APUNTES DEL CURSO ELECTRÓNICA I Profesor Luis Gerardo Guerrero Ojeda

APUNTES DEL CURSO ELECTRÓNICA I
Profesor: Luis Gerardo Guerrero Ojeda
1. Diodos y aplicaciones con Diodos.
1.1 Introducción a los diodos y diodo ideal.

1.2 Materiales semiconductores tipo N y tipo P.
1.3 Curvas características (ideal, real y aproximadas) de un diodo.
1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus hojas de especificaciones.
1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de diodos.
1.6 Comportamiento de CC de un diodo.
1.7 El rectificador de media onda.
1.8 El rectificador de onda completa.
1.9 Recortadores y sujetadores (Cambiadores de nivel).
1.10 Multiplicadores de voltaje.
2. El Transistor Bipolar de Unión (BJT)
2.1 Introducción al BJT y principios de construcción.

2.2 Configuración de base común.
2.3 Configuración de emisor común.
2.4 Configuración de colector común.
2.5 Límites de operación del transistor.
2.6 Hoja de especificaciones del transistor.
3. Polarización de CD del BJT
3.1 Punto de operación o punto Quiescente.

3.2 Circuito de polarización fija.
3.3 Circuito de polarización estabilizada de emisor.
3.4 Polarización con divisor de voltaje.
3.5 Diversas configuraciones de polarización.
3.6 Conmutación con transistores.
3.7 El transistor PNP
4. Modelado del transistor BJT.
4.1 Amplificación en el dominio de CA.

4.2 Modelado del transistor BJT.
4.3 Parámetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io (Redes de dos puertos).
4.4 El modelo re del transistor.
4.5 El modelo equivalente híbrido.
5. Análisis de pequeña señal del BJT.
5.1 Polarización por divisor de voltaje.

5.2 Configuración de polarización de emisor para emisor común.
5.3 Configuración de emisor seguidor.
Apéndice al capítulo 5
6. El Transistor de Efecto de Campo (FET).
6.1 Introducción al transistor de efecto de campo.

6.2 Construcción y características de los JFET.
6.3 Características de transferencia.
6.4 MOSFET decremental.
6.5 MOSFET incremental.
6.6 Configuración de polarización fija.
6.7 Configuración de autopolarización.
7. Bibliografía
Capítulo 1
Diodos y Aplicaciones con Diodos
1.1 Introducción a los diodos y diodo ideal.
Las décadas que siguieron a la introducción del transistor a fines de los años cuarenta, 23 de
Diciembre de 1947, han atestiguado un cambio sumamente drástico en la industria electrónica. La
miniaturización que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus límites.
Figura 0.1a Los Creadores del BJT: William Shokley, Walter Brattain y John Bardeen.
Figura 0.1b Los Creadores del BJT: William Shokley, Walter Brattain y John Bardeen.
Figura 0.1C Primer BJT.

Figura 0.1D Primer BJT.
En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el más
sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas semiconductores
en comparación con las redes con tubos de vacío de los años anteriores son, en su mayor parte,
obvias: más pequeños y ligeros, no requieren calentamiento previo, ni se producen pérdidas
térmicas (lo que sí sucede en el caso de los tubos de vacío), una construcción más resistente.
La miniaturización de los últimos años ha producido sistemas semiconductores tan pequeños que
el propósito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el
manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones permanezcan fijas a la oblea del
semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los límites de la miniaturización: la calidad del
propio material semiconductor, la técnica del diseño de la red y los límites del equipo de
manufactura y procesamiento.
El primer dispositivo electrónico que se presentará se denomina diodo. Es el más sencillo de los
dispositivos semiconductores pero desempeña un papel vital en los sistemas electrónicos, con sus
características que se asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrará en
una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente
complejas. Aparte de los detalles de su construcción y características, los datos y gráficas muy
importantes que se encontrarán en las hojas de especificaciones también se estudiarán para
asegurar el entendimiento de la terminología empleada y para poner de manifiesto la abundancia
de información de la que por lo general se dispone y que proviene de los fabricantes.
Antes de examinar la construcción y características de un dispositivo real, consideremos primero

un dispositivo ideal, para proporcionar una base comparativa. El diodo ideal es un dispositivo de
dos terminales que tiene el símbolo y las características que se muestran en la figura 1.1a y b,
respectivamente.
(a)
(b)
Figura 1.1 Diodo ideal: (a) símbolo; (b) característica.
En forma ideal, un diodo conducirá corriente en la dirección definida por la flecha en el símbolo y
actuará como un circuito abierto para cualquier intento de establecer corriente en la dirección
opuesta. En esencia:
Las características de un diodo ideal son las de un interruptor que puede

conducir corriente en una sola dirección.
En la descripción de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la definición de los
símbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones de corriente. Si la polaridad del
voltaje aplicado es consistente con la que se muestra en la figura 1.1.a, la parte de las
características que se consideran en la figura 1.1.b, se encuentra a la derecha del eje vertical. Si se
aplica un voltaje inverso, las características a la izquierda son pertinentes. En el caso de que la
corriente a través del diodo tenga la dirección que se indica en la figura 1.1.a, la parte de las
características que se considerará se encuentra por encima del eje horizontal, en tanto que invertir
la dirección requerirá el empleo de las características por debajo del eje.
Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o región de

operación. Si consideramos la región definida por la dirección de ID y la polaridad de VD en la
figura 1.1.a (cuadrante superior derecho de la figura 1.1.b), encontraremos que el valor de la
resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:
(corto circuito)
donde VF es el voltaje de polarización directo a través del diodo e IF es la corriente en sentido

directo a través del diodo.
El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la región de

conducción.
Si consideramos la región del potencial aplicado negativamente (tercer cuadrante) de la figura

1.1.b:
(Circuito abierto)
donde VR es el voltaje de polarización inverso a través del diodo e IR es la corriente inversa en el

diodo.
El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la región en la que no

hay conducción.
En síntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 1.2.
Figura 1.2 Estados (a) de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal.
En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la región de

conducción o en la de no conducción observando tan sólo la dirección de la corriente ID
establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al de los electrones), si la
corriente resultante en el diodo tiene la misma dirección que la de la flecha del mismo elemento,
éste opera en la región de conducción. Esto se representa en la figura 1.3a. Si la corriente
resultante tiene la dirección opuesta, como se muestra en la figura 1.3b, el circuito abierto
equivalente es el apropiado.
Figura 1.3 (a) Estado de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal determinados
por la dirección de corriente de la red aplicada.
Como se indicó con anterioridad, el propósito principal de esta sección es el de presentar las
características de un dispositivo ideal para compararlas con las de las variedades comerciales.
1.2 Materiales semiconductores tipo N y tipo P.
El prefijo semi se aplica a un rango de valores que se mueve entre dos límites. El término
conductor se aplica a los materiales que tienen la capacidad de que circule por ellos una gran
cantidad de cargas eléctricas "materiales conductores" en donde su conductividad sigma es muy
alta, σ , en un conductor perfecto la conductividad es infinita σ = ∞. Por ejemplo, el cobre, Cu,
tiene una conductividad σ = 5.96 X 107 Siemens/m, la plata Ag tiene una conductividad σ =
6.3 X 107 Siemens/m, el oro Au tiene una conductividad σ = 4.5 X 107 Siemens/m y el aluminio
tiene una conductividad σ = 3.8 X 107 Siemens/m, todas a 20 grados centígrados.
Un aislante o un dieléctrico es un material que tiene una muy pobre capacidad de conducción ya
que su conductividad sigma es muy pequeña o cercana a cero, σ ≈ 0. En un dieléctrico perfecto
la capacidad de conducción es nula o no existe ya que su conductividad, es igual a cero, σ = 0.
Entonces, un semiconductor es un material cuya conductividad se ubica entre los límites de la

conductividad de un dieléctrico y de un conductor.
A continuación, se muestran las configuraciones de orbitales de los mejores conductores:
Figura 1.4a Plata

Figura 1.4b Cobre
Figura 1.4c Oro
Figura 1.4 Ilustración de los orbitales de los elementos semiconductores a) Plata, Ag- b) Cobre,
Cu, c) Oro, Au
Configuración Electrónica de los elementos Semiconductores:
Elemento _electrones 1S 2S 3S 3P 3d 4S 4P 4d 5S 5P
2P 4f
Boro _____ B __ 5 2 2_1
Carbono __ C __ 6 2 2_2
Aluminio __ Al __13 2 2_6 2_1
Silicio ____ Si __ 14 2 2_6 2_2
Fósforo ___ P __15 2 2_6 2_3
Galio ____ Ga __31 2 2_6 2_6_ 2_1
10
Germanio__Ge __32 2 2_6 2_6_ 2_2
10
Arsénico __As __33 2 2_6 2_6_ 2_3
10
Indio _____In __ 49 2 2_6 2_6_ 2 _ 6 _ 10 2_1
10
Estaño ____Sn__ 50 2 2_6 2_6_ 2 _ 6 _ 10 2_2
10
Antimonio__Sb_ 51 2 2_6 2_6_ 2 _ 6 _ 10 2_3
10
Electrones por Nivel (2 ) 2 8 18 32
Tabla 1.1 Elementos semiconductores.
Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se transfieren. Un
enlace covalente consiste en un par de electrones (de valencia) compartidos por dos átomos.
El método más sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en calentar e
cristal. Los átomos efectúan oscilaciones cada vez más intensas que tienden a romper los enlaces
y liberar así los electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un semiconductor, más enlaces se
rompen, más electrones son liberados y mejor podrá conducir el semiconductor.
Material Intrínseco
Cristal de Silicio altamente purificado
Figura 1.5a Material intrínseco de Silicio
Material Extrínseco tipo N
Cristal de Silicio "dopado" o impurificado con átomos de Arsénico: "Átomos "Donadores"

de electrones
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan átomos donadores. Los
materiales tipo N se crean añadiendo elementos de impureza (átomos) que tengan cinco electrones
de valencia, "Pentavalentes".
Figura 1.5a Material de Silicio con impureza (Extrínseco) de Arsénico, tipo N.

Material Extrínseco tipo P
Cristal de Silicio "Dopado" o impurificado con átomos de Galio: Átomos "Aceptores" de

electrones
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan átomos aceptores.
Los materiales tipo P se crean añadiendo elementos de impurezas (átomos) que tengan tres
electrones de valencia.
Figura 1.6 Material de Silicio con impureza (Extrínseco) de Galio, tipo P.
En un material tipo N el electrón se denomina portador mayoritario y el hueco se denomina

portador minoritario. Cuando el quinto electrón (electrón sobrante) de un átomo donador
abandona al átomo padre, el átomo que permanece adquiere una carga positiva neta: a éste se le
conoce como ion donador y se representa con un circulo encerrando un signo positivo (ver figura
1.7, círculo en amarillo y signo positivo en color rojo).
Tipo N
Figura 1.7 Material tipo N, se muestran los iones donadores.
⊕ = Iones Donadores (Átomos de impurezas con 5 electrones). Los iones donadores son los
huecos generados cuando algunos electrones de átomos de silicio adquieren suficiente energía
para romper el enlace covalente y convertirse en electrones libres y/o portadores Mayoritarios.
- Portadores Mayoritarios.
+ Portador Minoritarios.
En la figura 1.7 NO se muestran los iones donadores, pero sí se pueden observar los portadores
mayoritarios en color azul y los portadores minoritarios en color rojo.
Tipo N
Figura 1.8 Material tipo N, no se muestran los iones donadores.
En un material tipo P el hueco se denomina portador mayoritario y el electrón se denomina

portador minoritario. Cuando un hueco es ocupado por un electrón, el átomo adquiere una carga
positiva neta: a éste se le conoce como ion aceptor y se representa con un círculo encerrando un
signo negativo (ver figura 1.9, círculo en amarillo y signo negativo en color rojo).
Tipo P
Figura 1.9 Material tipo P, se muestran los iones donadores.
θ = Iones Aceptores (Átomos de impurezas con 3 electrones). Los iones aceptores se generan
cuando un electrón libre ocupa un hueco para completar el enlace covalente. En un material tipo P
los portadores mayoritarios son los huecos que se generan por cada átomo, de un elemento con
tres electrones de valencia, que queda rodeado de átomos de silicio, ya que en este caso va a
existir un enlace covalente incompleto.
+ Portadores Mayoritarios.
- Portadores minoritarios.
En la figura 1.10 NO se muestran los iones donadores, pero sí se pueden observar los portadores
mayoritarios en color azul y los portadores minoritarios en color rojo.
Tipo P
Figura 1.10 Material tipo N, no se muestran los iones donadores.
Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si.
Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, así como las técnicas y tecnologías
que se utilizan para unirlos no son parte de los objetivos del curso y por esa razón no se abordará
el tema, si alguien desea saber un poco más de esto, puede consultar el capítulo 13, 20 y/o 21 del
libro de texto.
Región de Agotamiento
En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los
huecos que están en, o cerca de, la región de "unión", se combinan y esto da como resultado una
carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la región cercana a la
unión. Esta región de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Región de
Agotamiento por la ausencia de portadores.
Condición de No Polarización: VD = 0 V
Figura 1.11 Diodo semiconductor formado al unir un bloque de material tipo N con un
bloque de material tipo P.
Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo:
- No hay polarización (VD = 0 V) (Ver figura 1.11)
- Polarización directa (VD > 0 V) (Ver figura 1.12).
- Polarización inversa (VD < 0 V) (Ver figura 1.13).
Condición de No Polarización: VD > 0 V
En condiciones sin polarización, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se
encuentran dentro de la región de agotamiento pasarán directamente al material tipo P y viceversa.
En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier
dirección es cero para un diodo semiconductor.
Figura 1.12 Diodo semiconductor en condición de polarización directa.
La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los electrones en el material tipo N y a los

huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la
región de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD ≥ 0.7 V para diodos de Silicio:
ID = Imayoritarios - IS
Condición de Polarización Inversa: VD < 0 V
Bajo esta condición el número de iones positivos descubiertos en la región de agotamiento del
material tipo N aumentará debido al mayor número de electrones libres arrastrados hacia el
potencial positivo del voltaje aplicado. El número de iones negativos descubiertos en el material
tipo P también aumentará debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales
ocuparán los huecos.
El fenómeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocará que la región

de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores
mayoritarios no podrán superar, esto significa que la corriente ID del diodo será cero.
Sin embargo, el número de portadores minoritarios que estarán entrando a la región de

agotamiento no cambiará, creando por lo tanto la corriente IS.
La corriente que existe bajo condiciones de polarización inversa se denomina corriente de

saturación inversa, IS.
El término "saturación" proviene del hecho que alcanza su máximo nivel (se satura) en forma
rápida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarización inversa,
hasta que al valor VZ o VPI, voltaje pico inverso.
Figura 1.13 Diodo semiconductor en condición de polarización inversa.
El máximo potencial de polarización inversa que puede aplicarse antes de entrar en la región
Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente más altos e
intervalos de temperatura más amplios que los diodos de germanio.
1.3 Curvas características (ideal, real y aproximadas) de un diodo.
La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la siguiente ecuación:
Donde K = 11,600/η es la constante de Boltzmann
η = 1 para diodos de Ge
η = 2 para diodos de Si
TK = TC + 273
Figura 1.14 Curva real para diodos de Germanio y de Silicio.
Para un diodo de silicio la corriente de saturación inversa IS aumentará cerca del doble en
magnitud por cada 10° C de incremento en la temperatura.
Debido a la forma que tiene la curva característica del diodo, mostrada anteriormente, y la forma
compleja de la ecuación, con frecuencia se utiliza un modelo simplificado:
Figura 1.15 Curva del modelo simplificado para un diodo.
Figura 1.16 Modelo de un diodo ideal.

Figura 1.17 Curva del diodo ideal.
El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red y/o de los
dispositivos junto a los cuales se conectará el diodo sea mucho mayor que la resistencia promedio
del diodo rd, la cual se podría calcular como rd, en promedio, la resistencia de un diodo de pequeña
señal es de 26 Ω Red >> rd
1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus hojas de

especificaciones.
Los dispositivos electrónicos (entre ellos los semiconductores) son sensibles a frecuencias muy
elevadas. En los diodos se presentan dos efectos principales a altas frecuencias:
• Capacitancias parásitas de Transición y de Difusión.

• Tiempo de recuperación en Sentido Inverso.
En la región de polarización inversa se presenta principalmente la capacitancia de la región de

agotamiento (CT), en tanto que en la de polarización directa se presenta principalmente la
capacitancia de difusión o de almacenamiento (CD).
Figura 1.18 Ilustración del efecto de los elementos parásitos capacitivos de un diodo.
El tiempo de recuperación en sentido inverso se representa por trr. Cuando el diodo está
polarizado directamente y el voltaje aplicado se invierte repentinamente, idealmente se debería
observar que el diodo cambia en forma instantánea del estado de conducción al de no conducción.
Sin embargo, debido a un número considerable de portadores minoritarios en cada material, el
diodo se comportará como se muestra en la siguiente figura:
Figura 1.19 Ilustración de la respuesta ideal y respuesta real de un diodo en la transición entre
estados, tiempo de recuperación.
ts - Tiempo de almacenamiento. Tiempo requerido para que los portadores minoritarios regresen a
su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto.
tt - Intervalo de Transición. Tiempo requerido para que la corriente inversa se reduzca al nivel
asociado con el estado de no conducción.
5ns ≤ trr ≤ 1 µ s en diodos de recuperación muy rápida (trr ≈ 150 Pseg.)
Hojas de especificaciones del diodo.
1. El voltaje directo VF (a una corriente u temperatura específica).

2. Máxima Corriente Directa IF (Temp. específica).
3. Corriente de Saturación Inversa IR (voltaje y temperatura específicos).
4. Voltaje inverso Nominal VPI o VBR (Temperatura).
5. Máximo nivel de disipación de Potencia PDmáx (Temperatura).
6. Capacitancias parásitas.
7. Tiempo de recuperación en sentido inverso trr.
8. Intervalo de temperatura de operación.
Figura 1.20 Hoja de especificaciones de la familia de diodos 1N400X.
1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de

diodos.
DIODOS ZENER
La corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a la de un diodo polarizado

directamente.
El diodo Zener es un diodo que ha sido diseñado para trabajar en la región Zener.
Figura 1.21 Modelo del diodo Zéner.
De acuerdo con la definición, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseñado para trabajar
con voltajes negativos (con respecto a él mismo).
Es importante mencionar que la región Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula
variando los niveles de dopado. Un incremento en el número de impurezas agregadas, disminuye
el potencial o el voltaje de Zener VZ.
Así, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y
potencias de 1/4 a 50 W.
El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se
comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en
reguladores de voltaje o en fuentes.
Figura 1.22 Modelo del diodo Zéner.
En el circuito que se muestra, se desea proteger la carga contra sobrevoltaje, el máximo voltaje
que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts,
entonces este se activará cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegiéndola de esta manera.
Clarence Melvin Zener fue un físico norteamericano que descubrió el efecto Zener.
Clarence Melvin Zener
EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED: Light-Emitting Diode)
El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra
polarizado.
El voltaje de polarización de un LED varía desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para
que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unión P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de

la unión, ocurre una recombinación de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta
recombinación requiere que la energía que posee un electrón libre no ligado se transfiera a otro
estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energía se convierte en calor y otro tanto en
fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es
insignificante. Por esta razón se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como
Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).
Figura 1.24 Ilustración de la operación del Diodo Emisor de Luz (LED).
1961: Bob Biard y Gary Pittman de Texas Instruments descubren que el Arseniuro de Galio emite
luz en el Infrarojo cuando se le aplica una corriente eléctrica.
1962: Nicholas Holonyak Jr. de General Electric crea el primer LED de luz visible. A Holonyak
se le conoce como el padre de los LED's.
Nick Holonyak
1968: La corporación Monsanto fabrica LED's en serie a precios económicos a base de Fosfuro
Arseniuro de Galio, GaAsP, (Antes $200).
1972: George Craford, ex-estudiante de Holonyak, inventa el LED amarillo.
M. Geogre Craford
1995: Shuji Nakamura, Japonés nacionalizado norteamericano, es el inventor de los diodos que
emiten luz en color Azul, Verde y Blanca (en ese orden) y recientemente también creó el diodo
ultavioleta. Trabajó en Nichia Corporation de 1979 a 1999 en donde creó el LED Azul y el LED
verde, InGaN. Desde 1999 trabaja en la Universidad de California en Santa Bárbara.
Shuji nakamura.
Otros diodos son:
• Diodo Schottky (Diodos de Barrera, Voltaje de Umbrasl muy bajo, Celdas Solares,
Rectificadores, Detectores, Mezcladores, Elementos No Lineales).
• Diodo Varactores o Varicap.
• Diodo Tunel (Diodo Esaki, Resistencia negativa, Osciladores, Amplificadores,
Convertidores de Frecuencia, Detectores).
• Diodo GUN o diodo TED (Transferred Electron Device, Oscilador de RF)
• Diodo Peltier (Sensores, Máquinas de Calor, Enfridaores Termoiónicos).
• Fotodiodos.
• Diodo emisores de luz infrarroja.
• Diodo de inyección láser (ILD) o Diodo Láser.
• Diodo PIN (Conmutadores de RF, Atenuadores, Fotodetectores).
Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: rojo, amarillo, ámbar, azul, verde,
blanco.
¿Aproximaciones o Valores Exactos?
En este punto del curso vale la pena tomar en cuenta los siguiente comentarios:
- ¿Qué tan válido es utilizar las aproximaciones?
- ¿Qué tan exacto puede ser un cálculo y/o una medición realizada en el laboratorio ?
Hay que tener en cuenta que las características obtenidas de las hojas de especificaciones pueden
ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el mismo
lote.
También hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de 100
Ω puede ser realmente de 98 Ω o de 102 Ω o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a
10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.
1.6 Comportamiento de CC de un diodo.
Análisis por Recta de Carga

La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendrá un efecto importante
sobre el punto de región de operación de un dispositivo (en este caso el diodo).
Figura 1.24 Circuito simple con diodo.
Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff:
V - VD - VL = 0
V = VD + IDRL
Si se realiza un análisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse una línea recta sobre la
curva de características del diodo, entonces la intersección de éstas representará el punto de
operación de la red o punto Q.
Figura 1.25 Curva real del diodo y su intersección con el punto Q del diodo.
Nótese que la recta de carga queda determinada en sus extremos por RL y V, de tal manera que
representa las características de la red. Si se modifica el valor de V o de RL o de ambos, entonces
la recta de carga cambiará también.
Los extremos de la recta de carga se obtienen buscando las intersecciones con los ejes (ID = 0 y
después VD = 0):
Si VD = 0:
V = IDRL ó ID = V / RL
Si ID = 0:
V = VD ó VD = V
Como se mostró anteriormente, una línea recta trazada entre estos dos puntos define la recta de
carga.
Es muy válido también utilizar para el diodo, en lugar de la curva real, la curva del modelo
simplificado. En este caso, el punto Q no cambiará o cambiará muy poco.
Figura 1.26 Curva simplificada del diodo y su intersección con el punto Q del diodo.
Si en lugar del modelo simplificado se utilizara el modelo del diodo ideal, entonces sí cambiaría
mucho el punto Q.
Figura 1.27 Curva ideal del diodo y su intersección con el punto Q del diodo.
Comportamiento de CC de un Diodo
En esta sección se utilizará el modelo simplificado, o modelo aproximado del diodo para analizar
el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en paralelo con entradas de CD.
Para cada configuración o circuito debe determinarse primero el estado de cada diodo
(Conducción o No Conducción). Después de determinar esto se puede poner en su lugar el
equivalente adecuado y determinar los otros parámetros de la red.
En lo subsecuente, se utilizará el modelo simplificado, o modelo aproximado del diodo para

analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en paralelo con entradas de CC
(Corriente Continua, Corriente Directa).
A continuación se abordarán algunos puntos y conceptos a tomar en cuenta previos y para el

análisis de un circuito con diodos:
1.- Un diodo estará en estado activo si VD = 0.7V para el Si y VD = 0.3 para el Ge.
2.- Para cada configuración o circuito debe determinarse primero el estado de cada diodo
(conducción o no conducción).
3.- Después de verificar el punto anterior, en ocasiones es conveniente poner en lugar

del diodo, el circuito equivalente adecuado y posteriormente determinar los otros
parámetros de la red.
4.- Hay que tener en cuenta que:
o Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a través de sus

terminales (hasta VPI en el caso de un diodo), pero la corriente siempre
es cero (IS en el caso de un diodo, aunque IS ≈ 0).
o Un corto circuito tiene una caída de cero volts a través de sus terminales
(0.7 volts para un diodo de Si, 0.3 volts para un diodo de Ge, 0 volts para
un diodo ideal) y la corriente estará limitada por la red circundante.
En los diversos circuitos que se muestran a continuación, determine VD, ID y VR.
Ejemplo 1.1
Figura 1.28 Circuito para el ejemplo 1.1
Con V = 12 volts
Realizando la malla:
V - VT - VR = 0
12 - 0.7 - IR = 0
Despejando I de la ecuación anterior:
I = (12 - 0.7)/1.2 k = 9.42 mA

Si en el ejemplo anterior se invierte el diodo:
Ejemplo 1.2
Figura 1.29 Circuito para el ejemplo 1.2.
Con el diodo invertido la corriente por él será cero (si se utiliza el modelo simplificado) y
entonces I = 0.
12 - VD - VR = 0, donde VR = IR = 0
VD = 12 volts
I = ID = 0 A
Ejemplo 1.3
En este caso, aunque la polaridad del voltaje de la la fuente es adecuada para polarizar el diodo, el
nivel de voltaje es insuficiente para activar al diodo de silicio y ponerlo en el estado de
conducción.
Figura 1.31 Modelo simplificado para el circuito del ejemplo 1.
De acuerdo con la gráfica ID = 0
0.4 - 0.4 - VR = 0
0.4 - 0.4 - IR = 0
I = 0 ⇒VR = 0
Ejemplo 1.4
12 - VTSi - VTGe - IDR = 0 , si ID = I
12 - 0.7 - 0.3 - I (5.6k) = 0
I = 11V / 5.6k = 1.96 mA
VR = (1.96 mA)(5.6 k) = 11
Vo = VR = 11V
Ejemplo 1.5
Figura 1.34 Circuito equivalente para el ejemplo 1.5.
Ejemplo 1.6
V1 - VR1 - VD - VR2 + V2 = 0
10 - IR1 -0.7 - IR2 + 5 = 0
14.3 - I(R1 + R2) = 0
I = 14.3 / (4.7k + 2.2k) = 2.1 mA
Vo = VR2 - V2 = (4.56 - 5)v = -0.44v
VR2 = (2.1 mA)(2.2k) = 4.56v
Ejemplo 1.7
10 - VR - 0.7 = 0
10 - (I)(R) - 0.7 = 0
I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA
VR = (I)(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v
Ejemplo 1.8
Ejemplo 1.9
Figura 1.38 Circuito para el ejemplo 1.9

Ejemplo 1.10
-VR2 + 20 - VD1 - VD2 = 0
1.7 El rectificador de media onda.
Figura 1.40 Operación y circuitos equivalentes del rectificador de

media onda.
El Vprom o Vcd de esta señal rectificada es:
cuación 1.5a
Ecuación 1.5b
, pero ω = 2 π f y f = 1/T Ecuación

1.5c
Ecuación 1.5d
Ecuación 1.5e
Ecuación 1.5f
Ecuación 1.5g
Si Vm es mucho mayor que VT ⇒ Vcd ≈ 0.318Vm
Figura 1.41 Voltaje de entrada y voltaje promedio de salida en el rectificador de media onda.
1.42 Forma de onda y características de una señal senoidal simple.
Ecuación 1.6
Vpp = Valor pico a pico = 2Vp
Vp = Valor pico
Vpromedio = 0
Ejemplo 1.11: Dibuje la salida Vo y calcule el nivel de cd para la siguiente red.
1.43 Circuito del ejemplo 1.11 .
a) con Vi = 20 sen ω t volts y con diodo ideal.
Con el diodo conectado de esta manera, éste conducirá únicamente en la parte negativa de Vi.
Vcd = -0.318Vm = -0.318(20)
Vcd = -6.36 volts

1.44 Forma de onda generada por el circuito del ejemplo 1.11 .
b) Repita el inciso anterior si el diodo se sustituye por uno de silicio.
1.45 Circuito del ejemplo 1.11b.
Vcd = - 0.318(Vm - VT)
Vcd = - 0.318(20 -0.7)
Vcd = - 6.14V
1.46 Forma de onda generada por el circuito del ejemplo 1.11b.
c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi = 179.6 sen ω t volts.
Ecuación 1.7
d) Repita el inciso anterior con diodo ideal.
1.47 Forma de onda del ejemplo 1.11d.
Ecuación 1.8
El voltaje pico inverso del diodo es de fundamental importancia en el diseño de sistemas de

rectificación.
El VPI del diodo no debe excederse (Vm < VPI) ya que de lo contrario, el diodo entraría en la
región de avalancha o región Zener.
La mayor parte de los circuitos electrónicos necesitan un voltaje de c.d. para trabajar. Debido a
que el voltaje de línea es alterno, lo primero que debe hacerse en cualquier equipo electrónico es
convertir o "rectificar" el voltaje de alterna (c.a.) en uno de directa (c.d.).
La tarea de la "fuente" o fuente de alimentación de cualquier equipo o aparato electrónico es

obtener el o los niveles adecuados de c.d. a partir del voltaje de linea (127 VRMS).
1.48 Diagrama a bloques de una fuente de CD.
El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar o reducir el voltaje de CA, según
como sea necesario.
Ecuación 1.9a
Ecuación 1.9b
donde:
V1 = Voltaje en el devanado primario
V2 = Voltaje en el devanado secundario
N1 = # de vueltas en devanado primario
N2 = # de vueltas en el devanado secundario
1.49 Ilustración de un transformador.
P.e. Si la razón de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la línea:
Ecuación 1.10
1.8 El rectificador de onda completa (R.O.C.)
Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda completa. La primera de

ellas es el "Puente" rectificador de onda completa:
1.50 Configuración del Puente Rectificador de Onda Completa.

1.51 Circuitos equivalentes del ROC para los dos ciclo de la señal de entrada.
1.52 .Voltaje en cada diodo.
Rectificador de onda completa utilizando Transformador con Derivación Central
1.53 Otro circuito rectificador de onda completa, utilizando un transformador de derivación

central y dos diodos.
1.54 Circuitos equivalentes del ROC con transformador de derivación central .
Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-VT)
Para cada diodo: VPI ≥ 2Vm
1.55 Señal de salida del ROC, en color azul sin el capacitor y en color naranja con capacitor, se
muestra el rizo.
1.9 Recortadores y Sujetadores (Cambiadores de nivel).
Recortadores
Existe una variedad de redes de diodos denominadas recortadores que tienen la capacidad para
recortar una parte de la señal de la entrada, sin distorsionar la parte restante de la forma de onda
alterna. El rectificador de media onda es un ejemplo de la forma más sencilla de recortar el diodo
(una resistencia y un diodo). Dependiendo de la orientación del diodo, se "recorta" la región
positiva o negativa de la señal de entrada.
Son dos las categorías generales de los recortadores:
• En serie: La configuración en serie se define como aquella donde el diodo está en serie
con la carga
• En paralelo. La variedad en paralelo tiene el diodo en una rama paralela a la carga.
En serie
La respuesta de la configuración en serie de la figura 1.56a para una diversidad de formas de

ondas alternas se presenta en la figura 1.56b. Aunque se presentó primero como un rectificador de
media onda (para formas de ondas senoidales), no hay límites en relación con el tipo de señales
que pueden aplicarse a un recortador.
Figura 1.56a Recortador serie.
Figura 1.56b Respuesta del recortador de la figura 1.56a con diferentes tipos de señales.
La adición de una fuente de cd tal como la que se muestra en la figura 1.57 puede tener un
pronunciado efecto en la salida de un recortador.
Figura 1.57 Recortador serie con fuente de cd.
La alimentación de cd requiere además que el voltaje vi sea mayor que V volts para que el diodo
conduzca.
Para el diodo ideal la transición entre estados ocurrirá en el punto de las características en que vd
= 0 e id = 0 A.
Ejemplo 1.12:
Determine la forma de onda de la salida para la red de la figura 1.58

Figura 1.58
Solución:
Las experiencias anteriores sugieren que el diodo se encontrará en el estado de conducción en la

región positiva de vi (en especial al notar la contribución de V = 5V). La red aparecerá entonces
como se ilustra en la figura 1.59 y Vo = Vi + 5V. Sustituyendo id = 0 en vd = 0 para los niveles de
transición, obtenemos la red de la figura 1.60 yVi = -5Vcd.
Figura 1.59 Vo con el diodo en estado de conducción
Figura 1.60 Determinación del nivel de transición para el recortador de la figura 1.58
Para voltajes más negativos que -5V, el diodo está en estado de circuito abierto en tanto que para
voltajes más positivos que -5V el diodo está en estado de corto circuito. Los voltajes de estrada y
de salida aparecen en la figura 1.61.
Figura 1.61 Esquema de Vo para el ejemplo.

Ejemplo 1.12: Repita el ejemplo anterior (1.11) para la entrada de onda cuadrada de la figura
1.62.
Figura 1.62 Señal de entrada para el ejemplo 1.12.
En paralelo
La red de la figura 1.63a es la más simple de las configuraciones de diodo en paralelo con la
salida para las mismas entradas de la figura 1.58. El análisis de las configuraciones en paralelo es
muy similar al que se aplica a las configuraciones en serie, como demuestra el siguiente ejemplo:
Figura 1.63 Recortador en paralelo y respuesta para un recortador en paralelo.
Ejemplo 1.13:
Determine Vo para la red de la figura 1.64
Figura 1.64 Recortador del ejemplo 1.13.
Solución
La polaridad de la fuente de cd y la dirección del diodo sugieren fuertemente que el diodo se
encontrará en el estado "de conducción" en la región negativa de la señal de entrada. En esta
región la red aparecerá como se muestra en la figura 1.65, donde las terminales definidas para Vo
requieren que Vo = V= 4 V.
El estado de transición puede determinarse a partir de la figura 1.66, donde se ha impuesto la

condición id = 0 A en Vd = 0 V. El resultado es Vi (de transición) = V = 4 V.
Figura 1.65 Vo para la región negativa de Vi.
Puesto que es evidente que la alimentación de cd "fuerza" al diodo para que permanezca en el
estado de corto circuito, el voltaje de entrada debe ser mayor que 4 V para que el diodo se
encuentre en el estado "de corte". Cualquier voltaje de entrada menor que 4 V dará como
resultado un diodo en corto circuito.
Figura 1.66 Determinación del nivel de transición para el ejemplo 1.13.
En el estado de circuito abierto, la red será como se muestra en la figura 1.67, donde Vo = Vi,. Al
completar la gráfica de Vo se obtiene la forma de onda de la figura 1.68.
Figura 1.67 Determinación de vo para el diodo en estado de no conducción.

Figura 1.68 Esquema de vo para el ejemplo.
En la figura 1.69 se presentan diversos recortadores en serie y en paralelo.

Figura 1.69 Recortadores en serie y paralelo.
SUJETADORES (Cambiadores de Nivel)
La red de sujeción es aquella que "sujeta" una señal a un diferente nivel de cd. La red debe tener
un capacitor, un diodo y un elemento resistivo, pero también puede emplear una fuente de cd
independiente para introducir un corrimiento adicional. La magnitud de R y C debe elegirse de
manera tal que la constante de tiempo τ = RC sea suficientemente grande para asegurar que el
voltaje en el capacitor no descargue en forma significativa durante el intervalo en el que el diodo
no está conduciendo. A lo largo del análisis supondremos que para todos los propósitos prácticos
el capacitor se cargará o descargará por completo en cinco constantes de tiempo.
La red de la figura 1.70 sujetará la señal de entrada en el nivel cero (en el caso de diodos ideales).
El resistor R puede ser el resistor de carga o una combinación en paralelo del resistor de carga y el
resistor diseñado para proporcionar el nivel deseado de R.
Figura 1.70 Circuito sujetador.
Durante el intervalo 0 —> T/12 la red aparecerá como se muestra en la figura 1.71, con el diodo
en el estado "encendido" efectivo "cortocircuitando" el efecto del resistor R. La constante de
tiempo RC resultante es tan pequeña (1a resistencia inherente de la red determina el valor de R)
que el capacitor se cargará rápidamente hasta V volts. Durante este intervalo el voltaje de salida
está directamente a través del corto circuito y Vo = 0 V.
Figura 1.71 Diodo en estado de conducción y el capacitor cargándose a V voltios.
Cuando la entrada cambia al estado -V, la red será como se muestra en la figura 1.72, con el
equivalente en circuito abierto para el diodo determinado por la señal aplicada y el voltaje
almacenado en el capacitor (ambos,"fuerzan" la corriente a través del diodo de ánodo a cátodo).
Ahora que R se encuentra de nuevo en la red, la constante de tiempo determinada por el producto
RC es lo bastante grande para establecer un período de descarga 5t mucho mayor que el período
T/2 —> T y puede suponerse en forma aproximada que el capacitor sostiene toda su carga y, por
tanto, su voltaje (puesto que V = Q/C) durante este período.
Figura 1.72 Determinación de Vo con el diodo en estado de no conducción.
Como Vo está en paralelo con el diodo y el resistor, puede también dibujarse en la posición
alterna que se muestra en la figura 1.72. La aplicación de la ley del voltaje de Kirchhoff alrededor
de la malla de entrada dará como resultado:
-V - V - vo = 0
vo = -2V
El signo negativo se debe al hecho de que la polaridad de 2V es opuesta a la definida para Vo. La
forma de onda de salida resultante aparece en 1a figura 1.73 con la señal de entrada.
Figura 1.73 Esquema de vo para la red de la figura 1.73.
La señal de salida se sujeta a 0 V en el intervalo de O a T/2, pero mantiene la misma excursión

total (2V) que la entrada. Para una red de sujeción:
La excursión total de la salida es igual a la excursión total de la señal de entrada.
Este hecho constituye una excelente herramienta de verificación del resultado obtenido.
En general, los siguientes pasos pueden resultar útiles cuando se analizan redes de sujeción:
1. Siempre se inicia el análisis de las redes de sujeción considerando aquella parte de la señal de
entrada que polarizará directamente el diodo.
Quizá esto requiera saltar un intervalo de la señal de entrada (como demuestra el ejemplo
siguiente), pero el análisis no se extenderá por una medida innecesaria de investigación.
2. Durante el período en el que se encuentra en el estado encendido puede suponerse que el

capacitor se cargará en forma instantánea hasta un nivel de voltaje determinado por la red.
3. Se supone que durante el período que el diodo está en circuito abierto (estado "de corte") el
capacitor mantendrá toda su carga y consecuentemente su voltaje.
4. En todo el análisis debe tenerse cuidado respecto a la localización y polaridad de referencia

para Vo para asegurar que se obtienen los niveles apropiados de dicha cantidad.
5. No se olvide la regla general que establece que la excursión de la salida total debe corresponder
con la de la señal de entrada.
Ejemplo 1.14:
Determine Vo en la red de la figura 1.74 para la entrada indicada.

Figura 1.74 Señal aplicada y red para el ejemplo 1.14.
Solución
Nótese que la frecuencia es de 1000 Hz, lo que produce un período de 1 ms y un intervalo de 0.5
ms entre niveles. El análisis se iniciará con el período t1→ t2 de la señal de entrada porque el diodo
se encuentra en el estado de corto circuito. En este intervalo, la red aparecerá como se indica en la
figura 1.76. La salida es a través de R, pero se encuentra también directamente a través de la
batería de 5 Vcd si seguimos la conexión directa entre las terminales definidas para Vo y las
correspondientes a la batería. El resultado es Vo = 5 Vcd para este intervalo. Al aplicar la ley de
voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla de entrada se obtendrá como resultado:
-20 Vcd + Vc - 5 Vcd = 0
Vc = 25 Vcd
Figura 1.75 Determinación de vo y vc con el diodo en estado de conducción
El capacitor se cargará, por lo tanto, hasta 25 Vcd. En este caso, el resistor R no se pone en corto
por el diodo, pero un circuito equivalente de Thévenin de esa parte de la red, que incluye la
batería y el resistor, dará lugar a Rth = 0 Ω con Eth = V = 5 Vcd. En el período t2→ t3 la red
aparecerá como se indica en la figura 1.76.
Figura 1.76 Determinación de vo con el diodo en el estado de no conducción.

El equivalente en circuito abierto para el diodo hará que la batería de 5 V cd no tenga ningún efecto
sobre Vo y la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en torno a la malla exterior de la red
dará como resultado:
+10 Vcd + 25 Vcd - Vo = 0
Vo = 35 V
La constante de tiempo de descarga de la figura 1.76 se determina mediante el producto RC y su

magnitud es:
τ = RC = (100 kΩ )(0.1 µ F) = 0.01 s = 10 ms
El tiempo de descarga total es, por lo tanto, 5τ = 5(10 ms) == 50 ms.
Como el intervalo t2→ t3 durará sólo 0.5 ms, es sin duda una buena aproximación suponer que el
capacitor sostendrá su voltaje durante el período de descarga entre pulsos de la señal de entrada.
La salida que resulta aparece en la figura 2.99 junto con la señal de entrada. Obsérvese que la
excursión de la salida de 30 Vcd equivale a la excursión de entrada.
Figura 1.77 Vi y Vo para el sujetador de la figura 1.74
1.10 Multiplicadores de voltaje.
Los circuitos multiplicadores de voltaje se emplean para mantener un voltaje pico de

transformador relativamente bajo mientras se incrementa el voltaje pico de salida a dos, tres,
cuatro o más veces el voltaje pico rectificado.
Doblador de voltaje
La red de la figura 1.78 es un doblador de voltaje de media onda. Durante el semiciclo de voltaje
positivo a través del transformador, en el secundario el D1 conduce (y el diodo D2 está en corte),
cargando el capacitor C1hasta el voltaje rectificado pico (Vm). El diodo D1 está idealmente en corto
durante este semiciclo y el voltaje de entrada carga al capacitor C1 hasta Vm con la polaridad que
se muestra en la figura 1.79a. Durante el semiciclo negativo del voltaje en el secundario, el diodo
D1 se corta y el diodo D2 conduce cargando el capacitor C2. Puesto que el diodo D2 actúa como un
corto durante el semiciclo negativo (y el diodo D1 está abierto), podemos sumar los voltajes
alrededor del circuito exterior (véase la figura 1.79b):
-VC2 + VC1 + Vm = 0
-VC2 + Vm + Vm = 0
VC2 = 2Vm
Figura 1.78 Doblador de voltaje de media onda.
Figura 1.79 Operación de doblaje que muestra cada semiciclo de operación.
En el siguiente semiciclo positivo, el diodo D2 no está conduciendo y el capacitor C2 se descargará

a través de la carga. Si no hay carga conectada en el capacitor C2, ambos capacitores permanecen
cargados: C1 a Vm y C2 a 2Vm. Si, como se esperaría, hubiese una carga conectada en la salida del
doblador de voltaje, el voltaje en el capacitor C2 se reduciría durante el semiciclo positivo (en la
entrada) y el capacitor se recargaría hasta 2Vm durante el semiciclo negativo. La forma de onda de
salida en el capacitor C2 es la correspondiente a una señal de media onda filtrada mediante un
filtro con capacitor. El voltaje pico inverso en cada diodo es 2Vm.
Otro circuito doblador es el doblador de onda completa de la figura 1.80. Durante el semiciclo
positivo del voltaje en el secundario del transformador (véase la figura 1.81) el diodo D 2 conduce
cargando el capacitor C2hasta el voltaje pico V2. El diodo D2 no conduce en ese momento.
Figura 1.80 Doblador de voltaje de onda completa.
Figura 1.81 Medios ciclos alternados de operación para el doblador de voltaje de onda
completa.
Durante el semiciclo negativo (véase la figura 1.81) el diodo D2 conduce cargando el capacitor C2
en tanto que el diodo D2 no conduce. Si no se extrae corriente de carga del circuito, el voltaje en
los capacitores C1 y C2es 2Vm. Si se extrae corriente de carga del circuito, el voltaje en los
capacitores C1 y C2 es el mismo que el que se presenta en un capacitor alimentado por un circuito
rectificador de onda completa. Una diferencia consiste en que la capacitancia efectiva corresponde
a la de C1 y C2 en serie, que es menor que la capacitancia de C1 o C2 por separado. El valor más
bajo del capacitor producirá una acción de filtrado más pobre que la del circuito filtro de un solo
capacitor.
El voltaje pico inverso en cada diodo es 2Vm como ocurre en el circuito filtro con capacitor. En
resumen, los circuitos dobladores de media onda o de onda completa proporcionan el doble del
voltaje pico del secundario del transformador, en tanto que no requieran un transformador con
derivación central y sólo 2Vm del VPI nominal para los diodos.
Triplicador y cuadruplicador de voltaje
La figura 1.82 muestra una extensión del doblador de voltaje de media onda, el cual desarrolla
tres o cuatro veces el voltaje de entrada pico. Debe ser evidente a partir del patrón de la conexión
del circuito cómo los diodos y capacitores adicionales pueden conectarse para que el voltaje de
salida pueda ser también cinco, seis, siete, etc., veces el voltaje pico básico (Vm).
Figura 1.82 Triplicador y cuadruplicador de voltaje.
En la operación el capacitor C1 se carga a través del diodo D1 hasta un voltaje pico, Vm durante el
semiciclo positivo del voltaje del secundario del transformador. El capacitor C2 se carga al doble
del voltaje pico 2V2 desarrollado por medio de la suma de los voltajes en el capacitor C1 y el
transformador, durante el semiciclo negativo del voltaje del secundario del transformador.
Durante el semiciclo positivo, el diodo D3 conduce y el voltaje en el capacitor C2 carga al

capacitor C3 hasta el mismo voltaje 2Vm pico. En el semiciclo negativo, los diodos D2 y D4
conducen con el capacitor C3,cargando C4 hasta 2Vm.
El voltaje en el capacitor C2 es 2Vm en C1 y C3 es 3Vm y en C2 y C4 corresponden a 4Vm. Si se

emplean secciones adicionales de diodo y capacitor, cada capacitor se cargará hasta 2V m. Las
mediciones desde la parte superior del devanado del transformador (figura 1.82) producirán
múltiplos impares de Vm en la salida, en tanto que las mediciones desde la parte inferior del
transformador del voltaje de salida producirán múltiplos pares del voltaje pico, Vm.
El valor nominal del transformador es sólo Vm máximo, y cada diodo en el circuito debe
especificarse a 2Vm < VPI. Si la carga es pequeña y los capacitores tienen fugas pequeñas, este
tipo de circuito puede producir voltajes cd extremadamente altos, utilizando muchas secciones
para elevar el voltaje de cd.
Capítulo 2
El Transistor Bipolar de Unión

2.1 Introducción al BJT y principios de construcción.
Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vacío fue sin duda el dispositivo electrónico de interés y
desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vacío fue introducido por J. A. Fleming. Poco después,
en 1906, Lee, DeForest agregó un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de
vacío, lo que originó el primer amplificador: el triodo. En los años siguientes, la radio y la
televisión brindaron un gran impulso a la industria de tubos electrónicos. La producción aumentó
de cerca de 1 millón de tubos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios
de la década de los treinta el tétrodo de cuatro elementos y el péntodo de cinco elementos se
distinguieron en la industria de tubos electrónicos. Durante los años subsecuentes, la industria se
convirtió en una de primera importancia y se lograron avances rápidos en el diseño, las técnicas
de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturización.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electrónica atestiguó el advenimiento de una

dirección de interés y desarrollo completamente nueva. Fue en el transcurso de la tarde de ese día
que Walter H. Brattainy John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor en
los Bell Telephone Laboratorios. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se
muestra en la figura 3.1. De inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres
terminales sobre el tubo electrónico fueron evidentes: era más pequeño y ligero; no tenía
requerimientos de filamentos o pérdidas térmicas; ofrecía una construcción de mayor resistencia y
resultaba más eficiente porque el propio dispositivo absorbía menos potencia; instantáneamente
estaba listo para utilizarse, sin requerir de un periodo de calentamiento; además, eran posibles
voltajes de operación más bajos. Todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el nivel
de voltaje, corriente o potencia) tienen al menos tres terminales con una de ellas controlando el
flujo entre las otras dos.
Figura 2.1 El primer transistor.
Construcción del Transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de

material tipo N y una de tipo P o dos capas de material tipo P y una de tipo N. El primero se
denomina transistor NPN, en tanto que el último recibe el nombre de transistorPNP. Ambos se
muestran en la figura 2.2 con la polarización de CD adecuada. En el capítulo 3 encontraremos que
la polarización de CD es necesaria para establecer una región de operación apropiada para la
amplificación de CA. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con altos
niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material
emparedado de tipo P o N. En los transistores que se muestran en la figura 2.2, la relación entre el
ancho total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es
también considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos).
Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al
limitar el número de portadores "libres".
En la polarización que se muestra en la figura 2.2, las terminales se han indicado mediante letras
mayúsculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base. Una justificación respecto a la
elección de esta notación se presentará cuando estudiemos la operación básica del transistor. La
abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unión bipolar) se aplica a menudo a
este dispositivo de tres terminales. El términobipolar refleja el hecho de que los electrones y los
huecos participan en el proceso de inyección en el material polarizado opuestamente. Si sólo uno
de los portadores se emplea (electrón o hueco), se considera que el dispositivo es unipolar.
Figura 2.2 Tipos de transistores y su respectiva polarización en región activa: (a) PNP; (b)
NPN.
Operación del Transistor
La operación básica del transistor se describirá ahora empleando el transistor pnp de la figura
2.2a. La operación del transistor npn es exactamente igual si se intercambian los papeles que
desempeñan los electrones y los huecos. En la figura 2.3 se ha redibujado el transistor PNP sin la
polarización base a colector. Nótense las similitudes entre esta situación y la del diodo polarizado
directamente en el capítulo 1. El ancho de la región de agotamiento se ha reducido debido a la
polarización aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo
P al tipo N.
Figura 2.3 Unión polarizada directamente de un transistor pnp.
Eliminaremos ahora la polarización base a emisor del transistor PNP de la figura 2.2a como se
indica en la figura 2.4. Recuérdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que sólo
se presenta un flujo de portadores minoritarios, como se ilustra en la figura 2.4. En resumen, por
tanto:
Una unión P-N de un transistor está polarizada inversamente, en tanto que la otra presenta
polarización directa.
En la figura 2.5 ambos potenciales de polarización se han aplicado a un transistor PNP, con un
flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. En la figura 2.5 nótense los anchos de
las regiones de agotamiento, que indican con toda claridad qué unión está polarizada directamente
y cuál inversamente. Como se indica en la figura 2.5, un gran número de portadores mayoritarios
se difundirán a través de la unión P-N polarizada directamente dentro del material tipo N. La
pregunta es entonces si estos portadores contribuirán en forma directa a la corriente de base IB o
pasarán directamente hacia el material tipo P. Puesto que el material tipo N emparedado es
sumamente delgado y tiene una baja conductividad, un número muy pequeño de estos portadores
seguirá la trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente
de base es por lo general del orden de microamperes en comparación con los miliamperes de las
corrientes del emisor y del colector. El mayor número de estos portadores mayoritarios se
difundirá a través de la unión polarizada inversamente dentro del material tipo P conectado a la
terminal del colector, como se indica en la figura 2.5. La causa de la relativa facilidad con la que
los portadores mayoritarios pueden cruzar la unión polarizada inversamente puede comprenderse
si consideramos que para el diodo polarizado en forma inversa, los portadores mayoritarios
inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo N. En otras palabras, ha
habido una inyección de portadores minoritarios al interior del material de la región base de tipo
n. Combinando esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios, en la región de
agotamiento cruzarán la unión polarizada inversamente, se explica el flujo que se indica en la
figura 2.5.
Figura 2.4 Unión polarizada inversamente de un transistor pnp.

Figura 2.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.
Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 2.5 como si fuera un solo
nodo, obtenemos
IE = IC + IB Ecuación 2.1
y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base,

Sin embargo, la corriente en el colector está formada por dos componentes: los portadores
mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura 2.5. La componente de corriente
minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la terminal
del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el colector se determina completamente
mediante la ecuación (2.2):
IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria Ecuación 2.2
En el caso de transistores de propósito general, IC se mide en miliamperes, en tanto que ICO se mide
en microamperes o nanoamperes. ICO es como la IS para un diodo polarizado inversamente, es
sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de
intervalos amplios de temperatura. Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es posible que
la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las mejoras en las
técnicas de construcción han producido niveles bastante menores de ICO, al grado de que su efecto
puede a menudo ignorarse.
2.2 Configuración de base común.
La notación y símbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de los textos y
manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura 2.6 para la configuración de
base común con transistores PNP y NPN. La terminología relativa a base común se desprende del
hecho de que la base es común a los lados de entrada y salida de la configuración. Además, la
base es usualmente la terminal más cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes
todas las direcciones de corriente se referirán a la convencional (flujo de huecos) en vez de la
correspondiente al flujo de electrones. Esta elección se fundamenta principalmente en el hecho de
que enorme cantidad de literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace
uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los símbolos electrónicos tienen
unadirección definida por esta convención. Recuérdese que la flecha en el símbolo del diodo
define la dirección de conducción para la corriente convencional. Para el transistor:
La flecha del símbolo gráfico define la dirección de la corriente de emisor (flujo convencional) a
través del dispositivo.
Figura 2.6 Notación y símbolos en la configuración de base común.
Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 2.6 son las direcciones reales, como
se definen con base en la elección del flujo convencional. Nótese en cada caso que:
También adviértase que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca
la corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir, compárese la dirección de IE con la
polaridad o VEE para cada configuración y la dirección de IC con la polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales como
los amplificadores de base común de la figura 2.6, se requiere de dos conjuntos de características,
uno para los parámetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto
de entrada para el amplificador de base común, como se muestra en la figura 2.7, relacionará una
corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida
(VCB)
Figura 2.7 Características del punto de excitación para un transistor amplificador de silicio
de base común.
El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB para
diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura 2.8. El conjunto de
características de salida o colector tiene tres regiones básicas de interés, como se indican en la
figura 2.8: Las regiones Activa, de Corte y de Saturación. La región activa es la región empleada
normalmente para amplificadores lineales (sin distorsión). En particular: En la región activa la
unión colector-base está inversamente polarizada, mientras que la unión base-emisor se
encuentra polarizada en forma directa.
La región activa se define por los arreglos de polarización de la figura 2.6. En el extremo más
bajo de la región activa la corriente de emisor (IE) es cero, la corriente de colector es simplemente
la debida a la corriente inversa de saturación ICO, como se indica en la figura 2.8. La corriente ICO
es tan pequeña (del orden de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical de IC
(del orden de los miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma línea horizontal que IC =
0.
Figura 2.8 Características de salida, del colector, para un amplificador de base común.
Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuración base común se
ilustran en la figura 2.9. La notación usada con más frecuencia para ICO, en hojas de datos y de
especificaciones es ICBO como se indica en la figura 2.9. A causa de las técnicas mejoradas de
construcción, el nivel de ICBO para transistores de propósito general (especialmente silicio) en los
intervalos de potencia bajo y medio es por lo general tan reducido que su efecto puede ignorarse.
Sin embargo, para unidades de mayor potencia ICBO aún aparecerá en el intervalo de los
microamperios. Además, recuérdese que ICBO para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es
sensible a la temperatura. A mayores temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor
importante ya que se incrementa muy rápidamente con la temperatura.
Figura 2.9 Corriente inversa de saturación.
Nótese, en la figura 2.8, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre cero, la corriente del
colector aumenta a una magnitud esencialmente igual a la corriente del emisor determinada por
las relaciones básicas del transistor-corriente. Adviértase también el casi desdeñable efecto de VCB
sobre la corriente del colector para la región activa. Las curvas indican claramente que una
primera aproximación a la relación entre IE e IC en la región activa dada:
IC ≈ IE Ecuación 2.4
Como se deduce de su nombre, la región de corte se define como aquella región donde la
corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la figura 2.8. En suma:
En la región de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un transistor están

inversamente polarizadas.2
La región de saturación se define como la región de las características a la izquierda de VCB = 0 V.

La escala horizontal en esta región se amplió para mostrar claramente el gran cambio en las
características de esta región. Nótese el incremento exponencial en la comente de colector a
medida que el voltaje VCB se incrementa más allá de los 0 V.
En la región de saturación las uniones colector-base y base-emisor están polarizadas

directamente.
Las características de entrada de la figura 2.7 muestran que para valores fijos de voltaje de
colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la corriente de emisor se
incrementa de una manera que se asemeja mucho a las características del diodo. De hecho, los
niveles de aumento de VCB tienen un efecto tan insignificante sobre las características que, como
una primera aproximación, la variación debida a los cambios en VCB puede ignorarse y se dibujan
las características como se ilustra en la figura 2.10.
Figura 2.10 Modelo del diodo Base-Emisor.
Si aplicamos entonces el método del modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se obtendrán
las características de la figura 2.10b. Adelantando un paso más e ignorando la pendiente de la
curva y por tanto la resistencia asociada con la unión directamente polarizada, se obtendrán las
características de la figura 2. l0c (modelo aproximado del diodo). Para los siguientes análisis en
estos apuntes, el modelo equivalente de la figura 2.l0c se empleará para todos los análisis de cd
para redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor está en el estado "encendido" o de
conducción, se supondrá que el voltaje de base a emisor será el siguiente:
VBE = 0.7 V Ecuación 2.5
Alfa (α )
En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores mayoritarios están relacionados
por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente ecuación:
α cd = IC / IE Ecuación 2.6
Donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operación. Aun cuando las características de
la figura 2.8 parecen sugerir que α = 1, para dispositivos prácticos el nivel de alfa se extiende
típicamente de 0.90 a 0.998, aproximándose la mayor parte al extremo superior del intervalo. Ya
que alfa se define únicamente por los portadores mayoritarios, la ecuación (2.5) se convierte en
IC = α IE + ICBO Ecuación 2.7
Para las características de la figura 2.8 cuando IE = 0 mA, IC es por tanto igual a ICBO, pero como se
mencionó con anterioridad el nivel de ICBO es por 1o general tan pequeño que es virtualmente
indetectable en la gráfica de la figura 2.8. En otras palabras, cuando IE = 0 mA en la figura 2.8, IC
aparece también con 0 mA para el intervalo de valores de VCB.
Para las situaciones de CA en donde el punto de operación se mueve sobre la curva de

características, un alfa de CA se define por
Ecuación 2.8
El alfa de CA se denomina formalmente el factor de amplificación de base común en corto

circuito, por razones que serán obvias cuando examinemos los circuitos equivalentes de transistor
en el capitulo 3. Por el momento, admitamos que la ecuación (2.7) especifica que un cambio
relativamente pequeño en la corriente de colector se divide por el cambio correspondiente en IE
manteniendo constante el voltaje colector a base. Para la mayoría de las situaciones las
magnitudes de α CA y de α CD se encuentran bastante cercanas, permitiendo usar la magnitud
de una por otra.
Polarización
La polarización adecuada de la base común puede determinarse rápidamente empleando la

aproximación IC ≈ IE y suponiendo por el momento que IB ≈ 0 µ A. El resultado es la
configuración de la figura 2.11 para el transistor PNP. La flecha del símbolo define la dirección
del flujo convencional para IC ≈ IE. Las alimentaciones de CD se insertan entonces con una
polaridad que sostendrá la dirección de la comente resultante. En el transistor NPN las polaridades
estarán invertidas.
Figura 2.11 Polarización en la región activa.
A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del símbolo del dispositivo
apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras del tipo de transistor con las letras apropiadas
de las frases "apuntando hacia adentro" o "apuntando hacia afuera".
ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
Ahora que se ha establecido la relación entre IC e IE, la acción básica de amplificación del
transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando la red de la figura 2.12. La
polarización de CD no aparece en la figura puesto que nuestro interés se limitará a la respuesta de
CA. Para la configuración de base común, la resistencia de entrada de CA determinada por las
características de la figura 2.7 es bastante pequeña y varía típicamente de 10 a 100 ohms. La
resistencia de salida determinada por las curvas de la figura 2.8 es bastante alta (cuanto más
horizontal esté la curva mayor será la resistencia) y varía normalmente de 50 Kohms a 1 Mohm,
La diferencia en resistencia se debe a la unión polarizada directamente en la entrada (base a
emisor) y la unión polarizada inversamente en la salida (base a colector). Usando un valor común
de 20 ohms para la resistencia de entrada, encontramos que
Ecuación 2.9
Si suponemos por el momento que α CA = 1,
IL = Ii = 10 mA Ecuación 2.10
VL = ILR
= (10 mA)(5 kohms) = 50 V
Figura 2.12 Circuito de amplificación de base común.
La amplificación de voltaje es
Ecuación 2.11
Los valores típicos de amplificación de voltaje para la configuración de base común varían de 50
a 300. La amplificación de corriente (IC/IE) siempre es menor que 1 para la configuración de base
común. Esta última característica debe ser evidente ya que IC = α IE y α siempre es menor que
1.
La acción básica de amplificación se produjo transfiriendo una corriente I de un circuito de baja

resistencia a uno de alta. La combinación de los dos términos en cursivas produce el nombre de
transistor, es decir,
transferencia + resistor —> transistor Ecuación 2.12
2.3 Configuración de emisor común.
La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la figura

2.13 para los transistores pnp y npn. Se denomina configuración de emisor común porque
el emisor es común tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es también
común a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos de
características para describir en forma completa el comportamiento de la configuración de emisor
común: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector.
Ambas se muestran en la figura 2.14.
Figura 2.13a Símbolo y notación del transistor NPN en configuración de Emisor
común.
Figura 2.13b Símbolo y notación del transistor PNP en configuración de Emisor

común.
Figura 2.14a Características del colector un transistor BJT de Silicio en la
configuración de emisor común.
Figura 2.14b Características de la base un transistor BJT de Silicio en la

configuración de emisor común.
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su dirección de comente convencional
real. Aun cuando la configuración del transistor ha cambiado, siguen siendo aplicables las
relaciones de comentes desarrolladas antes para la configuración de base común.
En la configuración de emisor común las características de la salida serán una gráfica de la

corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente de
entrada (IB). Las características de la entrada son una gráfica de la comente de entrada (IB) versus
el voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores del voltaje de salida (VCE).
Obsérvese que en las características de la figura 3.14a la magnitud de IB es del orden de

microamperes comparada con los miliamperes de IC. Nótese también que las curvas de IB no son
tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuración de base común, lo que
indica que el voltaje de colector a emisor afectará la magnitud de la corriente de colector.
La región activa en la configuración de emisor común es aquella parte del cuadrante superior
derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la región en la que las curvas correspondientes a IB
son casi líneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 3.14a esta región se
localiza a la derecha de la línea sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a
cero. La región a la izquierda de VCEsat se denomina región de saturación. En la región activa de
un amplificador emisor común la unión colector-base está polarizada inversamente, en tanto que
la unión base-emisor está polarizada directamente.
Se recordará que éstas fueron las mismas condiciones que existieron en la región activa de la
configuración de base común. La región activa de la configuración de emisor común puede
emplearse en la amplificación de voltaje, corriente o potencia.
La región de corte en la configuración de emisor común no está tan bien definida como en la
configuración de base común. Nótese, en las características de colector de la figura 3.14a que IC
no es igual a cero cuando IB = 0. En la configuración de base común, cuando la corriente de
entrada IE = 0, la corriente de colector fue sólo igual a la corriente de saturación inversa ICO, por lo
que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propósitos prácticos) uno.
La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse mediante la
manipulación adecuada de las ecuaciones (2.3) y (2.6). Es decir:
Ecuación (2.6): IC = α IE + ICBO Ecuación 2.13
La sustitución de la Ecuación (3.3): IC = α ( IC + IB) + ICBO Ecuación 2.14
Reordenando obtenemos:
Ecuación 2.15
Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos un valor típico de

α tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:
Ecuación 2.16
Si ICBO fuera de 1 µ A, la corriente de colector resultante con IB = 0 Amp sería de 250(1 µ A) =

0.25 mA, como se refleja en las características de la figura 2.14a.
Para referencia futura, a la corriente de colector definida por la condición IB = 0 µ A se le

asignará la notación indicada por la ecuación (2.0):
Ecuación 2.17
En la figura 3.15 las condiciones que envuelven a esta corriente definida nuevamente se muestran
con su dirección de referencia asignada.
Figura 2.15 Condiciones del circuito relativas a ICEO.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión) el corte para la configuración de
emisor común se determinará mediante IC = ICEO.
En otras palabras, la región por debajo de IB = 0 µ A deberá evitarse si se requiere una señal de
salida sin distorsión.
Cuando el transistor se emplea como interruptor en la circuitería lógica de una computadora, un

transistor tendrá dos puntos de operación de interés: uno en el corte y el otro en la región de
saturación. La condición de corte, en el caso ideal, sería IC = 0 mA para el voltaje VCE elegido.
Puesto que ICEO es por lo general de pequeña magnitud para los materiales de silicio, el corte
existirá para propósitos de conmutación cuando IB =0 µ A o IC = ICEO únicamente en el caso de
transistores de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el corte para propósitos de
conmutación se definirá como aquellas condiciones que existen cuando IC = ICBO. Esta condición
puede obtenerse normalmente en los transistores de germanio polarizando inversamente la unión
de base emisor, polarizada por lo regular en forma directa a unos cuantos décimos de volt.
Recuérdese para la configuración de base común que el conjunto de características de entrada se

aproximó por una línea recta equivalente que resultó en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de IE
mayor de 0 mA. Para la configuración de emisor común puede tomarse la misma aproximación..
Beta(b )
En el modo de cd los niveles de IC e IB se relacionan por una cantidad denominada beta y definida
por la siguiente ecuación:
β CD = IC / IB Ecuación 2.18
El nombre formal para la β CA es factor de amplificación de corriente directa de emisor común.

Puesto que la corriente de colector es por lo general la corriente de salida para una configuración
de emisor común y la corriente de base es la corriente de entrada, el término amplificación se
incluye en la nomenclatura anterior.
Aunque no son exactamente iguales, los niveles de β CA, y de β CD están por lo general
razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma intercambiable.
Se puede desarrollar una relación entre β y α empleando las relaciones básicas presentadas con
anterioridad. Utilizando β = IC /IB obtenemos IB = IC / β , y de α = IC/IE tenemos que IE = IC / α
Sustituyendo en:
IC/α = IC + (IC /β ) Ecuación 2.20
y dividiendo ambos lados de la ecuación por IC resultará en
IC / α = 1 + (1 / β ) Ecuación 2.21
de modo que
Ecuación 2.22
encontramos que
ICEO = (β + 1) ICBO Ecuación 2.23
ICEO ≈ β ICBO Ecuación 2.24
como se indica en la figura 2.14a. La beta es un parámetro particularmente importante porque

proporciona un enlace directo entre niveles de corriente de los circuí Los de entrada y salida para
una configuración de emisor común. Es decir,
IC ≈ β IB Ecuación 2.25
Y puesto que
IE = β IB + IB Ecuación 2.27
IC = (β + 1) IB Ecuación 2.28
2.4 Configuración de colector común.
La tercera y última configuración de transistores la de colector común, mostrada en la figura 2.16

con las direcciones apropiadas de corriente y la notación de voltaje. La configuración de colector
común se emplea fundamentalmente para propósitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene
una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las
configuraciones de base común y de emisor común.
Figura 2.16a Notación y símbolos en la configuración de colector común para el transistor

PNP.
Figura 2.16b Notación y símbolos en la configuración de colector común para el transistor
NPN.
La configuración del circuito de colector común se muestra en la figura 2.17 con la resistencia de
carga del emisor a tierra. Nótese que el colector está conectado a tierra aun cuando el transistor
está conectado de manera similar a la configuración de emisor común. Desde el punto de vista de
diseño, no es necesario elegir para un conjunto de características de colector común, los
parámetros del circuito de la figura 2.17. Pueden diseñarse empleando las características de
emisor común de la sección 2.3. Para todos los propósitos prácticos, las características de salida
de la configuración de colector común son las mismas que las de la configuración de emisor
común. En la configuración de colector común las características de salida son una gráfica de IE
versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de entrada es la misma tanto
para las características de emisor común como para las de colector común. El eje de voltaje para
la configuración de colector común se obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje de
colector a emisor de las características de emisor común. Por último, hay un cambio casi
imperceptible en la escala vertical de IC de las características de emisor común si IE se reemplaza
por IE en las características de colector común (puesto que α = 1). En el circuito de entrada de la
configuración de colector común, las características de la base de emisor común son suficientes
para obtener la información que se requiera.
Figura 2.17 Configuración de colector común empleada para propósitos de acoplamiento de

impedancia
2.5 Límites de operación del transistor.
Para cada transistor existe una región de operación sobre las características, la cual asegurará que
los valores nominales máximos no sean excedidos y en donde la señal de salida exhibe una
distorsión mínima. Una región de este tipo, se ha definido para las características de transistor de
la figura 2.18. Todos los límites de operación se definen sobre una típica hoja de especificaciones
de transistor descrita en la sección 2.6.
Algunos de los límites se explican por sí mismos, como la corriente máxima de colector
(denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones, como corriente continua de colector)
y el voltaje máximo de colector a emisor (abreviada a menudo como vCeo.) Para el transistor de
la figura 2.18, ICmáx se especificó como de 50 mA y VCEO como de 20 V. La línea vertical de las
características definida como VCEsat especifica la mínimaVCE que puede aplicarse sin caer en la
región no lineal denominada región de saturación.
Figura 2.18 Definición de la región lineal de operación (sin distorsión) de un transistor:

Región Activa.
El nivel de VCEsat está regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada para este transistor. El
máximo nivel de disipación se define por la siguiente ecuación:
PCmáx = VCEIC Ecuación 2.29
Para el dispositivo de la figura 2.18, la disipación de potencia de colector se especificó como de

300 mW. Surge entonces la cuestión de cómo graficar la curva de disipación de potencia de
colector especificada por el hecho de que
PCmáx = VCEIC = 300 mW Ecuación 2.30
En cualquier punto sobre las características el producto de VCE e IC debe ser igual a 300 mW. Si
elegimos para IC el valor máximo de 50 mA y lo sustituimos en la relación anterior, obtenemos
VCEIC = 300 mW Ecuación 2.31
VCE(50 mA) = 300 mW Ecuación 2.32
VCE = 6 V Ecuación 2.33
Como un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V sobre la curva de

disipación de potencia, como se indica en la figura 3.22. Si ahora elegimos para VCE su valor
máximo de 20 V, el nivel de IC es el siguiente:
(20 V)IC = 300 mW Ecuación 2.34

IC = 15 mA Ecuación 2.35
definiendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora escogemos un nivel de IC a

la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante de VCE obtenemos
VCE(25 mA) = 300 mW Ecuación 2.36
VCE = 12 V Ecuación 2.37
Como también se indica en la figura 3.22. Una estimación aproximada de la curva real puede
dibujarse por lo general empleando los tres puntos definidos con anterioridad. Por supuesto, entre
más puntos tenga, más precisa será la curva, pero una aproximación es generalmente todo lo que
se requiere. La región de corte se define como la región bajo IC = ICEO. Esta región tiene que
evitarse también si la señal de salida debe tener una distorsión mínima. En algunas hojas de
especificaciones se proporciona solamente ICBO. Entonces uno debe utilizar la ecuación ICEO =
β ICBO para establecer alguna idea del nivel de corte si la curva de características no está
disponible. La operación en la región resultante de la figura 3.22 asegurará una mínima distorsión
de la señal de salida y niveles de voltaje y corriente que no dañarán al dispositivo. Si las curvas de
características no están disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como ocurre con
frecuencia), uno simplemente debe estar seguro que IC, VCE y su producto caigan dentro del
intervalo que aparece en la siguiente ecuación:
ICEO ≤ IC ≤ ICmáx Ecuación 2.38
VCEsat ≤ VCE ≤ VCEmáx Ecuación 2.39
VCEIC ≤ PCmáx Ecuación 2.40
Para las características de base común la curva de potencia máxima se define por el siguiente
producto de cantidades de salida:
PCmáx = VCBIC Ecuación 2.41
2.6 Hoja de especificaciones del transistor.
Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y el

usuario, es de particular importancia que la información proporcionada sea reconocida y
correctamente comprendida. Aunque no se han presentado todos los parámetros, un amplio
número será ahora familiar. Los parámetros restantes se introducirán en los capítulos siguientes.
Se hará referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual se presenta el
parámetro.
La información proporcionada en las figuras 2.19a, b, c y d se ha tomado directamente de la

publicación Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El BC547
es un transistor NPN de propósito general con el encapsulado plástico TO-92 y la identificación
de terminales que aparecen en el extremo superior derecho de la figura 2.19a. La mayoría de las
hojas de especificaciones se dividen en:
a) Valores nominales máximos,
b) Características térmicas v
c) Características eléctricas.
Las características eléctricas se subdividen además en características en estado "encendido", en

estado "apagado" y de pequeña señal. Las características en estado activo y pasivo se refieren a
los limites de cd, mientras que las características de pequeña señal incluyen los parámetros de
importancia para la operación de ca.
Nótese en la lista de valores nominales máximos que VCEmáx = VCEO = 45 V con ICmáx = 200 mA. La
máxima disipación de colector = 625 mW. El factor de degradación bajo los valores nominales
máximos especifica que el valor nominal máximo debe descender 12 mW por cada grado de
incremento en la temperatura sobre los 25°C. En las características durante el estado "apagado"
ICBO (ICES) se especifica como de 15 nA y durante el estado "encendido" VCEsat = 0.25 V. El nivel
de hFE tiene un intervalo de 125 hasta 900 a una IC = 2 mA, VCE =2 V y una frecuencia de 1KHz.
Los limites de operación se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a continuación
empleando hFE = 150 (el límite superior). En realidad, para muchas aplicaciones, los 7.5 µ A =
0.0075 mA se pueden considerar como 0 mA sobre una base aproximada.
Límites de Operación
15 nA ≤ IC ≤ 200 mA
0.25 V ≤ VCE ≤ 45 V
VCEIC ≤ 625 mW
En las características de pequeña señal el nivel de hFE (β CA) se proporciona junto con una
gráfica de cómo varía con la corriente de colector en la figura 2.19c (Figura 1). En la figura 2.19c
se muestra el comportamiento del producto ganancia ancho de banda y se observa que este
producto No es constante y que cuando IC está alrededor de los 12 mA el producto GainBW tiene
un pico máximo de 230.
Figura 2.19a Hoja de especificaciones del transistor: Valores Máximos, Características
térmicas y características eléctricas de apagado.
Figura 2.19b Hoja de especificaciones del transistor: características eléctricas de encendido
y características de pequeña señal.
Figura 2.19c Hoja de especificaciones del transistor: diversas curvas.
Figura 2.19d Hoja de especificaciones del transistor: diversas curvas.
Figura 2.19e Hoja de especificaciones del transistor: dimensiones del empaque y de los
pines.
Capítulo 3
Polarización de CD del BJT

3.1 Punto de operación o punto Quiescente.
El análisis o diseño de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de la respuesta del
sistema, tanto de cd como de ca. Con demasiada frecuencia se supone que el transistor es un
dispositivo mágico que puede alcanzar el nivel de la entrada aplicada de ca sin la asistencia de una
fuente de energía externa. En realidad, el nivel mejorado de potencia de salida de ca es resultado
de una transferencia de energía de las fuentes aplicadas de cd. Por lo tanto, el análisis o diseño de
cualquier amplificador electrónico tiene dos componentes: la parte de cd y la correspondiente de
ca. Afortunadamente, el teorema de superposición es aplicable y la investigación de las
condiciones de cd puede separarse por completo de la respuesta de ca. Sin embargo, hay que tener
presente que durante el diseño o etapa de síntesis, la selección de los parámetros para los niveles
de cd requeridos afectarán la respuesta de ca, y viceversa.
El nivel de cd de operación de un transistor se controla por varios factores, incluyendo el rango de

posibles puntos de operación sobre las características del dispositivo. Una vez que se han definido
los niveles deseados de corriente y voltaje de cd, debe construirse una red que establecerá el punto
de operación deseado (algunas de estas redes se analizan en este capítulo). Cada diseño también
determinará la estabilidad del sistema, es decir, qué tan sensible es el sistema a las variaciones de
temperatura (otro tema que se investiga en una sección posterior de este capítulo). Aunque se
analizan diversas redes en este capítulo, existe una similitud fundamental en e) análisis de cada
configuración, debida al uso recurrente de las siguientes relaciones básicas importantes para un
transistor:
VBE = 0.7 V Ecuación 3.1
IE = (β + 1) IB = IC Ecuación 3.2
IC = β IB Ecuación 3.3
De hecho, una vez que el análisis de las redes iniciales se comprenda con claridad, la ruta por
seguir hacia la solución de las redes comenzara a ser más evidente. En la mayoría de los casos la
corriente de base IB es la primera cantidad que se determina. Una vez que IB se conoce, las
relaciones de las ecuaciones anteriores pueden aplicarse para encontrar las restantes cantidad de
interés. Las similitudes en el análisis serán inmediatamente obvias a medida que avancemos en
este capítulo. Las ecuaciones para IB son tan similares para diversas configuraciones que una
ecuación puede derivarse de otra sencillamente quitando o agregando un término o dos. La
función primordial de este capitulo es desarrollar cierto nivel de familiaridad con el transistor
BJT, el cual permitiría un análisis de cd de cualquier sistema que deba emplear el amplificador
BJT.
PUNTO DE OPERACIÓN
El término polarización que aparece en el titulo de este capítulo es un vocablo que incluye todo lo
referente a la aplicación de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para
amplificadores de transistor, el voltaje y la comente de cd resultantes establecen un punto de
operación sobre las características, el cual define la región que se empleará para la amplificación
de la señal aplicada. Ya que el punto de operación es un punto fijo sobre las características, se le
conoce también como punto quiesciente (abreviado punto Q). Por definición, quiesciente
significa quieto, inmóvil, inactivo. La figura 3.1 muestra una característica general de salida de un
dispositivo con cuatro puntos de operación indicados. El circuito de polarización puede diseñarse
para establecer la operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la
región activa. Los valores nominales máximos se indican sobre las características de la figura 3.1,
por una linea horizontal para la corriente de colector máxima ICmáx y por una línea vertical para el
voltaje de colector-emisor máximo VCmáx. La máxima potencia de operación máxima se define por
la curva PCmáx en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se localizan la región de
corte, definida por IB ≈ 0 µ A, yla región de saturación, definida por VCE ≈ VCEsat.
Figura 3.1 Ejemplo de diversos puntos de operación dentro de los límites de operación de un
transistor.
El dispositivo BJT podría polarizarse para operar fuera de estos puntos limite máximos, pero el
resultado de tal operación causaría ya sea el acortamiento de la vida de servicio del dispositivo, o
bien su destrucción. Concentrándonos en la región activa es posible elegir muchas áreas o puntos
de operación diferentes. El punto Q depende a menudo del uso que se dará al circuito. No
obstante, es posible considerar algunas diferencias entre la operación en puntos diferentes de la
figura 3.1 para presentar algunas ideas básicas en tomo al punto de operación y, por ello, al
circuito de polarización.
Si no se utilizara la polarización, el dispositivo estaría al principio totalmente cortado

(desactivado), lo cual produciría el punto Q denominado A, esto es, corriente cero a través del
dispositivo (y voltaje cero a través del mismo). Es necesario polarizar el dispositivo de modo que
pueda responder o cambiar sus valores de corriente y voltaje en todo el intervalo de una señal de
entrada. En tanto que el punto A no resultara apropiado, el punto B proporciona esta operación
deseada. Si se aplica una señal al circuito, además del nivel de polarización, el dispositivo variará
sus valores de corriente y voltaje a partir del punto de operación B, lo que permite que el
dispositivo reaccione (y posiblemente amplifique) tanto la parte positiva como la parte negativa
de la señal de entrada. Si, como podría suceder, la señal de entrada es pequeña, el voltaje y la
corriente del dispositivo variarán, pero no lo suficiente para llevarlo al nivel de corte o
saturación. El punto C permitiría cierta variación positiva y negativa de la señal de salida, pero el
valor pico a pico sería limitado por la proximidad de VCE =0V/IC = 0 mA. La operación en el
punto C también tiene algo que ver con las no linealidades introducidas por el hecho de que el
espacio entre las curvas IB cambia rápidamente, en esta región. En general, es preferible operar
donde la ganancia del dispositivo es más constante (o lineal), de tal modo que la cantidad de
amplificación en toda la excursión de la señal de entrada es la misma. El punto B es una región de
espaciamiento más lineal y, por consiguiente, su operación tiene un mayor grado de linealidad,
como se indica en la figura 3.1. El punto D fija el punto de operación del dispositivo cerca del
valor de voltaje y potencia máximo. La excursión del voltaje de salida en la dirección positiva está
de este modo limitada si no se excede el voltaje máximo. En consecuencia, el punto B aparece
como el mejor punto de operación en términos de la ganancia lineal o de la excursión de voltaje y
corriente más grande posible. Esta es casi siempre la condición que se desea en los amplificadores
de pequeña señal, pero no necesariamente para los amplificadores de potencia. En este análisis,
nos concentramos fundamentalmente en la polarización del dispositivo para la operación de
amplificación de señales pequeñas.
Debe considerarse otro factor de la polarización muy importante. Habiendo seleccionado y

polarizado un BJT en un punto de operación deseado, también debe tomarse en cuenta el efecto de
la temperatura. La temperatura provoca cambios en las características del dispositivo, tales como
la ganancia de corriente (β CA) y la corriente de fuga del transistor (ICEO). Las altas temperaturas
conducen a un incremento de corrientes de fuga en el dispositivo, por lo que cambian la condición
de operación establecida por la polarización de la red. El resultado es que el diseño de la red
también debe proporcionar un grado de estabilidad de temperatura de modo que los cambios de
temperatura resulten en cambios mínimos en el punto de operación. Este mantenimiento del punto
de operación puede especificarse por un factor de estabilidad, S, el cual indica la magnitud del
cambio en el punto de operación debido a una variación de temperatura. Es deseable un circuito
altamente estable y se comparará la estabilidad de algunos circuitos de polarización básicos. Para
el BJT que se polarizará en su región de operación lineal o activa debe cumplirse:
1. La unión de Base a Emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de

la región P más positivo) con un voltaje resultante de polarización directa
entre la base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V.
2. La unión de Base a Colector debe estar polarizada inversamente (región N

más positiva), estando el voltaje de polarización inversa en cualquier valor
dentro de los límites máximos del dispositivo.
[Nótese que en la polarización directa el voltaje en la unión P-N es P-positivo, en tanto que en la
polarización inversa es opuesto (inverso) con N-positiva. El énfasis que se hace sobre la letra
inicial debe brindar un medio que ayude a memorizar la polaridad de voltaje necesaria.]
La operación en las regiones de corte, de saturación y lineal de la características del BJT se

obtienen de acuerdo con lo siguiente:
1.- Operación en la región lineal: Unión Base-Emisor con polarización directa, Unión Base-
Colector con polarización inversa.
2.- Operación en la región de corte: Unión Base-Emisor con polarización inversa
3.- Operación en la región de saturación: Unión Base-Emisor con polarización directa, Unión
Base-Colector con polarización directa
3.2 Circuito de polarización fija.
El circuito de polarización fija de la figura 3.2 proporciona una introducción relativamente directa
y simple al análisis de polarización de cd de un transistor. Aún cuando la red emplea un transistor
NPN, las ecuaciones y cálculos se aplican en forma correcta por igual a una configuración PNP
con sólo cambiar todas las direcciones de corriente y polaridades de voltaje. Las direcciones de
corriente de la figura 3.2 son las direcciones de corriente reales, y los voltajes se definen por la
notación estándar de subíndice doble. Para el análisis de CD la red puede aislarse de los niveles de
CA indicados, remplazando los capacitores por un circuito abierto equivalente. Además, la fuente
de CD VCC puede dividirse en un par de fuentes (para propósitos del análisis solamente), como
se ilustra en la figura 3.3, para permitir una separación de los circuitos de entrada y de salida. Esto
reduce también la conexión entre las dos, con la corriente de base IB. La separación es ciertamente
válida, como observamos en la figura 3.3, ya que VCC se conecta directamente a RB y RC del
mismo modo, como en la figura 3.2.
Figura 3.2 Circuito de polarización fija.
Figura 3.3 Equivalente de cd de la figura 4.2
POLARIZACIÓN DIRECTA DE BASE-EMISOR
Considérese primero la malla circuito base-emisor que se muestra en el diagrama de circuito

parcial de la figura 3.4. Escribiendo la ecuación de voltajes de Kírchhoff para la malla obtenemos:
VCC -IBRB - VBE = 0 Ecuación 3.4
Nótese la polaridad de la caída de voltaje a través de RB, como se establece por la dirección
indicada de IB. Resolviendo la ecuación para la corriente IB se tendrá el siguiente resultado:
IB = (VCC - VBE) / RB Ecuación 3.5
En realidad, la ecuación (3.5) no es difícil de recordar si se considera simplemente que la

corriente de base es la corriente a través de RB y, por la ley de Ohm, esa corriente es el voltaje a
través de RB dividido entre la resistencia RB. El voltaje a través de RB es el voltaje aplicado VCC en
uno de los extremos menos la caída a través de la unión base-emisor: VBE.
Figura 3.4 Malla de base-emisor
Ademas, puesto que la fuente de voltaje VCC y el voltaje de base a emisor VBE son constantes, la
selección de un resistor de base, RB, establece el nivel de la corriente de base para el punto de
operación.
Malla de colector-emisor
La sección de colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la dirección indicada de la

corriente IC y la polaridad resultante a través de RC. La magnitud de la corriente de colector se
relaciona directamente con IB por medio de
Es interesante notar que, en vista de que la corriente de base se controla por el nivel de RB e IC se
relaciona con IB por una constante β la magnitud de IC no es una función de la resistencia RC. El
cambio de RC a cualquier nivel no afectará el nivel de IB o IC en tanto que permanezcamos en la
región activa del dispositivo. Sin embargo, como veremos posteriormente, el nivel de RC
determinará la magnitud de VBCE, el cual es un parámetro importante.
Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj a lo largo de
la malla indicada en la figura 3.5, se obtendrá el resultado siguiente:
VC + ICRC - VCC = 0 Ecuación 3.7
VCE = VCC - ICRC Ecuación 3.8
el que establece en palabras que el voltaje a través de la región de colector-emisor de un transistor

en la configuración de polarización fija es la fuente de voltaje menos la caída a través de RC.
Como un breve repaso de la notación de subíndice y doble subíndice, recuérdese que:
VCE = VC - VE Ecuación 3.9
donde VCE es el voltaje de colector a emisor y VC y VE son los voltajes de colector y emisor a
tierra, respectivamente. Pero en este caso, ya que VE = 0 V, tenemos:
VCE = VC Ecuación 3.10
Además, puesto que
VBE = VB - VE Ecuación 3.11
y VE = 0 V, entonces
VBE = VB Ecuación 3.12

Téngase en cuenta que los niveles de voltaje como el de VCE se determinan situando la punta roja
(positiva) del voltímetro en la terminal de colector con punta negra (negativa) en la terminal del
emisor, como se ilustra en la figura 3.6. VC es el voltaje del colector a tierra y se mide como se
muestra en la misma figura. En este caso, las dos lecturas son idénticas, pero en las redes que se
verán más adelante, ambas pueden llegar a ser bastante diferentes. Comprender con claridad la
diferencia entre las dos mediciones probará ser de suma importancia en la detección de fallas de
las redes de transistores.
Figura 3.5 Malla de colector-emisor
Figura 3.6 Medición de VCE y VC.
Saturación del transistor
El termino saturación se aplica a cualquier sistema, donde los niveles han alcanzado sus valores
máximos. Una esponja saturada es aquella que no puede contener una gota más de líquido. Para
un transistor que opera en la región de saturación, la corriente es un valor máximo para el diseño
particular. Modifíquese el diseño y el correspondiente nivel de saturación podrá elevarse o
decaer. Por supuesto, el mayor nivel de saturación se define por la máxima corriente de colector,
tal como se proporciona en la hoja de especificaciones.
Las condiciones de saturación se evitan por lo general debido a que la unión de base a colector ya
no está inversamente polarizada y la señal amplificada de salida estará distorsionada. Un punto de
operación en la región de saturación se representa en la figura 3.7a. Nótese que se encuentra en
una región donde se unen las "curvas de características y el voltaje de colector a emisor se halla
en o sobre VCEsat. Además, la corriente de colector es relativamente alta sobre las características.
Figura 3.7 Región de saturación (a) real (b) aproximada
Si juntarnos las curvas de la figura 3.7a con las que aparecen en la figura 3.7b, se llegará a un
método rápido y directo para determinar el nivel de saturacion. En la figura 3.7b la corriente es
relativamente alta y se supone que el voltaje VCE es de cero voltios. Al aplicar la ley de Ohm, la
resistencia entre las terminales de colector y emisor se puede determinar como sigue:
RCE = VCE / IC = 0 V / ICsat = 0 Ohms Ecuación 3.13
Aplicando los resultados al esquema de la red resultaría la configuración de la figura 3.8.
Figura 3.8 Determinación de ICsat.
Por consiguiente, en el futuro, si hubiera necesidad inmediata de conocer la corriente máxima de

colector aproximada (nivel de saturación) para un diseño en particular, simplemente inserte un
corto circuito equivalente entre el colector y el emisor del transistor y calcule la corriente de
colector resultante. En resumidas cuentas, haga VCE = 0V. Para la configuración de polarización
fija de la figura 3.9, se utilizó el corto circuito, ocasionando que el voltaje a través de RC sea el
voltaje aplicado VCC. La corriente de saturación resultante para la configuración de polarización
fija es:
ICsat = VCC / RC Ecuación 3.14
Figura 3.9 Determinación de ICsat, para la configuración de polarización fija.

Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la máxima corriente de colector posible para el
diseño elegido y del nivel bajo el cual permanecer si esperamos una amplificación lineal.
Análisis por recta de carga
Hasta aquí, el análisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de β correspondiente con el

punto Q resultante. Ahora investigaremos cómo los parámetros de la red definen el posible rango
de puntos Q y cómo se determina el punto Q real. La red de la figura 3.10a establece una
ecuación. para la salida que relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:
VCE = VCC - ICRC Ecuación 3.15
Las características de salida del transistor también relacionan las mismas dos variables I C y VCE,
como se ilustra en la figura 3.10b. Por lo tanto, tenemos, en esencia, una ecuación de red y un
conjunto de características que utilizan las mismas variables. La solución común de las dos ocurre
donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen simultáneamente. En otras
palabras, esto es similar a encontrar la solución de dos ecuaciones simultáneas: una establecida
por la red y otra por las características del dispositivo.
Figura 3.10 Análisis de recta de carga: (a) La red de la recta de carga (b) Las
características del dispositivo.
Las características del dispositivo de IC contra VCE se proporcionan en la fígura 3.10b. Ahora
debemos sobreponer la línea recta definida por la ecuación 3.15 sobre las características. El
método más directo para trazar la ecuación (3.15) sobre las características de salida es empleando
el hecho de que una recta está definida por dos puntos. Si elegimos I C con un valor de 0 mA,
estaremos especificando el eje horizontal como la línea sobre la cual se localizará un punto. Al
sustituir IC = 0 mA en la ecuación (3.15), encontraremos que:
VCE = VCC para IC = 0 mA Ecuación 3.16
definiendo un punto para la línea recta, como se ilustra en la figura 3.11

Figura 3.11 Recta de carga de polarización fija.
Si ahora escogemos el valor de 0 V para VCE, con el que se establece el eje vertical como la línea
sobre la cual se definirá el segundo punto, encontraremos que IC se determina por la siguiente
ecuación: como aparece en la figura 3.12. La línea resultante sobre la gráfica de la figura 3.11 se
denomina recta de carga, puesto que está definida por el resistor de carga RC. Al resolver para el
nivel resultante de IB, el punto Q real se puede establecer como se ilustra en la figura 3.11, Si el
nivel de IB se modifica al variar el valor de RB, el punto Q se mueve hacia arriba o hacia abajo de
la recta de carga, como se muestra en la figura 3.12. Si VCC se mantiene fijo y RC cambia, la recta
de carga subirá como se representa en la figura 3.13. Si IB es la que se mantiene constante, el
punto Q se trasladará como se ilustra en la misma figura. Si RC se fija y VCC varía, la recta de
carga se desplazará como se muestra en la figura 314.
Figura 3.12 Movimiento del punto Q con respecto al incremento en los niveles de IE
Figura 3.13 Efectos del incremento en los niveles de RC sobre la recta de carga y el punto Q.
Figura 3.14 Efecto de la disminución en los valores de VCC sobre la recta de carga y el punto
Q.
3.3 Circuito de polarización estabilizada de emisor.
La red de polarización de CD de la figura 3.15 contiene un resistor en el emisor para mejorar el

nivel de estabilidad sobre el de la configuración de polarización fija. La estabilidad mejorada se
demostrará más adelante en esta sección mediante un ejemplo numérico. El análisis se realizará
examinando, en primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigará
la malla de colector a emisor.
Figura 3.15 Circuito de polarización BJT con resistor de emisor.
Malla de base-emisor
La malla de base a emisor de la red de la figura 3.15 se puede volver a dibujar, como se ilustra en
la figura 3.16. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en dirección
de las manecillas del reloj, obtendremos como resultado la siguiente ecuación:
VCC - IBRB - VBE - IERE = 0 Ecuación 3.17
Recordando del capítulo 2 que
IE = (β + 1)IB Ecuación 3.18
Sustituyendo a IE en la ecuación (3.17) da por resultado
VCC - IBRB - VBE - (β + 1)IBRE = 0 Ecuación 3.19
Agrupando términos, nos da lo siguiente:
-IB (RB + (β + 1)RE) + VCC - VBE = 0 Ecuación 3.20
Multiplicando todo por (-1), obtenemos
IB [RB + (β + 1)RE] - VCC + VBE = 0 Ecuación 3.21
y resolviendo IB llegamos a
IB = (VCC-VBE) / [RB+(β + 1)RE)] Ecuación 3.22
Nótese que la única diferencia entre esta ecuación para IB y la obtenida para la con figuración de
polarización fija es el término (β + 1) RE.
Hay un resultado interesante que puede derivarse de la ecuación (3.22) si la ecuación se utiliza
para trazar una red en serie que resultaría en la misma ecuación. Tal es el caso para la red de la
Figura 3.17.
Resolviendo para la corriente IB resultará la misma ecuación obtenida anteriormente. Adviértase

que al lado del voltaje de base a emisor VBE el resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de
base por un factor (β + 1). En otras palabras, el resistor de emisor, el cual es parte de la malla de
colector-emisor, "parece como" (β + 1 )RE en la malla de base-emisor. Puesto que β es por lo
general 50 o más, el resistor de emisor parece ser mucho más grande en el circuito de base; tanto,
para la configuración de la figura 3.18:
Ri = (β + 1) RE Ecuación 3.23
Figura 3.16 Malla de base-emisor
Figura 3.17
Figura 3.18 Impedancia de RE reflejada a la entrada del circuito (en la base): Ri.
La ecuación (3.23) probará su utilidad en los análisis que siguen. De hecho, proporciona una
manera bastante fácil de recordar la ecuación (3.22). Empleando la ley de Ohm, sabemos que la
corriente a través de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. Para el
circuito de Base-Emisor, el voltaje neto es VCC - VCC. Los niveles de resistencia son RB más RE
reflejado por (β + 1). El resultado es la ecuación (3.22)
Malla de colector-emisor
La malla de colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 3.19. Aplicando la ley de voltajes de

Kirchhoff para la malla indicada en dirección de las manecillas del reloj, resultará que:
IERE + VCE +ICRC - VCC = 0 Ecuación 3.24
Sustituyendo IE = IC y agrupando términos, se obtiene
VCE - VCC + IC(RC + RE) = 0 Ecuación 3.25
VCE = VCC - IC(RC + RE) Ecuación 3.26
El voltaje con subíndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se determina por
VE = IERE Ecuación 3.27
mientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir de
VCE = VC - VE Ecuación 3.28
VC = VCC - ICRC Ecuación 3.29
E1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de
VB = VCC - IBRB Ecuación 3.30
VB = VBE + VE Ecuación 3.31
Estabilidad de polarización mejorada
La adición de la resistencia de emisor a la polarización de cd del BJT proporciona una mejor

estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de polarización de cd se mantienen más cerca de los
puntos donde fueron fijados por el circuito aun cuando cambien las condiciones externas como el
voltaje de alimentación, la temperatura e incluso la beta del transistor. Aunque el análisis
matemático se brinda en la sección 4.12 del libro de texo, puede obtenerse cierta comparación del
mejoramiento como lo muestra el siguiente ejemplo.
Ejemplo 3.1
Elabore una tabla en la que se comparen el voltaje y las corrientes de polarización de las figuras
3.19 y 3.20 para el valor de β = 50 y para un nuevo valor de β = 100. Compare los cambios en
IC. para el mismo incremento en β .
Figura 3.19 Circuito de polarización fija para el ejemplo 3.1
Figura 3.20 Circuito de polarización estabilizada en emisor para el ejemplo 3.1
Solución
Empleando los resultados obtenidos en el ejemplo 4.1 (del libro de texto, resuelto en clase) y
repitiendo después para un valor de β = 100, se produce lo siguiente:
β IB (µ A) IC (mA) VCE (V)

50 47.08 2.35 6.83
100 47.08 4.71 1.64
Tabla 3.1
Se observa que la corriente de colector del BJT cambia en un 100% debido a un cambio de 100%
en el valor de β . IB es igual y VCE se decrementa en un 76%.
β IB (µ A) IC (mA) VCE (V)

50 40.1 2.01 13.97
100 36.3 3.63 9.11
Tabla 3.2
Utilizando los resultados que se calcularon en el ejemplo 4.4 (del libro de texto, resuelto en clase)
y repitiendo después para el valor de β = 100, obtenemos lo siguiente: La corriente de colector
del BJT aumenta a cerca del 81% debido al cambio del 100% en β . Nótese que el decremento de
IB ayuda a mantener el valor de IC, o al menos a reducir el cambio total en IC. debido al cambio en
β .
Nivel de saturación
El nivel de saturación del colector o la comente del colector máxima para un diseño polarizado de
emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque empleado en la configuración de
polarización fija: aplicar un corte circuito entre las terminales colector-emisor, como se ilustra en
la figura 4.23, y calcular la corriente del colector resultante. Para la figura 3.21:
ICsat = VCC / (RC +RE) Ecuación 3.32
La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del emisor debajo del nivel que se
obtiene con una configuración de polarización fija por medio del mismo resistor del colector.
Figura 3.21 Determinación de ICsat para el circuito de polarización de emisor.
3.4 Polarización con divisor de voltaje.
En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarización ICQ y del voltaje VCEQ
eran una función de la ganancia de corriente (β ) del transistor. Sin embargo, ya que β es
sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta
normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar un circuito de polarización menos
dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La configuración de polarización
con divisor de voltaje de la figura 3.22 es una red de ese tipo. Si se analiza sobre una base exacta,
la sensibilidad a los cambios en beta es bastante pequeña. Si los parámetros del circuito se
escogen apropiadamente, los niveles resultantes de ICQ y VCEQ pueden ser casi totalmente
independientes de beta. Recuerde, de las discusiones anteriores, que un punto Q se define por un
nivel fijo de ICQ y VCEQ, como se ilustra en la figura 3.23. El nivel de I BQ se modificará con el
cambio en beta, pero el punto de operación sobre las características, definido por I CQ y VCEQ puede
permanecer fijo si se utilizan los parámetros apropiados del circuito.
Como se observó anteriormente, existen dos métodos que se pueden aplicar al análisis de la
configuración con divisor de voltaje. La razón para la elección de los nombres para esta
configuración se hará evidente en cuanto avancemos en los análisis siguientes. El primero que se
demostrará es el método exacto que puede aplicarse a cualquier configuración con divisor de
voltaje. El segundo se denominará como método aproximado, y puede aplicarse sólo si se
satisfacen ciertas condiciones especificas. El enfoque aproximado permite un análisis más directo
con un ahorro en tiempo y energía. Es también particularmente útil en el modo de diseño que se
describirá en una sección posterior. Sobre todo, el enfoque aproximado puede aplicarse a la
mayoría de las situaciones; por ello, debe examinarse con el mismo interés que el método exacto.
Figura 3.22 Configuración de polarización con divisor de voltaje.
Figura 3.23 Definición del punto Q para la configuración de polarización con divisor de
voltaje.
Análisis exacto
La parte de entrada de la red de la figura 3.22 puede volverse a dibujar, como se muestra en la
figura 3.24, para el análisis de CD. La red de Thévenin equivalente para la red a la izquierda de la
terminal de base puede hallarse entonces de la siguiente manera:
RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente, como se ilustra en la
figura 3.25:
RTh = R1R2 Ecuación 3.33
ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thévenin del circuito abierto de la
figura 3.26 se determina Aplicando la regla del divisor de voltaje:
ETh = VR2 = (R2VCC)/ (R1 + R2) Ecuación 3.34
La red de Thévenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura 3.27,e IBQ se puede
determinar al aplicar en primer lugar la ley de voltaje de Kirchhoff en dirección de las manecillas
del reloj para la malla indicada:
ETh - IBRTh - VBE -IERE = 0 Ecuación 3.35
Sustituyendo IE = (β + 1)IB y resolviendo IB, llegamos a:
IB = [ETh-VBE]/[RTh+(β + 1)RE] Ecuación 3.36
Aunque inicialmente la ecuación (3.36) parece distinta de las desarrolladas con anterioridad,
nótese que el numerador es de nueva cuenta una diferencia de dos niveles de voltaje, mientras que
el denominador es la resistencia de base más el resistor de emisor reflejado por (β + 1), en verdad
muy parecido a la ecuación (3.22).
Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse del mismo modo
que se hizo para la configuración polarizada de emisor. Esto es:
VCE = VCC - IC(RC + RE) Ecuación 3.37
que es exactamente igual que la ecuación (3.26). Las ecuaciones restantes para VE, VC y VB son
también las mismas que se obtuvieron para la configuración polarizada de emisor.
Figura 3.24 Malla de entrada equivalente para el circuito de polarización por divisor de
voltaje.
Figura 3.25 Determinación de RTh.

Figura 3.26 Determinación de ETh.
Figura 3.27 Substitución del circuito equivalente de Thévenin
Análisis aproximado
La sección de entrada de la configuración con divisor de voltaje puede representarse por medio de
la red de la figura 3.27. La resistencia Ri es la resistencia equivalente entre base y tierra para el
transistor con un resistor de emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada entre la base y el
emisor se define por Ri = (β + 1) RE, Si Ri es mucho mayor que la resistencia R2, la corriente IB
será mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la trayectoria de menor resistencia) e I2 será
aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la aproximación de que IB es de 0 amperios comparada
con I1 o I2 entonces I1 ≈ I2 y R1 y R2 pueden considerarse elementos en serie. El voltaje a través de
R2, que es en realidad el voltaje de base, puede determinarse por medio de la regla del divisor de
voltaje (y de aquí proviene el nombre para la configuración). Es decir:
VB = R2VCC / (R1 + R2) Ecuación 3.38
Puesto que Ri = (β + 1) RE ≈ β Re la condición que definirá si el enfoque aproximado puede

aplicarse será la siguiente:
β RE ≥ 10 R2 Ecuación 3.39
En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por RE es al menos 10 veces el valor de R2, el
enfoque aproximado puede aplicarse con un alto grado de precisión. Una vez que se determina
VE, el nivel de VE se puede calcular a partir de:
VE = VB - VBE Ecuación 3.40'
y la comente de emisor se puede determinar a partir de:
IE = VE / RE Ecuación 3.41
ICQ ≈ IE Ecuación 3.42
El voltaje de colector a emisor se determina por:
VCE = VCC - ICRC - IERE Ecuación 3.43

pero, ya que IE = IC:
VCEQ = VCC - IC (RC + RE) Ecuación 3.44
Advierta que en la secuencia de los cálculos, de la ecuación (3.39) a la ecuación (3.44), no

aparece beta e IB no fue calculada. El punto Q (como se determina por ICQ y VCEQ) es por tanto
independiente del valor de beta.
Figura 3.28 Circuito de polarización parcial para obtener VB aproximado.
Saturación del transistor
El circuito colector-emisor de salida para la configuración con divisor de voltaje tiene el mismo
aspecto que el circuito polarizado de emisor analizado en la sección 3.3. La ecuación resultante
para la corriente de saturación (cuando VCE se establece a cero voltios en el diagrama) es, por
tanto, la misma que se obtiene para la configuración polarizada de emisor. Es decir:
ICsat = ICmáx = VCC / (RC + RE) Ecuación 3.45
Análisis por recta de carga
Las similitudes con el circuito de salida de la configuración polarizada de emisor resultan en las
mismas intersecciones para la recta de carga de la configuración con divisor de voltaje. La recta
de carga tendrá por consiguiente el mismo aspecto que la del circuito de polarización estabilizada
en emisor:
IC = [VCC / (RC + RE)]|VCE = 0 Ecuación 3.46
VCE = VCC |IC=0 mA Ecuación 3.47
El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuación distinta para la polarización con
divisor de voltaje y las configuraciones polarizadas de emisor.
3.5 Diversas configuraciones de polarización.
Hay un número de configuraciones de polarización BJT que no coinciden con el molde básico de
las que se han analizado en las secciones precedentes. De hecho, existen variaciones de diseño
que requerirían muchas más páginas de las que son posibles en un texto de esta clase. Aquí, sin
embargo, el propósito primordial es enfatizar aquellas características del dispositivo que permitan
un análisis de cd de la configuración y que establezcan un procedimiento general para encontrar la
solución deseada. Para cada configuración discutida hasta aquí, el primer paso ha sido la
derivación de una expresión para la corriente de base. Una vez que se conoce la corriente de base,
la comente de colector y los niveles de voltaje del circuito de salida se pueden determinar ya
directamente. Esto no implica que todas las soluciones tomarán este rumbo, pero sí sugiere una
posible ruta por seguir si llega a encontrarse una nueva configuración.
Ejemplo 3.2:
Para la red de la figura 3.29:
a) Determine ICQ y VCEQ.
b) Encuentre VB, VC, VE y VBC.
Figura 3.29 Circuito de polarización de CD con retroalimentación de voltaje.
Figura 3.30 Mallas y corrientes del circuito de polarización de CD con retroalimentación de

voltaje.
Solución
La ausencia de RE reduce la reflexión de los niveles resistivos a simplemente el nivel de RC, y la

ecuación para IB se reduce a:
IB = (VC-VBE)/[RB+β (RC+RE)] Ecuación 3.48
La malla de colector a emisor es:
VCE = VCC - IC (RC+RE) Ecuación 3.49
Ejemplo 3.3:
Para la red de la figura 3.31
Figura 3.31 Circuito de polarización de CD con retroalimentación de voltaje.
Ejemplo 3.4 Dos variantes del circuito de Polarización por retroalimentación de voltaje:
Para las redes de las figuras 3.32a y b
Figura 3.32a Polarización por retroalimentación de voltaje con un capacitor adicional para
efectos de acoplamiento en CA.
El siguiente ejemplo es uno donde el resistor de emisor se ha retirado de la, configuración de

retroalimentación de voltaje de la figura 3.29. El análisis es bastante similar, pero requiere
eliminar RE de la ecuación aplicada.
Figura 3.32b Polarización por retroalimentación de voltaje con RE=0.
En el siguiente ejemplo, el voltaje aplicado se conecta a la terminal del emisor, y R C directamente

a tierra. Al principio, la técnica parece un tanto heterodoxa y bastante diferente a las empleadas
hasta ahora; sin embargo, una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de base dará
por resultado la corriente de base deseada.
Ejemplo 3.5:
b) Encuentre VB, VC.
Figura 3.33 Circuito del ejemplo 3.5.
El siguiente ejemplo emplea una red conocida como configuración de emisor-seguidor. Cuando la
misma red se analiza sobre una base de CA, encontraremos que las señales de entrada y salida
están en fase (una siguiendo a la otra) y el voltaje de salida es ligeramente menor que la señal
aplicada. Para el análisis de CD, el colector se conecta a tierra y el voltaje aplicado está en la
terminal del emisor.
Ejemplo 3.6:

b) Encuentre VB, VC.
Figura 3.34 Circuito de polarización de colector común, ejemplo 3.6.
Hasta aquí, todos los ejemplos han empleado una configuración de colector común o de emisor
común. En el siguiente ejemplo, investigaremos la configuración de base común. En esta
situación se utilizará el circuito de entrada para determinar IE más que IB. La corriente de colector
está disponible entonces para realizar un análisis del circuito de salida.
Ejemplo 3.7:
Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuración de base común de la figura 3.35
Figura 3.35
Solución
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos:
-VEE + IERE + VBE = 0 Ecuación 3.50
IE = (VEE - VBE) / RE Ecuación 3.51
Sustituyendo valores obtenemos:
IE = (4 V - 0.7 V) / 12 KOhms = 2.75 mA
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos:
-VCE + ICRC - VCC = 0 Ecuación 3.52
VCB = VCC - ICRC con IC = IE Ecuación 3.53

= 3.34 V
IB = IC /β = 2.75 mA / 60 = 45.8 µ A
El siguiente ejemplo es de polarización por divisor de voltaje modificado, emplea una fuente de
alimentación doble y requerirá la aplicación del teorema de Thévenin para determinar las
incógnitas deseadas.
Ejemplo 3.8:
Determine el punto Q, VC y VB para la red de la figura 3.36
Figura 3.36 Polarización por divisor de voltaje con dos fuentes de alimentación: -VEE y VCC.
Solución
La resistencia de Thévenin y el voltaje determinan para le red a la izquierda de la terminal de

base, como se muestra en las figuras 3.37 y 3.38
Figura 3.37 Obtención de la resistencia equivalente de Thevenenin.

Figura 3.38 Obtención del voltaje equivalente de Thevenenin
La red puede volverse a dibujar, como se ilustra en la figura 3.38 y al aplicarle la ley de voltaje de
Kirchhoff, da por resultado:
-ETh - IBRTh - VBE - IERE + VEE = 0 Ecuación 3.54
Figura 3.39 Substitución del circuito equivalente de Thevenin.
Al sustituir IE = (β + 1)IB obtenemos:
VEE - VTH - VBE - (β +1)IBRE - IBRTH = 0 Ecuación 3.55
De la ecuación 3.55 despejamos IB y procedemos a calcular IB, IC, VC y VB.
OPERACIONES DE DISEÑO
Hasta este punto las discusiones se han enfocado en el análisis de las redes existentes. Todos los
elementos están en su lugar y es simplemente asunto de resolver para los niveles de voltaje y
corriente de la configuración. El proceso de diseño es donde puede especificarse una comente y/o
un voltaje y donde deben determinarse los elementos requeridos para establecer los niveles
Ideados. Este proceso de síntesis supone un claro entendimiento de las características del
Impositivo, las ecuaciones básicas para la red y un firme conocimiento de las leyes básicas del
análisis de circuitos, la ley de Ohm, la ley de voltaje de Kirchhoff, etc. En la mayoría de las
situaciones el proceso mental se pone a prueba en alto grado en la operación de diseño más que en
la secuencia de análisis. La trayectoria hacia una solución es menos definida y de hecho puede
requerir algunas suposiciones básicas que no se pueden hacer analizando sencillamente una red.
La secuencia de diseño es obviamente sensible a los componentes que ya se han especificado y

los elementos que van a determinarse. Si se especifican el transistor y las fuentes, el proceso de
diseño simplemente determinará los resistores requeridos para un diseño particular. Una vez que
se determina el valor teórico de los resistores, se elige por lo general el valor comercial estándar
más cercano y cualquier variación debida a no usar el valor exacto de la resistencia se acepta
como parte del diseño. Esto es ciertamente una aproximación válida si se toma en consideración
las tolerancias normalmente asociadas con los elementos resistivos y los parámetros del transistor.
Si se van a determinar los valores resistivos, una de las ecuaciones más poderosas es
sencillamente la ley de Ohm en la forma siguiente:
Rdesconocida = VR / IR Ecuación 3.56
En un diseño particular, el voltaje a través de un resistor puede determinarse a menudo a partir de

los niveles especificados. Si otras especificaciones definen el nivel de corriente, la ecuación (3.56)
puede entonces utilizarse para calcular el nivel de resistencia requerido. Los ejemplos iniciales
demostrarán cómo elementos particulares pueden determinarse a partir de nivel especificados.
Luego se introducirá un procedimiento completo de diseño para un par de configuraciones
comunes.
Ejemplo 3.9:
Dadas las características del dispositivo de la figura 3.40b, determine VCC, RB y RC para la
configuración de polarización fija de la figura 3.40a.
Figuras 3.40 a y b
Solución
De la recta de carga
Ejemplo 3.10:
Dados ICQ = 2 mA y VCEQ = 10 V, determine R1 y RC para la red de la figura 3.41

Figura 3.41
Solución
Los valores comerciales estándar más próximos para R1 son 82 KΩ y 91 KΩ . Sin embargo,
haciendo uso de la combinación en serie de los valores estándar de 82 KΩ y 4.7 KΩ = 86.7 KΩ
resultaría en un valor muy cercano al nivel diseñado.
Ejemplo 3.11:
La configuración con la polarización de emisor de la figura 3.42 tiene las siguientes

especificaciones: ICQ = ½ ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y β = 110. Determine RC, RE y RB.
Figura 3.42
Solución
El análisis siguiente presenta una técnica para diseñar un circuito completo para operar en un
punto de polarización específico. Con frecuencia las hojas de especificaciones de los fabricantes
brindan información que establece un punto de operación apropiado (o región de operación) para
un transistor particular. Además, otros factores del circuito relacionados con la etapa del
amplificador dado pueden dictar también algunas condiciones de la excursión de corriente,
excursión de voltaje, el valor de voltaje de alimentación común, etc., los cuales pueden utilizarse
para la determinación del punto Q en un diseño.
En la práctica real, muchos otros factores tienen que considerarse y pueden influir en la selección
del punto de operación que se desea. Sin embargo, por el momento nos concentraremos en la
determinación de los valores de los componentes para obtener un punto de operación
especificado. El análisis se limitará a las configuraciones de polarización de emisor y de
polarización de divisor de voltaje, aun cuando el procedimiento puede aplicarse a otros circuitos
de transistores.
Diseño de un circuito de polarización con resistencia de retroalimentación en emisor
Considérese primero el diseño de los componentes de polarización de cd de un circuito

amplificador que tiene estabilización de polarización por resistencia de emisor (véase la figura
4.50), El voltaje de alimentación y el punto de operación se seleccionarán a partir de la
información del fabricante sobre el transistor utilizado en el amplificador.
Figura 3.43 Circuito de polarización con estabilización de emisor para consideraciones de

diseño.
La selección de las resistencias de colector y emisor no puede desprenderse directamente de la

información que acaba de especificarse. La ecuación que relaciona los voltajes alrededor de la
malla colector-emisor, tiene dos cantidades desconocidas: los valores de las resistencias de
colector y emisor, RC y RE. En este punto debe hacerse alguna evaluación de ingeniería, como la
del nivel del voltaje de emisor comparado con el voltaje de la fuente aplicada. Recuérdese que la
necesidad de incluir un resistor del emisor a tierra fue brindar un medio de estabilización de la
polarización de cd de manera que el cambio de la comente de colector debido a las corrientes de
fuga en el transistor y la β del mismo no ocasionarían un gran corrimiento (si lo hay) en el punto
de operación. La resistencia del emisor no puede ser irrazonablemente grande porque el voltaje
que se genera en él limita el nivel de la excursión del voltaje del colector al emisor (que se
mencionará cuando se discuta la respuesta de CA). Los ejemplos examinados en este capitulo
revelan que el voltaje de emisor a tierra esta por lo regular alrededor de una cuarta o una décima
parte de la fuente de voltaje. Seleccionando el caso conservador de una décima parte, nos
permitirá calcular el resistor de emisor RE y el resistor RC de manera semejante a los ejemplos
apenas vistos. En el siguiente ejemplo realizaremos un diseño completo de la red de la figura 3.41
empleando los criterios recientemente introducidos para el voltaje de emisor.
Ejemplo 3.12:
Determine los valores de los resistores para la red de la figura 3.43, para la fuente de voltaje y el
punto de operación indicados.
Solución
Diseño de un circuito de ganancia en corriente estabilizada (independiente de β )
El circuito de la figura 3.44 brinda estabilización tanto para la corriente de fuga como para los
cambios en la ganancia de corriente β . El valor de las cuatro resistencias que se muestran debe
obtenerse para un punto de operación especificado. El criterio de ingeniería en la selección de' un
valor para el voltaje de emisor, VE, como en el criterio de diseño previo conduce a una simple
solución directa para todos los valores de la resistencia. Todos los pasos de diseño se muestran en
el siguiente ejemplo.
Figura 3.44 Circuito con estabilización de ganancia de corriente para consideraciones de

dideño.
Ejemplo 3.13:
Determine los niveles RC, RE, R1 y R2 para la red de la figura 3.44, para el punto de operación
indicado.
Solución
Las ecuaciones para los cálculos de los resistores de base R1 y R2 requerirán de un poco de
consideración. Usando el valor del voltaje de base calculado anteriormente y el valor de la fuente
de voltaje se obtendrá una ecuación, pero existen dos incógnitas, R1 y R2. Se puede tener una
ecuación adicional mediante el conocimiento de la operación de estos dos resistores al proveer el
voltaje de base necesario. Para que el circuito opere con eficacia, se supone que la corriente a
través de R1 y R2 debe ser aproximadamente igual y mucho mayor que la corriente de base (al
menos en proporción de 10:1). Este hecho y la ecuación de divisor de voltaje para el voltaje de
base proporcionan las dos relaciones necesarias para determinar los resistores de base. Es decir,
3.6 Conmutación con transistores.
La aplicación de los transistores no se limita solamente a la amplificación de las señales. Por

medio de un diseño adecuado pueden utilizarse como interruptor para aplicaciones de control y
computadoras. La red de la figura 3.45 puede emplearse como un inversor en circuitos lógicos de
computadoras. Nótese que el voltaje de salida VC es opuesto al que se aplica a la base o terminal
de entrada. Además, adviértase la ausencia de una fuente de cd conectada al circuito de base. La
única fuente de cd está conectada al extremo de colector o salida, y para las aplicaciones de
computadoras es típicamente igual a la magnitud del flanco de subida de la señal de salida, en este
caso de 5 V.
Figura 3.45a Inversor de transistor.

Figura 3.45b Puntos de operación en saturación y en corte para el transistor inversor y línea
de carga.
El diseño adecuado para el proceso de inversión requiere que el punto de operación cambie desde
el estado de corte hasta el de saturación, a lo largo de la recta de carga trazada en la figura 3.45b.
Para nuestros propósitos supondremos que IC = ICEQ = 0 mA cuando IB = 0 uA (una excelente
aproximación a la luz de las técnicas mejoradas de construcción), como se muestra en la figura
3.45b. Además, supondremos VCE = VCEsat = 0 V en lugar del nivel típico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi = 5 V, el transistor estará en estado "encendido" y el diseño debe asegurar que la red
está completamente saturada con un nivel de IB mayor que el asociado con la curva de IB que
aparece cerca del nivel de saturación. En la figura 3.45b esto requiere que IB > 50 µ A. El nivel de
saturación para la corriente de colector del circuito de la figura 3.45a se define como:
ICsat = VCC / RC Ecuación 3.57
El nivel de IB en la región activa, justo antes de que se presente la saturación puede aproximarse
mediante la siguiente ecuación:
IBmáx = ICsat / β cd Ecuación 3.58
Por tanto, para el nivel de saturación, debemos asegurar que se satisfaga la condición siguiente:
IB > ICsat / β cd Ecuación 3.59
Saturación Suave
BJT saturado ligeramente
RB = (Vi - 0.7V)/IB Ecuación 3.60
IC ≥ ICsat / β mín
RB = (Vi - 0.7V)β mín / ICsa
Saturación Dura
BJT debe saturarse para cualquier valor de beta.

β = 10
RB = (Vi - 0.7V)10 /ICsat Ecuación 3.61
Para ICsat hay que tomar en cuenta la caída de voltaje de la carga
ICsat= (VCC - Vcarga)/RC Ecuación 3.62
Figura 3.46 Ilustración del estado equivalente de CE en saturación ("Cerrado") al utilizar al

BJT como interruptor.
Figura 3.47 Ilustración del estado equivalente de CE en corte ("abierto") al utilizar al BJT
como interruptor.
Es importante considerar el tiempo de encendido y el tiempo de apagado del transistor, sobre todo
al utilizarlo en circuitos de alta frecuencia.
Tiempo de encendido es el tiempo necesario para que el transistor conmute del estado de
"apagado" al estado de "encendido":
tencendido=tr + td Ecuación 3.63a
Tiempo de apagado es el tiempo necesario para que el transistor conmute del estado de
"encendido" al estado de "apagado":
tapagado=ts + tf Ecuación 3.63b
Estos tiempos (ts, tf, tr, td) van desde una decena de nanosegundos, hasta una centena de
nanosegundos
3.7 El transistor PNP.
Hasta este punto el análisis se ha limitado exclusivamente a los transistores NPN para asegurar
que el análisis inicial de las configuraciones básicas fuera lo más claro posible y sin
complicaciones al intercambiar entre diferentes tipos de transistores. Afortunadamente, el análisis
de los transistores PNP sigue el mismo patrón establecido para los transistores NPN. El nivel de
IB se determina en primer lugar, seguido por la aplicación de las relaciones de transistor
apropiadas para determinar la lista, de cantidades desconocidas. De hecho, la única diferencia
entre las ecuaciones que se obtienen para una red en la que se ha reemplazado un transistor NPN
por otro de tipo PNP es el signo asociado a cantidades particulares.
Como se advierte en la figura 3.48, la notación de subíndice doble continúa como fue definida
normalmente. Sin embargo, las direcciones de la corriente se han invertido para reflejar las
direcciones de conducción reales. Empleando las polaridades definidas de la figura 3.48, tanto VBE
como VCE serán cantidades negativas.
Figura 3.48 Transistor PNP en una configuración de polarización estabilizada en emisor.
Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff a la malla de base a emisor obtendremos la siguiente

ecuación para la red de la figura 3.48:
-IERE + VBE -IBRB +VCC = 0 Ecuación 3.64
Sustituyendo IE = (β + 1 )IB y resolviendo para IB, llegamos a:
IB=(VCC-VBE)/[(RB+(β +1)RE] Ecuación 3.65
La ecuación resultante es la misma que la ecuación (3.17), a excepción del signo para VBE; Sin
embargo, en este caso VBE = -0.7 Vcd y la sustitución de los valores resultará en el mismo signo
para cada término de la ecuación (3.64), como la ecuación (3.17). Recuérdese que la dirección de
IB se define ahora como opuesta a la de un transistor PNP, como se ilustra en la figura 3.48. Para
VCE, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla de colector a emisor, lo que da por
resultado la siguiente ecuación:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0 Ecuación 3.66
Sustituyendo IE = IC, obtenemos
VCE = -VCE + IC(RC +RE) Ecuación 3.67
La ecuación resultante tiene el mismo formato que la ecuación (3.19), pero el signo enfrente de
cada término a la derecha del signo de igualdad ha cambiado. Puesto que VCC será mayor que la
magnitud del término siguiente, el voltaje tendrá un signo negativo, como se advirtió en un
párrafo anterior.
Ejemplo:
Determine VCE para la configuración de polarización con divisor de voltaje de la figura 4.6
Figura 3.49 Transistor PNP en una configuración de polarización con divisor de voltaje.
Solución
Probando la condición
β RE ≥ 10R2 Ecuación 3.68
132KΩ ≥ 100KΩ (satisfactorio)
Resolviendo para VB, tenemos que:
VB=(R2VCC)/(R1+R2) Ecuación 3.69
VB=(10KΩ )(-18Vcd)/(47KΩ+10 KΩ )
VB=-3.16 Vcd
Nótese la similitud en el formato de la ecuación con el voltaje negativo resultante para VB.
Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff a lo largo de la malla de base a emisor, nos lleva a:
VB - VBE -VE = 0 Ecuación 3.70
VE = VB - VBE Ecuación 3.71
VE = -3.16 V - (-0.7 V)
= -2.46 V
Advierta que en la ecuación anterior se emplea la notación estándar de subíndice sencillo y doble
Para un transistor PNP la ecuación VE = VB - VBE sería exactamente la misma. La única diferencia
surge cuando se sustituyen los valores. La corriente:
IE = VE / RE = 2.46 V / 1.1 KΩ = 2.24 mA

Para la malla de colector a emisor:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0 Ecuación 3.72
Sustituyendo IE = IC y agrupando términos, tenemos que:
VCE = -VCC + IC(RC +RE) Ecuación 3.73
Sustituyendo valores, obtenemos:
VCE = -18 V + (2.24 mA)(2.4KΩ + 1.1KΩ ) = -10.16 V
CAPITULO 4
4.1 Amplificación en el dominio de CA.
La construcción básica, aspectos y características del transistor se presentaron en el capitulo 2.

Después, en el capitulo 3 se examinó en detalle la polarización de CD de este dispositivo.
Empezaremos ahora a estudiar la respuesta de CA a pequeña señal del amplificador BJT
revisando los modelos que se utilizan con mayor frecuencia para representar al transistor en el
dominio de CA de tipo senoidal.
Una de nuestras primeras inquietudes en el análisis de CA senoidal en redes de transistores es la

magnitud de la señal de entrada. Ello determinará si deben aplicarse técnicas de pequeña señal o
técnicas de gran señal. No existe una línea divisoria entre las dos, pero la aplicación, así como la
magnitud de las variables de interés relativas a las escalas de las características del dispositivo,
determinará casi siempre con bastante claridad cuál método es el apropiado. La técnica de
pequeña señal se presenta en este capitulo.
Hay dos modelos que se utilizan comúnmente en el análisis de CA de pequeña señal de redes de
transistor:
1) "El Modelo Equivalente Híbrido" y
2) "El Modelo re".
Este capitulo no sólo presenta ambos modelos, sino que define el papel que cada uno desempeña
y la relación que existe entre ellos.
En el capítulo 2 se demostró que el transistor puede emplearse como un dispositivo amplificador.

Es decir, la señal de salida senoidal es mayor que la señal de entrada o, estableciéndolo de otra
manera, la potencia de CA de salida es mayor que la potencia de CA de entrada. La pregunta que
surge entonces es ¿cómo la salida de potencia de CA puede ser mayor que la potencia de CA de
entrada? La conservación de la energía dicta que en función del tiempo, la salida de potencia total,
Po, de un sistema no puede ser mayor que su entrada de potencia, Pi, y que la eficiencia, definida
por η = Po/Pi, no puede ser mayor que 1. El factor que no se considera en la discusión anterior,
que permite una salida de potencia de CA mayor que la potencia de entrada de CA, es la potencia
aplicada de CD. Esta potencia representa una contribución a la potencia de salida total aun cuando
parte de ella se disipa a través del dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, existe
un "intercambio de potencia de CD al dominio de CA", el cual permite establecer una muy alta
potencia de salida de CA. De hecho, una eficiencia-de conversión se define por medio de η =
Po(CA)/Pi(CD) donde Po(CA) es la potencia de CA en la carga, y Pi(CD) la potencia suministrada
de CD.
Quizás el papel que juega la fuente de CD se describa mejor al considerar primero la red simple
de CD de la figura 4.1. La dirección resultante del flujo se muestra en la figura con una gráfica de
la corriente i contra el tiempo. Insertemos ahora un mecanismo de control, como se muestra en la
figura 4.2. El mecanismo de control se constituye de tal forma que la aplicación de una señal
relativamente pequeña al mecanismo de control puede resultar en una oscilación mucho más
grande en el circuito de salida.
Figura 4.1 Corriente estacionaria establecida por una fuente de CD.
Para el sistema de la figura 4.2 el valor pico de la oscilación se controla mediante el nivel
establecido de CD. Cualquier intento de exceder el límite establecido por el nivel de CD resultará
en un "recorte" aplanado de la región pico de la señal de salida. Por lo tanto, en su totalidad, un
diseño apropiado de amplificador requiere que los componentes de CD y de CD sean sensibles a
cada uno de los otros requerimientos y limitaciones. Sin embargo, es en verdad un hecho
afortunado que los amplificadores de pequeña señal de transistor puedan considerarse lineales
para la mayoría de las aplicaciones, permitiendo el uso del teorema de superposición para separar
el análisis de CD del análisis de CA.
Figura 4.2 Efecto de un elemento de control sobre el flujo en estado estacionario del sistema
eléctrico de la figura 4.1
LÍNEA DE CARGA DE CA.
Excursión máxima de salida de CA al voltaje de CA Pico a Pico máximo, sin recortes, que puede
proporcionar un amplificador.
La línea de carga de CA es una ayuda visual para entender la operación con señales grandes.
Figura 4.3 Línea de carga de CA y su relación con la línea de carga de CD.
4.2 Modelado del BJT.
La clave del análisis de pequeña señal de transistor es el empleo de los circuitos equivalentes
(modelos) que serán introducidos en este capítulo.
Un modelo es la combinación de elementos de circuito, seleccionados adecuadamente, que mejor

aproximan el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones específicas de
operación.
Una vez determinado el circuito equivalente de CA, el símbolo gráfico del dispositivo puede
sustituirse en el esquema mediante este circuito, y se pueden aplicar los métodos básicos del
análisis de circuitos de CA (análisis de nodos, análisis de mallas y el teorema de Thévenin) para
determinar la respuesta del circuito.
Hay dos teorías actuales acerca de cuál será el circuito equivalente que ha de sustituir al transistor.
Durante muchos años la industria y las instituciones educativas confiaron ampliamente en los
parámetros híbridos (que se presentarán en breve). El circuito equivalente de parámetros híbridos
seguirá siendo muy popular, aun cuando en la actualidad debe competir con un circuito
equivalente derivado directamente de las condiciones de operación del transistor, el modelo re.
Los fabricantes siguen especificando los parámetros híbridos para una región de operación
particular en sus hojas de especificaciones. Los parámetros (o componentes) del modelo re
pueden derivarse directamente de los parámetros híbridos en esta región. Sin embargo, el circuito
equivalente híbrido adolece de estar limitado a un conjunto particular de condiciones de operación
si se considerará preciso. Los parámetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para
cualquier región de operación dentro de la región activa y no están limitados por un solo grupo de
parámetros incluidos en la hoja de especificaciones. A su vez, no obstante, el modelo re no tiene
un parámetro que defina el nivel de impedancia de salida del dispositivo y el efecto de
retroalimentación de la salida a la entrada.
Puesto que en la actualidad ambos modelos se emplean de manera extensa, los dos se examinan
en detalle. En algunos análisis y ejemplos se empleará el modelo híbrido, en tanto que en otros se
utilizará en forma exclusiva el modelo re. No obstante, en el texto se hará todo lo necesario para
mostrar la forma tan estrecha en que se relacionan los dos modelos y cómo la habilidad en el
manejo de uno de ellos conduce a una destreza natural en el manejo del otro.
Con el fin de mostrar el efecto que tendrá el circuito equivalente de ca sobre el análisis que sigue,
considérese el circuito de la figura 4.4. Supongamos por e] momento que el circuito equivalente
de CA de pequeña señal para el transistor ya ha sido determinado. Puesto que sólo nos interesa la
respuesta de CA del circuito, todas las alimentaciones de CD pueden sustituirse por equivalentes
de potencial cero (corto circuito), ya que determinan únicamente el nivel de CD (nivel
quiesciente) o de operación del voltaje de salida y no la magnitud de la excursión de la salida de
CA. Esto se muestra claramente en la figura 4.5.
Los niveles de CD fueron importantes simplemente para determinar el punto Q de operación

adecuado. Una vez determinado, es posible ignorar los niveles de CD en el análisis de CA de la
red. Además, los capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de desvío C3 se eligieron de
modo que tuvieran una reactancia muy pequeña a la frecuencia de aplicación. Por lo tanto, es
posible también reemplazarlos para todos los propósitos prácticos por medio de una trayectoria de
baja resistencia (corto circuito). Nótese que esto producirá el "corto circuito" de la resistencia de
polarización de CD, RE. Recuérdese que los capacitores tienen un equivalente de circuito abierto
en condiciones de estado estable CD, permitiendo un aislamiento entre etapas en los niveles de
CD y las condiciones de operación.
Figura 4.4 Circuito de transistor examinado en este análisis introductorio.

Figura 4.5 Red de la figura 4.4 después de eliminar la alimentación de CD.
La conexión común de tierra y el re-arreglo de los elementos de la figura 4.5 dará como resultado
una combinación en paralelo de los resistores R1, R1, y RC que aparecerá del colector al emisor
como se muestra en la figura 4.6. Como los componentes del circuito equivalente del transistor
insertado en la figura 4.6 son aquellos con los que ya nos hemos familiarizado (resistores, fuentes
controladas, etc.), las técnicas de análisis tales como superposición y el teorema de Thévenin,
entre otras, pueden aplicarse para determinar las cantidades deseadas.
Figura 4.6 Circuito de la figura redibujado para el análisis de pequeña señal CA.
Examinaremos aún más la figura 4.6 e identifiquemos las cantidades importantes que se
determinarán en el sistema. Puesto que sabemos que el transistor es un dispositivo amplificador,
esperaríamos alguna indicación de cómo se relacionan el voltaje de salida Vo y el de entrada Vi, es
decir, la ganancia en voltaje. Note en la figura 4.6 que para esta configuración:
Ii = Ib, e Io = Ic Ecuación 4.1
lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io / Ii. La impedancia de entrada Zi y la impedancia de

salida Zo probarán ser de particular importancia en el análisis que se detalla a continuación. Se
proporcionará mucha más información acerca de estos parámetros en las secciones siguientes. Por
tanto, el equivalente de CA para una red se obtiene por medio de:
1. El establecimiento de todas las fuentes de CD a cero y su reemplazo por un corto circuito

equivalente
2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente
3. La eliminación de todos los elementos sustituidos por los corto circuitos equivalentes
introducidos en los pasos 1 y 2
4. El dibujar de nuevo la red en una forma más lógica y conveniente.
En las secciones siguientes se presentarán los circuitos equivalentes re e híbrido para completar
el análisis de CA de la red de la figura 4.6
4.3 Parámetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io (Redes de
dos puertos).
Antes de investigar los circuitos equivalentes para BJT con más detalle, concentrémonos en los
parámetros de un sistema de dos puertos que son de capital importancia desde un punto de vista
de análisis y diseño. Para el sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura 4.7, el
extremo de entrada (el lado donde normalmente se aplica la señal) se encuentra a la izquierda y el
extremo de salida (donde se conecta la carga) se halla a la derecha. De hecho, para la mayoría de
los sistemas eléctricos y electrónicos el flujo general se tiene normalmente de izquierda a derecha.
Para ambos conjuntos de terminales la impedancia entre cada par de terminales en condiciones
normales de operación es bastante importante.
Figura 4.7 Sistema de dos puertos.
Impedancia de entrada, Zi
Para el extremo de entrada, la impedancia de entrada Zi se define por la ley de Ohm como se
indica a continuación:
Zi = Vi / Ii Ecuación 4.2
Si se modifica la señal de entrada Vi, la corriente Ii, puede calcularse mediante el uso del mismo
nivel de impedancia de entrada. En otras palabras:
"Para el análisis de pequeña señal una vez que se ha determinado la impedancia de entrada, el
mismo valor numérico puede utilizarse para modificar los niveles de la señal aplicada"
De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia de entrada de un transistor

puede determinarse aproximadamente por medio de las condiciones de polarización de CD,
condiciones que no cambian sólo porque la magnitud de la señal aplicada de CA se haya
modificado.
Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de los valores bajos a los
medios (normalmente ≤ 100 kHz):
"La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de naturaleza puramente

resistiva y, dependiendo de la manera en que se emplee el transistor, puede variar de unos
cuantos ohms hasta el orden de los MΩ "
Además:
"No puede emplearse un óhmetro para medir la impedancia de entrada de pequeña señal de ca
puesto que el óhmetro opera en modo de cd"
La ecuación (4.1) es particularmente útil en la medida en que proporciona un método para medir
la resistencia de entrada en el dominio de ca. Por ejemplo, en la figura 4.8 se ha agregado un
resistor sensor al extremo de entrada para permitir una determinación de Ii empleando la ley de
Ohm. Un osciloscopio o un multímetro digital (DMM) sensible puede utilizarse para medir el
voltaje Vs y Vi. Ambos voltajes pueden ser de Pico a Pico, Pico o valores RMS, siempre que
ambos niveles empleen el mismo patrón. La impedancia de entrada se determina entonces de la
siguiente manera:
Ii = (Vs - Vi) / Rsensor Ecuación 4.2
Zi = Vi / Ii Ecuación 4.3
Figura 4.8 Determinación de Zi.
La importancia de la impedancia de entrada de un sistema puede demostrarse mejor mediante la

red de la figura 4.9. La fuente de señal tiene una resistencia interna de 600 Ω el sistema
(posiblemente un amplificador de transistor) tiene una impedancia de entrada de 1.2 kΩ .
Figura 4.9 Demostración del impacto de Zi sobre una respuesta de amplificador.
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de salida de las terminales,
pero la manera en la cual se define es bastante diferente de la correspondiente a la impedancia de
entrada. Es decir:
"La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrás dentro
del sistema con la señal aplicada fijada en cero"
En la figura 4.10, por ejemplo, la señal aplicada se ha establecido a cero voltios. Para determinar
Zo, se aplica una señal, Vs, a las terminales de salida, y el nivel de Vo se mide con un osciloscopio
o DMM sensible. La impedancia de salida se determina entonces de la siguiente manera:
Io = (V - Vo) / Rsensor Ecuación 4.4

y
Z o = V o / Io Ecuación 4.5
Figura 4.10 Deteminación de Zo.
Figura 4.11 Efecto de Zo sobre la corriente de salida Io.
En particular, para las frecuencias de rango bajo y medio (normalmente ≤ 100 kHz): La
impedancia de salida de un amplificador de transistor BJT es resistiva por naturaleza y depende de
la configuración y de la colocación de los elementos resistivos, Zo puede variar entre unos cuantos
ohms y un nivel que puede exceder los 2MΩ .
Además:
"No puede utilizarse un óhmetro para medir la impedancia de salida de pequeña señal de CA
debido a que el óhmetro opera en modo de CD"
Ganancia de voltaje AV
Una de las características más importantes de un amplificador es la ganancia de voltaje de

pequeña señal de CA, que se determina por:
AV = Vo / Vi Ecuación 4.6
Para el sistema de la figura 4.12, no se ha conectado una carga a las terminales de salida y el nivel
de ganancia determinado por la ecuación (4.7) se denomina como la ganancia de voltaje sin carga.
Es decir,
AVNL = Vo / Vi |RL= ∞ Ω (Circuito Abierto) Ecuación 4.7

Figura 4.12 Determinación de la ganancia de voltaje sin carga
Para amplificadores de transistor, la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia de
voltaje con carga.
Ganancia de corriente, Ai
La última característica numérica por discutir es la ganancia de corriente definida por:
Ai = Io / Ii Ecuación 4.8
Aunque por lo regular recibe menos atención que la ganancia de voltaje, es, sin embargo, una
cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la eficiencia global de un diseño.
En general:
"Para amplificadores BJT, la ganancia de corriente oscila entre los valores apenas menores
que 1 y un nivel que puede exceder los 100"
Para la situación con carga presente de la figura 4.13
Ii = Vi / Zi Ecuación 4.9
Io = V o / R L Ecuación 4.10
Figura 4.13 Determinación de la ganancia de corriente con carga.
Ai = -AV(Zi / Ii) Ecuación 4.11
La ecuación anterior permite la determinación de la ganancia de corriente a partir de la ganancia

de voltaje y los niveles de impedancia.
Relación de fase
La relación de fase entre las señales senoidales de entrada y salida es importante por una variedad
de razones prácticas. Sin embargo y por fortuna: Para el amplificador de transistor típico, a
frecuencias que permiten ignorar el efecto de elementos reactivos, las señales de entrada y salida
están ya sea en fase o desfasadas por 180°.
La razón de esta situación ambivalente con respecto a la fase se aclarará en los capítulos
siguientes.
Resumen
Los parámetros de principal importancia para un amplificador ya se han presentado; la

impedancia de entrada Zi, la impedancia de salida Zo, la ganancia de voltaje AV, la ganancia de
corriente Ai y las relaciones de fase resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia aplicada
para los límites inferior y superior del espectro de frecuencias, afectarán algunos de estos
parámetros. En las secciones y capítulos siguientes, todos los parámetros se determinarán para
una variedad de redes de transistores con el fin de permitir una comparación de las ventajas y
desventajas de cada configuración.
4.4 Modelo re del BJT.
El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el

comportamiento de un transistor en la región de interés. Recuérdese que una fuente de corriente
controlada por corriente es aquella donde los parámetros de la fuente de corriente se controlan por
medio de una corriente en otra parte de la red. En general:
Los amplificadores de transistor BJT se conocen como dispositivos controlados por corriente.
Configuración de base común
En la figura 4.14a se ha insertado un transistor PNP de base común dentro de la estructura de dos
puertos empleada en nuestra discusión de las recientes secciones. En la figura 4.14b se ha
colocado el modelo re para el transistor entre las mismas cuatro terminales. Como se observó en la
sección 4.2, el modelo (circuito equivalente) se escoge de una forma tal que se tenga una
aproximación del comportamiento del dispositivo al reemplazarlo en la región de operación de
interés. En otras palabras, los resultados obtenidos al colocar el modelo deberían estar
relativamente cercanos a los obtenidos con el transistor real. Hay que recordar que una de las
uniones de un transistor en operación en la región activa se polariza en forma directa mientras que
la otra se polariza inversamente. La unión directamente polarizada se comportará de manera muy
parecida a un diodo (despreciando los efectos de los niveles cambiantes de VCE), como se verificó
mediante las curvas de la figura 2.7. Para la unión de base-emisor del transistor de la figura 4.14a,
el diodo equivalente de la figura 4.14b entre las mismas dos terminales parece ser bastante
apropiado. Para el extremo de salida, recuérdese que las curvas horizontales de la figura 2.8
revelaban que IC = IE (como se dedujo de IC = α IE) para el intervalo de valores de VCE. La fuente
de corriente de la figura 4.14b establece el hecho de que IC = α IE con la corriente de control IE
que aparece en el extremo de entrada del circuito equivalente, como se indica en la figura 4.14a.
Por consiguiente, hemos establecido una equivalencia en las terminales de entrada y salida con la
fuente controlada por corriente, proporcionando un vínculo entre las dos (una revisión inicial
sugeriría que el modelo de la figura 4.14b es un modelo válido del dispositivo real).
Figura 4.14 (a) Transistor BJT de base común; (b) modelo re para la configuración de la
figura 4.14a.
Recuérdese del capitulo 1, que la resistencia de CA de un diodo puede determinarse mediante la

ecuación rCA = 26 mV/ID, donde ID es la corriente de CD a través del diodo en el punto Q
(estático). Esta misma ecuación puede utilizarse para encontrar la resistencia de CA del diodo de
la figura 4.14b si sustituimos simplemente la corriente de emisor, como se muestra a
continuación:
Re = 26 mV / IE
El subíndice e de re se eligió para enfatizar que es el nivel CD de la corriente de emisor que

determina el nivel CA de la resistencia del diodo de la figura 4.14b. Al sustituir el valor resultante
de re en la figura 4.14b se obtendrá el modelo de suma utilidad que se muestra en la figura 4.15:
Figura 4.15 Circuito equivalente re de base común.
A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 4.15,
debería ser bastante obvio que la impedancia de entrada Zi para la configuración de base común
de un transistor fuera simplemente re. Es decir,
Zi = re
Para la configuración de base común, los valores típicos de Z, varían entre unos cuantos ohms y
un valor hasta de alrededor de 50 Ω .
Para la impedancia de salida, si establecemos la señal a cero, entonces IE = 0 A e IC = α IE = α (0

A) = 0 A, resultando en un equivalente de circuito abierto en las terminales de salida. El resultado
es que para el modelo de la figura 4.15,
Zo ≅ ∞ Ω
En realidad:
Para la configuración de base común, los valores típicos de Zo se hallan en el orden de los
Megaohms.
La resistencia de salida de la configuración de base común se determina por medio de la
pendiente de las líneas características de las características de salida, como se muestran en la
figura 4.16. Suponiendo que las líneas sean perfectamente horizontales (una excelente
aproximación) resultaría en la conclusión de la ecuación (7.13). Si se tuviera el cuidado de medir
Zo gráfica o experimentalmente, se obtendrían los niveles típicos en el intervalo de 1 a 2 MΩ .
Figura 4.16 Definición de Zo.
En general, para la configuración de base común, la impedancia de entrada es relativamente

pequeña mientras que la impedancia de salida es bastante alta.
La ganancia de voltaje se determinara ahora para la red de la figura 4.17.
Vo = -IoRL = -(-IC)RL = α IERL
Vi = IEZi = IEre
AV = Vo / Vi = α IERL / IEre
AV = α RL / re ≅ RL/re Ecuación 4.12
Para la ganancia de corriente
Ai = Io / Ii = -IC / IE = α IE / IE
Ai = -α ≅ -1 Ecuación 4.13
4.17 Definición de Av para la configuración de base común.
El hecho de que la polaridad del voltaje Vo tal como se determina a partir de la corriente IC sea la
misma que se define mediante la figura 4.17 (o sea, el extremo negativo está al potencial de
referencia, o tierra) revela que Vo y Vi están en fase para la configuración de base común. El
equivalente para un transistor NPN en la configuración de base común aparecería como se ilustra
en la figura 4.18.
Figura 4.18 Modelo aproximado para una configuración de transistor NPN de base común.
Configuración de emisor común
Para la configuración de emisor común de la figura 4.19a, las terminales de entrada son las
terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las terminales de
colector y emisor. Además, la terminal de emisor es ahora común entre los puertos de entrada y
salida del amplificador. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor NPN dará por
resultado la configuración de la figura 4.19b. Adviértase que la fuente controlada por corriente
aún está conectada entre las terminales de colector y de base y el diodo, entre las terminales de
base y de emisor. En esta configuración, la corriente de base es la corriente de entrada, mientras
que la corriente de salida aún es IC. Recuerde, del capítulo 2, que las corrientes de base y de
colector están relacionadas por la siguiente ecuación:
La corriente a través del diodo se determina por lo tanto mediante:
Ie = (β + 1)Ib Ecuación 4.15
Sin embargo, ya que la beta de CA es normalmente mucho mayor que 1, haremos uso de la
siguiente aproximación para el análisis de corriente:
Ie ≅ β Ib Ecuación 4.16
La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relación:
Zi = Vi / Ii = Vbe / Ib Ecuación 4.17
El voltaje Vbe se halla a través de la resistencia del diodo, como se muestra en la figura 4.19. El
nivel de re todavía se determina por la corriente de CD: IE. El uso de la ley de Ohm conduce a:
Vi = Vbe = Ie re ≅ β Ibre Ecuación 4.18
Figura 4.19 (a) Transistor BJT de emisor común (b) Modelo re aproximado para la
configuración de la figura 4.18a
Figura 4.20 Determinación de Zi empleando el modelo aproximado.
La sustitución nos lleva a:
Zi ≅ β re Ecuación 4.19
En esencia, la ecuación (4.19) establece que la impedancia de entrada para una situación tal como
la mostrada en la figura 4.20 es beta veces el valor de re. En otras palabras, un elemento resistivo
en la terminal del emisor se refleja en el circuito de entrada por un factor multiplicativo β . Por
ejemplo, si re = 6.5 Ohms y β = 160 (situación bastante común), entonces la impedancia de
entrada se incrementa a un nivel de:
Zi ≅ β re = (160)(6.5 ohms) = 1.04 Kohms Ecuación 4.20
Figura 4.21 Impacto de re sobre la impedancia de entrada.
Para la configuración de emisor común, los valores típicos de Z i que se definen mediante re,
oscilan desde unos cuantos cientos de Ohms hasta el orden los Kohms, con valores máximos de
entre 6 y 7 Kohms.
Para la impedancia de salida las características de interés son el conjunto de salida de la figura
4.22, Obsérvese que la pendiente de las curvas se incrementa con el aumento en la corriente de
colector. Cuanto más elevada sea la pendiente, menor será el nivel de la impedancia de salida
(Zo). El modelo re de la figura 4.19 no incluye una impedancia de salida, pero si se halla
disponible a partir de un análisis gráfico o de hojas de datos, puede incluirse como se ilustra en la
figura 4.23.
Figura 4.22 Definición de ro para la configuración de emisor común.
Figura 4.23 Inserción de ro en el circuito equivalente de transistor.
Para la configuración de emisor común, valores típicos de Zo se encuentran en el intervalo que va

de los 40 a los 50 Kohms.
Para el modelo de la figura 4.23, si se establece a cero la señal aplicada, la corriente es de OA y la

impedancia de salida es:
Zo = ro Ecuación 4.21
Por supuesto, si la contribución debida a ro se ignora como en el caso del modelo ro la impedancia
de salida se define por Zo = ∞ Ω .
La ganancia de voltaje para la configuración de emisor común se determinará ahora por la

configuración de la figura 4.24 haciendo uso de la suposición que Zo = ∞ Ω . Para la dirección
definida por Io y polaridad de Vo:
Vo = -IoRL Ecuación 4.22

Figura 4.24 Determinación de la ganancia de voltaje y corriente para el amplificador de
transistor de emisor común.
El signo menos refleja simplemente el hecho de que la dirección de Io en la figura 4.24 establecerá
un voltaje Vo con polaridad opuesta. Al continuar llegamos a:
Vo = -IoRL = -IcRL = -β IbRL Ecuación 4.23
Vi = IiZi = Ibβ re Ecuación 4.24
Av = Vo / Vi = -β IbRL / Ibβ re Ecuación 4.25
Av = -RL /re Ecuación 4.26
El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltajes de entrada y salida se
encuentran desfasados en 180°. La ganancia de corriente para la configuración de la figura 4.24:
Ai = Io / Ii = Ic / Ib = β Ib / Ib Ecuación 4.27
Ai = β Ecuación 4.27
Utilizando el hecho de que la impedancia de entrada es β re, que la corriente de colector es β Ib y

que la impedancia de salida es ro, el modelo equivalente de la figura 4.25 puede ser una
herramienta efectiva para el análisis que sigue a continuación. Para valores de parámetros típicos
la configuración de emisor común puede considerarse como aquella que disfruta de un nivel
moderado de impedancia de entrada, un voltaje y una ganancia de corriente altos, y una
impedancia de salida que puede tener que incluirse en el análisis de la red.
Figura 4.25 Modelo re para la configuración de transistor de emisor común.
Configuración de colector común
Para la configuración de colector común normalmente se aplica el modelo definido para la

configuración de emisor común de la figura 4.25, en vez de definir un modelo propio para la
configuración de colector común. En capítulos subsecuentes se investigarán varias
configuraciones de colector común y llegara a ser evidente el efecto de utilizar el mismo modelo.
4.5 El modelo equivalente híbrido.
En la sección 4.4 se señaló que el modelo re para un transistor es sensible al nivel de operación de
cd del amplificador. El resultado es una resistencia de entrada que variará en el punto de
operación de cd. Para el modelo equivalente híbrido que se describirá en esta sección se definen
los parámetros en un punto de operación que puede o no reflejar 1as condiciones de operación
reales del amplificador. Esto se debe al hecho de que las hojas de especificaciones no pueden
proporcionar los parámetros para un circuito equivalente para todo punto de operación posible.
Los fabricantes deben escoger las condiciones de operación que creen que reflejarán las
características generales del dispositivo.
Figura 4.26 Circuito equivalente híbrido de entrada.
Figura 4.27 Circuito equivalente híbrido de salida.
Figura 4.28 Circuito equivalente híbrido completo.
CAPITULO 5
5.1 Polarización por divisor de voltaje.
Los modelos de transistores que se presentan en el capítulo 3 se utilizarán ahora para realizar el
análisis de ca de pequeña señal de un buen número de configuraciones estándar de redes con
transistor. Las redes que se analizarán representan la mayor parte de las que aparecen en la
práctica actual. Las modificaciones de las configuraciones estándar se examinarán con relativa
facilidad una vez que el contenido de este capitulo se haya revisado y entendido.
Ya que el modelo re es sensible al punto de operación real, será nuestro modelo principal para el
análisis que se realizará. Sin embargo, para cada configuración se examina el efecto de una
impedancia de salida como se proporciona mediante el parámetro hoe del modelo equivalente
híbrido. Para demostrar las semejanzas que existen en el análisis entre los modelos, se ha
dedicado una sección al análisis de pequeña señal de redes BJT empleando únicamente el modelo
equivalente híbrido.
Circuito equivalente para CD
Circuito equivalente para CA.

• Zi:
• Zo:
Zo = Rc
• Av:
Vo = -IORL
IO = (ICRC)/(RC+RL) ⇒ VO = -(ICRC)RL /(RC+RL)
Vo = ViR'L / re ⇒ Vo / Vi = -R'L / re
Av = -R'L / re
• Ai: Frecuentemente el valor de R' es muy cercano a β re por lo tanto no puede ser
ignorado.
Ib = R'Ii / (R' + β re)
IB / Ii = R' / (R' + β re)
En la salida
Efecto de ro: Zi no cambia pero Zo = ro Rc

Ro = 1 / hoe
Ai = Io / Ii
Ejemplo:
Calcule el punto Q, re, Zi, Zo, Av, Ai para el amplificador que se muestra:
f = 1 kHz
Xc ≤ 0.1 R
C1 ≥ 10 / 2π f ≥ 0.22 uF
C2 ≥ 1.3 uF
C3 ≥ 1.06 uF
Análisis de CD:
β RE = (90)(1.5 kΩ ) = 135 kΩ
10R2 = (10)(8.2 kΩ ) = 82 kΩ , ∴ β RE > 10R2
∴ se puede emplear el análisis aproximado

VE = VB – VBE = 2.81 - 0.7 = 2.11 Vcd
IE = VE / RE =2.11 V / 1.5 kΩ = 1.41 mA
VCE = VCC - IC(RC + RE), donde IC ≈ IE
VCE = 22 - (1.41mA)(6.8 kΩ + 1.5 kΩ ) = 10.297 Vcd
Punto Qcd: (10.297 V, 1.41 mA)
Análisis de CA:
re = 26 mV / IE = 26 mV / 1.41 mA
re = 18.44 Ω
β re =(90)(18.44) = 1.66 kΩ
Zi = 1.35 kΩ
Zo = Rc = 6.8 kΩ , si se toma en cuenta ro suponga que el transistor es el 2N4123: hoe = 14 u

para Ic ≈ 1.41 mA
Av = 66.64
Ai = 59.84
5.2 Configuración de polarización de emisor para emisor común.
Circuito equivalente de CD
Circuito equivalente de CA
Como Vi está en paralelo con RB y con la suma de β re + β RE ⇒ Vi = IRB RB ó
Vi = Ibβ re + IeRE = Ibβ re + (β + 1)IbRE
Zb = Vi / Ib = β re + (β +1)RE
Zb ≈ β (re + RE), si RE >> re ⇒ Zb ≈ β RE
Zi:
Ejemplo
Dado el siguiente circuito encuentre:
a. Punto Q y valor exacto para IE

b. Zi
c. Zo (sin ro y con ro) suponga que hoe = 55 uU
d. Av
e. Ai
a)
IE = (β + 1)IB = (121)(46.5 uA) = 5.63 mA
Ic = β IB =(120)(46.5 uA) = 5.58 mA
VCE = Vcc – Ic (Rc + RE) = 20 - (5.58 mA)(1.3k + 1.2k) = 6.05 Vcd
Punto Q (6.05 Vcd, 5.58 mA)
IE = 5.63 mA
b)
Re = 26 mV / 5.63 mA = 4.62 ohms
Zi = 94.65 kohms
c)
Zo = Rc
Zo = 1.3 kΩ (sin ro)
Si ro = 1 / hoe =1 / 55 uU =18.18 kΩ
Zo = 1.21 kΩ (con ro)
d)
Av = -0.3
e)
Ai = 40.52
Zo:
Si Vi = 0, Ib = 0 y β Ib es un corto circuito
Zo = Rc
Av:
Av: Frecuentemente la magnitud de RB es muy cercana a Zb, por lo tanto no se puede
aproximar Ib = Ii. Es necesario aplicar la regla del divisor de corriente.
Efecto de ro: La colocación de ro para esta configuración es tal que para los valores de
parámetros típicos, el efecto de ro sobre la impedancia de salida y ganancia de voltaje se
pueden ignorar:
5.3 Configuración de emisor seguidor.
Cuando la salida se toma en la terminal del emisor, en lugar de en el colector,

la red recibe el nombre de emisor seguidor.
El voltaje de salida (CA) siempre es un poco menor que la señal de entrada,

debido a la caída de base a emisor, a pesar de esto la aproximación Av ≈ 1
casi siempre es satisfactoria.
A diferencia del voltaje en el colector, el voltaje en el emisor está en fase con

la señal Vi, de ahí el nombre de "emisor seguidor".
En la figura se muestra la configuración más común de emisor seguidor.
Como se puede observar, para análisis de CA el colector está conectado a
tierra, así que ésta es una configuración de colector de colector común.
Esta configuración se utiliza con propósitos de acoplamiento de impedancia.

Presenta una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de
salida, lo cual es opuesto por completo a las configuraciones anteriores. El
efecto resultante es muy similar al que se obtiene con un transformador.
Circuito equivalente de CD
Malla de Entrada
Malla de Salida
Circuito equivalente de CA
Nótese que Vi está en paralelo con RB, pero también con β re + β R'L, así
que: Vi = ZbIb
Zi:
Así que
Zo:
, y en términos de Ie multiplicando por β + 1
Si se dibujara un circuito representando a esta ecuación:
Recuerde que para obtener Zo, Vi se establece a cero volts, así que:
Si se toma en cuenta ro ⇒ R'L está en paralelo con ro

Av: De la figura anterior se puede obtener la ganancia de voltaje.
Ai: De la figura del circuito equivalente:
La siguiente es también una red de emisor seguidor, pero se polariza por

divisor de voltaje.
En este caso para CA se sustituye RB por R1 paralela a R2 y para CD se aplica

lo visto para la polarización por divisor de voltaje, si β RE ≥ 10R2 ⇒ Análisis
aproximado. En el caso contrario se aplica el análisis exacto.
La siguiente también es una red de emisor seguidor, la cual utiliza

polarización por divisor de voltaje y además se incluye una resistencia en el
colector para controlar el VCE.
Para el análisis en CA, la RC incluida no tiene efecto, ni en Zo, ni en la
ganancia y RB se sustituye por R1 paralela a R2.
Para CD es un circuito de polarización por divisor de voltaje.
Ejemplo:
Para la red de emisor seguidor que se muestra en la figura calcule:
a. Punto Q
b. re
c. Parámetros: Zi, Zo, Av, Ai.
a) Circuito equivalente de CD:

b)
c)
Apéndice al capítulo 5.
CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA
Circuitos Equivalentes de CA
Zi:
Zo: Impedancia de salida = Zo para Vi = 0 ⇒ Ib = 0, Zo = Rc
Av:
El signo menos indica que la polaridad de Vo es opuesta a la definida por la

dirección indicada de Io.
Ai:
Efecto de ro: Zi no cambia, pero

CAPITULO 6
6.1 Introducción al transistor de efecto de campo.
El transistor de efecto de campo (FET = Field-Effect Transistor) es un dispositivo de tres

terminales que se emplea para una amplia variedad de aplicaciones que coinciden, en gran parte,
con aquellas correspondientes al transistor BJT descritas en los capítulos 2 y 3. Aunque existen
diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos, también hay muchas semejanzas que se
indicarán en las secciones que siguen.
La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de que el transistor BJT es
un dispositivo controlado por corriente, como se ilustra en la figura 5.1a, mientras que el
transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje, como se muestra en la figura 5.1b. En
otras palabras, la corriente IC en la figura 5.1a es una función directa del nivel de IB. Para el FET
la corriente ID será una función del voltaje vGS aplicado a la entrada del circuito, como se ilustra
en la figura 5.1. En cada caso la corriente de la salida del circuito se controla por un parámetro del
circuito de entrada, en un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado.
Figura 5.1 Amplificador controlado por corriente (a) y (b) amplificador controlado por
voltaje.
Así como hay transistores bipolares npn y pnp, existen transistores de efecto de campo de canal-n
y canal-p. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo
bipolar (el prefijo bi- revela que el nivel de conducción es una función de dos portadores de
carga, electrones y huecos). El FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente ya sea de
la conducción por electrones (canal-n) o por huecos (canal-p).
El término "efecto de campo" en el nombre elegido amerita una explicación. Todos estamos
familiarizados con la habilidad de un imán permanente de atraer limaduras de metal sin necesidad
de un contacto físico directo. El campo magnético de un imán permanente actúa sobre las
limaduras y las atrae hacia el imán a través de un esfuerzo por parte de las líneas de flujo
magnético, para mantenerlas a tan corta distancia como sea posible. Para el FET sé establece
un campo eléctrico por medio de las cargas presentes que controlarán la trayectoria de conducción
del circuito de salida, sin necesidad de un contacto directo entre la cantidad que controla y la que
es controlada.
Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones semejante a otro

presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a comparar algunas de las características
generales de uno contra el otro. Una de las características más importantes del FET es su alta
impedancia de entrada. En un nivel de 1 hasta varios cientos de megaohms, este dispositivo
excederá con mucho los niveles típicos de resistencia de entrada de las configuraciones con
transistores BJT, una característica muy importante en el diseño de sistemas amplificadores
lineales de ca. Por otro lado, el transistor BJT tiene una sensibilidad mucho mayor a los cambios
en la señal aplicada. En otras palabras, la variación en la corriente de salida es por lo general
mucho mayor para los BJT que para los FET, con el mismo cambio en el voltaje. Por esta razón,
las ganancias típicas de voltaje de ca para amplificadores BJT son mucho mayores que para FET.
En general los FET son más estables con relación a la temperatura que los BJT, y los FET son
normalmente más pequeños en construcción que los BJT, haciéndolos particularmente útiles
en circuitos integrados (CI). Sin embargo, las características de construcción de algunos FET
pueden hacerlos más sensibles al manejo que los BJT.
En este capítulo se introducirán dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unión
(JFET) y el transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor MOSFET. La categoría
MOSFET se subdivide posteriormente en los tipos decremental e incremental, que se describirán
en su oportunidad. El transistor MOSFET se ha convertido en uno de los más importantes
dispositivos empleados en el diseño y construcción de circuitos integrados para computadoras
digitales. Su estabilidad térmica otras características generales lo han hecho extremadamente
popular en e) diseño de circuitos de computadora. Sin embargo, ya que es un elemento discreto en
un típico encapsulado cilíndrico, debe manejarse con cuidado (como se discutirá en una sección
posterior).
Una vez que se presenten las características y la construcción del FET, se cubrirán los arreglos de
polarización en el capítulo 7. El análisis realizado en el capítulo 3 empleando transistores BJT
probará su utilidad en la derivación de las ecuaciones importantes y la comprensión de los
resultados obtenidos para los circuitos FET.
6.2 Construcción y características de los JFET.
Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas
capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicación sobre el
transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis y
diseño, con una sección dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. Para el
transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo predominante, con
párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p.
La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5.2. Observe que la mayor
parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en
material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la
terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo
material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los
dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de
compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los
extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de
cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin
polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión, como se ilustra en la figura
5.2, que se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin polarización. Recuérdese
también que una región de agotamiento es aquella región carente de portadores libres y por lo
tanto incapaz de permitir la conducción a través de la región.
Figura 5.2 Transistor de unión de efecto de campo (JFET).
Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas, pero la
analogía hidráulica de la figura 5.3 proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de
compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo. La
fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual
establecerá un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por
medio de una señal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las
terminales del drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la
figura 5.2, debido a que la terminología se define para el flujo de electrones.
Figura 5.3 Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET.
VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo
En la figura 5.4 se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal y la compuerta se ha
conectado en forma directa a la fuente para establecer la condición VGS = 0 V. El resultado es que
las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una región de
agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la distribución de las
condiciones sin polarización de la figura 5.2. En el instante que el voltaje vDD (= VDS) se aplica,
los electrones serán atraídos hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional
ID con la dirección definida de la figura 5.4. La trayectoria del flujo de carga revela con claridad
que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que
aparecen en la figura 5.4, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado únicamente por
la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.
Figura 5.4 JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V.
Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo superior de
ambos materiales tipo p. La razón para el cambio en la anchura de la región se puede describir
mejor con la ayuda de la figura 5.5. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n, la
resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura 5.5. La corriente ID
establecerá los niveles de voltaje a través del canal, como se indica en la misma figura. El
resultado es que la región superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de
los 1.5 V, con la región inferior inversamente polarizada sólo en los 0.5 V. Recuérdese, la
explicación de la operación del diodo, que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada,
mayor será la anchura de la región de agotamiento, de aquí la distribución de la región de
agotamiento que se muestra en la figura 5.5. El hecho de que la unión p-n esté inversamente
polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes,
como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = 0 A es una importante característica del
JFET.
Figura 5.5 Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión p-n de
un JFET de canal n.
En cuanto el voltaje VDS se incrementa de 0 a unos cuantos voltios, la corriente aumentará según
se determina por la ley de Ohm, y la gráfica de ID contra VDS aparecerá como se ilustra en la
figura 5.6. La relativa linealidad de la gráfica revela que para la región de valores inferiores de
VDS la resistencia es esencialmente una constante. A medida que VDS se incrementa y se
aproxima a un nivel denominado como Vp en la figura 5.6, las regiones de agotamiento de la
figura 5.4 se ampliarán, ocasionando una notable reducción en la anchura del canal. La reducida
trayectoria de conducción causa que la resistencia se incremente, y provoca la curva en la gráfica
de la figura 5.6. Cuanto más horizontal sea la curva, más grande será la resistencia, lo que sugiere
que la resistencia se aproxima a "infinitos" ohmios en la región horizontal. Si VDS se incrementa
hasta un nivel donde parezca que las dos regiones de agotamiento se "tocarían", como se ilustra en
la figura 5.7, se tendría una condición denominada como estrechamiento (pinch-off). El nivel de
VDS que establece esta condición se conoce como el voltaje dé estrechamiento y se denota por
Vp, como se muestra en la figura 5.6. En realidad, el término "estrechamiento" es un nombre
inapropiado en cuanto a que sugiere que la corriente iD disminuye, al estrecharse el canal, a 0 A.
Sin embargo, como se muestra en la figura 5.6, es poco probable que ocurra este caso, ya que ID
mantiene un nivel de saturación definido como IDSS en la figura 5.6. En realidad existe todavía
un canal muy pequeño, con una corriente de muy alta densidad. El hecho de que ID no caiga por
el estrechamiento y mantenga el nivel de saturación indicado en la figura 5.6 se verifica por el
siguiente hecho: la ausencia de una corriente de drenaje eliminaría la posibilidad de diferentes
niveles de potencial a través del canal de material n, para establecer los niveles de variación de
polarización inversa a lo largo de la unión p-n. El resultado sería una pérdida de la distribución de
la región de agotamiento, que ocasiona en primer lugar el estrechamiento.
Figura 5.6 ID contra VDS para VGS = 0 V.
Figura 5.7 Estrechamiento (VGS = 0 V, VDS = Vp).
A medida que VDs incrementa su valor más allá de Vp, la región de estrechamiento cutre las dos
regiones de agotamiento aumentará en longitud a lo largo del canal, pero el nivel de ID continúa
siendo fundamentalmente el mismo. Por tanto, esencialmente, una vez que VDS > Vp el JFET
posee las características de una fuente de corriente. Como se muestra en la figura 5.8, la corriente
está fija en ID = IDSS, pero el voltaje VDS y (para niveles > Vp) se determina por la carga
aplicada.
La elección de la notación para IDSS se deriva del hecho de que es la corriente de drenaje a fuente
con una conexión en corto circuito de la compuerta a la fuente. A medida que continuemos
investigando las características del dispositivo hallaremos que: Idss es la máxima corriente de
drenaje, para un JFET y se define por las condiciones VGS = 0 V y VDS > Vp. Nótese en la
figura 5.6 que VGS = 0 V para la longitud total de la curva. Los breves párrafos siguientes
describirán cómo se afectan las características de la figura 5.6 a causa de los cambios en el nivel
de VGS.
Figura 5.8 Fuente de corriente equivalente para VGS = 0 V, VDS > Vp.
VGS < 0 v
El voltaje de la compuerta a la fuente, que se denota como VGS es el voltaje de control del JFET.
Del mismo modo que fueron establecidas varias curvas de IC contra VCE para diferentes niveles
de IB para el transistor BJT, pueden desarrollarse curvas de ID contra VDS para varios niveles de
VGS para el JFET. Para el dispositivo de canal n el voltaje de control VGS se hace más y más
negativo con respecto a. su nivel de VGS = O V. En otras palabras, la terminal de compuerta se
situará en niveles de potencia cada vez más bajos en comparación con la fuente.
En la figura 5.9 se ha aplicado un voltaje negativo de -1 V entre las terminales de compuerta y

fuente para un nivel bajo de VDS. El efecto de la polarización negativa aplicada VGS es el de
establecer regiones de agotamiento semejantes a las obtenidas con Vgs = 0 V pero a menores
niveles de VDS. Por lo tanto, el resultado de aplicar una polarización negativa a la compuerta es el
de alcanzar el nivel de saturación a un nivel menor de VDS, como se ilustra en la figura 5.10 para
VGS = -1 V. El nivel de saturación resultante para ID se ha reducido y de hecho continuará
disminuyendo en tanto VGS continúe haciéndose más y más negativo. Obsérvese también en la
figura 5.10 cómo el voltaje de estrechamiento continúa decayendo en forma parabólica a medida
que VGS se vuelve más y más negativo. Eventualmente, cuando vGS = -Vp, VGS, será lo
suficientemente negativo para establecer un nivel de saturación que es esencialmente de 0 mA, y
para todos los fines prácticos el dispositivo se habrá "apagado". En resumen:
El nivel de vGS que resulta en ID = 0 mA se define por VGS = Vp, siendo Vp, un voltaje negativo
para dispositivos de canal n y un voltaje positivo para JFETs de canal-p.
Figura 5.9 Aplicación de un voltaje negativo a la compuerta de un JFET.
En la mayoría de las hojas de especificaciones, el voltaje de estrechamiento se especifica como

VGS (apagado), en lugar de Vp, Se revisará una hoja de especificaciones posteriormente en el
capítulo, cuando se hayan introducido los elementos principales de interés. La región de la
derecha de la curva de estrechamiento de la figura 5.10 es la región normalmente empleada para
amplificadores lineales (amplificadores con una mínima distorsión de la señal aplicada) y se le
conoce comúnmente como región de corriente constante, de saturación o de amplificación lineal.
Figura 5.10 Características de un JFET de canal n con IDSS = 8 mA y Vp = -4 V.
6.3 Características de transferencia.
Derivación
Para el transistor BJT la corriente de salida IC y la comente controladora de entrada IB estaban

relacionadas por medio del factor beta, el cual se consideraba constante para el análisis a
realizarse. En forma de ecuación,
En la ecuación anterior existe una relación lineal entre IC e IB. Duplíquese el nivel de IB e IC,
también se incrementará por un factor de 2.
Desafortunadamente, esta relación lineal no existe entre las cantidades de salida y entrada de un
JFET. La relación entre ID y VGS se define por la ecuación de Shockley:
El término cuadrado de la ecuación dará como resultado una relación no lineal entre ID y VGS,
produciendo una curva que crece exponencialmente con el incremento de los valores de VGS.
Para el análisis de cd que se realizará en el capítulo 7, será más fácil y directo en general aplicar
un enfoque más gráfico que matemático. Sin embargo, el enfoque gráfico requerirá una gráfica de
la ecuación anterior para representar el dispositivo y una gráfica de la ecuación de la red
relacionando las mismas variables. La solución está definida por el punto de intersección de las
dos curvas. Es importante tener en cuenta cuando se aplique el enfoque gráfico que las
características del dispositivo no se afectarán por la red en la que se emplea el dispositivo. La
ecuación de la red puede cambiar junto con la intersección entre las dos curvas, pero la curva de
transferencia definida por la ecuación (5.3) no se afecta. Por lo tanto, en general:
Las características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley se mantienen sin

afectarse por la red en la que se emplea el dispositivo.
La curva de transferencia puede obtenerse utilizando la ecuación de Shockley o a partir de las

características de salida de la figura 5.10. En la figura 5.15 se suministran dos gráficas con la
escala vertical en miliampereos para cada gráfica. Una es la gráfica de ID contra VDS, mientras
que la otra es de ID contra VGS. Haciendo uso de las características del drenaje a la derecha del
eje de las "y", se puede trazar una línea horizontal desde la región de saturación denotada por
VGS = 0 V hasta el eje de ID. El nivel de corriente resultante para ambas gráficas es IDSS. El
punto de intersección sobre la curva de ID contra VGS se encontrará como se ilustra, ya que el eje
vertical se define como VGS = 0 V. En resumen: Cuando VGS = 0 V, ID = IDSS.
Figura 5.15 Obtención de la curva de transferencia a partir de las características de drenaje.
Cuando VGS = Vp = -4 V, la corriente de drenaje es de 0 miliampereos, y define otro punto sobre

la curva de transferencia. Es decir: Cuando VGS = Vp, ID = 0 mA.
Antes de proseguir, es importante enfatizar que las características de drenaje relacionan una
cantidad de salida (o drenaje) a una cantidad de entrada (o compuerta). ambos ejes se definen por
variables en la misma región de las características del dispositivo. Las características de
transferencia son la gráfica de una corriente de salida (o drenaje) contra una cantidad controlada
de entrada. Existe, por lo tanto, una "transferencia" directa de variables de entrada a variables de
salida cuando se emplea la si curva a la izquierda de la figura 5.15. Si la relación fuera lineal, la
gráfica de ID contra VGS resultaría en una línea recta entre VDSS y Vp. Sin embargo, se obtendrá
una curva parabólica debido a que el espaciado vertical entre los pasos de VGS sobre las
características de drenaje de la figura 5.15 decrece notablemente a medida que VGS se hace cada
vez más negativo. Compárese el espaciado entre VGS = O V y VGS= -1 V con el que se da entra
VGS = -3 V y el estrechamiento. El cambio en VGS es el mismo, pero el cambio resultante en ID
es muy diferente.
Si se dibuja una línea horizontal desde la curva para VGS = -1 V hasta el eje de ID y luego se
extiende hasta el otro eje, puede localizarse otro punto sobre la curva de transferencia. Nótese que
VGS = -1 V sobre el eje inferior de la curva de transferencia con ID = 4.5 mA. Obsérvese en la
definición de ID a VGS = O V y -1 V que se utilizan los niveles de saturación de ID y se ignora la
región óhmica. Al continuar con VGS = -2 V y -3 V puede completarse la curva de transferencia.
Esta es la curva de transferencia de ID contra VGS que se utilizará con mucha frecuencia en el
análisis del capitulo 7 y no las características de drenaje de la figura 5.15. En los siguientes
párrafos se presentará un' rápido y eficaz método para graficar ID contra VGS dados únicamente
los niveles de IDSS y Vp, así como la ecuación de Shockley.
Aplicación de la ecuación de Shockley
La curva de transferencia de la figura 5.15 puede obtenerse en forma directa mediante la ecuación
de Shockley (5.3), dando simplemente los valores de IDSS y Vp. Los niveles de Idss y Vp definen
los límites de la curva sobre ambos ejes y dejan solamente la necesidad de encontrar unos cuantos
puntos intermedios de graficación. La validez de la ecuación (5.3) como una fuente para la curva
de transferencia de la figura 5.15 se demuestra mejor al examinar unos cuantos niveles específicos
de una variable y hallando el nivel resultante de la otra, en la forma siguiente: Sustituyendo VGS
= 0 V se obtiene
Al sustituir VGS = Vp resulta que
Para las características de drenaje de la figura 5.15, si sustituimos VGS = -1 V,

como se muestra en la figura 5.15. Adviértase la precaución con la que se manejan los signos
negativos para VGS y Vp en los cálculos anteriores. La pérdida de un signo daría un resultado
totalmente erróneo.
Debería ser obvio de lo anterior que dadas IDSS y Vp (como se proporciona una regla general en
las hojas de especificaciones), el nivel de ID puede hallarse para cualquier nivel de VGS. A la
inversa, por medio del uso de álgebra básica podemos obtener [de la ecuación (5.3)] una ecuación
para el nivel resultante de VGS para un nivel dado de ID. La derivación es bastante directa y dará
como resultado
Probemos la ecuación anterior para hallar el nivel de VGS que resultará en una corriente de
drenaje de 4.5 m A, para el dispositivo con las características de la figura 5.15
tal y como se sustituyó en el cálculo anterior y se verificó por la figura 5.15.
RELACIONES IMPORTANTES
En las últimas secciones se han introducido varias ecuaciones importantes y características de

operación que son de particular interés para el análisis a seguir relacionado con las
configuraciones de cd y ca. En un esfuerzo por aislar y enfatizar su importancia se reproducen a
continuación, junto con la ecuación correspondiente para el transistor BJT. Las ecuaciones JFET
se definen para la configuración de la figura 5.22a, mientras que las ecuaciones BJT se relacionan
con la figura 5.22b.
Figura 5.22 (a) JFET contra (b) BJT.

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
Como se habrá observado en la introducción del capítulo, hay dos tipos de FET: JFET y
MOSFET. Los MOSFET además se dividen en tipo decremental y tipo incremental. Los términos
decremental e incremental definen sus modos básicos de operación, mientras que la palabra
MOSFET significa transistor de efecto de campo de metal óxido semiconductor (metal – oxide
-semiconductor – field - effect transistor). Puesto que existen diferencias en las características y
operación de cada tipo de MOSFET, éstos son tratados en secciones separadas. En esta sección
examinaremos el MOSPET tipo decremental, que parece tener características similares a las de un
JFET entre el corte y la saturación para IDSS, pero luego tiene el rasgo adicional de las
características que se extienden dentro de la región de polaridad opuesta para VGS.
Construcción básica
La construcción básela de un MOSFET de tipo decremental de canal n se esquematiza en la figura

5.23. Una "plancha" de material tipo p se forma en una base de silicio y se le denomina sustrato.
Es el cimiento sobre el que se construirá el dispositivo. En algunos casos el sustrato se conecta
internamente con la terminal fuente. Sin embargo, muchos dispositivos discretos suministran una
terminal adicional denominada SS, resultando un dispositivo de cuatro terminales, como el que
aparece en la figura 5.23. Las terminales de fuente y drenaje se conectan a través de contactos
metálicos a las regiones con dopado tipo n (n dopadas) unidas mediante un canal n, como se
muestra en la figura. La compuerta también se conecta a una superficie de contacto metálico pero
permanece aislada del canal n por una capa muy delgada de dióxido de silicio (SiO2). El SiO2 es
un tipo particular de aislante conocido como un dieléctrico, que establece una oposición (como se
indica por el prefijo di-) de campos eléctricos dentro del dieléctrico, cuando éste se expone a un
campo externamente aplicado. El hecho de que la capa de SiO2 sea una capa aislante revela el
hecho siguiente:
No hay una conexión eléctrica directa entre la terminal de compuerta y el canal para un
MOSFET.
Además:
La capa aislante de SiO2 en la construcción del MOSFET es la que cuenta para la muy
conveniente alta impedancia de entrada del dispositivo.
Figura 5.23 MOSFET de tipo decremental de canal n.
De hecho, la resistencia de entrada de un MOSFET es con frecuencia la del JFET típico, aun
cuando la impedancia de entrada de la mayoría de los JFET sea suficientemente alta para la mayor
parte de las aplicaciones. La muy alta impedancia de entrada continúa para soportar el hecho de
que la corriente de compuerta (IG) es esencialmente de cero amperes para las configuraciones
polarizadas de cd.
La razón para el nombre FET metal-óxido-semiconductor es ahora bastante obvia. El metal por
las condiciones de compuerta, fuente y drenaje a la superficie adecuada (en particular, la terminal
de compuerta y el control que ofrece por la terminal de contacto superficial), el óxido por la capa
aislante de dióxido de silicio, y el semiconductor por la estructura básica sobre las que se
difunden las regiones tipo n y p. La capa aislante entre la compuerta y el canal ha dado por
resultado otro nombre para el dispositivo: FET de compuerta aislada (insulated-gate) o IGFET,
aunque esta denominación se utiliza cada vez menos en la literatura actual.
Operación básica y característica
En la figura 5.24 el voltaje compuerta-fuente se fija a cero voltios por la conexión directa de una
terminal a la otra, y se aplica un voltaje VDS a través de las terminales drenaje-fuente. El
resultado es una atracción de los electrones libres del canal n por el potencial positivo del drenaje
y una corriente similar a la establecida a través del canal del JFET. De hecho, la corriente
resultante con VGS = O V continúa denominándose IDSS.
Figura 5.24 MOSFET de tipo incremental de canal n con VGS = 0 V y un voltaje aplicado
VDD.
MANEJO DE LOS MOSFET
La delgada capa de SiO2 entre la compuerta y el canal de los MOSFET tiene el efecto positivo de
proporcionar una característica de alta impedancia de entrada para el dispositivo, pero debido a
que es extremadamente delgada introduce una inquietud acerca de su manejo, la cual no se hizo
presente para los transistores BJT o JFET. Con frecuencia hay suficiente acumulación de
electricidad estática (la cual recogemos de nuestro entorno) para establecer una diferencia de
potencial a través de la delgada capa que puede acabar con ella y establecer la conducción a través
de la misma. Es imperativo, por tanto, que dejemos la laminilla (o anillo) de cortocircuitado (o
conducción) conectando las terminales del dispositivo juntas hasta que éste se inserte en el
sistema. El anillo o segmento de corto circuito previene la posibilidad de que se aplique un
potencial a través de cualquiera de las dos terminales del dispositivo. Con el anillo la diferencia de
potencial entre cualquiera de ellas se mantiene a O V. Como mínima precaución, tóquese siempre
un conducto a tierra para permitir la descarga de la electricidad estática acumulada antes de
manejar el dispositivo, y siempre tome el transistor por su encapsulado.
A menudo existen transitorios (cambios bruscos en voltaje o corriente) en una, red cuando son
removidos o insertados elementos y la fuente de energía está encendida. Los niveles de
transitorios pueden ser con frecuencia más de lo que el dispositivo puede soportar y, por lo tanto,
la fuente de energía siempre deberá apagarse cuando se efectúen cambios en la red. El máximo
voltaje de compuerta-fuente por lo general se proporciona en la lista de valores nominales
máximos de dispositivo.
Un método para asegurarse de que no se exceda este voltaje (quizás a causa de efectos
transitorios) para cualquier polaridad es introducir dos diodos Zener, como se ilustra en la figura
5.41. Los Zener se colocan frente a frente para asegurar la protección de cualquier polaridad. Si
ambos diodos Zener fueran de 30 V y surgiera un transitorio positivo de 40 V, el Zener inferior se
"dispararía" a 30 V y el diodo superior se activaría con una caída de cero voltios (en forma ideal,
por la región de conducción positiva de un diodo semiconductor) a través del otro diodo. El
resultado es un máximo de 30 V para el voltaje de compuerta-fuente. Una desventaja introducida
por la protección Zener es que la resistencia de apagado para un diodo Zener es que la resistencia
de entrada establecida por la capa de SiO2. El resultado es una reducción en la resistencia de
entrada, pero aun así es lo suficientemente alta para la mayoría de las aplicaciones. Como un gran
número de los dispositivos discretos tienen ahora la protección Zener, algunas de las inquietudes
mencionadas anteriormente ya no son tan molestas. Sin embargo, todavía es mejor tomar algunas
precauciones cuando se manejen dispositivos MOSFET discretos.
VMOS
Una de las desventajas de los MOSFET típicos son los reducidos niveles de manejo de energía (en
general, menos de 1 W) en comparación con los transistores BJT. Esta leve deficiencia para un
dispositivo con tantas características positivas puede suavizarse al cambiar el modo de
construcción de naturaleza planar, como el que se ilustra en la figura 5.23, a uno con estructura
vertical, como el que se muestra en la figura 5.42. Todos los elementos del MOSFET planar están
presentes en el FET vertical de óxido metálico y silicio (VMOS:Vertical Metal-Oxide-Silicon), la
superficie metálica de conexión a las terminales del dispositivo, la capa de SiO2*** entre la
compuerta y la región tipo p entre el drenaje y la fuente para el crecimiento del canal n inducido.
Figura 5.42 Construcción del VMOS.
CMOS
Un circuito lógico muy efectivo se puede establecer al construir un MOSFET de canal p y un

MOSFET de canal n sobre el mismo sustrato, como se muestra en la figura 5.43. Obsérvese el
canal p inducido a la izquierda y el canal n inducido a la derecha de los dispositivos de canal p y
de canal n, respectivamente. La configuración denominada arreglo MOSFET complementario,
abreviada CMOS, tiene una extensa aplicación en el diseño de computadoras. La impedancia
relativamente alta, rápidas velocidades de conmutación y bajos niveles operativos de energía de la
configuración CMOS han ocasionado el surgimiento de una disciplina completamente nueva
conocida como diseño lógico de CMOS.
Figura 5.44 Inversor CMOS.
7.1 Configuración de polarización fija.
En el capitulo 6 encontramos que los niveles de polarización para una configuración de transistor
de silicio puede obtenerse haciendo uso de las ecuaciones características VBE = 0.7 V, IC= IB e
IC = IE. La interrelación entre las variaciones de entrada y de salida se obtiene por β , la que se
supone de magnitud fija para el análisis por realizarse, El hecho de que beta sea una constante
establece una relación. El hecho de que beta sea una constante establece una relación lineal entre
IC e IB. Al duplicar el valor de IB se duplica el nivel de IC, y así sucesivamente. Para el transistor
de efecto de campo la relación entre las cantidades de entrada y salida no es lineal debido al
término cuadrático en la ecuación de Shockley. Las relaciones lineales resultan en líneas rectas
cuando se traza una gráfica de una variable contra la otra, en tanto que las funciones no lineales
resultan en curvas tales como las obtenidas para las características de transferencia de un JFET.
La relación no lineal entre ID y VGS puede complicar el enfoque matemático para el análisis de
cd de las configuraciones con FET. Un enfoque gráfico puede limitar las soluciones a una
precisión de decenas, pero es un método más rápido para la mayor parte de los amplificadores
FET, Puesto que el enfoque gráfico es en general más popular, el análisis de este capitulo tendrá
preferentemente una orientación gráfica en lugar de técnicas matemáticas directas.
Otra diferencia expresa entre el análisis de los transistores BJT y FET es que la variable
controlada de entrada para un transistor BJT es un nivel de corriente, mientras que para el FET la
variable de control es un voltaje. Sin embargo, en ambos casos, la variable controlada en el
extremo de salida es un nivel de corriente que también define los importantes niveles de voltaje
del circuito de salida. Las relaciones generales que pueden aplicarse al análisis de cd para todos
los amplificadores FET son
IG = 0 A
ID = Is
Para JFET y MOSFET de tipo decremental, se aplica la ecuación de Shockley para relacionar las
cantidades de entrada y salida:
Es de particular importancia enfatizar que todas las ecuaciones anteriores son únicamente para el
dispositivo. No cambian para cada configuración de red siempre que el dispositivo se encuentre
en la región activa. La red simplemente define el nivel de corriente y voltaje asociados con el
punto de operación a través de su propio conjunto de ecuaciones. En realidad, la solución de cd
para las redes FET y BJT es la solución de las ecuaciones simultáneas establecidas por el
dispositivo y la red. La solución puede determinarse utilizando ya sea un enfoque gráfico o uno
matemático, hecho que se demostrará en las primeras redes que se analizarán. Sin embargo, como
ya se hizo ver, el enfoque gráfico es el más popular para las redes FET y se emplea en este libro.
Las primeras secciones de esta capitulo se limitan a los JFET y al análisis con el enfoque gráfico.
El MOSFET de tipo decremental será examinado posteriormente con su intervalo creciente de
puntos de operación, seguido del MOSFET de tipo incremental. Finalmente, se investigarán
problemas de naturaleza de diseño para poner a prueba en forma completa los conceptos y
procedimientos introducidos en este capitulo.
El más simple de los arreglos de polarización para el JFET de canal n aparece en la figura 6.1,
Conocida como configuración de polarización fija, es una de las pocas configuraciones FET que
pueden resolverse en forma directa utilizando tanto el enfoque gráfico como el matemático.
Ambos métodos se incluyen en esta sección para mostrar la diferencia entre las dos filosofías,
pero también para establecer el hecho de que puede obtenerse la misma solución haciendo uso de
cualquiera de los métodos.
La configuración de la figura 6.1 incluye los niveles de ca Vi y Vo los capacitores de

acoplamiento (C1 y C2). Recuérdese que los capacitores de acoplamiento son "circuitos abiertos"
para el análisis de cd y bajas impedancias (esencialmente cortos circuitos) para el análisis de ca.
El resistor rG. Está presente para asegurar que Vi, aparezca a la entrada del amplificador FET para
el análisis de ca. Para el análisis de cd,
IG = 0 A
VRG = IGRG = (0A)RG = 0 V
Figura 6.1 Configuración de polarización fija.
La caída de cero voltios a través de RG permite reemplazar a rG por un corto circuito equivalente,
como aparece en la red de la figura 6.2, específicamente redibujada para el análisis de cd.
El hecho de que la terminal negativa de la batería se conecte de manera directa al potencial

definido positivo de VGS muestra claramente que la polaridad de VGS se opone en forma directa a
vGG. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en dirección de las manecillas del reloj a la malla
indicada de la figura 6.2, se tiene que
VGS = -VGG
Puesto que vGG es una fuente constante de cd, el voltaje VGS es de magnitud fija, dando como
resultado la denominación "configuración de polarización fija".
Figura 6.2 Red para el análisis de cd.
El nivel resultante de corriente de drenaje ID se controla ahora por la ecuación de Shockley:
Ya que VGS es una cantidad fija para esta configuración, su signo y su magnitud simplemente
pueden sustituirse en la ecuación de Shokley y calcularse el nivel resultante de ID. Este es uno de
los pocos ejemplos en el cual la solución matemática para una configuración FET es bastante
directa.
Un análisis gráfico requeriría una gráfica de la ecuación de Shockley como se muestra en la figura
6.3. Recuérdese que la elección de VGS = Vp/2 dará como resultado una corriente de drenaje de
IDSS***/4 cuando se grafique la ecuación. Para el análisis de este capítulo, los tres puntos
definidos por IDSS***, Vp y la intersección que se acaba de describir serán suficientes para trazar
la curva.
Figura 6.3 Graficación de la ecuación de Shockley.
En la figura 6.4 el nivel fijado de VGS se ha sobreimpuesto en forma de una línea vertical en VGS
= -VGG. En cualquier punto de la línea vertical el nivel de VGS es –VGG (el nivel ID debe
determinarse sobre esta línea vertical). El punto donde las dos curvas se intersecan es la solución
común a la configuración (conocida generalmente como el punto estático o de operación}. El
subíndice Q se aplicará a la corriente de drenaje y al voltaje de compuerta-fuente para identificar
sus niveles en el punto Q. Obsérvese en la figura 6.4 que el nivel estático de ID se determina al
trazar una línea horizontal desde el punto Q hasta el eje vertical ID, como se ilustra en la figura
6.4. Es importante enfatizar que una vez que la red de la figura 6.1 se construye y está en
operación, los niveles de cd de ID y VGS que se medirán con los medidores de la figura 6.5 son
los valores estáticos definidos por la figura 6.4.
Figura 6.4 Encontrando la solución para la configuración de polarización fija.
Figura 6.5 Medición de los valores estáticos para ID y VGS.
El voltaje de drenaje-fuente de la sección de salida puede determinarse mediante la aplicación de

la ley de voltaje de Kirchhoff como sigue:
VDS + IDRD – VDD = 0
VDS = VDD - IDRD
Recuérdese que los voltajes con subíndice sencillo se refieren al voltaje de un punto con respecto
a tierra. Para la configuración de la figura 6.2,
VS = 0 V
Utilizando notación de subíndice doble:
VDS = VD - VS
VD = VDS + VS = VDS + 0V
VD = VDS
VGS = VG - VS
VG = VGS + VS = VGS + 0V
VG = VGS
El hecho de que VD = VDS y VG = VGS es bastante obvio del hecho que Vs = 0 V pero las
deducciones anteriores se incluyeron para enfatizar las relaciones existentes entre la notación de
subíndice doble y la de subíndice sencillo. Puesto que la configuración requiere de dos fuentes de
poder de cd, su uso está limitado y no será incluido en la lista subsecuente de las configuraciones
más comunes de FET.
7.2 Configuración de autopolarización.
La configuración de autopolarización elimina la necesidad de tener dos fuentes de cd. El voltaje

controlador de compuerta-fuente se determina ahora por el voltaje a través de un resistor RS
introducido en la terminal de la fuente de la configuración, como se muestra en la figura 6.8.
Figura 6.8 Configuración JFET de autopolarización.
Para el análisis de cd los capacitores pueden remplazarse de nuevo por "circuitos abiertos", y el
resistor rG, por un equivalente de corto circuito ya que IG = 0 A. El resultado es la red de la
figura 6.9 para el importante análisis de cd. La corriente a través de Rs es la corriente de fuente,
pero Is = iD y
VRS = IDRS
Para la malla cerrada indicada de la figura 6.9, encontramos que
-VGS – VRS = 0
VGS = -VR
VGS = -IDRS
Advierta en este caso que VGS es una función de la comente de salida ID y no un valor de
magnitud constante como ocurre para la configuración de polarización fija.
Figura 6.9 Análisis de cd para la configuración de autopolarización.
La ecuación (6.10) se define por la configuración de la red y la ecuación de Shockley relaciona las
cantidades de entrada y salida del dispositivo. Ambas ecuaciones relacionan las mismas dos
variables, permitiendo una solución ya sea matemática o gráfica.
Una solución matemática podría obtenerse simplemente al sustituir la ecuación (6.10) en la

ecuación de Shockiey como se muestra a continuación:
Rs, IDSS y Vp son constantes, la incógnita es ID
Bibliografía
TEXTO:
o ELECTRÓNICA TEORÍA DE CIRCUITOS. Robert Boylestad, Louis
Nashelsky. Editorial Prentice Hall. 8ª edición. 2010.
REFERENCIAS:
o ANÁLISIS DE CIRCUITOS POR COMPUTADORA USANDO SPICE.

David Báez. Prentice Hall. 2ª edición. 2009.
o MICROELECTRONICS CIRCUITS. Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith.
Oxford University Press. 4ª edition. 1999.
o PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA. Albert P. Malvino. McGraw-Hill. 6ª
edición. 1999.
o FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES. Hansjochen Benda.
Siemens & Marcombo.
o FUNCIONAMIENTO DEL DIODO SEMICONDUCTOR. Udo Lob. Siemens
& Marcombo.
o EL TRANSISTOR. Erich Gelder & Karl-Heins Reiter. Marcombo
TAREAS DEL CURSO ELECTRÓNICA (IE-250-01)
PRIMAVERA 2010
NOTAS IMPORTANTES SOBRE LAS TAREAS
a) Todas las tareas son para entregar.
b) Si la tarea es de lectura (artículos o copias) debe entregar un resumen por cada

artículo leído o un resumen por cada tema, o un resumen por cada capítulo de
libro.
c) Si la tarea es de investigación No se aceptan impresiones tomadas

directamente de Internet (para evitar el "copy" & "paste"), por lo tanto es mejor
que todas las tareas sean entregadas en español.
c) Si la tarea no es de lectura, ni de investigación debe entregar todos su cálculos

y todo el proceso de desarrollo de la tarea.
Tarea 1.- Leer L4 hasta L23 del libro "Fundamentos de Los Semiconductores, de
HansjocheN Benda. Editorial Marcombo, 1987, Barcelona, España". Esta lectura
también está disponible en Reserva Semestral de la Biblioteca. Fecha de entrega.
Tarea 2.- Leer L6 hasta L17 (Páginas 17 a 41) del libro "Funcionamiento del Diodo
Semiconductor, de Udo Lob. Editorial Marcombo, 1987, Barcelona, España". Esta
lectura también está disponible en Reserva Semestral de la Biblioteca.
Tarea 3.- De los ejercicios del Capítulo 1 del Libro de Texto (pp. 51, 52 y 53): 1, 2,
3, 4, 12, 13, 14, 15, 16, 18.
Tarea 4.- De los ejercicios del Capítulo 2 del Libro de Texto (pp. 121, 122 y 123): 4,
5, 6, 7a, 7b, 8b, 9a, 9b, 10, 11b, 12. Para los ejercicios 4, 5, 6, 7a y 7b debe Trazar la
Línea de carga del diodo, así como su punto de operación Q.
Tarea 5.- De los ejercicios del Capítulo 2 del Libro de Texto (pp. 124 y 125): 22, 23
y 28.
Tarea 6.- De los ejercicios del Capítulo 2 del Libro de Texto (pp. 126 y 127): 32, 35
y 36. Se sugiere resolver (NO ENTREGAR) los ejercicios 33b, 34a, 37, 38, 39.
Tarea 7.- De los ejercicios del Capítulo 2 del Libro de Texto (pp. 128 y 129): 37, 38,
39, 42, 43 (Para los ejercicios 42 y 43 calcule también V RS, IRS, VZ, IZ, VRL e IRL), 47 y
48.
Tarea 8.- De los ejercicios del Capítulo 3 del Libro de Texto (pp. 160 y 161): 1, 2, 3,
4, 5, 6, 7, 8 y 9.
31, 32, 33, 34 y 35.
Tarea 10.- De los ejercicios del Capítulo 4 del Libro de Texto (pp. 234 y 235): 1, 2 y
3 (Para cada ejercicio obtenga VBC y grafique IBQ, PQ y la Línea de carga).
8, 10 y 33. (Para cada ejercicio obtenga VBC y grafique IBQ, PQ y la Línea de carga).
Tarea 12.- De los ejercicios del Capítulo 4 del Libro de Texto (pp. 237, 238, 239 y
240): 12, 13, 14 , 16, 17, 18, 19 y 34. (Para los ejercicios 12, 13 y 14 obtenga VBC y
grafique IBQ, PQ y la Línea de carga).
Tarea 13.- De los ejercicios del Capítulo 4 del Libro de Texto (pp. 238, 239, 240 y
241): 22, 23, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33 y 34.
Tarea 14.-
Parte a) Diseñe un conmutador con BJT para controlar el apagado y encendido de

un motor de CD con una señal de control tipo TTL, el motor requiere 12 Vcd y 45
mA para activarse (Utilice saturación dura).
Parte b) De los ejercicios del Capítulo 4 del Libro de Texto (pp. 242 y 243): 41, 42,
43, 44, 45 y 46.
Tarea 15.- De los ejercicios del Capítulo 7 del Libro de Texto (pp. 385 y 387): 4 y 17
(En ambos ejercicios utilice el modelo re e incluya RL=1KΩ .
Tarea 16.- De los ejercicios del Capítulo 8 del Libro de Texto (pp. 454, 455 y 456):
1, 3, 4, 5, 7, 8 y 10. (En todos los ejercicios utilice RL=1KΩ y obtenga PQ, re, Zi, Zo,
Ac, Ai y grafique las líneas de carga de CD y de CA)
1, 5, 6, 8, 9, 11, 23, 24, 25, y 32.
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 12, 13 y 14.
Tarea 19.- De los ejercicios del Capítulo 6 del Libro de Texto (pp. 351): 17 y 18..

APUNTES DEL CURSO ELECTRÓNICA I Profesor Luis Gerardo Guerrero Ojeda

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APUNTES DEL CURSO ELECTRÓNICA I Profesor Luis Gerardo Guerrero Ojeda

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APUNTES DEL CURSO ELECTRÓNICA I

Profesor: Luis Gerardo Guerrero Ojeda

1. Diodos y aplicaciones con Diodos.

1.1 Introducción a los diodos y diodo ideal.

2. El Transistor Bipolar de Unión (BJT)

2.1 Introducción al BJT y principios de construcción.

3. Polarización de CD del BJT

3.1 Punto de operación o punto Quiescente.

4. Modelado del transistor BJT.

4.1 Amplificación en el dominio de CA.

5. Análisis de pequeña señal del BJT.

5.1 Polarización por divisor de voltaje.

6. El Transistor de Efecto de Campo (FET).

6.1 Introducción al transistor de efecto de campo.

1.1 Introducción a los diodos y diodo ideal.

Figura 0.1C Primer BJT.

Antes de examinar la construcción y características de un dispositivo real, consideremos primero

Figura 1.1 Diodo ideal: (a) símbolo; (b) característica.

Las características de un diodo ideal son las de un interruptor que puede

Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o región de

donde VF es el voltaje de polarización directo a través del diodo e IF es la corriente en sentido

El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la región de

Si consideramos la región del potencial aplicado negativamente (tercer cuadrante) de la figura

donde VR es el voltaje de polarización inverso a través del diodo e IR es la corriente inversa en el

El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la región en la que no

En síntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 1.2.

En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la región de

1.2 Materiales semiconductores tipo N y tipo P.

Entonces, un semiconductor es un material cuya conductividad se ubica entre los límites de la

A continuación, se muestran las configuraciones de orbitales de los mejores conductores:

Figura 1.4a Plata

Figura 1.4c Oro

Configuración Electrónica de los elementos Semiconductores:

Tabla 1.1 Elementos semiconductores.

Cristal de Silicio altamente purificado

Figura 1.5a Material intrínseco de Silicio

Material Extrínseco tipo N

Cristal de Silicio "dopado" o impurificado con átomos de Arsénico: "Átomos "Donadores"

Figura 1.5a Material de Silicio con impureza (Extrínseco) de Arsénico, tipo N.

Cristal de Silicio "Dopado" o impurificado con átomos de Galio: Átomos "Aceptores" de

Figura 1.6 Material de Silicio con impureza (Extrínseco) de Galio, tipo P.

En un material tipo N el electrón se denomina portador mayoritario y el hueco se denomina

Figura 1.7 Material tipo N, se muestran los iones donadores.

Figura 1.8 Material tipo N, no se muestran los iones donadores.

En un material tipo P el hueco se denomina portador mayoritario y el electrón se denomina

Figura 1.9 Material tipo P, se muestran los iones donadores.

- Polarización directa (VD > 0 V) (Ver figura 1.12).

- Polarización inversa (VD < 0 V) (Ver figura 1.13).

Condición de No Polarización: VD > 0 V

Figura 1.12 Diodo semiconductor en condición de polarización directa.

La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los electrones en el material tipo N y a los

Condición de Polarización Inversa: VD < 0 V

El fenómeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocará que la región

Sin embargo, el número de portadores minoritarios que estarán entrando a la región de

La corriente que existe bajo condiciones de polarización inversa se denomina corriente de

Figura 1.13 Diodo semiconductor en condición de polarización inversa.

1.3 Curvas características (ideal, real y aproximadas) de un diodo.

Donde K = 11,600/η es la constante de Boltzmann

Figura 1.15 Curva del modelo simplificado para un diodo.

Figura 1.16 Modelo de un diodo ideal.

1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus hojas de

• Capacitancias parásitas de Transición y de Difusión.

En la región de polarización inversa se presenta principalmente la capacitancia de la región de