Diodo emisor de luz

De Wikipedia, la enciclopedia libre

Saltar a navegacin, bsqueda

LEDs. Diodo emisor de luz, tambin conocido como LED (acrnimo del ingls de LightEmitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula por l una corriente elctrica. Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia. El color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la construccin del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin reciben el nombre de UV LED (UltraViolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode). Fueron inventados por Oleg Lsev. El funcionamiento fsico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn al pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se puede manifestar en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El que esa energa perdida cuando pasa un electrn de la banda de conduccin a la de valencia se manifieste como un fotn desprendido o como otra forma de energa (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energtico superior a otro inferior ms estable. Este proceso emite con frecuencia un fotn en semiconductores de banda prohibida directa o "direct bandgap" con la energa correspondiente a su banda prohibida (vase semiconductor). Esto no quiere decir que en los dems semiconductores (semiconductores de banda prohibida indirecta o "indirect bandgap") no se produzcan emisiones en forma de fotones; sin embargo, estas emisiones son mucho ms probables en los semiconductores de banda prohibida directa (como el Nitruro de Galio) que en los semiconductores de banda prohibida indirecta (como el Silicio). La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los diodos y slo es visible en diodos como los LEDs de luz visible, que tienen una disposicin constructiva especial con el

propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y una energa de la banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energa se libera principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En el caso de que el diodo libere la energa en forma de radiacin ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiacin para producir radiacin visible, mediante sustancias fluorescentes o fosforescentes que absorban la radiacin ultravioleta emitida por el diodo y posteriormente emitan luz visible. El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se A (p) C K (n) emplean en las lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por razones Representacin simblica del diodo LED estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo [1]. Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el LED; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe circular por l vara segn su aplicacin. Valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un LED corriente estn comprendidos entre los 10 y los 40 mA. En general, los LEDs suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar un compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms grande es la intensidad que circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos). El primer LED que emita en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick Holonyak en 1962.

Contenido
[ocultar]

1 Tecnologa wey/OLED 2 Aplicaciones o 2.1 Conexin 3 Vase tambin 4 Referencias 5 Enlaces externos

Tecnologa wey/OLED [editar]

En corriente continua (CC), todos los diodos emiten una cierta cantidad de radiacin cuando los pares electrn-hueco se recombinan, es decir, cuando los electrones caen desde la banda de conduccin (de mayor energa) a la banda de valencia (de menor energa), emitiendo fotones en el proceso. Indudablemente, la frecuencia de la radiacin emitida y, por ende, su color, depender de la altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre las bandas de conduccin y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten radiacin infrarroja muy alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales especiales pueden conseguirse longitudes de onda visibles. Los LED e IRED, adems tienen geometras especiales para evitar que la radiacin emitida sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los convencionales.

Compuestos empleados en la construccin de LED. Compuesto Color Long. de onda Arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo 940nm Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) Rojo e infrarrojo 890nm Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) Rojo, naranja y amarillo 630nm Fosfuro de galio (GaP) Verde 555nm Nitruro de galio (GaN) Verde 525nm Seleniuro de zinc (ZnSe) Azul Nitruro de galio e indio (InGaN) Azul 450nm Carburo de silicio (SiC) Azul 480nm Diamante (C) Ultravioleta Silicio (Si) En desarrollo Los primeros diodos construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo, permitiendo el desarrollo tecnolgico posterior la construccin de diodos para longitudes de onda cada vez menores. En particular, los diodos azules fueron desarrollados a finales de los 90 por Shuji Nakamura, aadindose a los rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que permiti, por combinacin de los mismos, la obtencin de luz blanca. El diodo de seleniuro

de zinc puede emitir tambin luz blanca si se mezcla la luz azul que emite con la roja y verde creada por fotoluminiscencia. La ms reciente innovacin en el mbito de la tecnologa LED son los diodos ultravioletas, que se han empleado con xito en la produccin de luz blanca al emplearse para iluminar materiales fluorescentes. Tanto los diodos azules como los ultravioletas son caros respecto de los ms comunes (rojo, verde, amarillo e infrarrojo), siendo por ello menos empleados en las aplicaciones comerciales. Los LEDs comerciales tpicos estn diseados para potencias del orden de los 30 a 60 mW. En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de trabajar con potencias de 1 W para uso continuo; estos diodos tienen matrices semiconductoras de dimensiones mucho mayores para poder soportar tales potencias e incorporan aletas metlicas para disipar el calor (ver conveccin) generado por efecto Joule. Hoy en da, se estn desarrollando y empezando a comercializar LEDs con prestaciones muy superiores a las de unos aos atrs y con un futuro prometedor en diversos campos, incluso en aplicaciones generales de iluminacin. Como ejemplo, se puede destacar que Nichia Corporation ha desarrollado LEDs de luz blanca con una eficiencia luminosa de 150 lm/W, utilizando para ello una corriente de polarizacin directa de 20 mA. Esta eficiencia, comparada con otras fuentes de luz en trminos de eficiencia slo, es aproximadamente 1,7 veces superior a la de la lmpara fluorescente con prestaciones de color altas (90 lm/W) y aproximadamente 11,5 veces la de una lmpara incandescente (13 lm/W). Su eficiencia es incluso ms alta que la de la lmpara de vapor de sodio de alta presin (132 lm/W), que est considerada como una de las fuentes de luz ms eficientes.[1] El comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (LED orgnicos), fabricados con materiales polmeros orgnicos semiconductores. Aunque la eficiencia lograda con estos dispositivos est lejos de la de los diodos inorgnicos, su fabricacin promete ser considerablemente ms barata que la de aquellos, siendo adems posible depositar gran cantidad de diodos sobre cualquier superficie empleando tcnicas de pintado para crear pantallas a color. Una solucin tecnolgica que pretende aprovechar las ventajas de la eficiencia alta de los LEDs tpicos (hechos con materiales inorgnicos principalmente) y los costes menores de los OLEDs (derivados del uso de materiales orgnicos) son los Sistemas de Iluminacin Hbridos (Orgnicos/Inorgnicos) basados en diodos emisores de luz. Dos ejemplos de este tipo de solucin tecnolgica los est intentado comercializar la empresa Cyberlux con los nombres de Hybrid White Light (HWL) (Luz Blanca Hbrida) y Hybrid Multi-color Light (HML) (Luz Multicolor Hbrida), cuyo resultado, puede producir sistemas de iluminacin mucho ms eficientes y con un coste menor que los actuales.[2]

Aplicaciones [editar]

Antiguo display LED de una calculadora.

Una pequea linterna a pilas con LEDs.

Pantalla de LEDs en el Estadio de los Arkansas Razorbacks.

La pantalla en Freemont Street en Las Vegas es actualmente la ms grande del mundo. Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos de aire acondicionado, equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, as como en dispositivos detectores, adems de ser utilizados para transmitir datos entre dispositivos electrnicos como en redes de computadoras y

dispositivos como telfonos mviles, computadoras de mano, aunque esta tecnologa de transmisin de datos ha dado paso al bluetooth en los ltimos aos, quedando casi obsoleta. Los LEDs se emplean con profusin en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor del mundo, del NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan). Tambin se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras, agendas electrnicas, etc., as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras LED. El uso de diodos LED en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de trfico) es moderado y es previsible que se incremente en el futuro, ya que sus prestaciones son superiores a las de la lmpara incandescente y la lmpara fluorescente, desde diversos puntos de vista. La iluminacin con LEDs presenta indudables ventajas: fiabilidad, mayor eficiencia energtica, mayor resistencia a las vibraciones, mejor visin ante diversas circunstancias de iluminacin, menor disipacin de energa, menor riesgo para el medio ambiente, capacidad para operar de forma intermitente de modo continuo, respuesta rpida, etc. Asimismo, con LEDs se pueden producir luces de diferentes colores con un rendimiento luminoso elevado, a diferencia de muchas de las lmparas utilizadas hasta ahora, que tienen filtros para lograr un efecto similar (lo que supone una reduccin de su eficiencia energtica). Todo ello pone de manifiesto las numerosas ventajas que los LEDs ofrecen. Los LEDs de Luz Blanca son uno de los desarrollos ms recientes y se pueden considerar como un intento muy bien fundamentado para sustituir las bombillas actuales por dispositivos mucho ms ventajosos. En la actualidad se dispone de tecnologa que consume un 92% menos que las bombillas incandescentes de uso domstico comn y un 30% menos que la mayora de los sistemas de iluminacin fluorescentes; adems, estos LEDs pueden durar hasta 20 aos y suponer un 200% menos de costes totales de propiedad si se comparan con las bombillas o tubos fluorescentes convencionales.[3] Estas caractersticas convierten a los LEDs de Luz Blanca en una alternativa muy prometedora para la iluminacin. Tambin se utilizan en la emisin de seales de luz que se trasmiten a travs de fibra ptica.

Conexin [editar]
Para conectar LEDs de modo que iluminen de forma continua, deben estar polarizados directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de alimentacin conectado al nodo y el polo negativo conectado al ctodo. Adems, la fuente de alimentacin debe suministrarle una tensin o diferencia de potencial superior a su tensin umbral. Por otro lado, se debe garantizar que la corriente que circula por ellos no excede los lmites admisibles (Esto se puede hacer de forma sencilla con una resistencia R en serie con los LEDs, lo que daara irreversiblemente al LED). Unos circuitos sencillos que muestran cmo polarizar directamente LEDs son los siguientes:

La diferencia de potencial Vd vara de acuerdo a las especificaciones relacionadas con el color y la potencia soportada. En trminos generales, pueden considerarse de forma aproximada los siguientes valores de diferencia de potencial:[4]

Rojo = 1,8 V a 2,2 V Naranja = 2,1 V a 2,2 V Amarillo = 2,1 V a 2,4 V Verde = 2 V a 3,5 V Azul = 3,5 V a 3,8 V Blanco = 3,6 V

Luego mediante la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia R adecuada para la tensin de la fuente Vfuente que utilicemos.

El trmino I, en la frmula, se refiere al valor de corriente para la intensidad luminosa que necesitamos. Lo comn es de 10 mA para LEDs de baja luminosidad y 20 mA para LEDs

de alta luminosidad; un valor superior puede inhabilitar el LED o reducir de manera considerable su tiempo de vida. Otros LEDs de una mayor capacidad de corriente conocidos como LEDs de potencia (1 W, 3 W, 5 W, etc.), pueden ser usados a 150 mA, 350 mA, 750 mA o incluso a 1000 mA dependiendo de las caractersticas opto-elctricas dadas por el fabricante. Cabe recordar que tambin pueden conectarse varios en serie, sumndose las diferencias de potencial en cada uno. Tambin se pueden hacer configuraciones en paralelo, aunque este tipo de configuraciones no son muy recomendadas para diseos de circuitos con LEDs eficientes..

Diodo Schottky
De Wikipedia, la enciclopedia libre
Saltar a navegacin, bsqueda

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dipositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente.

Funcionamiento [editar]
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales. As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms rpida.

Caractersticas [editar]
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido. La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades. El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.
En el mercado podemos encontrar muchos tipos de diodos que nos sirven para distintas aplicaciones. Ahora vamos a ver las caractersticas principales de algunos de ellos.

Diodos PIN
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, est esta formada por difusin de tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y se suele denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i(p) hasta la regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse con los electrones de la regin N. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual a la emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones. Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i, la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles. Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la regin i. En la condicin de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.

En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad parsita paralelo que se produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula.

Diodos Varactores (Varicap)

Los diodos varactores [llamados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina mediante: CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento. Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal de VR para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n donde: K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin. VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado n = 1/2 para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin

El diodo tnel
En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez

mas rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa". Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Los ejemplo de circuito que se describen a continuacin muestra como puede aprovecharse este fenmeno en la prctica.

Diodo de contacto puntual

El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que descansa la punta de un alambre delgado. La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unin. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual conduce algo mas de corriente. Ms an, conforme el voltaje negativo aumenta, la corriente inversa tiende a aumentar mas bien que permanecer aproximadamente constante. La marca inflexin en la curva del diodo de unin en -V no ocurre en los diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes mucho mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la direccin negativa.

Diodo tnel
De Wikipedia, la enciclopedia libre
Saltar a navegacin, bsqueda

Smbolo del Diodo tnel El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin.

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.

Diodo Varicap
De Wikipedia, la enciclopedia libre
Saltar a navegacin, bsqueda

Smbolo del diodo varicap El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V. La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensin). En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.

Diodo rectificador *

Diodo rectificador

Diodo rectificador

Diodo zener *

Diodo zener

Diodo zener

Diodo zener

Diodo zener

Diodo varicap *

Diodo varicap

Diodo varicap

Diodo Gunn Impatt

Diodo supresor de tensin *

Diodo supresor de tensin

Diodo de corriente constante

Diodo de recuperacin instantnea, Snap

Diodo tnel *

Diodo tnel

Diodo rectificador tnel

Diodo Schottky

Diodo Pin *

Diodo Pin

Fotodiodo

LED Diodo emisor de luz

Fotodiodo bidireccional NPN

Fotodiodo de dos segmentos ctodo comn PNP

Fotodiodo de dos segmentos ctodo comn PNP

Diodo lser

Diodo magntico Diodo sensible a la

temperatura

Diodo de rotura bidireccional PNP

Diodo de rotura bidireccional NPN

Puente rectificador

Puente rectificador *

Display de 7 segmentos con diodos LED

LED bicolor polaridad dual

Indicador LED alfanumrico 5x7 Letra A de ejemplo

DIODOS DE CORRIENTE CONSTANTE

Estos diodos funcionan de manera inversa a los diodos zner. En vez de mantener constante la tensin en sus terminales, estos diodos mantienen constante el consumo de corriente; por eso se les conoce como diodos reguladores de corriente. Son dispositivos que mantienen entonces constante el consumo de corriente, independientemente delas variaciones de tensin. El diodo 1N5305 es regulador de corriente con un valor de corriente de 2 miliampers y un rango de tensin aplicable de 2 a 100V.

DIODOS DE TUNEL (EFECTO TUNEL)

Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.

Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin. Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver en el siguiente grfico:

Vp: Tensin pico Vv: Tensin de valle Ip: Corriente pico Iv: Corriente de valle

La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se llama "zona de resistencia negativa"

Definicin de diodo de recuperacion N en escala N

DIODOS DE RECUPERACI N EN ESCAL N

El diodo de recuperacin de escaln tiene un dopado especial, ya que la densidad de los portadores disminuye cuanto ms cerca est de la unin de las secciones de semiconductor. Esta distribucin poco comn de portadores, genera un fenmeno conocido como desplome en inversa . Si se aplica una tensin de corriente alterna en las terminales del dispositivo durante los semiciclos positivos de la onda de corriente alterna, el diodo se comporta igual que un diodo rectificador comn. Pero durante los semiciclos negativos, la corriente inversa aparece slo durante un tiempo muy corto, reducindose repentinamente hasta cero. La corriente de desplome de un diodo de recuperacin de escaln, est plagada de frecuencias armnicas; stas pueden ser filtradas, para obtener una seal senoidal de una frecuencia ms alta. Esta es la razn por la que los diodos de recuperacin son ampliamente utilizados como circuitos multiplicadores de frecuencia; es decir, para circuitos en donde la frecuencia de salida es un mltiplo de la frecuencia de entrada .

El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente. Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa).

En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales un voltaje constante.

En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la corriente para que funcione en la zona operativa Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.

Curva caracterstica del diodo Zener

Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando negativamente el voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco. Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensin de Zener (Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeo, pudiendo considerarse constante. Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de valores. A esta regin se le llama la zona operativa. Esta es la caracterstica del diodo zener que se aprovecha para que funcione como regulador de voltaje, pues el voltaje se mantiene practicamente constante para una gran variacin de corriente. Ver el grfico.

Qu hace un regulador con Zener?

Un regulador con diodo zener ideal mantiene un voltaje predeterminado fijo a su salida, sin importar las variaciones de voltaje en la fuente de alimentacin y/o las variaciones de corriente en la carga. Nota: En las fuentes de voltaje ideales (algunas utilizan, entre otros elementos el diodo zener), el voltaje de salida no vara conforme vara la carga. Pero las fuentes no son ideales y lo normal es que el voltaje de salida disminuya conforme la carga va aumentado, o sea conforme la demanda de corriente de la carga aumente. (ver: resistencia interna de las fuentes de tensin)