180 nan�metros se refiere a una tecnolog�a proceso de semiconductores lanzada al

mercado a fines de 1999 y comercializada hasta finales de 2001 por parte de las
principales compa��as del sector, tales como las estadounidenses Intel, AMD, IBM y
Texas Instruments, adem�s de la empresa taiwanesa TSMC.

Asimismo, la tecnolog�a de proceso de 180 nan�metros reflej� una tendencia

hist�rica, la cual estipula que la densidad (en t�rminos pr�cticos, el n�mero de
transistores) de los microprocesadores, o en general de los circuitos integrados se
incrementa a un ritmo aproximado de un 70% cada 2 o 3 a�os (b�sicamente manteniendo
el mismo tama�o del n�cleo del mismo).1?

Esta fue la primera tecnolog�a cuyas compuertas l�gicas eran m�s cortas que la
longitud de onda de la luz l�ser usada para realizar su estampado litogr�fico (cuyo
haz es de 193 nm).2?

Algunos m�s recientes procesadores y microcontroladores (por ejemplo los del tipo
PIC, Parallax Propeller) han usado esta tecnolog�a porque es t�picamente barata y
no requiere la actualizaci�n de equipos m�s antiguos.

Microprocesadores que han utilizado la tecnolog�a de proceso de 180 nm

Intel Pentium III de c�digo Coppermine - Lanzado en octubre de 1999
Intel Celeron Willamette-128 (�128� en referencia al tama�o en kibibytes de su
memoria cach� L2), basado en el Pentium 4 � mayo de 2002
Motorola PowerPC G4, en sus modelos 7445 y 7455 (Apollo 6) � enero de 2002

La fotolitograf�a es un proceso empleado en la fabricaci�n de dispositivos

semiconductores o circuitos integrados. El proceso consiste en transferir un patr�n
desde una fotom�scara (denominada ret�cula) a la superficie de una oblea. El
silicio, en forma cristalina, se procesa en la industria en forma de obleas. Las
obleas se emplean como sustrato litogr�fico, no obstante existen otras opciones
como el vidrio, zafiro, e incluso metales. La fotolitograf�a (tambi�n denominada
"microlitograf�a" o "nanolitograf�a") trabaja de manera an�loga a la litograf�a
empleada tradicionalmente en los trabajos de impresi�n y comparte algunos
principios fundamentales con los procesos fotogr�ficos.

�ndice
1 Procesos de la fotolitograf�a
2 Tecnolog�a
2.1 Tecnolog�as en la preparaci�n del sustrato
2.2 Tecnolog�as de iluminaci�n
3 V�ase tambi�n
4 Referencias
5 Enlaces externos
Procesos de la fotolitograf�a
Un ciclo t�pico de procedimientos en la fotolitografia podr�a constar de los
siguientes procesos:

Preparaci�n del sustrato. Se empieza depositando una capa de metal conductivo de

varios nan�metros de grosor sobre el sustrato.
Aplicaci�n de las resinas fotoresistentes. Se aplica sobre la capa met�lica otra
capa de resina fotosensible. Suele ser una sustancia que cambia sus caracter�sticas
qu�micas con la exposici�n a la luz (generalmente radiaci�n ultravioleta).
Introducci�n en el horno (calentamiento ligero). En esta etapa se fijan las resinas
sobre el sustrato de silicio.
Exposici�n a la luz. Se usa una placa (denominada fotom�scara) con �reas opacas y
transparentes con el patr�n a imprimir. La fotom�scara se coloca interponi�ndose
entre la placa preparada y la fuente luminosa, de este modo, se exponen a la luz,
s�lo unas partes de la fotorresina, mientras que otras quedan ocultas en la
oscuridad.
La luz que se utiliza tiene una longitud de onda en la zona ultravioleta (UV) del
espectro. Cuanto m�s corta la longitud de onda, mayor la resoluci�n que se puede
alcanzar, por lo que siempre se han ido buscado fuentes de luz (l�mparas o l�seres)
con menor longitud de onda. Inicialmente se utilizaron l�mparas de mercurio (Hg), y
posteriormente empezaron a utilizarse l�seres de exc�mero, con longitudes de onda
a�n m�s cortas. Actualmente se utilizan principalmente los l�seres de KrF, con la
longitud de onda de 248nm y ArF, con una longitud de onda de 193nm, que es lo que
se conoce como Ultravioleta profundo (Deep UV o DUV en ingl�s)

Revelado. En esta fase, la fotoresistencia est� preparada para reaccionar de forma

diferente a un ataque qu�mico, dejando el patr�n de la fotom�scara grabado en la
placa.
Introducci�n en el horno (calentamiento fuerte). Se fijan los cambios que la
impresi�n ha realizado anteriormente.
Aplicaci�n del �cido n�trico o agua fuerte. Se limpian los restos de las resinas
fotorresistentes, dejando la oblea con las marcas originales de la fotom�scara.

Un spinner empleado para aplicar una capa fotosensible a la superficie de una oblea
de silicio.
Las salas blancas donde se realizan estas operaciones suelen estar libres de
part�culas en suspensi�n, as� como de la exposici�n a luces azules o ultravioletas,
con el objeto de evitar tanto la contaminaci�n del proceso como la exposici�n
indeseada de las fotorresinas. El espectro de luz empleado para la iluminaci�n de
los procesos es de color amarillo, para evitar cualquier tipo de reflejo.

La litograf�a se emplea en este complejo proceso de elaboraci�n ya que se tiene un

completo control del tama�o y dimensiones de las partes impresas sobre las obleas
de silicio, adem�s de poder trasladar los patrones de la fotom�scara a toda la
superficie de la oblea al mismo tiempo. Una de las principales desventajas, de este
procedimiento, son las necesarias dependencias de un sustrato, adem�s el m�todo no
se puede usar en la generaci�n de im�genes que no son planas. A este inconveniente
habr�a que a�adir las extremas condiciones de limpieza requeridas cuando se tratan
las obleas. Cuando se elabora un circuito integrado complejo, (por ejemplo un
dispositivo CMOS) la oblea pasa por el ciclo unas cincuenta veces. Para la
elaboraci�n de un transistor de capa delgada (TFT) el proceso de fotolitograf�a se
ejecuta unas cuantas veces.

Tecnolog�a
Tecnolog�as en la preparaci�n del sustrato
Una oblea se introduce en un sistema automatizado de seguimiento ("wafertrack").
Este tramo automatizado consiste en un conjunto de robots que manipulan el proceso
de forma aut�noma, de horno/enfriamiento, as� como los procesos de
recubrimiento/desarrollo de las unidades. Los robots se emplean para transferir las
obleas de un m�dulo a otro. Las obleas se calentaban inicialmente en un horno a una
temperatura suficiente elevada como para eliminar la humedad de la superficie de la
oblea. Se a�ade a la atm�sfera hexa-metil-disilizano (HMDS) con el objeto de
facilitar la adhesi�n de la fotoresina, que es un material polim�rico denominado
fotoresistor. Cuando se a�ade la fotoresina se gira la placa para que se distribuya
homog�neamente. La velocidad y aceleraci�n de los movimientos de manipulaci�n de la
oblea son par�metros importantes de esta fase, ya que son los responsables del
grosor y uniformidad de la fotoresina. Las obleas recubiertas se introducen en un
horno para que sean tratadas con temperaturas no muy altas.

Parte del wafertrack empleada para ser iluminada con luz de 365 nm (ultravioleta).
La forma m�s simple de exposici�n es una impresi�n de contacto o de proximidad. Una
impresi�n de contacto se obtiene colocando la fotom�scara en contacto directo con
la oblea. En una impresi�n de proximidad existe casi siempre un peque�o hueco entre
la fotom�scara y la oblea. El patr�n de la fotom�scara se imprime directamente
sobre la oblea fotoresistente en ambos casos. La resoluci�n de la "imagen" obtenida
viene dada por la ra�z cuadrada del producto de la longitud de onda y la distancia
de separaci�n. De esta forma, la impresi�n de contacto, debido a que tiene una
separaci�n pr�cticamente nula ofrece una mejor resoluci�n.

Tecnolog�as de iluminaci�n
El m�todo m�s corriente empleado en la actualidad en fotolitograf�a es la
proyecci�n. El patr�n de la m�scara es proyectado directamente sobre la superficie
de la oblea mediante una m�quina denominada esc�ner o stepper. Las funcionalidades
del stepper/scanner son similares a las de un proyector. La luz procede de una
l�mpara de arco de mercurio o de un l�ser exc�mero focalizado a trav�s de un
complejo sistema de lentes sobre la "m�scara" (denominada tambi�n ret�culo), que
contiene la imagen deseada. La luz pasa a trav�s de la m�scara y se focaliza sobre
la superficie de la oblea mediante un sistema de lentes de reducci�n. El sistema de
reducci�n puede variar seg�n el dise�o pero suele ser bastante usual un orden de
magnitud en la reducci�n de 4X-5X.

Cuando la imagen es proyectada sobre la oblea, el material fotoresistente act�a

s�lo a ciertos rangos de longitudes de onda, lo que causa que las regiones
expuestas cambien sus propiedades f�sico-qu�micas. Generalmente se cambia la acidez
del sustrato de la resina, haciendo que sea m�s �cido o alcalino que la parte no
expuesta. Si la regi�n expuesta es m�s �cida se dice que es una resina positiva,
mientras que es negativa si es m�s alcalina. La resistencia es "revelada" por
exposici�n a una soluci�n alcalina que elimina las partes expuestas de la resina
(en el caso de una fotoresistencia positiva) o no expuesta (fotoresistencia
negativa). Este proceso tiene lugar despu�s de que la oblea se haya transferido del
sistema de exposici�n al wafertrack.

Las disoluciones fijadoras empleadas corresponden a disoluciones con hidr�xido de

sodio (NaOH). Sin embargo el sodio es considerado como un componente contaminante
extremadamente indeseable en la industria de fabricaci�n de los componentes MOSFET,
debido a que afecta negativamente a las propiedades aislantes de las puertas, en su
lugar se emplea hidr�xido de tetrametilo de amonio (TMAH) que est� libre de sodio.

La capacidad para imprimir im�genes claras depende de la longitud de onda empleada

en la proyecci�n. Los fuentes de luz actuales emplean longitudes de onda en el
rango del ultravioleta profundo (DUV), es decir, de longitudes de onda que var�an
entre los 248 y 193 nan�metros. Estas longitudes de onda permiten una capacidad de
discernimiento de detalles de como m�ximo 50 nan�metros. Para reducir este l�mite
de impresi�n por debajo de los 50 nm se necesitan de otras t�cnicas basadas en luz
de 193 nm, as� como t�cnicas de inmersi�n en l�quidos (litograf�a por inmersi�n).

Las herramientas que emplean longitudes de onda de 157 nm DUV act�an de una forma
similar a los sistemas actuales de exposici�n. En 2006 la empresa IBM logr�
litografiar detalles menores de 30 nm.1? Otras t�cnicas empleadas hoy en d�a caen
dentro del campo de la nanolitograf�a.