REATOR ELETRNICO COM CIRCUITO SIMTRICO PARA CORREO

DO FATOR DE POTNCIA

Claudinor B. Nascimento,
claudinor@pg.cefetpr.br
Joo M. Buttendorff,
jbutt@inep.ufsc.br
Eduardo I. Pereira,
eduardo@inep.ufsc.br
Arnaldo J. Perin.
arnaldo.perin@inep.ufsc.br

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA
CTC - EEL - INEP
Caixa Postal 5119 - CEP: 88.040 - 970 - Florianpolis - SC
Tel.: +55.48.331.9204 - Fax: +55.48.234.5422

Abstract: An electronic ballast employing the continuous input current-charge pump power factor correction (CIC-CPPFC)
concept is presented in this paper. Characteristics as reliability, simplicity, small component count and a better crest factor on the
lamp are found in this electronic ballast. From the developed mathematical analysis is obtained the unity power factor condition.
Experimental results from a prototype for a 40W lamp and for one of 110W, applying the developed methodology prove the
efficiency of the proposed electronic ballast.
Keywords: Charge Pump, electronic ballast, power factor correction.
Resumo: Um reator eletrnico utilizando o conceito Continuous Input Current Charge Pump Power Factor Correction
(CIC-CPPFC), apresentado neste trabalho. Caractersticas como confiabilidade, simplicidade, nmero reduzido de componentes e
um melhor fator de crista sobre a lmpada so encontradas neste reator. Atravs da anlise matemtica desenvolvida, obtm-se as
grandezas que determinam a condio de fator de potncia unitrio. Resultados experimentais de dois prottipos para lmpadas de 40
e 110 Watts, aplicando a metodologia desenvolvida, comprovam a eficincia do reator proposto.
Palavras Chaves: Charge Pump, reatores eletrnicos, correo de fator de potncia

1 INTRODUO
Grande parte dos equipamentos eletrnicos, alimentados
pela rede eltrica, possui um conversor eletrnico para
processamento de energia. Estes conversores possuem
dispositivos eletrnicos que, quando em operao, deformam a
forma de onda da corrente fornecida pela rede, aumentando o
seu contedo harmnico e reduzindo o fator de potncia do
equipamento (Grotzbach,1989; Ray,1989).
Atualmente, cerca de 20% da energia eltrica
consumida mundialmente em forma de iluminao artificial.
Uma soluo para o melhor aproveitamento e conseqente
reduo desta taxa a utilizao de reatores eletrnicos em alta
freqncia, alimentando lmpadas fluorescentes. Alm de
diminuir o consumo de energia eltrica, os reatores eletrnicos
apresentam vantagens comparadas aos eletromagnticos como:
maior rendimento e eficcia luminosa (lm/W), menor peso e
volume, inexistncia de flicker e rudo audvel
(Hammer,1987; Hammer, 1985).
Visando a reduo dos custos de fabricao, muitos
reatores com estgio de correo do fator de potncia integrado
ao estgio de converso CC - CA vm sendo propostos (Alves,
1996; Blanco, 1996). Dentre as vrias tcnicas utilizadas,
destacam-se as que utilizam o conceito Charge Pump tais
como: Voltage Source - Charge Pump Power Factor
Correction (VS-CPPFC), Current Source - Charge Pump
Power Factor Correction (CS-CPPFC) e Continuous Inpunt
Current - Charge Pump Power Factor Correction (CIC-
CPPFC) (Qian, 2000). Reatores com conceito Charge Pump,
alm de reduzir os custos de produo por possurem uma
menor quantidade de componentes, possuem caractersticas tais
como: menor distoro harmnica na corrente de entrada,
menores correntes nos interruptores e menores tenses de
barramento (possibilitando alimentao de entrada em 220V).
Embora estas tcnicas sejam muito eficientes na
correo do fator de potncia, elas produzem um fator de crista
na corrente sobre a lmpada que, em determinadas potncias,
extrapolam os limites especificados nas normas tcnicas,
inviabilizando uma possvel aplicao comercial.
A topologia proposta neste trabalho, derivada da
topologia de Moisin (Moisin, 1997; Pereira, 2003), tem como
objetivo, alm de manter as principais caractersticas do reator
CIC-CPPFC, proporcionar uma melhoria no fator de crista
quando comparado s tcnicas Charge Pump j conhecidas.
Tambm so adotadas algumas consideraes nas anlises
matemticas, para obteno dos capacitores Charge Pump C
in

e da indutncia de entrada L
in
, diferentes das apresentadas em
outros trabalhos (Pereira, 2003; Qian, 1997). definida assim,
uma metodologia com equacionamentos diferentes, mas que
definem valores que alcanam a condio de elevado fator de
potncia.
2 TOPOLOGIA PROPOSTA
Tanto o conversor VS-CPPFC como o CS-CPPFC,
operam com conduo descontnua na corrente de entrada. Este
fato implica em um filtro relativamente grande que tem por
objetivo, alm de eliminar os harmnicos de alta freqncia,
evitar a interferncia eletromagntica. Visando a reduo do
filtro de entrada, utilizada a tcnica CPPFC com corrente no
modo de conduo contnua na entrada (CIC-CPPFC). Com
mesmas caractersticas que o CIC-CPPFC a Fig. 1 mostra a
topologia de Moisin (Moisin, 1997) e sua derivao
apresentada em (Pereira, 2003), sendo esta utilizada como base
neste trabalho.
Uma simples mudana do ponto s para o anodo de D
3

possibilita a retirada do diodo D
y
. Como conseqncia, o
capacitor C
in
fica conectado em paralelo com D
3
, como mostra
a Fig. 2(a) (Qian, 2000). Desta forma, D
3
alm de realizar a
funo de retificador tambm realizar o papel de D
y
, que
juntamente com C
in
, trabalham como circuito Charge Pump.
A Fig. 2(a), mantm as mesmas caractersticas do CIC
CPPFC, ou seja, a retirada do diodo D
y
reduz o nmero de
componentes do reator, o que provavelmente reduzir os custos
de produo em grande escala, porm no traz benefcios
quanto ao fator de crista na lmpada e DHT (Distoro
Harmnica Total) da corrente de entrada.
Tornando o reator simtrico com o acrscimo de um
capacitor em paralelo com o diodo D
4,
como mostra a
Fig. 2(b) (Qian, 2000), muda-se o funcionamento da estrutura
original e como conseqncia, melhora-se o fator de crista
sobre a lmpada, mantendo a taxa de distoro harmnica da
corrente de entrada dentro das especificaes das normas
tcnicas.

v
g

Lf
C
f

D
1
D
3

D
2
D
4

C
in
C
r

R
L

C
d

L
r

T
1

T
2

C
B

D
y
D
T1
D
T2
L
in
m
s

Fig. 1 - Topologia derivada de Moisin.

v
g

L
f

C
f

D
1
D
3

D
2
D
4

C
in

C
r

R
L

C
d

L
r

T
1

T
2

C
B

D
T1
D
T2
L
in
m s

(a)

v
C1

v
g

L
f

C
f

D
1
D
3

D
2
D
4

C
1

C
2

C
r

R
L

C
d

L
r

V
B

T
1

T
2

i
Lr
C
B

i
T1

i
T2

i
C2

v
C2

i
B

D
T1
D
T2
L
in
i
C1

i
g

i
Lin

i
Lin

m
s

(b)
Fig. 2 - (a) CIC-CPPFC sem Dy; (b) Topologia
proposta.
Tanto na Fig. 2(a) quanto na Fig. 2(b) os diodos da
ponte retificadora operam na freqncia de comutao dos
interruptores necessitando, desta forma, que sejam utilizados
diodos rpidos.

3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO E
CONSIDERAES DE PROJETO
O princpio de funcionamento mostrado para o semi-
ciclo positivo da rede, visto que para o semi-ciclo negativo as
etapas de operao so semelhantes, estando assim
representadas pelas equaes aqui determinadas.
As seguintes simplificaes sero admitidas durante a
anlise do circuito:
A ondulao de tenso V
B
ser desprezada;
A conduo da corrente de entrada ser
considerada contnua em todo perodo de comutao;
A tenso nos terminais da fonte de entrada ser
considerada constante em um perodo de comutao;
Todos os componentes sero considerados ideais.
Considerando o tanque ressonante integrado ao circuito
inversor como uma fonte de corrente e admitindo as
simplificaes colocadas anteriormente, tem-se o circuito
equivalente mostrado na Fig. 3 e suas respectivas etapas de
operao em regime permanente.

v
g

L
f

C
f

D
1
D
3

D
2
D
4

C
1

C
2

V
B

i
Lr

C
B

i
C2

v
C1

v
C2

i
B

L
1
i
C1

i
g

i
Lin

i
Lin

m
s

Fig. 3 - Circuito equivalente para anlise simplificada.
Primeira etapa: D
4
OFF ( t
0
, t
2
):
Antes de t
0
, a corrente i
Lin
maior que a corrente i
Lr
e a
diferena entres elas (i
B
) circulava por D
4
. No instante t
0
, i
Lin
se
iguala a i
Lr
e D
4
bloqueia naturalmente. A partir deste instante,
a diferena entre i
Lin
e i
Lr
passa a circular por C
1
e C
2
que se
descarrega e carrega respectivamente. Em t
1
, quando i
Lin
igual
a i
Lr
, C
1
alcana seu valor mnimo e C
2
o seu valor mximo.
Aps t
1
, i
Lin
torna-se maior que i
Lr
e a diferena entre elas passa
a circular novamente por C
1
que se carrega e C
2
que se
descarrega. Em t
2
, C
1
e C
2
esto totalmente carregado e
descarregado, respectivamente, e D
4
entra em conduo. A
Fig. 4 representa esta etapa de operao.

v
g

L
f

C
f

D
1

C
1

C
2

V
B

i
Lr

C
B

i
C2

v
C1

v
C2

i
B

L
in
i
C1

i
g
i
Lin

i
Lin

m
s

Fig. 4 - Primeira etapa de operao para anlise
simplificada.
Segunda etapa : D
4
ON ( t
2
, t
3
)
D
4
conduz a diferena entre i
Lin
e i
Lr
(i
B
) carregando C
B
.
A tenso ms fica grampeada no valor da tenso do
barramento CC (V
B
) e a corrente i
Lin
decresce linearmente. A
Fig. 5 representa esta etapa de operao.

v
g

L
f

C
f

D
1

D
4

V
B

i
Lr

C
B

i
B

L
in
i
g

i
L1

i
L1

m
s

Fig. 5 - Segunda etapa de operao para anlise
simplificada.
As principais formas de onda da anlise simplificada
so apresentadas na Fig. 6.
Vms
t0 t1 t2 t3
iLr
iLin
vC1
vC2
iD4

Fig. 6 - Formas de Onda para a anlise simplificada.
3.2 Anlise matemtica do reator
Consideraes
( ) sin( )
g P
v t V t = (1)
( ) sin( )
Lr Lr r
i t I t = + (2)
( )
( )
L
L in
di t
v t L
dt
= (3)
1 2
1 1 2 1
C C
C C
dv dv
i C e i C
dt dt
= = (4)
Condies Iniciais
1 2
1 2
(0) sin( ) (0) (0) 0
(0) 0 (0) 0
Lr Lr C B C
C C
i I v V i
i v
= = =
= =

Intervalo de t
0
t
2
:
2
( ) ( ) ( )
C g L B
v t v t v t V = + + (5)
2
( )
( ) ( )
L
C g in B
di t
v t v t L V
dt
= + + (6)
Da equao 6 tem-se que:
2
2
2
( ) ( )
C L
in
dv t d i t
L
dt dt
= (7)
1
( ) ( ) ( )
C g L
v t v t v t = (8)
1
( )
( ) ( )
L
C g in
di t
v t v t L
dt
= (9)
Da equao (9) tem-se que:
2
1
2
( )
C L
in
dv d i t
L
dt dt
= (10)
1 2
( ) ( ) ( ) ( )
L C C Lr
i t i t i t i t + = (11)
1 2
1 2
( ) sin( )
C C
L Lr r
dv dv
i t C C I t
dt dt
+ = + (12)
substituindo a equao (7) e a equao (10) na equao (12)
tem-se que:
2 2
1 2
2 2
( ) ( )
( ) sin( )
L L
L in in Lr r
d i t d i t
i t C L C L I t
dt dt

| | | |
+ = +
| |
\ . \ .
(13)
Logo,
( )
2
1 2 2
( )
( ) sin( )
L
L in Lr r
d i t
i t C C L I t
dt

| |
+ + = +
|
\ .
(14)
Assumindo que
1 2
C C C + = tem-se:
2
2
( )
( ) sin( )
L
L in L r r
d i t
i t C L I t
dt
+ = +
(15)
Resolvendo a equao diferencial (15) tem-se:
0
0
0
( ) sin( ) cos( )
( )
sin( )
L Lr
g B
i t I t
v t V
t K
Z

= +
| |

|
+ +
|
\ .
(16)
Onde:
0 0
0 0
1 1
,
in
in
L
C e Z
Z C
C L

= = =

e
| |
2
0
0
2 2
0
2
0
2 2
0 0
sin( ) sin( ) cos( )
cos( ) sin( )
Lr
r
r
Lr r
r
r
I
K t t
I
t

= + +

(17)
Intervalo de t
2
t
3
:

( )
( ) 0
L
g in B
di t
v t L V
dt
+ + = (18)
2 2
( )
( )
( )
( )
L
L
i t t
g B
L
i t t
in
v t V
di t dt
L

=

(19
( )
2 2
( )
( ) ( )
g B
L L
in
v t V
i t t t i t
L

= + (20)
A corrente mdia de entrada, durante um perodo de
comutao dada pela equao (21).
2 3
2
0
1 1
( ) ( )
t t
Lmed L L
t
r r
I i t dt i t dt
T T
= +

(21)
tendo-se as seguintes consideraes:
0
; , 2
r s
r t t
d
t dt e T



= = = =
(22)
e aproximando
2
t para
2
s
T
,
3
t para
s
T , 0 = e
0
2
( ) 2
L P
P
P
i t I
V
= =
, onde
0
P a potncia de sada do
reator tem-se que:
1
0
1 cos( )
( )
8 2
s
Lmed g
in
T
I v t K
L Z



= + +



(23)
1
0
0
1 cos( )
8 2
2 2
1
s
B
in
Lr
P
T
K V
L Z
P
I
V

= + +

+ +
+
(24)
O fator de potncia unitrio quando
1
0 K = , logo
trabalhando-se a equao (24) tem-se que:
( )
( )
0
0
1
1 cos( ) 1
2 8 2
1 2
2
Lr B
in r
P
I V
L f Z
P
V

+
= + +



+
+

(25)
( )
0
0
2 2
1
1 cos( )
8 2
Lr
P
B
s
P
I
V
V
T
L Z

+

+


=

+



(26)
3.3 Consideraes de Projeto
O objetivo de projeto do reator proposto definir os
valores dos Capacitores Charge Pump C
1
e C
2
, do Indutor de
entrada L
1
de acordo com as equaes obtidas no item anterior.
Os valores encontrados so utilizados na implementao de um
prottipo para verificao desta metodologia.
A potncia instantnea de entrada definida pela
equao (27)
( ) ( ) ( )
in g L
p t v t i t = (27)
A potncia mdia instantnea de entrada obtida
atravs da equao (28).
0
1
( ) ( )
t
in g L
P v t i t dt
t
=

(28)
Com a condio de fator de potncia unitrio obtm-se a
equao (29).
2
0
1 cos( )
( )
8 2
s
in g
in
T
P v t
L Z



= +



(29)
Clculo dos Capacitores Charge Pump C
1
e C
2

Sabendo que
0
1
C L
=

e
0 0
1
C
Z
=

, onde
0
L
Z
C
=

e que
0 in
P P = e
( )
2
P
g
V
v t =
tem-se:
0
2 2
2 1 1
1 cos( ) 8
P r in r
P
C
V f L f
| |
=
|

\ .
(30)
Da equao (14) sabe-se que
1 2
C C C + = e para se ter um
reator simtrico faz-se:
1 2
2
C
C C Cin = = =
Clculo de L
in

Sabendo-se que
0
1
r
in
C L
= =

e que
2
r r
f = tem-se:
2 2 2
1
4
in
r
L
f C
=

(31)
Substituindo a equao (30) na equao (31) tem-se:
2
2 2
1 cos( ) 1
8 2
P
in
r
V
L
f



= +



(32)
4 RESULTADOS EXPERIMENTAIS
Para verificao dos resultados encontrados no modelo
matemtico do reator, um prottipo apresentado na Fig. 7 para
uma lmpada de 40W e um para uma lmpada de 110W foram
implementados em laboratrio. Os parmetros de circuito
foram projetados utilizando freqncia de 40kHz, tenso de
entrada de 220V eficaz, =85% e 0, 6 = . Para o projeto do
tanque ressonante, foi utilizada a metodologia apresentada em
(Qian, 2000).

v
g

D
3
D
2
D
4
T
1

T
2

C
B
D
1
C
r2

C
d2

L
r2

C
d1

L
r1

L
F

C
F
FS RT
C
in
C
in
1
2
3
1 8
4
6
5
7
C
1
D
5
R
4

R
1

R
2
R
3

C
2

C
3

IR2153
Lmpada1
Lmpada2
C
r1

L
in

Fig. 7 Prottipo do reator para as duas lmpadas de
40W e 110W.
Durante a fase de simulaes, verificou-se que um
aumento nos valores de C
in
melhora a forma de onda de
entrada, sem prejudicar muito o fator de crista sobre a lmpada.
Esta melhoria foi comprovada durante os ensaios. Desta forma,
para uma lmpada de 40W os valores de C
1
e C
2
calculados so
de 3,9nF, porm os implementados foram de 4,7nF e para uma
lmpada de 110W os calculados so de 11nF e os
implementados foram de 12nF. Estas diferenas de valores
podem ser justificadas devido s aproximaes realizadas
durante todo o princpio de funcionamento e as consideraes
aplicadas na anlise matemtica do reator.
4.1 Lmpada de 40W
A metodologia proposta resultou nos seguintes
parmetros para o reator 1x40W:
V
B
=395V L
in
=5,6mH C
1
=C
2
=4,7nF
L
r
=2,7mH C
r
=10nF Cd=22nF
Os resultados experimentais so:
P
in
=44,4W FP=0,999 DHT=19%
FC=1,46 V
B
=395V =90%
A corrente da fonte de entrada e seu espectro harmnico
so apresentados na Fig. 8. Os componentes harmnicos da
corrente satisfazem a IEC 61000-3-2 para aplicaes Classe C.
A Fig. 9 mostra a corrente sobre a lmpada. O fator de crista
de 1,46. Este valor menor que o obtido com o CIC-CPPFC
nesta potncia de acordo com (Pereira, 2003) e (Qian, 1997)
que so respectivamente 1,65 e 1,63. A Fig. 10 mostra tenso,
corrente e a potncia sobre a lmpada.Verifica-se que os
resultadas obtidos se aproximam dos valores calculados,
confirmando a eficincia das consideraes aplicadas na
anlise matemtica do reator.
A tenso do barramento calculado de 395V, enquanto
que a obtida foi de 385V. O rendimento medido do reator foi
de 90% superando as expectativas das consideraes de
projeto.

(a)

(b)
Fig. 8 (a) Tenso e corrente fornecidas pela fonte com
lmpada de 40W;(b) Espectro harmnico.da corrente de
entrada. (i:200mA/div; v:100V/div; t:5ms/div)

Fig. 9 - Corrente sobre a lmpada de 40W com fator de
crista igual a 1,46 (i:200mA/div; t:2ms/div; aquisio com
75.000 pontos com osciloscpio TDS 754A Tectronix).

Fig. 10 - Tenso, corrente e potncia sobre a lmpada
de 40W. (i:500mA/div; v:50V/div; p:25W/div; t:5us/div)
4.2 Lmpada de 110W
A metodologia proposta resultou nos seguintes
parmetros para o reator 1x110W:
V
B
=350V L
in
=2,0mH C
1
=C
2
=12nF
L
r
=1,3mH C
r
=27nF Cd=47nF
Os resultados experimentais so:
P
in
=123W FP=0,979 DHT=19,78%
FC=1,56 V
B
=370V =89,4%
Assim como para a lmpada de 40W, os resultados
obtidos para a lmpada de 110W se aproximaram muito dos
calculados na metodologia de projeto, comprovando mais uma
vez a eficincia da mesma.
O fator de crista, como mostra a Fig. 11, aumentou um
pouco, porm ainda menor que os encontrados no CIC-
CPPFC nesta potncia. A Fig. 12 mostra a tenso, a corrente e
a potncia sobre a lmpada. A Fig. 13 mostra a corrente da
fonte de entrada e seu espectro harmnico. Novamente a IEC
61000-3-2 respeitada.

Fig. 11 - Corrente sobre a lmpada de 110W com fator
de crista igual a 1,56 (i:500mA/div;t:2ms/div).

Fig. 12 - Tenso, corrente e potncia sobre a lmpada
de 110W (i:500mA/div; v:100V/div; p:500W/div; t:45us/div).


(a)

(b)
Fig. 13 - (a) Tenso e corrente fornecidas pela rede
com lmpada de 110W; (b)Espectro harmnico da corrente de
entrada (i:500mA/div; v:100V/div; t:5ms/div).
5 CONCLUSO
Um reator eletrnico, utilizando a tcnica CIC-CPPFC
com base na topologia derivada de Moisin, foi proposto
analisado e implementado. As etapas de operao do circuito
equivalente simplificado, definiram as equaes que
possibilitaram a determinao de C
in
e L
in
. Os resultados
experimentais obtidos, mostraram que houve uma melhora
significativa no fator de crista sobre a lmpada e a obteno da
correo do fator de potncia com DHT dentro das
especificaes das normas tcnicas.
Como este trabalho tem por finalidade principal a
comprovao de conceitos, alguns aspectos importantes como a
partida da lmpada e o circuito de proteo contra sobre-
tenses do barramento, no foram apresentados. Por outro lado,
como as correntes eficazes dos interruptores so simtricas, a
tcnica de comando auto-oscilantes pode ser utilizada,
consolidando o emprego desta estrutura em uma possvel
aplicao comercial. Embora neste trabalho no tenha sido
apresentado nenhum resultado com o comando auto-oscilante,
um reator comercial 2x40W foi utilizado aplicando-se a tcnica
proposta e obtendo-se excelentes resultados quanto ao fator de
potncia do reator e ao fator de crista das lmpadas.
6 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] Ray, W. F., Davis, R. M. (1989), The Definition and
Importance of Power Factor for Power Electronic
Converters, Proc. European Conference on Power
Electronics and Applications (EPE), pp. 799 - 805.
[2] Grotzbach, M. (1989), Line Side Behavior of
Uncontrolled Rectifier Bridges with Capacitive DC
Smoothing, European Conference on Power Electronics and
Applications (EPE), pp. 761 - 764.
[3] Hammer, E. E.(1987), High Frequency Characteristics of
Fluorescent Lamps up to 500 kHz, Journal of the Illuminating
Engineering Society, pp. 52 - 61.
[4] Hammer, E. E., McGowan, T. K. (1985), Characteristics
of Various F40 Fluorescent Systems at 60 Hz and High
Frequency, IEEE Transactions on Industry Applications, Vol.
21, No. 1, pp. 11 - 16.
[5] Alves, J. A., Perin, A. J., Barbi, I.(1996), An Electronic
Ballast with High Power Factor for Compact Fluorescent
Lamp, IEEE Industry Application Society Annual Meeting,
pp. 2129 2135.
[6] Blanco, C., Alonso, M., Lopez, E., Calleja, A., Rico, M.
(1996), A Single Stage Fluorecent Lamp Ballast with High
Power Factor, IEEE Applied Power Electronics Conf., pp. 616
- 621.
[7 Qian, J., Lee, F. C. (2000), Charge Pump Power - Factor -
Correction Technologies Part I: Concept and Principle, IEEE
Transactions on Power Electronics, vol. 15, no. 1, pp. 121 -
129.
[8] Qian, J., Lee, F. C.(2000), Charge Pump Power - Factor -
Correction Technologies Part II: Ballast Applications, IEEE
Transactions on Power Electronics, vo. 15, no. 1, pp. 130 - 139.
[9] Pereira, E. I., Perin, A. J. (2003), Electronic Ballast for
Fluorescent lamps with the PFC Stage Integrated to the
Resonant Inverter, The 7
th
Brazilian Power Electronics
Conference, pp. 392 - 397.
[10] Qian, J., Lee, F. C. (1997), A New Continuous Input
Current Charge Pump Power Factor Correction (CIC-CPPFC)
Electronic Ballast, IEEE Industry Application Society
Annual Meeting, pp. 2299 2306.
[11] Qian, J. ( 2000), Electronic Lamp Ballast with Power
Feedback through Line Inductor, United States Patent
6.051.936.
[12] Moisin et al., M. S.(1997), Ballast Circuit for Fluorescent
Lamp, United States Patent 5.691.606.