Tema 2: El diodo de unión PN

Sesión 2.3 Comportamiento

p dinámico del
diodo. Modelos SPICE.

Curso 2010-2011

Jordi Suñé (2010/2011) Dis2_3 no 1

 Tema 2. Sesiones

T
Tema 2.
2 El di
diodo
d dde unión
ió PN

21
2.1 Electrostática de la unión PN
PN.

2.2 Unión PN fuera del equilibrio.

q Corrientes.

2.3 Comportamiento dinámico del diodo PN.

M d l SPICE d
Modelos dell di
diodo.
d

24
2.4 El transistor bipolar de unión

Jordi Suñé (2010/2011) Dis2_3 no 2

¿Comportamiento dinámico?

¿Cuál es nuestro objetivo?

• Transitorios de conmutación.

• Comportamiento en pequeña señal

Hace falta un estudio preliminar:

i) Capacidades (de transición y de difusión)

ii) Modelo de control de carga

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 Capacidad de transición (depletion)

dQ
Cdep 
dV

• La capacidad de deserción considera la modulación de la

carga de
d espacio.
i

 Na Nd 
Q  qqAN
N d xn  q qA 
Na xp  q
qAN  W
 Na  Nd 
A
m=1/2
 2  bi  V   N a  N d
1/ 2
 C j0 unión
W    C DEP   abrupta
 q  Na Nd  m
W  VD 
1  
  bi 
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 Capacidad de difusión

dQs Capacidad relacionada con las variaciones

CD  de la carga
g de minoritarios almacenados
dVD en las zonas quasi-neutras.
LN  LP

Qs  Qsp  Qsn  qA  p ( x)dx  qA  n( x)dx

xN  xP

Los perfiles de portadores ya los

habíamos obtenido antes
antes, al calcular   VD  
las corrientes Qs  K exp   1   T I D
  VT   Tiempo
de
T  VD   T I D tránsito
CD  I s exp  
Jordi Suñé (2010/2011)
VT  VT  VT Dis2_3 no 5
 Modelo de control de carga

Qs dQ j
dQs dVD dVD
iD (t )     ID  C j  CD
T dt dt dt dt
ID es la corriente que circularía en estado estacionario
Cj

ID
Esta ecuación puede
obtenerse del modelo dinámico
anterior, suponiendo que CD>>Cj
CD
Integrando la ecuación de difusión de minoritarios también
se obtiene la ecuación de control de carga
dQs Qs Qs  I D T
 iD (t ) 
d
dt T Para unión P+N larga se obtiene T   p
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 El diodo en conmutación

dQ
Qs Qs
 iD (t ) 
dt T
Nótese el cambio a
pendiente nula
Caso 1: turn-OFF (I(0)0)

 t 
Qs (t )  I T exp  
 T 

Evolución natural por

recombinación.

Aunque la corriente vaya a cero, la tensión en la unión persiste hasta que la carga de
minoritarios “desaparece”
Jordi Suñé (2010/2011) Dis2_3 no 7
 El diodo en conmutación

Transitorio de
“reverse recovery”

• La corriente inversa toma valores elevados

durante el transitorio.

• Pendiente del perfil de minoritarios negativa

• La tensión en la unión permanece positiva hasta

que la carga se ha extraído (por difusión).

• El tiempo para extraer la carga es el storage time

d l
delay, tSD. Cifra
Cif d de mérito
é it para conmutación.
t ió

 1  I F   If 
t SD   p erff     p Ln1  
  IF  Ir   Ir 
• Solutiones para mejorar tSD: Au doping + base
estrecha
t h

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 Comportamiento AC
Estamos interesados en la respuesta frente a una tensión V=va+VQ donde va
es sinusoidal
1
 dI D  VT
Modelo quasi-estático 
rd   
 
 dVD  I D (VQ )  I s

Cj Cj(VQ)

ID rd

CD CD(VQ)

L valores
Los l d
dependen
d d de lla polarización
l i ió

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 Comportamiento AC

Polarización inversa
• Principal efecto: modulación carga espacial (Cj)

• Respuesta de mayoritarios (muy rápida: quasi-estacionaria hasta 100 MHz)

Polarización directa

• Principal
P i i l efecto:
f t modulación
d l ió carga de
d minoritarios
i it i (CD)

• Respuesta de minoritarios tiene constante de tiempo del orden de T

El model quasi-estático sólo vale para frecuencias bajas wT<<1

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Modelos de dispositivos
Modelos físicos
Relacionan variables tecnológicas y físicas
con el comportamiento eléctrico.

- Hay una jerarquía de modelos.

- El más sencillo es el de las ec. de Shockley
- Utiles para diseño de dispositivos.

Modelos compactos
p (modelos
( SPICE))
UC B
Berkeley
k l 1968

Modelos analíticos que reproducen el comportamiento eléctrico mediante

un conjunto de ecuaciones y parámetros (físicos
(físicos, empíricos
empíricos, de convergencia)
convergencia).

- Hay también una jerarquía (model 1, 2, 3, BSIM 4)

- Son útiles para simulación de circuitos

Modelos de circuito equivalente

Representación por un circuito para simulación (estático, pequeña señal,..)

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Modelo estático SPICE
Polarización   VD  
directa I D  I S exp   1  VD Gmin
ID    VT  
VD
VD'  VD  RS I D
VD’
RS Dependencia en temperatura gap

Parámetro empírico
Otros parámetros como o o Cto también tienen modelos de dependencia
con la temperatura

Parámetro AREA
Rs
I s  I s AREA CTo  CTo AREA Rs 
A
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Modelo estático SPICE
Polarización inversa: modelo a trozos de la característica I(V)
-ID -VBD -5nVT  V  
(a)  5nVT  VD  0 I D  I s exp D   1  VD Gmin
(a)   nVT  

(b)
(c) (b)  VBR  VD  5nVT I D   I s  VD Gmin

(d) (c) VD  VBR I D  I BR

  V  V BR  V 
(d) V D  V BR I D   I s  exp   D   1  BR 
-VD   VT  VT 

La selección
ó de VBR y IBR debe ser cuidadosa y asegurar la
Convergencia. Una condición necesaria es:
VBR
Lí ( I )  I BR
Lím (c )
D  I S
VD  VBR VT
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Modelo de gran señal

VD ID CT Cd 1/Gmin

VD’
RS
CTo dI D
CT  m Cd   D
 VD  dVD
1  
 o 

En directa:

Si VD < FC o  CT se obtiene de la ec. anterior

Si VD > FC o  se usa un modelo

d l lineal
li l para CT

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Modelo de pequeña señal

• Modelo lineal para fuente de corriente

• No hay parámetros nuevos

ID
Go 
nVT CT Cd

RS

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Resumen de parámetros SPICE

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