出。霍爾電壓是量測在外加磁場B下，點2與點4之間的
電壓。電阻率為無外加磁場之下，量測點5與點6之間的電阻。

在一般的Hall bar量測上，由於用Hall bar量測法所量測之電阻

率，其準確率與樣品的幾何形狀有密切的關係存在，例如：一 Hall bar
型式的樣品，當其長(L)與寬(w)的比率(L/w)等於3時，其誤差小於1
﹪。[11]當L/w≧ 3時，可以使得我們所量測的值其準確較高。為了要
使得其L/w值儘量大，便有如圖2-6(b)與(c)幾何形狀的Hall bar出現。
此幾何結構是讓電流在中間的長條處流動，使得w變小，以達到L/w
值變大的要求。由於其準確度與其幾何圖形有關，所以其延伸區的大
小亦與準確度有關，當延伸區越小，其準確度越高。但這樣的樣品其
缺點為，不易製作，且易脆。

2-3.2 Van der Pauw量測法

一般較普遍的樣品，其幾何圖形並不完全是長條形，如圖2-7所
示。在1958年van der Pauw根據霍爾效應的理論，對不規則形狀的樣
品提出了新的量測技術。[12]一些Hall bar的缺點在van der Pauw量測
法上都可被避免，van der Pauw的量測方法比Hall bar的方法較無幾何
形狀之限制，只要樣品符合下列的條件：(1)接觸點位於樣品的周邊，
(2)接觸點相當小(小於邊長的六分之一)，(3)樣品厚度是均勻的。由於
10
van der Pauw量測法因為其對幾何形狀並無太多的限制，所以van der
Pauw量測法成為對霍爾量測最普遍的方法。圖 2-7為常見的 van der
Pauw幾何圖形。

相對於Hall bar，van der Pauw量測法只需要四點，且不需像Hall

bar要量測樣品的寬度和接觸點之間的距離。Van der Pauw量測法其準
確度與樣品的形狀無關，但是其接觸點大小與位置卻是與其準確度有
關。

上述是比較Hall bar和van der Pauw的量測方法在幾何形狀上的

差異。而在電性的量測上，Hall bar是量測樣品在無磁場下之縱向電
壓(Vxx)及外加磁場下的霍爾電壓(Vxy)，經由計算可得樣品的遷移率、
載子濃度與電阻率。由電導率?的公式得知：

?= (? Vxx/? I) × (w/L) × t (2-8)

其中? Vxx/? I為無磁場之下，Vxx對電流I的斜率，參照圖2-6(b)，w

為樣品的寬度，L為點2與點3的長度，I為輸入樣品的電流，而t為樣
品的厚度。RH為霍爾係數，其公式為：

RH= (? VH/? B) × (d/I) (2-9)

其中VH為在外加磁場之下的霍爾電壓。

其霍爾遷移率與載子濃度的公式為：

µ= RH/? (2-10)
n= 1/(qRH) (2-11)

11
 當樣品製作成van der Pauw 形式時，參考圖2-7中的clover leaf幾
何形狀結構，其電導率?的公式則變成：

?= (pt/ln2) × [(R12,43 + R23,14)/2] × F (2-12)

R12,43= V34/I，電流I由點1進入樣品，然後經由點2流出，V34為點4
與點3之間的電壓。所以van der Pauw的量測特色是，電流經由兩相鄰
的電極進入樣品，而其電壓的量測則是在對面其他兩相鄰的電極。F
是對樣品的幾何修正項，為R12,43/R23,14的函數，其關係式為：

(Rr-1)/(Rr+1)= F/ln2 × {acosh[exp(ln2/F)]/2} (2-13)

其中Rr= R12,43/R23,14，圖2-8為Rr與F的關係圖。[13]對對稱樣品(圓
形或方形)而言，其F= 1。對大部分的van der Pauw樣品形式而言，其
幾何形狀是對稱的。其 RH 為霍爾係數，其公式為：

RH= (? VH/? I) × (d/B) (2-14)

其霍爾遷移率與載子濃度的公式分別為：

µ= RH/? (2-15)
n= 1/(qRH) (2-16)

在電性的量測上，兩種方法皆因為其量測霍爾電壓的電極，並非
準確地與電流的流動方向正交，所以量測到的霍爾電壓，並非是在與
電流方向正交方位的霍爾電壓。所以藉由變電流或變磁場的方法，只
求霍爾電壓隨電流或磁場變化所改變的斜率。而van der Pauw在計算
上，其電阻率需考慮其幾何上的修正項F。

12
 V

圖 2-1 兩點探針量測法的實驗示意圖，藉由量測長度變化對電位降

的關係求出電阻率。

13
圖 2-2 線性四點量測法的示意圖。[5]

14
圖 2-3 線性四點量測法於各種幾何圖形的修正因子關係圖。[6]

15
圖 2-4 漂移遷移率量測示意圖。[5]

16
 z
x

B(z)
y

w Ey
Ex
+
VH
_
+ _
V

圖 2-5 霍爾效應原理的示意圖。

17
 W
W
W

1,5 5
t

2
1

L
L
2 4 L

3 4

3,6 6

(a) (b) (c)

圖 2-6 各種 Hall bar 量測法的幾何圖形。

18
 B (oriented out of the page)

a a
1 c c

a a

6.0 mm
2 4
a 9.0 mm

w
t 3

circle clover leaf square rectangle cross

圖 2-7 各種 van der Pauw 量測法的幾何圖形。

圖 2-8 Rr 值與修正係數的關係圖。[13]

19
 第三章 實驗架設

在量測之前，我們對樣品需要有一些準備工作，包含了樣品的切
割、清洗、蒸鍍或焊接電極等步驟。

3-1 樣品的處理步驟

在不破壞樣品的表面為前提之下，為了能夠量測樣品的橫向及縱
向電阻，我們在樣品表面焊上歐姆接點，將這一些接點作為電極，通
往外面的量測系統，以下為樣品的處理步驟。

樣品切割：將樣品裁切成適當的大小(約 5 mm × 5 mm)，用鑽石筆於
樣品正面切割，後輕壓樣品使樣品沿切割面斷裂。

樣品清洗：切割好的樣品先使用丙酮清洗後，再使用異丙醇清洗殘留
於樣品表面的丙酮後，再利用去離子水(DI water)清洗殘留於樣品表
面的異丙醇，再使用鹽酸與去離子水等體積 1:1 的混合溶液清洗樣
品，最後用去離子水沖洗樣品表面的殘餘鹽酸，在清洗樣品的每一個
過程，皆用超音波震盪器震盪 3 分鐘。

Shadow mask 的製作：圖 3-1 顯示出我們自製的 shadow mask 的結

構，與樣品的放置位置。在製作上，我們先用裁紙刀，把不銹鋼片和
鋁片裁切成適當的大小。先製作固定樣品的部分(B)，由於樣品的尺
寸大小約為 5 mm × 5 mm，所以先利用 1.5 mm 的鑽頭於 0.2 mm 的鋁
片中央處先挖一個洞，再利用 3 mm 的鑽頭作擴孔的工作，最後利用

20
銼刀磨出欲蒸鍍樣品其形狀與大小皆吻合的洞。再來把 0.1 mm 的不
銹鋼片置於此鋁片的下方，於洞中選擇靠近四個角落的地方，先利用
針定位，再利用 0.6 mm 的鑽頭於此四個定位點鑽出四個欲鍍電極的
洞。注意，此四個洞必須避免位於四個角落處，因為我們的樣品其背
面鍍了一層鎢，當我們的電極位於四個角落時，於蒸鍍電極或焊銦
時，極容易造成電極與樣品背面的鎢接觸，而造成量測上的錯誤資
料，所以我們選擇靠近角落，而非位於角落。最後製作 A 的部分，
先把 0.3 mm 的鋁片置於 B 的下面，此部份其功用為確定樣品的位
置，所以利用 1 mm 的鑽頭於 A 中相對於 B 部分的洞中四個角落處鑽
洞，使得透過 A 部分的洞，可以得知樣品是否確實位於 B 的洞中。
由於要於樣品表面蒸鍍電極，所以樣品的面朝向 C。

Shadow mask 的清洗：把準備好的 shadow mask，照樣品的清洗步驟

清洗，但是 shadow mask 不用鹽酸清洗，因為鹽酸會溶解鋁製的
shadow mask。

蒸鍍電極：把清洗完後的樣品放入 shadow mask 中，用夾子固定，然

後置入電子束蒸鍍系統中去蒸鍍電極，我們一般選用鋁為蒸鍍的材
料。在本實驗中，我們於樣品的表面上，蒸鍍一層約 5000 Å 的鋁。

熱處理：為避免所鍍的鋁因未滲入樣品內，而造成電容效應，所以把
鍍好的樣品取出後，拿至烤箱加熱至 600 ℃、3 分鐘，以確保鍍在樣
品表面的鋁可以滲入樣品中，以達到好的歐姆接觸。

接導線：把熱處理完後的樣品，取出後於鍍鋁的電極上立刻焊上 In，
把樣品黏於感光板上，再用金線把電極延伸至感光板上，最後在感光
板上焊上導線，以避免在量測時，破壞樣品的表面。

21
感光電路板的製作：先利用 Visio 繪圖軟體，把要用的線路畫下來，
再利用投影片列印出來，把已列印線路的投影片平放於感光板上曝光
30 分鐘，再利用定影藥水讓已感光的部分穩定，此部分工作必須於
暗室中處理，以避免把不必要的光引入，造成先前的曝光失敗，最後
再用氯化鐵把已感光的銅洗掉。

3-2 儀器架設

圖 3-2 為我們實驗儀器的架設。實驗儀器包含：輸出電流的電源
供應器(Keithley 2400)、量測電壓的多功能電表(HP 3458A)、提供外
加磁場的線圈及我們自己設計用來提供線圈產生磁場的電源供應
器。電源供應器的電路圖為圖 3-3。實驗上，我們透過 Lab view 儀控
軟體控制電源供應器與多功能電表，來作實驗數據的擷取與分析。下
列我們將對在此實驗上所使用的程式作說明。

Lab view 儀控軟體 ：我們使用 Lab view 程式來作霍爾效應量測和

數據分析兩部分。在作霍爾效應實驗上，電腦透過 GPIB card 與電源
供應器和多功能電表連接。圖 3-4 為我們為本實驗上方便所寫的 Lab
view 程式其控制面板，其量測法為 van der Pauw 量測法，圖 3-5 為其
程式。我們把量測程式依其工作順序分為 6 個主要區域，分別為：
A.連接 Keithley 2400 電源供應器與 HP 3458A 多功能電表、B.參數設
定區、C.實驗工作區，此區域包含電源供應器的輸出電流、電腦等待
讀取電壓的時間與多功能電表讀取電壓等動作、D.計算電阻值與功率
區，此區利用電源供應器的輸出電流 I 與電表所讀取的電壓 V，由 P=
I × V 與 R= V/I 計算其功率與電阻，E.計算所有量測的電流 I 與電壓 V

22
取回歸線後的電阻值，F.資料儲存區，把所有的實驗參數與量測結果
儲存於設定的資料夾內。於計算上，我們亦提供一專用於計算樣品的
電阻率、霍爾遷移率、載子濃度與樣品為 n-type 或 p-type 半導體的程
式。圖 3-6 為霍爾效應的計算程式操作面板，圖 3-7 為其程式面板。
對此程式我們亦對其工作順序區分為 7 個主要區域，分別為：A.資料
讀取區域、B.計算 Rr 值的區域，C.計算 F 值的區域，D.計算電阻率 ?
的區域，E.計算電子遷移率與載子濃度的區域，F.計算此半導體為 n
或 p-type 半導體的區域，G.資料儲存區，把所有計算結果儲存於該樣
品資料夾之下的區域。此整套程式為本實驗室博士班蔡振凱學長所
寫。下面我們分別對此霍爾效應量測其程式與霍爾量測計算程式的操
作面板說明其功用。

霍爾效應量測面板的說明

Mode：控制電壓模式與電流模式。在霍爾效應量測上，是輸入
電流至樣品其中的兩電極後，量測另兩端電極的輸出電壓。在電流模
式上，是由電源供應器直接輸出電流至樣品，在此模式中，電源供應
器的輸出電壓其極限為 21 V。由於一些樣品其電阻較大，當電阻大
於 107 Ω時，只要輸出小電流便使電源供應器輸出電壓超過 21 V，
所以我們便改為電壓模式。因為在電壓模式中，電源供應器其輸出電
壓可達 210 V，在工作上是由電源供應器提供電壓，量測輸出的電流。
所以在電源供應器上，雖然其改變的為電壓，但是實際上其輸出的卻
是電流，在程式上其關係圖與電流模式一樣顯示電流對電壓圖，但在
此模式下輸出電流最大為 105 µA，這意味著，用電壓模式量測低電
阻的樣品時，電源供應器其輸出電流容易超過 105 µA，所以電壓模
式只適用於高電阻的樣品上。在一般電阻的樣品量測上我們較常用電

23
流模式。

File Path：量測結果儲存的位置與檔名。輸入樣品儲存資料夾與
樣品名稱。

Meas. Point：量測模式。顯示包含了 1243、2314、4213Bp 和

4213Bn 四個量測模式。1243 為電阻 R12,43，其意指在無外加磁場下，
電流是由電極 1 流入樣品後，由電極 2 流出(I12)，量測電極 4 與 3 之
間的電壓(V43= V4 - V3)。同理，2314 為電阻 R23,14。4213Bp 意指為在
外加正磁場 B 之下，電流為 I42，電壓為 V13 時，所量測之電阻 R42,13。
同理，4213Bn 為外加負磁場下之電阻 R42,13。

Start： 電源供應器起始輸出值。數值介於+1 與-1 之間。

End： 電源供應器停止輸出值。數值介於+1 與-1 之間。

Order：電源供應器所輸出電流或電壓的 order。再搭配前面所提
及的 Start 與 End，我們可以控制電源供應器的輸出。如，當 order 為
0 時，即輸出電流以 A(安培)(or V,伏特)為單位，而 Start 設為 0，End
設為 0.5 時，即電源供應器輸出由 0 A(or 0 V)增加至 0.5 A(or 0.5 V)。

Steps：程式取樣點數。如 steps 值為 21 時，電流輸出模式，order

為 0 時，而 Start 設為 0，End 設為 0.5 時，即電源供應器輸出由 0 A
增加至 0.5 A，此範圍內的電流，分為 21 點，即電源供應器以每次增
加 25 mA 的電流，由 0 A 增加至 0.5 A。

Wait time：電源供應器每輸出一電流值後至量測電壓時所等待
的時間。

24
 No. of sample per meas.：多功能電表於每一電流之下所量測的次
數。

Hold time：多功能電表於每一電流之下，對每次量測的電壓間
的時間間距。

Current： 顯示量測時，電源供應器的輸出電流。

Voltage：顯示電表針對每一電流值，量測後取平均的電壓值。

Resist： 顯示程式中對電壓與電流所計算出的電阻值。

Step： 顯示現在程式所量測的點數。

Input power：顯示流入樣品的電流所產生的功率，為 Current 乘

Voltage 之值。

Resistance：顯示最後程式計算所有電壓對電流值取回歸曲線
後，所得的電阻值。

Magnetic field (mT)：外加磁場的大小，在此我們設定入射樣品

的方向為正磁場的方向。

Temperature (K)：實驗時樣品所處的環境溫度。我們實驗上，
有兩個操作溫度，一為室溫(300 K)，一為液氮的溫度(77 K)。

Run Bottom：燈亮時，表示程式處於可以控制輸出或量測的工
作中。燈暗時，表示程式可以控制停止輸出或量測。

25
 Sample： 顯示樣品上的電極接腳的標號與相對位置。

霍爾效應計算程式面板的說明

Start path：實驗數據讀取的位置，也是計算結果所儲存的位置。

Sample's name： 計算樣品的名稱。

Temperature：實驗時，樣品的環境溫度。

R12,43：顯示量測樣品時，電極 1,2 端輸入電流，量測 4,3 端的電

壓，所計算出的電阻。

R23,14：顯示量測樣品時，電極 2,3 端輸入電流，量測 1,4 端的電

壓，所計算出的電阻。

R42,13(B+)：顯示在外加正磁場時，電極 4,2 端輸入電流，量測 1,3

端的電壓，所計算出的電阻。

R42,13(B-)：顯示在外加負磁場時，電極 4,2 端輸入電流，量測 1,3

端的電壓，所計算出的電阻。

Resolution：解析度。計算修正係數時，小數點下的位數。即位
數越高，其精確值越高。

Accuracy：精確度。計算修正項時，程式計算方程式（ 2-13）時，
等號左邊與右邊之差小於此 order，(例如：輸入-6 意即 10-6)，小於此
數值時，修正係數的計算程式結束。

26
 Step i：顯示所計算的次數。

Rr：顯示 R12,43/R23,14 或 R23,14/R12,43 的值，因為 Rr 必須≧1。

F：顯示 van der Pauw 對幾何圖形的修正係數。其由下式所計算

出的結果，(Rr-1)/(Rr+1)= F/ln2× {acosh[exp(ln2/F)]/2}。

Thickness： 樣品厚度，單位為 µm。

Resistivity： 顯示經由程式所計算出的電阻率。

Sample type：顯示經由程式所算出半導體之類型。有 p-type 與

n-type 兩種。

Carrier density： 顯示經由程式所計算出的載子濃度。

Mobility： 顯示經由程式所計算出的遷移率。

3-3 實驗步驟

在實驗步驟中，包含了霍爾量測的操作與霍爾效應的計算兩部
分。

電阻率的量測：我們實驗上採用 van der Pauw 量測法。首先，把電

流源探針接於電極 1,2 上，電壓量測探針接於電極 4,3 上，於 Lab view
程式上，設定量測模式為¦ 1243¦ ，量測 R12,43，然後改變其 order 的
大小，在容許的條件之下(不使電源供應器超過其輸出極限，及流入

27
樣品的電流所產生的功率不超過 5 mW。)，儘量讓 order 值愈大愈好。
在量測電阻上，若發現電流對電壓的關係圖為非線性而是曲線的話，
則代表電極的接觸點為非歐姆接觸，因為歐姆接觸點符合歐姆定律
(V= IR)，即電壓與電流呈線性關係。若成曲線的關係圖，則是接觸點
具有電容性，因為電容在直流電壓之下會有充電的特性，所以會造成
曲線的現象。當¦ 1243¦ 模式量測結束後，把電流源接於電極 2,3 上，
電壓量測接於電極 1,4 上，於 Lab view 程式上，設定量測模式為
¦ 2314¦ ，量測 R23,14。

霍爾效應的量測：把電流源接於電極 4,2 上，電壓量測接於電極 1,3

上，於 Lab view 程式上，設定量測模式為¦ 4213Bp¦ ，於磁場處，設
定外加磁場量，量測 R42,13。我們設定磁場流入樣品面的方向為正磁
場，反之則為負磁場。所以¦ 4213Bp¦ 和¦ 4213Bn¦ 分別為量測正磁
場和負磁場之下的霍爾電阻。圖 3-8 為實驗時，程式的流程圖。

實驗數據計算： 我們首先把樣品的名稱輸入 Sample's name 中，再

輸入樣品操作溫度與厚度，設定計算參數，最後啟動程式。圖 3-9 為
計算上，程式的流程圖。

28
5 mm 5 mm 5 mm 5 mm

5 mm

5 mm
A B C
aluminum aluminum stainless steel
think 0.3 mm think 0.2 mm think 0.1 mm

(a)

sample

(b)

圖 3-1 shadow mask 的製作。

29
 mV
mA

HP 3458A
多功能電表 KEITHLEY 2400
Source Meter
電源供應器
computer

sample
holder

A
x
+B
.
A -B
V
V

Resisitivity
measurement Hall measurement

圖 3-2 實驗架設圖。

30
 AC 110V

Fuse 10A
x2

3300 uF

100 uF
7812

7812

3300 uF
x4

100 uF

10K ohm
x5

0.5 ohm
Fuse 10A
A
output
+

圖 3-3 自製電源供應器的電路圖。

31
圖 3-4 霍爾效應量測程式操作面板。

32
圖 3-5 霍爾效應量測程式。

33
圖 3-6 霍爾效應計算程式操作面板。

34
圖 3-7 霍爾效應計算程式。

35
 程式啟動

設定實驗參數

計算電阻值

電源供應器輸出
電流 儲存量測參
重複

數，量測數據

多功能電表開始
量測電壓 程式結束

圖 3-8 為霍爾量測實驗時，程式流程圖。

36
 程式啟動

開啟檔案資料
儲存計算結果

輸入參數

計算Rr值
程式結束

計算修正項 F

計算電阻率

計算霍爾遷移
率,載子濃度

圖 3-9 霍爾計算程式的流程圖。

37
 第四章 實驗結果

根據以往的實驗資料顯示，不同的 GaN 磊晶條件對 GaN 半導體

的物理特性，如：遷移率、電阻率、載子濃度等電子特性及 PL 的強
度和半高寬等光的特性有密切的關係。除了磊晶的條件對樣品的品質
有影響外，我們也認為緩衝層的成長條件，對樣品的品質也會有相當
大的影響。所以在此篇論文中，我們分別對不同緩衝層的成長條件與
GaN 磊晶層的生長條件之樣品，利用 van der Pauw 量測法對其電性的
研究。

4-1 緩衝層的研究

在一般的半導體磊晶過程上，通常會因為晶格常數的差異，而會
造成長晶的不易，所以會於基板上先長一層緩衝層，作為基板與我們
所需要半導體層的緩衝，以減少晶格匹配的問題。我們首先對緩衝層
的成長參數作研究，以期在最佳的緩衝層條件之下，讓我們成長品質
好的 GaN 磊晶層。

我們使用藍寶石基板來成長 GaN，而藍寶石的晶格常數與 GaN

半導體的晶格常數的差異相當大，所以必須於基板與磊晶層中間，長
一層低溫 GaN 緩衝層。由於緩衝層的成長條件，會影響往後磊晶層
的特性，所以先研究這一層緩衝層的特性。在對此緩衝層的研究上，
我們針對緩衝層的成長溫度、成長時間（即厚度）、N/Ga 的比率、
Ga 的流速四個參數作比較。

38
4-1.1 緩衝層的成長溫度

低溫 GaN 緩衝層的成長溫度通常是比實際在磊晶的溫度低，而
此會導致此 GaN 緩衝層產生高密度的錯位。[14]所以我們首先由不同
的緩衝層成長溫度來分析。在基板的氮化過程中，其參數固定為：基
板溫度為 890 ℃，氮化時間為 3 min.，氮的流速為 1.6×10-5 torr，和
RF-plasma 功率為 500 W 。在 GaN 的磊晶過程中，其參數固定為：
基板溫度為 915 ℃，磊晶時間為 3小時，氮和Ga的流速分別為 1.6×10-5
和 4.0×10-7 torr.，RF-plasma 功率為 500 W。在我們的研究中，所有的
樣品其 annealing 溫度和時間皆為 950 ℃和 10 min.。在其他參數固定
的條件之下，我們對四塊只改變緩衝層成長溫度的樣品作其電性分
析，這四塊樣品的溫度分別為 500、550、600 及 650 ℃。實驗結果如
圖 4-1 所示，我們發現電子遷移率，隨緩衝層的成長溫度增加而增加。
由 8.47 cm2/Vs 增加至 45.13 cm2/Vs，所有的樣品皆為 n-type 的半導
體材料。此系列的樣品，依其電子特性而言，緩衝層的最佳成長溫度
為 650 ℃。所以，緩衝層的成長溫度越高，為 GaN 的最佳成長條件。

4-1.2 厚度(時間)

V. Bousquet 等人的研究報告指出，不同的 annealing 時間與緩衝

層的厚度對電子的遷移率與載子濃度皆有影響。[15]Fuke 等人提出，
適當的緩衝層厚度可以提高 GaN 其晶體的品質。[16]在此我們研究不
同緩衝層厚度之下，對 GaN 的電性影響。

我們藉由緩衝層以固定的成長速率之下，控制不同的成長時間，

39
來控制緩衝層的厚度。在此我們以成長時間來表示厚度，此四塊樣品
成長時間分別為 1、2、3 和 4 min.。

圖 4-2 為實驗結果，電 子遷移率在成長 1 分鐘時為最高，約 25.26

cm2/Vs，而在其他厚度之下的遷移率皆在 10 cm2/Vs 左右。對我們這
一系列的樣品而言，緩衝層較佳的成長時間為 1 分鐘。所以，緩衝層
的厚度越薄，其品質越佳。

4-1.3 Ga 的流速(成長速率)

K. S. Kim 的資料顯示出，GaN 緩衝層的成長速率在 GaN 半導體

的晶格排列上扮演一個非常重要的角色，適當的成長速率可以成長出
高品質的晶格結構。 [17]對此我們對其成長速率作一系列的研究分
析。藉由改變不同的 Ga 流速和固定 N/Ga 比率，會得到不同的成長
率。此四塊樣品分別為：Ga 的流速為 0.5、1、2 和 4 ×10-7 torr。圖
4-3 為實驗結果，我們可以得知：Ga 的流速為 1×10-7 torr 的樣品具有
最大的遷移率 38.84 cm2/Vs 與最小的載子濃度 1.38×1017 cm-3；而 Ga
的流量為 0.5×10-7 torr 的樣品，雖其遷移率未如 1×10-7 torr 的樣品大，
但是依然比其他兩塊樣品大。所以，GaN 緩衝層在較低的成長速率之
下，是為較佳的成長條件。

4-1.4 N/Ga 的成長速率比

在 Y. Kim 的資料中指出，減少 N/Ga 的比率，最後會導致未與 N

40
鍵結的額外 Ga 存在於緩衝層內，而 GaN 磊晶層成長於如此的緩衝層
上，將會增加其電子遷移率和減少晶格的錯位密度。[18]所以 N/Ga 的
成長比率，對半導體的品質具有相當重要的影響。我們固定 Ga 的流
速在 4 ×10-7 torr，藉由改變氮的流速分別為 0.8、1.2、1.6 和 2.0 ×10-5
torr，則可得到 N/Ga 的比率分別為 20、30、40 和 50 的樣品。圖 4-4
為此系列的樣品作電性量測的結果。我們發現，在緩衝層成長條件為
低 N/Ga 比率之下(20)，其電子遷移率為最大值 33.30 cm2/Vs，而其他
比率之下的樣品，其遷移率皆在 10 cm2/Vs 以下。由此可知，較低的
N/Ga 成長比率是為較佳的成長條件。

4-2 GaN 磊晶的研究

在眾多的 GaN 磊晶條件之下，我們選擇了對其 N/Ga 的磊晶速率

比作一系列的研究。而我們也嘗試在 GaN 的磊晶過程中，加入了不
同量的 In 來研究對 GaN 半導體電性的影響。

4-2.1 N/Ga 的磊晶速率比

在此我們對 GaN 磊晶時不同的 N/Ga 比率來研究，針對此研究方

向而成長一系列的樣品，固定其他成長參數條件，只改變 N/Ga 流速
比，對此系列的樣品作霍爾效應的量測，作為其電性分析依據。

此系列的樣品其他成長參數固定為：Out gassing：溫度為 950 ℃、

時間為 10 分鐘，氮化處理：基板溫度為 200 ℃、時間為 60 分鐘、
RF Power 為 400 W、氮的流速為 1.19×10-5 torr，緩衝層成長條件：溫

41
度為 530 ℃、成長時間為 2 分鐘、RF Power 為 500 W、N/Ga 比為
20.08，annealing：溫度為 950 ℃、時間為 10 分鐘，磊晶層：溫度為
925 ℃、時間為 3 小時、RF Power 為 500 W。

利用 van der Pauw 量測法，在室溫之下作霍爾量測，實驗結果如

圖 4-5 所示。我們發現此系列的樣品中，最高的電子遷移率 179 cm2/Vs
出現於 N/Ga 比為 30 處，而最低的載子濃度 2.93×1010 cm-3 則出現於
N/Ga 比為 22.5 處。因為在室溫之下，我們無法清楚了解造成遷移率
的主要原因，所以我們利用降低溫度，使得聲子散射所造成的效應降
低。圖 4-6 為 77 K 時實驗結果，相對於室溫之下的實驗結果，我們
發現缺少比率為 17.5 與 22.5 的數據，這是因為在室溫時，此兩塊樣
品的電阻已達 108 O 以上，在 77 K 時其電阻通常會再增加 2 個 order，
而在如此大電阻之下，電源供應器只能輸出很小的電流，在多功能電
表量測讀取電壓時會有較大的變動，而降低其電壓量測的準確性，所
以我們無法確定其值。而對 N/Ga 比為 30 的樣品而言，在 77 K 時，
其遷移率由室溫之下的 179 cm2/Vs 增加為 204.8 cm2/Vs，其載子濃度
由室溫之下的 3.12×1017cm-3 減少至 5.71×1016 cm-3，所以我們得知其
聲子的散射效應在 77 K 時大幅的減少。

4-2.2 導入 In 的研究

根據一些研究資料指出，在 GaN 的磊晶過程中導入 In，可以使

得 GaN 的表面更加平整，亦會影響 GaN 的物理特性[19-21]。添加 In
在 GaN 的成長過程中，具有改善成長機制的功能。所以在 GaN 磊晶
層成長參數的研究上，我們亦研究在磊晶過程中導入 In 後，GaN 的

42
電性變化。

此系列的樣品其他成長參數固定為：Out gassing：溫度為 950 ℃、

時間為 10 分鐘，氮化處理：基板溫度為 200 ℃、時間為 60 分鐘、
RF Power 為 400 W、氮的流速為 1.21×10-5 torr，緩衝層成長條件：溫
度為 530 ℃、成長時間為 2 分鐘、RF Power 為 500 W、N/Ga 比為
20.25，annealing：溫度為 950 ℃、時間為 10 分鐘，磊晶層：溫度為
925 ℃、時間為 3 小時、RF Power 為 500 W。而其中的變動參數為磊
晶時 In 的流量，分別為：4×10-8 (In/Ga=1/10)、1.33×10-7 (In/Ga=1/3)、
和 4×10-7 (In/Ga=1/1) torr。

圖 4-7 為實驗結果，顯示出隨著 In 加入量的增加，電子遷移率

和載子濃度亦隨之增加，電子遷移率由 28.2 cm2/Vs 增加至 180
cm2/Vs，而載子濃度則由 7.97×1011 cm-3 增加至 1.63×1017 cm-3。我們
認為在成長 GaN 過程中添加 In，可以改善 GaN 的電性品質。由圖上
我們亦發現，隨著載子濃度的增加，電子遷移率亦相對的隨之增加。
我們嘗試作 77 K 的電性量測，由於未添加 In 與 In/Ga=1/10 這兩塊樣
品，在室溫之下的電阻值高達 106 O，所以我們無法量測其電性。

43
 40

Carrier density(cm-3)
mobility(cm 2/Vs)

17
10

20

16
0 10
480 500 520 540 560 580 600 620 640 660
0
Buffer Temp( C)

圖 4-1 緩衝層的成長溫度與霍爾遷移率和載子濃度的關係圖。

44
 20

carrier density(cm )
-3
mobility(cm /Vs)
2

17
10

0
0 2 4

growth time(min.)

圖 4-2 緩衝層的厚度與霍爾遷移率和載子濃度的關係圖。

45
 120
110
100
90
18
80 10

carrier density(cm-3)
mobility(cm /Vs)

70
2

60
50
40 10
17

30
20
10

0 16
10
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
-8
Ga (x10 torr)

圖 4-3 緩衝層的成長速率與霍爾遷移率和載子濃度的關係圖。

46
 100

80 1018

Carrierdensity(cm-3)
mobility(cm 2/Vs)

60

17
10
40

20

16
10
18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52
N/Ga

圖 4-4 N/Ga 的成長速率比與霍爾遷移率和載子濃度的關係圖。

47
 19
10
180 18
10

160 1017

1016

Carrier density(cm-3)
140
mobility(cm2/Vs)

15
10
120
1014
13
100 10
12
10
80
11
10
60 10
10
9
40 10
14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36

N/Ga ratio

圖 4-5 N/Ga 的磊晶速率比與霍爾遷移率和載子濃度的關係圖。

48
 220

200
mob
180 cc
160

carrier density (cm-3)

18
10
mobility(cm2/Vs)

140

120

100

80

60 17
10
40

20
14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36

N/Ga ratio

圖 4-6 N/Ga 的磊晶速率比與霍爾遷移率和載子濃度於 77 K 時

的關係圖。

49
 18
200 10

180 17
10
160
16
10
140

carrier density(cm )
mobility(cm */vs)

15
120 10
2

100 10
14

80
13

-3
10
60

1012
40

11
20 10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

In/Ga ratio

圖 4-7 磊晶過程中導入不同量的 In 與霍爾遷移率和載子濃度

的關係圖。

50
 第五章 結果討論

在第四章我們針對不同成長參數的樣品，以霍爾效應作其電性量
測分析。而在第五章我們引用蔡振凱學長的論文中描述其他特性的量
測結果與我們的電性量測結果作其關係的比較。[22]包含了：利用
FESEM 圖來分析其表面的結構與高解析度 X-Ray(HRXRD)來分析其
樣品的晶格排列情況等。我們依照第四章的討論順序，依序由緩衝層
的成長溫度、厚度、成長速率、N/Ga 成長速率比、不同的 N/Ga 比率
與於磊晶過程中導入 In 後的 GaN 半導體特性分別來討論。

5-1 緩衝層的研究

5-1.1 緩衝層的成長溫度

首先我們針對樣品表面作比較。圖 5-1 分別為緩衝層成長溫度

650 ℃、600 ℃、550 ℃與 500 ℃的樣品其表面結構，發現所有的樣
品表面皆不是非常的平整。而對這四塊樣品的表面作比較，我們可以
發現以圖(b)的表面相對的平整。相對於我們的電性量測結果，緩衝
層的成長溫度於 600 ℃時，具有最小的載子濃度。而其他表面較粗糙
的樣品，其載子濃度則相對的偏高。

圖 5-2 為樣品在(002) HRXRD 圖，圖(b)為 FWHM 與緩衝層成長

溫度的關係圖。由圖上，我們得知其 FWHM 的值與溫度成線性反比
關係。當溫度越高其 FWHM 值越小，意指的其晶格排列越佳，晶格
的錯位越少，其遷移率相對的較高，此結果與我們的電性分析符合。
51
 綜合其電性分析、表面結構與晶格結構排列情況，我們得知當緩
衝層的成長溫度越高，樣品的品質越佳。

5-1.2 緩衝層厚度

5-3 圖分別為緩衝層成長時間 1、2、3、4 min.的 GaN 半導體表

面 FESEM 圖。由圖上我們無法看出厚度與其表面結構的關係，但是
由圖上我們得知以(a)和(c)圖即時間為 1 min.與 3 min.的樣品其表面較
平滑，其他的樣品較為粗糙。但是由其表面結構與電性的量測結果比
較，我們可以說明，由於圖(a)和(c)的表面較平滑，造成這兩塊樣品
的載子濃度較低。圖(b)的表面最粗糙，所以其量測出其載子濃度最
高。

圖 5-4 為緩衝層厚度與(002)HRXRD 的 FWHM 關係圖。由結果

發現到對其晶格結構而言，其最好的成長條件是出現在時間為 1 min.
處。相對於電性分析結果，遷移率於成長時間為一分鐘時最大。由圖
上我們亦發現，其 FWHM 值隨成長時間增加而增加，直至 3 min.。
而當成長時間為 4 min.時，我們發現其 FWHM 值突然減少，但是其
遷移率並未相對的提高，這是因為過高的載子濃度，造成載子在樣品
內部運動時，互相碰撞、散射的機率較高，最後造成遷移率反而下降。

綜合以上的實驗結果討論，當緩衝層的厚度越薄，樣品的品質越
佳。

52
5-1.3 緩衝層成長速率

5-5(a)-(d)圖分別為成長緩衝層時 Ga 的流速是 0.5、1、2 和 4 ×10-7

torr 的 GaN 半導體表面 FESEM 圖。我們可以輕易的發現以圖(b)( Ga
的流速為 1×10-7 torr)的樣品表面最平整，以圖(d) (Ga 的流速為 4×10-7
torr)的樣品表面最粗糙。由其表面結構圖相對於其電性的量測結果，
我們發現當樣品表面最平滑的條件之下，其相對的電子遷移率為最大
值與載子濃度為最低值，而其他條件之下的電性與樣品表面似乎無直
接的關係。

5-6 圖為此系列樣品其(002)HRXRD之 FWHM與緩衝層厚度的關

係圖。我們發現 Ga 流量為 0.5×10-7 torr 的 GaN 半導體，其晶格排列
最佳。而 Ga 流量較高的樣品，其晶格排列較差。我們以其相對電性
的量測結果作比較，發現 Ga 流量較高的樣品，因為其晶格排列的序
亂，造成電子遷移率的下降。

綜合以上的討論，當緩衝層的成長速率越低，為樣品在晶格的排
列上、表面的平整度與電性上的較佳成長條件。

5-1.4 N/Ga Ratio

5-7 圖分別為緩衝層成長時的 N/Ga 的比率為 50、40、30、和 20

的樣品 FESEM 圖。由圖上我們可以清楚的看到成長比率為 50 與 30
的樣品，其表面較平滑，成長比率為 20 的樣品，其表面最粗糙。對
照電性量測結果，成長比率為 50 與 30 的樣品其表面較平滑，其載子
濃度較低。而成長比率為 20 的樣品，表面相對地最為粗糙，載子濃

53
度最高。

圖 5-8 為此系列樣品，其(002)HRXRD 的 FWHM 與緩衝層 N/Ga

成長比率的關係圖。由圖上得知當 N/Ga 的比率為 30 時，其 HRXRD
的 FWHM 值為最小值，而比率比 30 大或小的樣品，其 HRXRD 的
FWHM 值皆比 N/Ga 的比率為 30 時為大。所以可以說比率為 30 的樣
品，其晶格排列最好，但是其遷移率並非為最大值。比率為 20 的樣
品，其 HRXRD 的 FWHM 值為此系列樣品中的最大值，可是其遷移
率卻是最大的。依此結果，我們引用 Y. Kim 的資料中提到的，過小
的 N/Ga的比率會導致未與 N鍵結的額外 Ga存在於緩衝層內，而 GaN
磊晶層成長於如此的緩衝層上，將會增加其電子遷移率。而由圖 5-8
上，我們發現 N/Ga 比率比 30 大的樣品，其 FWHM 值隨比率的增加
而增加。相對於電性量測結果，我們無法發現 N/Ga 比率比 30 大的
樣品，其遷移率有隨 N/Ga 比率的增加而有明顯的變化。

綜合所有的量測結果，可以歸列出緩衝層成長的 N/Ga 比率較低

的條件之下，樣品的品質會較好。

5-2 GaN epitaxy 的研究

5-2.1 N/Ga 的磊晶速率比

圖 5-9(a)-(e)分別為 15.0、17.5、22.5、30.0 和 35.0 成長率之下的

FESEM 圖。由圖上，可以非常清楚的看到圖(a)為最平滑的樣品，圖
(b)與(c)雖然有一些坑洞在樣品的表面上，但是整體而言，我們仍可
認為其為平滑表面，而圖(d)與(e)則顯的較粗糙，而以(e)圖為最粗糙。

54
由第四章的電性量測結果我們知道，比率為 22.5 的樣品，其載子濃
度為最低值；N/Ga 磊晶比率比 22.5 還高的樣品，其載子濃度隨比率
增加而增加。在表面結構上亦顯示出，N/Ga 磊晶比率較 22.5 還高的
樣品，其表面平整度隨磊晶比率增加而越粗糙。所以高 N/Ga 比率的
樣品，其表面的粗糙是造成其高載子濃度的原因。而 N/Ga 磊晶比率
比 22.5 還低的樣品，其載子濃度隨比率減少而增加。但其表面結構
顯示出，其平整度比比率為 22.5 較平滑，我們認為，造成此現象的
主要原因是，過多未鍵結的 Ga 堆積在樣品內部造成較高的載子濃度。

圖 5-10 為此系列樣品之(002)HRXRD 的 FWHM 與 N/Ga 成長比

率的關係圖。由圖上我們發現，在比率為 22.5 的樣品具有最小的值。
而在比率比 22.5 小的樣品，其 FWHM 值隨比率的減少而增加，而其
遷移率隨比率的減少而下降。這是因為其晶格排列不整齊，造成高密
度的錯位，進而影響其電子遷移率的下降。在比率比 22.5 還大的區
域，其 FWHM 隨比率的增加而增加，對照其電性量測的結果，比率
為 30 的樣品其遷移率比 22.5 高，這是因為比率為 22.5 的樣品，雖其
晶格排列較整齊，但是因為其載子濃度較低，無法有大量的載子於樣
品中傳輸，所以其遷移率較低。而比率為 35 的樣品，因為其晶格排
列較亂，而且載子濃度亦高，造成載子在樣品內傳輸容易碰撞，而降
低其遷移率。

5-2.2 於磊晶過程中導入 In 的研究

由於此系列的樣品皆非常的平滑，我們無法分辨其之間表面結構
的差異，所以我們在此不加以討論。我們在此只討論其(002)HRXRD

55
的 FWHM 與添加 In 的量的關係。

圖 5-11 為實驗結果。我們由圖上發現，隨著 In 加入的量增加，

其晶格排列越佳，而在 In/Ga 的比率大於 1/3 時，其值不降反而增加。
此現象對照於電性量測結果，我們發現在 In/Ga 的比率大於 1/3 的區
域，電子遷移率的增加與之前的區域(小於 1/3)並無明顯的差異，但
是對載子濃度而言，我們發現到，載子濃度於此區域的增加趨緩。而
在電性的量測結果上，我們認為於 GaN 的成長過程無加入 In 時，因
為樣品中載子濃度相當的稀少(約 7.97×1011 cm-3)，所以無法有大量的
載子移動，造成遷移率的偏低。

56
圖 5-1 為不同緩衝層成長溫度之下，樣品的表面 FESEM 圖。

57
 Normalized HRXRD (002) count (arb. unit)

HRXRD (002) count (arb. unit)

Temperature
o
650 C -9000 -6000 -3000 0 3000 6000 9000
o Theta (arcsec)
600 C
550 oC
o
500 C

-9000 -6000 -3000 0 3000 6000 9000

Theta (arcsec)

(a)

B4 B3 B2 B1

2800

2600
HRXRD (002) FWHM (arcsec)

2400

2200

2000

1800

1600

1400

1200

1000
480 500 520 540 560 580 600 620 640 660
o
Growth temperature ( C)

(b)
圖 5-2 不同緩衝層成長溫度之下，樣品的 HRXRD 圖，圖(b)為其半

高寬與溫度的關係。

58
圖 5-3 不同緩衝層厚度的樣品，其表面的 FESEM 圖。

59
 3400

3200
HRXRD(002)FWHM(arcsec)

3000

2800

2600

2400

2200

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

thickness

圖 5-4 不同緩衝層厚度的樣品，其 HRXRD 的半高寬值與厚度

的關係。

60
 (a)

(b)

(c)

(d)

圖 5-5 緩衝層在不同的成長速率之下，樣品的表面 FESEM 圖。

61
 HRXRD(002)FWHM(arcsec) 2400

2200

2000

1800

1600

1400
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
-7
GaBEP(x10 torr.)

圖 5-6 緩衝層在不同的成長速率之下，HRXRD 的半高寬值與速率

的關係。

62
圖 5-7 緩衝層在不同的 N/Ga成長比率之下，樣品的表面 FESEM 圖。

63
 HRXRD(002)FWHM(arcsec) 2600

2400

2200

2000

1800

20 25 30 35 40 45 50
N/Ga

圖 5-8 緩衝層在不同的 N/Ga 成長比率之下，HRXRD 的半高寬值與

N/Ga 比率的關係。

64
 (a)

(b)

(c)

(d)

(e)

圖 5-9 磊晶層在不同的 N/Ga 成長比率之下，樣品的表面

FESEM 圖。

65
 N/Ga ratio=
HRXRD count (arb. units) 35.0
30.0
22.5
17.5
-10000 -5000 0 5000 10000 15.0
Theta (arcsec)

-1000 -500 0 500 1000

Theta (arcsec)

(a)
HRXRD(002)FWHM (arcsec)

500

400

300

15 20 25 30 35
N/Ga ratio

(b)

圖 5-10 磊晶層在不同的 N/Ga 成長比率之下，HRXRD 的半高寬值

與 N/Ga 比率的關係。

66
 550

500
HRXRD(002)FWHM(arcsec)

450

400

350

300

250
As-grown Sample A Sample B Sample C
(1/10 of In/Ga) (1/3 of In/Ga) (1/1 of In/Ga)

圖 5-11 在磊晶過程中，添加 In 的量與 HRXRD 的半高寬值

的關係圖。

67
 第六章 結論

此篇論文主要是以霍爾效應量測法對 GaN 半導體作電性分析，

再與 SEM 圖和 HRXRD 作對照。我們的研究分為兩部分：1.緩衝層
的成長條件與，2.N/Ga 磊晶比率與導入 In 對 GaN 磊晶層品質的影
響。綜合所有的結果，得到下列的結論：

1.對緩衝層的成長參數作電性分析，我們可以總結出：緩衝層的
成長溫度相對其他成長參數而言，對樣品電性的影響最大，所以成長
溫度為影響樣品電性的最主要因素。且由實驗上得知，在愈高的低溫
GaN 緩衝層成長溫度之下，樣品的品質愈好。而緩衝層成長的其他參
數，對電性影響並不如溫度的影響來得大。由實驗結果得知，厚度較
薄、成長速率較慢和較低的 N/Ga 比率，亦具有提高樣品品質的功能。

2.對 GaN 半導體磊晶層的研究上，綜合所有的實驗結果，我們認

為以 N/Ga 磊晶比率為 22.5 條件之下的樣品，具有較佳的品質，雖然
其電性並非為最佳值，但是其他實驗結果皆為較佳的狀況之下，我們
依然認為其為最佳的成長條件。在 GaN 磊晶層成長過程中導入 In 之
下，樣品的品質隨著 In 加入的量增加而提高。

68
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