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Diodo de Juno PN

2 A JUNO PN OU DIODO DE JUNO

Se um semicondutor tipo p colocado junto a um do tipo n (ambos construdos sobre o mesmo tipo de cristal de base), na regio de contato chamada juno, haver a formao de uma barreira de potencial. Isso ocorre no momento em que os dois materiais so unidos, os eltrons e lacunas prximos juno se combinam, resultando em uma regio sem portadores livres (neutra). Quando um eltron ou lacuna cruza a juno, penetra num meio onde ser minoritrio. Ao processo do eltron preencher uma lacuna, d-se o nome de recombinao.

A regio prxima a juno fica sem portadores, sendo chamada de regio de depleo ou de camada de depleo.

Camada de Depleo

Com a movimentao dos portadores majoritrios de ambos os lados da juno, no processo de recombinao a camada de depleo cria uma barreira de potencial (com portadores neutros).

Barreira de Potencial

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2.1 O DIODO PROPRIAMENTE DITO

O diodo de juno um dispositivo eletrnico bsico, sendo o mais simples dispositivo semicondutor. formado pela unio dos materiais do tipo n e p construdos a partir da mesma base encerrados por terminais condutores. A figura abaixo ilustra o exposto e o smbolo eltrico do diodo.

O smbolo do diodo lembra uma flecha que indica o sentido convencional da corrente eltrica. O terminal P o nodo (+) do diodo e o N o ctodo (-). Para que o diodo opere num circuito eltrico deve ser polarizado externamente, isto , deve ser fixada uma tenso adequada entre seus terminais de modo que venha a funcionar. Existem duas situaes possveis de polarizao em corrente contnua, que sero estudadas a seguir.

2.1.1 POLARIZAO DO DIODO

Polarizao Inversa / Reversa Sendo aplicado um potencial externo, reverso com relao s regies de material p e n, o nmero de cargas fixas sem portadores aumentar, at que se atinja uma nova situao de equilbrio, aumentando ainda mais a camada de depleo, favorecendo a movimentao de portadores minoritrios, j que a barreira de potencial torna se mais intensa. A figura abaixo mostra um diodo de juno polarizado inversamente (reversamente). Neste momento a corrente que circula pelo dispositivo praticamente nula (corrente reversa ou inversa). Diz-se ento que o diodo est reversamente polarizado.

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Quando reversamente polarizado o diodo age como um circuito aberto.

Polarizao Direta A condio de polarizao direta estabelecida aplicando-se um potencial positivo (direto) com relao aos materiais p e n. O fluxo de minoritrios ainda existe, porm pequeno comparado ao fluxo de recombinao. Devido a quebra do equilbrio inicial, a camada de depleo diminui, favorecendo a movimentao dos portadores majoritrios. Dizse ento que o diodo est diretamente polarizado.

O fluxo de portadores majoritrios aumentar exponencialmente com o aumento da polarizao direta. Quando diretamente polarizado o diodo age, analogamente, como um curto-circuito. Na realidade, para a conduo ocorrer, o potencial V deve ser um mnimo, superior ao da barreira ( VBP ) do diodo. Para diodos de germnio esse valor cerca de 0,3 V e para diodos de silcio, 0,7 V, conforme prximo tpico. Eletrnica Aplicada Prof. Eng. Isabelle Caetano Sinopolis dos Santos

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2.2 O DIODO REAL

O diodo real possui uma pequena conduo de corrente quando reversamente polarizado (como j visto no tpico anterior) por meio de uma tenso reversa ( V R ou VBR ). Esta corrente reversa recebe o nome de corrente de saturao inversa ou corrente reversa ( I R ). Para a conduo direta a tenso aplicada deve ser maior do que a barreia do diodo, proporcionando conduo de corrente no diodo, conforme visto anteriormente. O comportamento da corrente em funo da tenso aplicada ao diodo (corrente x tenso) pode ser representado de forma grfica pela sua curva caracterstica do diodo.

2.2.1 CURVA CARACTERSTICA DO DIODO DE JUNO

Como se sabe, o diodo possui dois tipos de polarizao: direta e reversa. Quando reversamente polarizado h uma pequena corrente circulando pelo diodo, a corrente inversa / reversa. Toda a tenso aplicada recai sobre o diodo. Como se sabe, o diodo possui uma barreira de potencial devido regio de depleo. Quando o mesmo polarizado reversamente esta barreira de potencial aumenta (RCE mais larga, conforme figura abaixo). A partir de certo valor de tenso aplicada ao diodo, haver choques dos eltrons livres com eltrons das ligaes covalentes, com possvel retirada desses eltrons. Ocorrer um efeito multiplicativo, aumentando consideravelmente o nmero de eltrons disponveis para a conduo de corrente. Esse efeito, chamado avalanche, faz com que a corrente aumente rapidamente para qualquer novo acrscimo de tenso reversa aplicada ao diodo. Em diodos de juno, este efeito destrutivo. A tenso limiar para a destruio a tenso de
ruptura. H certos tipos de diodos que trabalham com este fenmeno, o diodo zener. Nestes a

tenso de ruptura passa a ser chamada de tenso zener. Este dispositivo ser melhor analisado em oportunidade prpria.

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Os diodos de juno podem ser classificados de acordo com a potncia que manejam, ou seja, a corrente que por eles circulam. Desta forma define-se: diodo de sinal e diodo de potncia. O primeiro drena corrente de at 10mA enquanto o segundo mais de 100mA.

2.2.2 DIODOS DE JUNO: PRINCIPAIS PARMETROS ELTRICOS

Os diodos reais so especificados por diversos parmetros, em geral fornecidos nos datasheets (folha de dados) dos fabricantes. Segue relao dos principais, com indicao dos nomes e smbolos em ingls porque so assim encontrados em muitas fontes. Lembramos que vrios parmetros so dependentes de outros, em especial da temperatura. Por isso, os fabricantes costumam informar as condies de cada valor ou fornecem grficos.

Capacitncia tpica da juno (CJ - Typical Junction Capacitance): na polarizao inversa, a regio de depleo atua como um isolante, formando um pequeno capacitor. Isso pode ter influncia significativa em freqncias mais altas.

Corrente direta de pico mxima (IFSM ou IDM - Maximum Peak Forward Current): limitada pela dissipao trmica do diodo.

Corrente direta mdia mxima (IF(AV) - Maximum Average Forward Current): limitada basicamente pelas caractersticas de dissipao trmica do componente (tamanho, etc). Eletrnica Aplicada Prof. Eng. Isabelle Caetano Sinopolis dos Santos

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Corrente inversa mxima (IRM ou IR- Maximum Reverse Current): a corrente inversa se aplicada a tenso inversa contnua mxima. Seria nula em um diodo ideal. Nos dispositivos prticos, bastante pequena em relao corrente direta. desprezvel na maioria dos casos.

Potncia dissipada (PD - Power Dissipation): a mxima potncia dissipada pelo diodo. Resistncia trmica (Thermal Resistance): Indica a oposio que o conjunto oferece dissipao do calor gerado na juno. Seria nula em um dispositivo ideal.

Temperatura de operao da juno (TJ - Operating Junction Temperature): a mxima temperatura de trabalho do diodo. Diodos de alta potncia em geral usam dissipadores para manter a temperatura abaixo da mxima especificada.

Tempo de recuperao inverso (trr - Reverse Recovery Time): o tempo decorrido para o diodo deixar de conduzir, aps a mudana de polarizao de direta para inversa. Seria nulo para um diodo ideal. Diodos comuns apresentam tempos na faixa de microssegundos e diodos rpidos (para freqncias mais altas), na faixa de nanossegundos.

Tenso direta (VF ou VBP - Forward Voltage): a queda de tenso (barreira do diodo), em geral especificada para a corrente nominal. Seria zero em um diodo ideal.

Tenso inversa de pico (PIV - Peak Inverse Voltage ou VBR - breakdown): Nota-se que a tenso inversa limitada por um mximo absoluto, acima do qual h ruptura e destruio da juno. O fabricante especifica um valor mximo seguro, para operao sem ocorrncia da ruptura. Como sugesto para pesquisa de datasheets (folha de dados do componente), no somente de diodo, mas de outros componentes, temos os sites:

www.datasheetcatalog.com ou WWW.fairchildsemi.com

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2.3 MODELOS

DE

APROXIMAES

PARA

DIODOS CIRCUITOS

EQUIVALENTES DO DIODO DE JUNO PN

Um circuito equivalente uma combinao de elementos corretamente selecionados para melhor representar as caractersticas reais de um dispositivo, um sistema ou uma regio especfica. Em outras palavras, uma vez que esteja definido o circuito equivalente, o smbolo do dispositivo pode ser removido do esquema e o circuito equivalente pode ser inserido em seu lugar sem afetar demasiadamente o comportamento real do sistema. O resultado geralmente um circuito que pode ser resolvido com o uso de tcnicas tradicionais de anlise de circuitos.

2.3.1 CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL

Neste modelo, o diodo funciona como uma chave ideal (abre/fecha), ou seja, quando diretamente polarizado o diodo permite a passagem de corrente, funcionando como uma chave fechada. Quando reversamente polarizado o diodo no conduz, funcionando como uma chave fechada. Como um modelo se trata de um circuito equivalente, na analise de circuitos o diodo substitudo por um curto-circuito (polarizado diretamente - I D 0 ) e por um circuito aberto (polarizado reversamente I D 0 ). A figura a seguir ilustra o diodo ideal (preenchido de preto para diferenciar da simbologia do diodo real) e sua curva caracterstica. Repare que para uma tenso aplicada V D 0 h plena conduo de corrente.

2.3.2 CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO

Como se sabe, o diodo possui uma barreira de potencial que dificulta sua polarizao, ou seja, para que o diodo seja corretamente polarizado necessrio que a tenso aplicada vena esta barreira (para diodo de silcio tipicamente 0,7V e 0,3 para germnio), assim, este modelo leva em considerao este fenmeno, sendo constitudo de um diodo ideal seguido de uma fonte de tenso de valor VBP , porm tenha em mente que VBP no uma

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fonte de tenso independente, ou seja, se um voltmetro for colocado nos terminais do diodo isolado sobre uma bancada de laboratrio, ele no obter uma leitura de 0,7V para diodos de silcio, por exemplo. Na anlise de circuitos o diodo substitudo por um curto-circuito seguido de uma fonte de tenso VBP (polarizado diretamente - I D 0 , note que para isso ocorrer, V D deve ser no mnimo igual VBP ) e por um circuito aberto (polarizado
reversamente I D 0 ). A figura a seguir ilustra o diodo modelo simplificado e sua curva

caracterstica. Repare que para uma tenso aplicada V D V BP h plena conduo de corrente. VBP VBP

VBP

2.3.3 CIRCUITO EQUIVALENTE REAL OU LINEAR POR PARTES

Como visto na curva caracterstica do diodo real, quando o mesmo diretamente polarizado a conduo de corrente no plena em VD = VBP e na medida que V D aumentado, a corrente do diodo ( I D ) tem crescimento exponencial. Uma aproximao para este fenmeno a feita com o uso da resistncia interna RD que confere curva caracterstica deste modelo uma pequena inclinao (
figura abaixo. 1 ) para VD VBP conforme pode ser observado na RD

VBP

VBP RD

RD

3.4 ANLISE DE POLARIZAO DE DIODOS

VBP

2.4.1 ANLISE DE CIRCUITOS

A anlise de circuitos com diodo em regime DC simples, desde que os passos sejam seguidos:

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1-) Substituir o diodo do circuito por um circuito equivalente (modelo); 2-) Estabelecer os sentidos convencionais de corrente; 3-) Observar a polaridade do diodo; 4-) Realizar anlise de malha ou n, fazendo o diodo ideal do modelo escolhido, um curto-circuito caso seja verificado maior tenso no nodo (+) e conseqentemente menor tenso no ctodo (-). Se isto no for verificado o diodo ideal ser um circuito aberto, logo no o considera na anlise; 5-) A anlise segue da teoria de circuitos (malha, n, etc). Exemplo:

Se V BP = 0,574V . Verifique se o diodo est diretamente polarizado, se estiver

calcule a corrente que circula no circuito. Utilize o modelo aproximado simplificado.

*Resoluo*: Passo 1 Substituir o diodo real pelo seu equivalente (modelo):

Passo 2 Estabelecer os sentidos convencionais de corrente.

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Passo 3 Verificar polaridade do diodo: O diodo est com seu ctodo no negativo da fonte, logo o mesmo provavelmente est conduzindo uma vez que a fonte de tenso maior do que 0,574V. Passo 4 Fazer anlise de malha: Como o diodo est com sua polaridade correta, ento est diretamente polarizado. Nesta circunstncia o diodo ideal considerado um curtocircuito em srie com VT (considerando que VT=VBP):

Passo 5 Fazendo anlise de malha tem-se:

V R I D VT = 0
Substituindo os valores temos: 10 10000 I D 0,574 = 0 isolando I D :
ento: ID = 10 0,574 10000
3

I D = 0,9426.10

Repare que a corrente positiva, logo o sentido adotado coerente com a corrente convencional real e estando em concordncia com o sentido do diodo conclu-se que o mesmo encontra diretamente polarizado e a corrente de polarizao I D = 0,9426.m A .

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2.4.1 ANLISE POR RETA DE CARGA

A soluo de polarizao anterior leva o fato do conhecimento da tenso VBP , porm esta tenso no fixa e no necessariamente conhecida. A tenso VBP varia ligeiramente com a polarizao ( I D ) e a temperatura, o que nos leva a crer que para um dado

I D e uma dada temperatura tem-se um VBP respectivo, isso facilmente notado na curva
caracterstica do diodo real. possvel determinar estes parmetros por uma equao que modela o diodo real. Outra forma de resolver a polarizao atravs do mtodo grfico conhecido como anlise por reta de carga. Uma desvantagem deste mtodo a necessidade da curva caracterstica do diodo em questo para que os resultados sejam reais, porm o modelo equivalente simplificado bastante eficaz. A carga (resistor) aplicada tem normalmente um impacto importante sobre o
ponto ou regio de operao (ponto quiescente) de um dispositivo. Se a anlise for feita de

maneira grfica, uma reta poder ser desenhada sobre a curva caracterstica do dispositivo, a qual representada a carga aplicada. Esta reta chamada reta de carga. A interseco da reta de carga com a curva caracterstica do diodo determinar o ponto de operao do sistema. Essa anlise, por motivos bvios, chamada anlise por reta de carga. A figura abaixo ilustra um circuito simples de polarizao e a curva caracterstica do diodo em questo.

Observe que a fonte E faz uma presso sobre o diodo estabelecendo uma corrente atravs do circuito no sentido horrio. O fato de essa corrente e do sentido de

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conduo do diodo estarem relacionados revela que o diodo est no estado ligado e que a conduo foi estabelecida. Aplicando a lei de Kirchhoff para as tenses no circuito em srie temos:

E R I D VD = 0 ,
Assim: E = VD + I D R As intersees da reta de carga com a curva caractersticas do diodo podem ser determinadas facilmente apenas considerando-se o fato de que, em qualquer ponto do eixo horizontal, a I D= 0A e de que, em qualquer ponto do eixo vertical, a V D = 0V . Se atribuirmos V D = 0V na equao anterior, isolar I D , teremos I D no eixo vertical.

I D=

E R (1 ponto da reta de carga: Corrente de Saturao - Isaturao)

Se atribuirmos I D= 0A na equao anterior, isolar V D , teremos V D no eixo horizontal.

V D = E (2 ponto da reta de carga: Tenso de corte - Vcorte)

Uma linha reta traada entre os dois pontos definir a reta de carga. Mudando o valor de R (a carga), a interseo com o eixo se modifica. O resultado uma inclinao da reta de carga e um ponto de interseo diferente entre essa reta e a curva caracterstica do dispositivo. Agora temos uma reta de carga definida pelo sistema e uma curva caracterstica definida pelo dispositivo. O ponto de interseco entre as duas curvas representa o ponto de operao para esse circuito. Desenhando-se uma linha vertical at o eixo horizontal, pode-se determinar a tenso do diodo V DQ (tenso quiescente do diodo), enquanto uma linha horizontal do ponto de interseo at o eixo vertical fornecer o valor de I DQ (corrente quiescente do diodo). O ponto de operao chamado de ponto quiescente.

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A soluo obtida da interseco das duas curvas a mesma que seria obtida por uma soluo matemtica.

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