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Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniería


Mecánica y Eléctrica

Laboratorio de Dispositivos
Grupo: 5EV21

Práctica 1:
Comportamiento de un diodo

Alumnos:
o Blanco Silva Edgar Alan
o Genaro Contreras Sergio

Profesor: Miguel Ángel Rodríguez


Zuno
Fecha: 10 de septiembre de 2018
Objetivo:
Comprobar los voltajes de barrera de los siguientes diodos
 1 Diodo Rectificador
 2 Diodo Emisor de Luz (LED)
 Diodo Zener

Diodo
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación
de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la
corriente circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación de corriente
eléctrica, sino que este la controla y resiste. Esto hace que el diodo tenga dos
posibles posiciones: una a favor de la
corriente (polarización directa) y otra en
contra de la corriente (polarización inversa).
Un diodo semiconductor moderno está
hecho de cristal semiconductor como el
silicio con impurezas en él para crear una
región que contenga portadores de carga
negativa (electrones), llamada
semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contenga portadores de
carga positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se
unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una
unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una
corriente de electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta;
es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al
flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p. Al
establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a ambos
lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión.
Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos
en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de
la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la
corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión
entre las zonas p y n, a esta diferencia de tensión es llamada barrera de potencial.
Esta barrera de potencial es de 0.7 V en el caso del silicio y 0.3 V para los cristales
de germanio.

Desarrollo
El circuito se conectará de la siguiente forma:

Para poder visualizar la gráfica en el osciloscopio se conectará de la siguiente


forma, se conectará en el diodo el canal 1 del osciloscopio y se conectando en la
resistencia el canal 2 del osciloscopio.

Resultados
Tipo de Diodo Voltaje (V) Corriente (A)
Rectificador
0.72v 0.72A
(1N4001)

LED Verde 0.3v 0.3A


LED Rojo 0.7v 0.7A
Diodo Zener 0.9v 0.9A

Comparación de Resultados

Resultado teórico Resultado practico

0.7v 0.72v

Comparado los resultados teóricos con los resultados prácticos hubo una diferencia
del -0.0.2v en la barrera potencial del diodo rectificador 1N4001, esto sucede a
varios factores que no se consideran en la teoría, recordemos que la teoría solo son
aproximaciones de la realidad, es por eso que la barrera de potencial no es casi
igual a como se dicta en teoría, sin embargo, sabemos que la barrera de potencial
existe.
Conclusión
El objetivo de la practica se cumplió al poder demostrar la medición de la barrera de
potencial que existe en un diodo. Cada barrera de potencial es diferente de acuerdo
con el diodo que se desee estudiar. Los resultados mostrados de manera practica
como se pudieron observar no son iguales y esto de debe a varios factores que no
se toman en cuenta en la teoría, pudo haber sido la precisión de los cursores del
osciloscopio u otros factores internos o externos que hace que los resultados
prácticos vareen mucho de acuerdo con lo ya visto en la clase teórica.

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