ELECTRNICA

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO:

Introduccin Construccin y caractersticas de los JFET Transistores de efecto de campo de compuerta aislada (MOS o MOSFET) El transistor IGBT

4 B ELECTRNICA 2010

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

campos ferromagnticos, experimentos de fotoelectrones en cloruro de plata y varios temas en la fsica del transistor. Su trabajo fue recompensado con muchos honores. Recibi la Medalla al Mrito en 1946, por su trabajo en el departamento de guerra. El premio en memoria de Morris Leibmann del Instituto de Ingeniera de la Radio en 1952; los siguientes aos, el premio de la Sociedad Americana de la Fsica de Oliver E. Buckley por su investigacin del estado fsico slido y un ao despus el premio Cyrus. B. Comstock de la Academia Nacional de las Ciencias. El mayor honor fue el Premio Nobel en Fsica que le fue otorgado en 1956, juntamente con sus dos antiguos colegas de los laboratorios "Bell Telephone", John Bardeen y Walter H. Brattain por el desarrollo del transistor William B. Schokley falleci el 12 de Agosto de 1989 en Palo Alto (California) a los 79 aos de edad. .

illiam Bradford Shockley naci en Londres el 13 de febrero de 1910, aunque sus padres eran norteamericanos y slo 3 aos despus de su nacimiento se lo llevaron a vivir a Palo Alto, California. Su padre era un ingeniero y su madre una topgrafa de minas. Considerando que le podran dar a su hijo una mejor educacin en casa, los Shockleys mantuvieron a William sin ir a la escuela hasta que cumpli 8 aos. Aunque su educacin probara ms tarde ser de excelente nivel, este aislamiento hizo que el pequeo William tuviera muchos problemas para adaptarse a su entorno social.

En el otoo de 1927 ingres a la Universidad de California en Los Angeles, pero tras slo un ao ah ingres al prestigioso Instituto de Tecnologa de California, en Pasadena. William termin su licenciatura en fsica en 1932 y posteriormente obtuvo una beca para estudiar en el Instituto Tecnolgico de Massachusetts (MIT), de donde se doctor en 1936.
Con el apoyo de Bell Telephone Laboratories en 1936 comenz los experimentos que le llevaron al descubrimiento y posterior desarrollo del transistor de unin. Durante la segunda Guerra Mundial ejerci como director de investigacin en el grupo de investigaciones de operaciones de combate antisubmarino. Trabaj, igualmente, como consejero experto en la oficina del secretario para la guerra. Al finalizar la guerra, volvi a Bell Telephone como director de la investigacin fsica del transistor. La investigacin de Shockley estuvo centrada en las bandas de energa de los slidos, la difusin propia del cobre, el orden y el desorden en los enlaces, experimentos y teora en los

2010

4 B Electrnica

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

1. INTRODUCCIN
El transistor de efecto e campo (FET) (por las siglas en ingls de Field Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan, en una gran proporcin, a las de los transistores bipolares (BJT) (por las siglas en ingls de Bipolar Junction Transistor). Aunque existen importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos, tambin es cierto que tienen muchas similitudes. La diferencia bsica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor FET es un dispositivo controlado por tensin. En otras palabras, la corriente de colector es una funcin directa del nivel de la corriente de base. Para el FET la corriente de drenador es funcin de la tensin compuerta-surtidor aplicada al circuito de entrada. En cada caso, la corriente del circuito de salida est controlada por un parmetro del circuito de entrada, en un caso se trata de un nivel de corriente y en el otro de una tensin aplicada. De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante considerar que el transistor BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conduccin es una funcin de dos portadores de carga, los electrones y los huecos. El FET es un dispositivo unipolar que depende nicamente de la conduccin o bien, de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p). El trmino efecto de campo merece cierta explicacin. Es muy bien conocida la capacidad de un imn permanente para atraer limaduras de metal hacia el imn sin la necesidad de un contacto real. El campo magntico del imn permanente envuelve las limaduras y las atrae al imn por medio de un esfuerzo por parte de las lneas de flujo magntico con objeto de que sean lo ms cortas posibles. Para el FET un campo elctrico se establece mediante las cargas presentes que controlarn la trayectoria de conduccin del circuito de salida, sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y controladas. Uno de los rasgos ms importantes del FET es una gran impedancia de entrada, que va desde 1 a varios cientos de mega-ohms excediendo por mucho los niveles tpicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistores bipolares, un punto muy importante en el diseo de amplificadores lineales de C.A. Por otro lado, el transistor BJT tiene una sensibilidad mucho ms alta a los cambios en la seal aplicada; es decir, la variacin en la corriente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT que la que produce en el FET para el mismo cambio de voltaje aplicado. Por esta razn, las ganancias normales de tensin en C.A para los amplificadores con transistores bipolares son mucho mayores que para los FET. En general, los FET son ms estables con respecto a las variaciones de temperatura que los transistores bipolares y adems, constructivamente son de un tamao menor, lo cual los hace mucho ms tiles en la fabricacin de circuitos integrados (C.I). Fundamentalmente tenemos dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unin (JFET) (por las siglas en ingls de, Junction Field Effect Transistor) y el transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) (por las siglas en ingls de, Metal-OxideSemiconductor Field Effect Transistor). Los transistores JFET pueden ser de canal-n o de canal-p; estos, se utilizan para amplificar seales de baja frecuencia y potencia (seales de audiofrecuencia). La categora MOSFET se desglosa en los tipos incremental o de enriquecimiento y decremental o de empobrecimiento. Los MOSFET del tipo decremental pueden ser de canal-n o canal-p; estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencia, en sus etapas de entrada por su bajo nivel de ruido. Los MOSFET del tipo incremental (canal-n o canal-p) se utilizan ampliamente en los sistemas digitales de alta densidad de integracin como memorias semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores, etc. Tambin tiene gran aplicacin como elemento discreto en aplicaciones de potencia.

2010

4 B Electrnica

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

2. CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS DE LOS JFET

Bsicamente el JFET esta constituido por una barra semiconductora tipo n o tipo p con dos terminales en sus extremos denominados drenador (D) y fuente o surtidor (S) (por su sigla en ingls, Source). A los lados de esta barra, se crean dos zonas con impurezas opuestas a la de la barra, zona que se denomina puerta o compuerta (G) (por su sigla en ingls, Gate). La regin que queda entre las dos zonas de puerta, se denomina canal. La corriente de este dispositivo, cuyo valor se quiere controlar, circula entre los terminales drenador-surtidor, cuando se aplica una tensin elctrica entre esos terminales. Esta corriente, atraviesa la zona denominada canal, el cual su conductividad es controlada por medio de la tensin de control puerta-surtidor (VGS). Si tomamos como referencia al terminal de surtidor podemos decir que la magnitud de la corriente en el terminal de drenador (iD) es controlada por la tensin de puerta VG.

2.1. ANLISIS DE SU FUNCIONAMIENTO

Para analizar su funcionamiento consideremos un JFET de canal-n polarizado segn la figura 2.1, para la situacin VGS = VGG = 0 voltios, es decir la puerta cortocircuitada con el surtidor y a su vez con el canal. Si ahora aplicamos una tensin pequea entre el drenador y surtidor, se producir una circulacin de corriente entre estos terminales. A medida que

2010

4 B Electrnica

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

aumenta la tensin aplicada, la corriente de drenador ID ira creciendo en forma lineal, de acuerdo a la ley de ohm (regin resistiva).

Figura 2.1.- JFET canal-n con VGG = 0 volt Como la puerta esta al potencial de la fuente y a medida que la corriente de drenador va creciendo, tambin va creciendo la cada de tensin dentro del canal. Esta cada de tensin, se manifiesta como una tensin inversa aplicada entre la puerta y el canal. Como entre puerta y canal tenemos una juntura tipo p-n (similar a la de un diodo), los portadores de carga en esta zona (electrones en el caso del canal-n o huecos en el caso del canal-p), comienzan a alejarse de la juntura. Esto provoca una disminucin efectiva de portadores de carga en la zona del canal, que produce una disminucin de su conductividad. La corriente de drenador comienza a disminuir su incremento, respecto a sus valores anteriores. Es decir que la corriente de drenador no aumenta en la misma proporcin que lo hace la tensin drenadorsurtidor. Si seguimos aumentando VDS, el canal seguir aumentando su resistencia (se dice que se estrecha conductivamente) hasta que se llega a un valor de equilibrio (figura 2.2), donde la corriente de drenador prcticamente se mantiene constante, por ms que VDS siga aumentando. La zona de ID = cte. se denomina de saturacin o regin de saturacin.

Figura 2.2.- Caractersticas del JFET canal-n con VGS = 0 volt

2010

4 B Electrnica

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

Resumiendo: en la zona de saturacin, la corriente ID no puede aumentar, debido a la cada de tensin que produce su propia circulacin por el canal que, a su vez, como el canal esta unido a la fuente y esta a la puerta por el cortocircuito, se produce una tensin inversa en la juntura puertacanal que hace que este ultimo aumente su resistencia al paso de la corriente. El termino transistor de efecto de campo, se emplea para describir el mecanismo de control de la corriente por la variacin del campo elctrico asociado a la regin de las cargas no neutralizadas (iones de los tomos de Si) en la zona de la juntura puertacanal. Si ahora aplicamos una tensin externa entre el terminal de puerta y el de surtidor que suministre una tensin inversa adicional (figura 2.3) a la provocada por la cada de tensin en el canal, la contraccin del canal se va a producir con valores menores de VDS y la corriente de drenador de saturacin ser menor. Si seguimos aumentando VDS, se llega a un punto donde la corriente iDS, comienza a aumentar drsticamente (sale de la zona de saturacin) por efecto avalancha que produce la ruptura del dispositivo.

Figura 2.3.- JFET canal-n con VGG = -12 volt

Figura 2.4.- Caractersticas del JFET canal-n con VGS = -12 volt

2010

4 B Electrnica

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

Normalmente para el JFET de canal-n, VGS toma valores negativos. Si tomara valores positivos, modificara la corriente de drenador, hacindola mayor, pero tendramos circulacin de corriente de puerta (para VGS > 0,5 V, figura 2.4) por lo que perderamos una de las ventajas de estos semiconductores que es la alta impedancia de entrada. Las caractersticas de salida tensin-corriente del JFET de canal-p, son similares pero debemos cambiar las polaridades y sentido de las tensiones y corrientes respectivamente. En la figura 2.4 tenemos: IDSS: corriente que circula entre drenador y surtidor para VGS = 0V. Vp: tensin de contraccin del canal para VGS = - Vp resulta ID = 0. El limite entre la zona resistiva y la zona de saturacin, esta dado para VDS = Vp.

2.2. ZONAS DE FUNCIONAMIENTO

A continuacin vamos a analizar las distintas zonas de funcionamiento y establecer matemticamente las relaciones entre los distintos parmetros intervinientes. 2.2.1. ZONA RESISTIVA Esta zona comprende desde el origen para VDS = 0 volt, hasta la contraccin del canal que para VGS = 0 volt resulta VDS = V. En est regin el JFET se le usa en realidad como una resistencia variable (posiblemente para un sistema de control de ganancia automtica) cuya resistencia se encuentra controlada por medio del voltaje de la compuerta-fuente. Obsrvese en la figura 2.5 que la pendiente para cada curva, y por tanto la resistencia del dispositivo entre el drenador y la fuente para VDS < VP, es una funcin del voltaje aplicado VGS. Mientras VGS se convierte en ms negativo, la pendiente de cada curva se hace ms horizontal, correspondiendo a un nivel creciente de la resistencia. La siguiente ecuacin ofrecer una buena y primera aproximacin del nivel de resistencia en trminos del voltaje aplicado VGS. De esta manera se fabrican las resistencias variables con la tensin VDR.

rd =

ro VGS 1 VP
2

Donde

ro es la resistencia con VGS = 0V y rd es la resistencia en un nivel particular de

VGS .

Figura 2.5.- Zona resistiva

2010

4 B Electrnica

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

2.2.2. ZONA DE SATURACIN Esta zona tambin se denomina de corriente constante ID cte. y corresponde para -VGS > -VP y para VDS (VGS-VP). La corriente de drenaje la podemos expresar como:

i D = I DSS

V 1 GS VP

La ecuacin anterior representa la caracterstica de transferencia o sea la relacin funcional entre la variable de salida (ID) y la variable de entrada del semiconductor (VGS). La grfica es la siguiente.

Figura 2.6.- Caracterstica de transferencia Como vemos en la figura 2.6, la corriente de drenador es funcin de la tensin puerta-fuente o sea VGS. Para un JFET de canal N, la corriente de drenador, disminuir a medida que VGS sea ms negativa y se aproxime a VP. 2.2.3. ZONA DE CORTE Esta zona corresponde a -VGS -VP (canal-N). En el limite, donde -VGS = -VP, la corriente de drenador es cero, significando ello que el canal esta cerrado. La tensin puerta-fuente que cierra el canal tambin se la denomina VGS(off). En la practica iD 0 = iD(off). 2.2.4. ZONA DE RUPTURA Esta zona es similar al transistor bipolar, respecto a las consecuencias que provoca. A partir de VDS(MAX), se ingresa a una regin de ruptura por avalancha, que produce la destruccin del semiconductor. 2.2.5. ZONA DE POLARIZACIN DIRECTA PUERTA-CANAL Para un JFET de canal-N, corresponde para valores positivos de VGS. En este caso la corriente de drenador aumenta pero tambin lo hace la corriente de puerta IGS. Para el canal-N esta ingresa al canal (de all el smbolo de la flecha hacia dentro en el JFET de canal-N). Para este caso, la impedancia de entrada disminuye, perdindose una de las caractersticas interesantes de los transistores de efecto de campo.

2010

4 B Electrnica

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

2.3. DISPOSITIVOS DE CANAL-P

El JFET de canal-P est construido exactamente de la misma manera que el dispositivo de canal-N pero con una inversin de los materiales tipo-p y tipo-n. Las direcciones de las corrientes estn invertidas, como las polaridades reales para los voltajes VGS y VDS. Para el dispositivo de canal-P, ste ser estrechado mediante voltajes crecientes positivos de la compuerta a la fuente.

3. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE COMPUERTA AISLADA (MOS o MOSFET)

Daremos una explicacin simplificada sobre la construccin y funcionamiento interno de estos semiconductores. En general podemos decir que tienen ms importancia comercial que los JFET y amplia aplicacin en los circuitos integrados digitales de muy alta densidad de integracin. Bsicamente, estn constituidos por un sustrato de base tipo-p o tipo-n, + + ligeramente dopados con impurezas, en el que se difunden dos regiones de tipo-n o tipo-p , fuertemente dopadas, que actan como drenador y surtidor, separados unos 10 a 20m. Sobre la superficie se deposita una fina capa aislante de dixido de silicio (Si O2) (1000-2000 A). Sobre la superficie de la estructura se practican ventanas para permitir el contacto del drenador y el surtidor. Posteriormente, se cubre la regin entera del canal con una superficie metlica que hace a la vez de puerta. El rea metlica de la puerta, conjuntamente con la capa de dixido de silicio y el canal semiconductor, forma un condensador de placas planas paralelas. La placa aislante proporciona una resistencia de entrada, extremadamente alta de alrededor 10 15 de 10 10 . Las zonas que forman el drenador y el surtidor, estn fuertemente dopadas, a los efectos de lograr una unin resistiva respecto al canal semiconductor. Veamos un dibujo simplificado de la estructura de un transistor MOS, implantado sobre un circuito integrado monoltico:

Figura 3.1.- Transistor MOS

2010

4 B Electrnica

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

3.1. MOSFET DEL TIPO DECREMENTAL

Se difunde un canal-n entre fuente y drenador lo cual hace circular una apreciable corriente de drenador IDSS cuando hacemos VGS = 0 Volt y aplicamos una tensin VDS entre los terminales drenaje y fuente.

Figura 3.2.- MOSFET de tipo decremental de canal-n Si ahora aplicamos una tensin negativa en el terminal de puerta, respecto al canal (a travs del terminal del sustrato unido a la fuente), se inducen cargas positivas en el canal, por debajo del dixido de silicio, en la zona que cubre el rea metlica de la puerta (similar a la carga de un condensador). Como en el canal los portadores mayoritarios que conducen la corriente, son electrones, las cargas inducidas hacen el canal menos conductor y la corriente de drenaje se hace menor, cuando VGS se hace ms negativo. La redistribucin de cargas en el canal provoca un debilitamiento efectivo de los portadores mayoritarios. Si hacemos ahora a VGS positivo, se inducen cargas negativas en el canal lo que produce un aumento de la conductividad (enriquecimiento) y con ello un aumento en la corriente de drenador. Veamos las caractersticas de transferencia y de salida tensin-corriente de este tipo de transistor:

Figura 3.3.- Caractersticas de drenador y transferencia para un MOSFET del tipo decremental de canal-n

2010

4 B Electrnica

10

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

El espaciamiento vertical (figura 3.3) entre las curvas de VGS = 0V y VGS = +1V es una clara indicacin de cuanto ha aumentado la corriente por el cambio en un volt en VGS. Debido al rpido incremento, hay que tener en cuenta el valor mximo de la corriente de drenador ya que puede excederse con un voltaje positivo en la entrada. Como se dijo antes, la aplicacin de un voltaje positivo en la compuerta ha incrementado el nivel de portadores libres en el canal comparado con aquel encontrado con VGS = 0V. Por esta razn la regin de voltajes positivos de la entrada sobre el drenador o las caractersticas de transferencia es a menudo conocida como la regin incremental con la regin entre el nivel de corte y de saturacin de IDSS denominada como la regin de agotamiento. 3.1.2. MOSFET DEL TIPO DECREMENTAL DE CANAL-P La construccin de un MOSFET de tipo decremental de canal-p es exactamente al inverso del que aparece en la figura 3.2. Esto es, ahora existe un substrato de tipo-n y un canal de tipop. Los terminales permanecen como se encuentran identificados en la figura 3.2, pero todas las polaridades de los voltajes y las direcciones de las corrientes estn invertidas. La inversin en VGS traer como resultado una imagen de espejo (con respecto al eje ID) para las caractersticas de transferencia. En otras palabras, la corriente de drenador aumenta desde el corte en VGS = VP en la regin positiva de VGS a IDSS, y despus contina su crecimiento para valores negativos mayores de VGS. Los transistores MOSFET de empobrecimiento, tienen una ganancia de tensin moderada. Como ventaja sobre otros dispositivos es la generacin de ruido interno de baja magnitud, por lo que se lo utiliza en etapas de entrada de amplificadores de radiofrecuencias como receptores de radiocomunicaciones y televisin. Otra caracterstica es la variabilidad de la ganancia con la variacin de VGS, por lo que tambin se lo utiliza como control automtico ganancia.

Figura 3.4.- Smbolos grficos para los MOSFET del tipo decremental de canal-n y canal-p

2010

4 B Electrnica

11

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

3.2. MOSFET DEL TIPO INCREMENTAL

Figura 3.5.- MOSFET del tipo incremental de canal-n A diferencia del MOSFET de empobrecimiento, cuando VGS = 0 Volt, no existe un canal conductor entre el drenador y surtidor. Ahora si colocamos el sustrato al potencial de masa (negativo), y aplicamos una tensin positiva a la puerta, aparecer un campo elctrico perpendicular a la capa aislante. Este campo elctrico, inducir cargas negativas en el sustrato, que son portadores minoritarios. Se forma una capa denominada de inversin. Cuando el valor de la tensin de puerta se hace ms positiva, la carga inducida aumenta, por lo tanto la regin debajo de la capa aislante, en la regin de la puerta, presenta portadores de tipo n o sea electrones. En consecuencia, en esta zona, la conductividad elctrica aumenta; si ahora en estas condiciones, aplicamos una tensin elctrica entre drenador y surtidor, se producir una circulacin de corriente que ser mayor cuanto mayor conductividad tenga el canal inducido o sea cuanto mayor sea la tensin elctrica aplicada entre la puerta y el sustrato. En los circuitos prcticos, en general la fuente se conecta con el sustrato, por lo tanto en estas condiciones la corriente de drenador la controlamos con la tensin puertasurtidor VGS. En la figura 3.6 se observan las graficas de la caracterstica V-I de salida y la de la caracterstica de transferencia para un MOSFET de enriquecimiento de canal-n. En la figura 3.7 se observan los smbolos grficos correspondientes. Los MOS de enriquecimiento o acumulacin, tienen amplia aplicacin en los circuitos integrados de alta y muy alta densidad de integracin. Las memorias semiconductoras, microprocesadores, etc. se construyen con una variante de este semiconductor como lo es el CMOS.

2010

4 B Electrnica

12

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

Figura 3.6.- Caractersticas de drenador y transferencia para un MOSFET del tipo incremental de canal-n

Figura 3.7.- Smbolos grficos para los MOSFET del tipo incremental de canal-n y canal-p

2010

4 B Electrnica

13

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

3.3. ZONAS DE FUNCIONAMIENTO

A continuacin vamos a analizar las distintas zonas de funcionamiento y establecer matemticamente las relaciones entre los distintos parmetros intervinientes. 3.3.1. ZONA DE CORTE Esta se produce para un valor de tensin de puerta-surtidor VGS VT, siendo est ultima la tensin umbral (se conoce como VT por la sigla en ingls de Threshold). Debido a que el canal no existe con VGS = 0 Volt y se forma al incrementar la conductividad mediante la aplicacin de un voltaje puerta-surtidor, es por est razn que recibe el nombre de MOSFET de tipo incremental. Aunque el MOSFET de tipo decremental tambin posee una zona incremental, el nombre se aplic al anterior debido a que ese es su nico modo de operacin. 3.3.2. ZONA DE SATURACIN Cuando VGS se incrementa ms all del nivel de umbral, la densidad de los portadores libres en el canal inducido se incrementan, dando por resultado un nivel mayor de corriente de drenador. Sin embargo, si se mantiene VGS constante y slo se aumenta el nivel de VDS, la corriente de drenador eventualmente alcanzar un nivel de saturacin as como le ocurri al JFET y al MOSFET de tipo decremental. La saturacin de ID se debe a un proceso de estrechamiento descrito por un canal ms angosto al final del drenador del canal inducido. Por lo tanto, la zona de saturacin se produce para VGS VT y la tensin drenador-surtidor VDS (VGS VT). En este caso la corriente de drenador se puede expresar por la siguiente frmula:

iD = K (vGS VT )

El trmino K es una constante denominada factor de transconductancia que depende de la fabricacin del dispositivo. Esta zona es de corriente constante tericamente; no obstante la corriente de drenador aumenta con el aumento de VDS.

3.4. MOSFET DEL TIPO INCREMENTAL DE CANAL-P

La construccin de un MOSFET de tipo incremental de canal-p es exactamente al inverso del que aparece en la figura 3.5. Esto es, ahora existe un substrato de tipo-n y regiones dopadas p bajo las conexiones del drenador y del surtidor. Los terminales permanecen tal como se indicaron, pero estn invertidas todas las polarizaciones del voltaje y las direcciones de corriente. Las caractersticas de transferencia sern una imagen de espejo (respecto al eje ID) de la curva de transferencia de la figura 3.6, pero con ID creciendo con los valores cada vez ms negativos de VGS despus de VT. Se aplican las mismas ecuaciones que para los MOSFET de canal-n.

3.5. DATOS TPICOS DE UN MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

El valor de VT, tensin umbral, vara de 1,5 a 4 Volt dependiendo del tipo de MOSFET. El fabricante suele dar datos en la zona de saturacin como ser un valor de la corriente de drenador con un determinado valor de la tensin compuertasurtidor denominados ID(on) y VGS(on). Otro valor que se suministra, es la resistencia aproximada del canal o sea RDS.

3.6. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN

El MOSFET de potencia que se utiliza como dispositivo de conmutacin es el de tipo incremental. A diferencia de los transistores bipolares, el MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y solo requiere de una pequea corriente de entrada. La

2010

4 B Electrnica

14

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

velocidad de conmutacin es muy alta y los tiempos de conmutacin son del orden de los nanosegundos. Si no tiene seal de compuerta, un MOSFET incremental de canal-n se puede considerar como dos diodos conectados espalda con espalda, o como un transistor NPN. La estructura de la compuerta tiene capacidades parasitas Cgs respecto al surtidor y Cgd respecto al drenador. El transistor NPN tiene una unin con polarizacin inversa, del drenador al surtidor, y forma una capacidad Cds. La figura 3.8(a) muestra el circuito equivalente de un transistor bipolar parasito en paralelo con el MOSFET. La regin de base a emisor del transistor NPN se pone en corto en el microcircuito, al metalizar el terminal del surtidor y la resistencia de la base al emisor, resulta de un valor bajo por lo que se la desprecia. Por consiguiente, se puede considerar al MOSFET con un diodo interno (figura b), por lo que las capacitancias parasitas dependen de sus voltajes respectivos.

a)

b)

Figura 3.8.- a) Modelo con capacidad bipolar. b) Modelo con diodo interno

4. EL TRANSISTOR IGBT
El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo de compuerta aislada. Tiene una estructura interna similar a la de un MOSFET, pero en el lado del drenador (colector) tiene una juntura p-n, la cual inyecta portadores minoritarios en el canal cuando el IGBT esta en estado de conduccin y de esta manera se reduce considerablemente la disipacin de potencia. Debido a esta estructura, el IGBT exhibe una mezcla de propiedades del MOSFET y el transistor bipolar. Estas son: Con el MOSFET: Compuerta controlada por tensin. La capacidad de entrada debe ser cargada y descargada durante el encendido y el apagado del dispositivo. Peligro de avera o daos debido a cargas electroestticas. Con el Bipolar: Tensin de saturacin poco dependiente de la corriente de colector. La resistencia en estado de conduccin no se incrementa con la temperatura, por lo tanto tiene bajas prdidas. Luego del apagado los portadores minoritarios necesitan un tiempo para la recombinacin, el cual resulta en una corriente inversa. No tiene diodo parsito.

2010

4 B Electrnica

15

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

Debido a la capa adicional tipo p, el IGBT tiene en la zona entre el colector y el emisor una estructura de cuatro capas, formando un tiristor parsito. Este tiristor puede dispararse a corrientes altas de colector y en esta condicin el IGBT no podra bloquearse por su compuerta, no obstante este fenmeno se elimina constructivamente. Las dos estructuras que existen son: a) de perforacin (PT, punch through) y b) NPT (non punch through). Como en un MOSFET incremental de canal-n, se hace positiva la compuerta respecto al surtidor, los portadores n son atrados al canal p cerca de la regin de la compuerta, produciendo una polarizacin directa de la base del transistor npn, logrndose el encendido. Entonces, un IGBT se enciende con un voltaje positivo en la compuerta y se apaga cuando le eliminamos el voltaje positivo aplicado en la compuerta. Dado que la activacin y desactivacin se efecta con una tensin elctrica, el circuito de control asociado a la activacin y desactivacin, resulta sencillo.

2010

4 B Electrnica

16

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann Departamento de Electrnica

ELECTRNICA

En las figuras anteriores se observa el circuito bsico de aplicacin, las caractersticas tensin-corriente de salida y la caracterstica de transferencia o sea corriente de colector versus voltaje de compuerta. La especificacin de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta 1200V, 400A con una frecuencia de conmutacin de hasta 20KHZ. Los IGBT tienen aplicaciones crecientes en potencias intermedias, como por ejemplo propulsores de motores de CD y CA, fuentes de corrientes, relevadores de estado slido, y contactores. A medida que los limites superiores de las especificaciones de IGBT disponibles en el comercio aumentan (hasta 6500V y 2400A), estn encontrando aplicaciones donde se usan los BJT y los MOSFET convencionales principalmente como interruptores llegando a sustituirlos.

2010

4 B Electrnica

17