UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURETI Facultatea de Electronic, Telecomunicaii i Tehnologia Informaiei

Amplificatoare pe fibra optica dopata cu tuliu (TDFA)

Conductor tiinific: Masterand: Prof.dr.ing. Florentin VASILE Burcea Maria Luminita INTRODUCERE Amplificatoarele si laserele pe fibra s-au dezvoltat rapid in ultimii ani, deoarece acestea ofera un numar mare de avantaje in comparatie cu amplificatoarele si laserele cu semiconductoare, ca de exemplu dimensiunea compacta, o mai buna stabilitate si proprietati termo-optice remarcabile. Sistemele cu trei cvasi-nivele cum ar fi fibrele optice dopate cu yterbiu si erbiu, toate sunt folosite in multe aplicatii ca de exemplu dispozitivele de telecomunicatii si sistemele cu putere medie ridica. Datorita importantei acestor dispozitive, cele mai multe cercetari teoretice au fost intreprinse pentru a le intelege si a le optimiza. Doua domenii principale au fost studiate pentru a caracteriza comportamentul amplificatoarelor pe fibra optica. Pe de o parte, modelele numerice ne permit sa prezicem cu exactitate castigul si spectrul de emisie spontana amplificata, dar aceste abordari iau de obicei mult timp de calculat si nu sunt foarte potrivite pentru o mai buna intelegere a proprietatilor dispozitivelor cu fibra optica. Pe de alta parte, mai multe modele analitice sau semianalitice au fost dezvoltate. O problema pentru descrierea amplificatoarelor de mare putere cum ar fi amplificatoarele pe fibra optica dopate, consta atat in pompare cat si in saturarea semnalului. Pentru a descrie comportamentul fibrei cu semnal saturat, este necesar sa se utilizeze o conditie suplimentara pentru pompare, semnal si evolutia ecuatiilor pentru emisia spontana amplificata (ASE - amplified spontaneous emission), si o ecuatie complementara pentru conservarea echilibrului fotonilor. Aceste modele, care sunt partial analitice, raman valabile indiferent de conditiile de functionare (semnal mic si castig saturat), dar modelul are nevoie ecuatia la echilibru a unui foton pentru fiecare pozitie z de-a lungul fibrei. O aplicatie interesanta a acestei abordari este gasita presupunand o fractiune medie a ionilor excitati de-a lungul fibrei. Modelul rezultat pare a fi de baza si este foarte usor de evaluat, deoarece este nevoie doar de ecuatia la echilibru a unui singur foton intre semnalul de intrare si cel de iesire. Din pacate, in acest model, nu putem diferentia copropagarea si contra-propagarea ASE, deci o descriere completa nu este posibila. Se stie ca in fibrele dopate, diferenta dintre puterea de co-propagare si contra-propagare este semnificativa,deoarece lungimea de absorbtie intalnita in directiile opuse de catre zgomot nu este aceeasi. Iesirea ASE a unor astfel de amplificatoare poate atinge valori mari (mai mult de 100 mW), si integrarea acestora cu alte dispozitive cu fibre optice, cum ar fi

modulatoarele de faza si amplitudine si splittere, pot afecta aceste dispozitive daca puterea ASE nu este calculata cu precizie. In amplificatoarele in cascada pe fibra, importanta ASE devine predominanta. Acesta este motivul pentru care ne propunem un model mai avansat care diferentiaza puterea co-propagarii si contrapropagarii ASE, si care ramane valabila in orice conditii a ratei de pompare si a semnalului injectat,avand nevoie doar de cativa pasi de calcul. Tipuri de baza ale amplificatoarelor optice: amplificatoare optice semiconductoare (SOA-Semiconductor Optical Amplifiers), amplificatoare Raman de fibr (FRAFiber Raman Amplifier), amplificatoare optice parametrice (OPA-Optical Parametric Amplifiers), amplificatoare optice cu fibr dopat cu Erbiu (EDFA-Erbium Doped Fiber Amplifiers),amplificatoare optice cu fibr dopat cu Praseodimiu (PDFA-Praseodinium Doped Fiber Amplifiers),amplificatoare optice cu fibr dopat cu Neodimiu (NDFANeodimium Doped Fiber Amplifiers) si amplificatoare optice cu fibr dopat cu Tuliu (TDFA-Tulium Doped Fiber Amplifiers). Conform standardului ITU-T se definesc benzile de comunicatie: Original band (O-band): 1260 la 1360nm Extended band (E-band): 1360 la 1460nm Short band (S-band): 1460 la 1530nm Conventional band (C-band): 1530 la 1565nm Long band (L-band): 1565 la 1625nm Ultralong band (U-band): 1625 la 1675nm Amplificatoare optice semiconductoare Principiul de functionare al aplificatoarelor optice semiconductoare este asemenator cu cel al diodei laser, doar ca nu exista o cavitate rezonanta. Se pastreaza celelalte doua componente pompa de energie si respectiv mediul activ, care este chiar fibra optica dopata si care permite amplificarea semnalului. Structura este polarizat direct sub pragul de laserare. Cnd un semnal intr n miezul generator de cstig, n prezenta fotonilor care sunt cauza emisiei stimulate, la cealalt extremitate apare un semnal amplificat si coerent.

Exist dou forme de operare a SOA: ca un Amplificator TWA (Trawelling wave Amplifier) sau amplificator Fabry-Perot. Conform modului de operare TWA, semnalul traverseaz o dat dispozitivul fiind amplificat n timpul trecerii. Acest mod de operare este interesant pentru aplicatiile de mare vitez, unde se pot amplifica impulsuri cu lungime de 1 ps. ntr-o cavitate Fabry-Perot un semnal se propaga pe ci multiple din cauza reflexiei semi-propagrilor spre extremittile dispozitivului. Pentru ca SOA s opereze ca un TWA trebuie diminuat reflexivitatea fetelor. Un prim pas pentru aceasta const n adunarea straturilor anti-reflexive ale celor dou interfete. n plus se poate nclina zona de ghidare a undelor la interfata obisnuit sau s se insereze o zon transparent ntre zona activ si interfat. n acest caz raza optic este defocalizat nainte de a ajunge la interfata semiconductorului. Lumina reflectat nu mai este divergent si reuseste s se cupleze satisfctor la zona activ a crui densitate este destul de slab. O caracteristic nedorit a amplificatorului este sensibilitatea la modul de polarizare a semnalului sau cu alte cuvinte cstigul de amplificare este diferit pentru modurile de traversare electric (TE) si pentru modurile de traversare magnetic (TM). Aceast discrepant ntre moduri poate ajunge la valori ntre 5 dB si 8 dB, din cauza diferentei ntre factorii de sigurant si cstigurile diferite ntre polaritti. S-au dezvoltat insa unele scheme pentru reducerea sensibilittii la polaritate. Amplificatoare optice cu fibre dopate Din 1985 cnd la Univeritatea din Southampton (Anglia) s-a demonstrat o nou tehnic pentru fabricarea fibrelor optice dopate cu materiale rare care prezentau pierderi sczute, amplificatoarele optice cu structur bazat pe aceste fibre au fost imediat identificate ca dispozitive importante n aplicatiile comunicatiilor prin fibre optice n principal datorit cstigului ridicat, zgomotului intrinsec sczut, dependentei sczute de polarizare, transmiterea cu eroare de bit (BER) sczut si eficient mrit de conversie de putere (PCE-Power Coversion Efficiency). Primul material rar folosit a fost neodimiu, cel mai bun dopant n lasere solide. Dup aceste rezultate ncurajatoare s-au utilizat si alti dopanti pentru producerea amplificatoarelor optice: tuliu,yterbiu si erbiu. S-au dezvoltat numeroase amplificatoare din fibr dopat cu diferite elemente, profitnd de propriettile fluorescente ale fiecruia.

n prezent cele mai importante amplificatoare optice cu fibr dopat sunt cele cu erbiu care pot produce amplificare in banda C. Amplificatoarele optice cu fibr dopat cu praseodimiu si neodimiu se pot folosi pentru a obtine valori de 1300 nm. n ceea ce priveste amplificatoarele cu fibr dopat cu tuliu pot produce cstig pentru toat banda S de transmisie optic (1460 nm-1530 nm). EDFA La finele anului 1986, grupul de la Southampton a produs primul amplificator cu fibr dopat cu erbiu. n 1986, Emmanuel Desurvire a nceput s lucreze la laboratoarele Bell si imediat a nceput s foloseasc EDFA. E. Desurvire a realizat mijloace detaliate, a dezvoltat modelul teoretic si a realizat prima optimizare a lungimii de und dopat. EDFA sunt amplificatoarele optice cele mai folosite si cunoscute n principal pentru c spectrul lor de amplificare coincide exact cu minimul pierderilor in siliciu pentru 1550 nm. Pentru EDFA cu siliciu, toate posibilittile de tranzitie ntre nivelele de energie din erbiu sunt radiative datorit procesului de cdere cu emisie de fotoni, cu exceptia transmisiei care cuprinde nivele 4 I13/2 si 4 I15/2 care sunt 100% radiative. Aceast tranzitie arat un spectru de emisie destul de larg, cu maximul la 1530 nm care ofer amplificare n toat banda C. Este de asemenea posibil amplificarea in banda L cu EDFA. Timpul de viat superior este de 10 ms, care este mult mai mare dect timpurile asociate transmisiei semnalului. Datorit multiplicittii nivelelor de energie poate s aib loc absorbtia unor lungimi de und pompate ncepnd de la nivelul superior de amplificare diminund eficienta pompajului. Acest proces este denumit absorbtie de stare excitat (ESA-Excited State Absorbtion). Lungimile de und de pompaj ntre 980 nm si 1480 nm sunt libere pentru absorbtia strii excitate. Acestea pot fi generate plecnd de la laserele diodelor comerciale. Pompajul de 980 nm minimizeaz nivelul zgomotului si este mai adecvat cnd EDFA este folosit ca un preamplificator. Dac este pompaj suficient pentru a mentine inversiunea de populatie, ionii de erbiu absorb semnalul care se propag amplificat, dupa principiul unui laser cu trei niveluri. Un parametru important a EDFA-urilor este puterea de transparent definit ca putere de pompaj pentru ca semnalul s nu sufere nici cstig nici pierdere.

Diagrama de energia a procesului de amplificare prin EDFA. EDFA poate genera cstig in banda de lungime de und mai mare ca banda S. Dezavantajul cel mai important de subliniat este lipsa cstigului pentru benzi de lungime de und mai mici dect banda S. Suprimarea ASE se face prin intermediu filtrelor n multiple stagii de amplificare, fcnd sistemul destul de complex sau utiliznd structuri de fibre speciale cu lungimi de und de 1530 nm genernd pierderi ridicate pentru ASE.

PDFA, NDFA, TDFA Se stie c unul din pragurile de atenuare sczut a fibrelor optice din siliciu este cel al lungimii de und cu valoarea de 1300 nm, nainte de dezvoltarea tehnologiei laserelor diod compuse din legturi cuaternare de semiconductoare InGaAsP care emit in banda la 1550 nm (minimul de

atenuare a fibrelor de siliciu) fiind adoptate de multe sisteme opernd pe band de 1300 nm. Atunci este explicabil cerinta pentru amplificatoare optice care pot opera n aceast band. Aceasta se poate realiza prin intermediul utilizrii fibrelor dopate cu unele materiale rare precum prasedemiu, neodimiu. Este important de subliniat c procesul de amplificare a acestor materiale functioneaz ca un sistem de patru niveluri cu avantajul c nu exist absorbtia semnalului ncepnd de la starea fundamental. Prasedemiul emite fluorescent n zona spectral de 1300 nm, permitnd amplificarea lungimilor de und dorite, acest lucru fcnd posibil producerea unui amplificator optic cu fibr dopat cu prasedemiu. n acest timp eficienta pompajului pentru a atinge factori ridicati de cstig este extrem de sczut. n schimb pentru un EDFA cu un nivel de pompaj la 20 mW este suficient pentru a obtine un cstig de 20 dB. Pentru un PDFA sunt necesare cteva sute de mW pentru a atinge aceeasi valoare. Neodimiul, alt material rar, emite de asemenea fluorescena la nivelul de 1,3 m, fiind posibil producerea de amplificatoare optice si lasere cu fibre din ZBLAN dopate cu neodimiu. Cea mai mare problem n legtur cu aceste fibre il constituie tranzitul la 1,05 m care poate opri emisia dorit. Folosind tehnici de suprimare a cstigului la 1,05 m, se pot obtine amplificri de pn la +10 dB a laserelor cu eficient de pn la 15,7%. Exist de asemenea mentionri n literatur privind folosirea disprosiului pentru amplificri de 1,3 m. Din perspectiva largirii benzii de transmitere n sisteme WDM, se utilizeaza de asemenea amplificarea prin fibra dopat cu tuliu (element puternic fluorescent), in banda S. Este important de subliniat c procesul de amplificare se realizeaza ca un model de laserare pe trei nivele.

Amplificatoare Raman n fibr Principiul de baz al amplificrii const din utilizarea dispersiei Raman stimulate (SRS) n fibrele optice ca mecanism de interactiune a luminii cu energia de vibratie a materialului. n acest proces n timpul propagrii unui fascicul de pompaj intens, are loc transferul de energie al pompajului spre semnal decurgnd emiterea de fononi optici. SRS a fost observat pentru prima dat de Ippen si colaboratorii sai n 1970. n acest experiment s-a utilizat o fibr de nucleu lichid cu sectiune de soc de

dispersie spontan Raman () ridicat. Prima demostratie a efectului Raman stimulat n fibrele de sticl a fost realizat a Stolen si colaboratori n 1971, folosind o fibr monomod fabricat de Corning Glass Works. Comparnd SRS si emisia stimulat a aprut un aspect fundamental. La emiterea stimulat, un foton incident este capabil de a genera un foton cu aceeasi energie, n ceea ce priveste dispersia Raman stimulat fotonii incideni pot genera un foton cu energie redus si s emit un foton optic care este absorbit de starea de vibraie a miezului (vezi figura 2.2). Pe msur ce semnalul se propag n miez, se amplific datorit tranziiei electronice ntre starea fundamental si alte strile de vibraie (alte ) prin intermediul strii virtuale. Diferena de energie ntre starea virtual si starea la care revine electronul (tranzitie), este suficienta pentru emiterea unui foton si respectiv a unui numr de fononi optici care determin frecvenele Stokes. Comparnd cu lichidele si cristalele, sticla inregistreaza o dispersie Raman mai mic. Astfel diminuarea ariei efective a pompajului este esenial pentru cresterea cstigului de amplificare (vezi ecuaia 2.21). S-au studiat diferite materiale viznd descoperirea unei opiuni cu un cstig Raman mai mare pentru producerea de fibre optice amplificatoare, printre care: sticla produs dintr-un singur material, sticle de siliciu dopate si sticle produse din diferite componente, inclusiv sticle dopate cu oxizi de metale grele. Fibrele cu pierderi sczute fabricate plecnd de la aceste sticle dopate cu oxizi de metale grele sunt nerealizabile practic n ciuda valorii ridicate a dispersiei Raman pe sectiune de fibra. Figura 2.2

Diagrama de energie care prezint procesul de amplificare Raman Din cauza naturii amorfe a sticlelor care compun fibrele optice, nivelurile de vibraiei se distribuie cvasi continuu genernd un plus omogen. n fibrele de siliciu datorit numrului mare de vibraii, la frecven unghiular a semnalului ( s) poate s difere destul de mult frecvena unghiular de pompaj ( p), aducnd un spectru mai larg de amplificare. Pentru aplicaii care folosesc efectul Raman n fibrele optice parametrii cei mai relevani sunt: schimbarea frecvenei si cresterea cstigului Raman, modulul ariei efective pentru pompaj, coeficientul de atenuare pentru pompaj si semnal, limitarea de putere pe care fibra o poate suporta si compatibilitatea cu alte elemente ale sistemului de comunicaie optic. Pentru optimizarea performanelor, diferena ntre frecvena de pompaj si frecvena semnalului trebuie s corespund la nivelul curbei care determin amplificarea n funcie de aceast diferen de frecven. Pentru fibrele de siliciu, conform ilustraiei de la figura 2.3 diferena trebuie s fie de aproximativ 13 THz, care corespunde aproximativ cu 100 nm pentru lungimi de und de 1550 nm.

Sunt utilizate fibrele compensatoare ale dispersiei (DCF-Dispersion Compensating Fibers) ridicnd cstigul Raman de la 5 pn la 10 ori pentru fibrele standard monomod cu profilul indicelui de refracie de tip prag. Cu excepia absorbiilor de hidroxid de siliciu se poate obine amplificare Raman pentru orice lungime de und ntre 300 nm si 2000 nm. Utiliznd diverse tipuri de pompaje este posibil generarea unui spectru de amplificare destul de larg si cu puine variaii de amplitudine. n aplicaiile cu band lung pompajul variaz ntre 20 nm si 30 nm n funcie de uniformitatea de cstig cerut. Profilul cstigului Raman cu siliciu se concentreaz pe lungimi de und mai mari, alte materiale avnd spectre Raman diferite, oferind posibilitatea de egalizare si extindere a benzii folosind fibre compuse din alte materiale. Figura 2.3

Figura 2.3 Coeficientul de amplificare pentru siliciu (pe axa X avem Diferena de lungime de und n nm, iar pe axa Y avem Coeficientul de cstig n m/W)

Aceste amplificatoare n afar c au o band larg de amplificare, sunt destul de flexibile n ceea ce priveste cstigul, putnd nlocui deficienele de band a celorlalte amplificatoare, fiind atractive pentru aplicaiile n comunicaiile cu fibr optic. Din contr, amplificatoarele contruite din fibr dopat cu materiale rare si semiconductoare sunt puin eficiente cernd putere ridicat de pompaj si fibremai lungi. Un aspect important care trebuie menionat este pierderea zgomotului asociat cu transferul de energie a lungimilor de und din banda S pentru lungimi de und din banda L, prin intermediul procesului de dispersie Raman. Aceste amplificatoare sunt amplu utilizate pentru a suplimenta folosirea amplificatoarelor din fibre dopate, aducnd un cstig adiional n forme distribuite n legturi foarte lungi. Astfel pentru banda L se folosesc scheme de amplificare hibride.