APOSTILA

ELETRNICA GERAL










CAPITULO 1 : FISICA DOS SEMICONDUTORES
A ESTRUTURA DO TOMO
O tomo formado basicamente por 3 tipos de partculas elementares: Eltrons, prtons
e nutrons. A carga do eltron igual a do prton, porm de sinal contrrio. Os eltrons
giram em torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num total de at sete
camadas. Em cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente
ela que participa das reaes qumicas.
Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de
tomos, diferenciados entre si pelos seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada
material tem uma infinidade de caractersticas, mas uma especial em eletrnica o
comportamento passagem de corrente.
Pode-se dividir em trs tipos principais:

MATERIAIS CONDUTORES DE ELETRICIDADE
So materiais que no oferecem resistncia a passagem de corrente eltrica. Quanto
menor for a oposio a passagem de corrente, melhor condutor o material. O que
caracteriza o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia estarem
fracamente ligados ao tomo, encontrando grande facilidade para abandonar seus
tomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre, por exemplo,
com somente um eltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar
estabilidade. O eltron cedido pode tornar-se um eltron livre.

MATERIAIS ISOLANTES
So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a passagem da
corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seus tomos,
sendo que poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos para se
transformarem em eltrons livres.
Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substncias compostas (borracha,
mica, baquelita, etc.).

MATERIAL SEMICONDUTOR
Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como exemplo
temos o germnio e silcio


ESTUDO DOS SEMICONDUTORES

Os tomos de germnio e silcio tem uma camada de valncia com 4 eltrons. Quando
os tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si, formam uma estrutura
cristalina, ou seja, so substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando
uma estrutura ordenada. Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro outros tomos
vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de
um tomo compartilhado com um tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes
compartilham os dois eltrons, ver Figura 1-1.



Se nas estruturas com germnio ou silcio no fosse possvel romper a ligaes
covalentes, elas seriam materiais isolantes. No entanto com o aumento da temperatura
algumas ligaes covalentes recebem energia suficiente para se romperem, fazendo com
que os eltrons das ligaes rompidas passem a se movimentar livremente no interior do
cristal, tornando-se eltrons livres.




Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia,
passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um
eltron o abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna, sendo tambm
conhecida como buraco. As lacunas no tem existncia real, pois so apenas espaos
vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes covalentes rompidas.
Sempre que uma ligao covalente rompida, surgem, simultaneamente um eltron e
uma lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de uma
lacuna, completando a ligao covalente (processo de recombinao). Como tanto os
eltrons como as lacunas sempre aparecem e desaparecem aos pares, pode-se afirmar
que o nmero de lacunas sempre igual a de eltrons livres.
Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena de potencial, os
eltrons livres se movem no sentido do maior potencial eltrico e as lacunas por
conseqncia se movem no sentido contrrio ao movimento dos eltrons.

IMPUREZAS
Os cristais de silcio (ou germnio. Mas no vamos considera-lo, por simplicidade e
tambm porque o silcio de uso generalizado em eletrnica) so encontrados na
natureza misturados com outros elementos. Dado a dificuldade de se controlar as
caractersticas destes cristais feito um processo de purificao do cristal e em seguida
injetado atravs de um processo controlado, a insero proposital de impurezas na
ordem de 1 para cada 106 tomos do cristal, com a inteno de se alterar produo de
eltrons livres e lacunas. A este processo de insero d-se o nome de dopagem.
As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois
tipos: impureza doadoras e impurezas aceitadoras.

IMPUREZA DOADORA
So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de valncia. Ex.:
Fsforo e Antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo de silcio
dentroVdo cristal absorvendo as suas quatro ligaes covalentes, e fica um eltron
fracamente ligado ao ncleo do pentavalente (uma pequena energia suficiente para se
tornar livre).




IMPUREZA ACEITADORA

So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia. Ex.:
Boro,alumnio e glio). O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro
do cristal absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto significa que existe
uma lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente.



Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou excesso de
lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores:


SEMICONDUTOR TIPO N
O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo n, onde n
est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as lacunas
num semicondutor tipo n, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as
lacunas, portadores minoritrios.

SEMICONDUTOR TIPO P
O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo p, onde
p relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons livres
num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltrons
livres, portadores minoritrios.

JUNO PN

A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que um
dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.



Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas as direes,
alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna
desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente. (um on negativo)




Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ions esto fixo
na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ons
aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e lacunas. Chamamos esta
regio de camada de depleo.
Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a
continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo
aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. A
diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de
potencial. A 25, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.

POLARIZAO DA JUNO PN
Polarizar uma juno significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades.
Supondo uma bateria sobre os terminais, h uma polarizao direta se o plo positivo da
bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo em contato com
o material tipo n.

POLARIZAO DIRETA
No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e empurrados para a
juno. No material tipo p as lacunas tambm so repelidas pelo terminal e tendem a
penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo livre de
eltrons a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleo.




POLARIZAO REVERSA
Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo
no material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica polarizada
inversamente.
No material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da
juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos dizer que a
bateria aumenta a camada de depleo, torna











CAPITULO 2: DIODO IDIEAL E CIRCUITOS

2.1 DIODO DE JUNO PN IDEAL

O diodo ideal atua como um elemento unilateral perfeito, isto quer dizer que quando
polarizado diretamente conduz perfeitamente uma corrente e quando polarizado
reversamente no conduz corrente alguma.
A polarizao direta ocorre quando o Anodo positivo e o Catodo negativo,
enquanto que a polarizao reversa ocorre quando o Anodo e negativo e o Catodo
positivo.



O Diodo ideal propicia uma curva como a mostrada abaixo:

O Diodo o dispositivo mais simples dos semicondutores, e tem suas caractersticas
semelhantes de uma simples chave.

Quando polarizado diretamente no apresenta perda de energia e polarizado
reversamente capaz de bloquear uma tenso infinita.











2.2 POLARZAO DE DIODOS

Polarizao Direta: Quando polarizado diretamente atua como uma chave
fechada ou curto-circuito.





Caractersticas

I
AC
= I
D
> u
v
AC
= v
D
= u
E = v
AC
+I
AC
R ; ento E = I
AC
R; .. I
AC
=
E
R






Polarizao Reversa: Quando um Diodo ideal polarizado reversamente
atua como uma chave aberta ou circuito aberto




Caractersticas
I
AC
= I
R
= u
v
AC
= v
R
= E







EXEMPLO
1) Verificar a polarizao do Diodo, calcular tenso e corrente no Diodo.

RESOLUO:

A-) O Diodo esta polarizado diretamente.
B-) Como o Diodo esta polarizado diretamente temos v
D
= u.
v = v
D
+I
AC
R

v = u +I
AC
R

1u = u +I
AC
1K
I
AC
=
1u
1K


I
AC
= u,u1 A = 1u mA
Onde:
v Tenso total do circuito
v
D
Tenso no diodo
I
AC
Corrente do circuito
R Resistncia do circuito
EXERCICIOS COM DIODO IDEAL

1. Identificar quais Diodos so polarizados Diretamente e quais so polarizados
Reversamente.



(direta;direta;reversa;direta;reversa;reversa)



















2. Determine a tenso E e a corrente I nos circuitos abaixo:

a.

RESOLUO:
A-) O Diodo esta polarizado diretamente.


Como o Diodo esta polarizado diretamente temos v
D
= u, logo E = u
v = v
D
+I
AC
R

v = u +I
AC
R

1S,S = u +I
AC
9K
I
AC
=
1S,S
9K


I
AC
= u,uu1S A = 1,S mA
v Tenso total do circuito
v
D
Tenso no diodo
I
AC
Corrente do circuito
R Resistncia do circuito

b.

RESOLUO:
B-) O Diodo esta polarizado reversamente.

Como o Diodo esta polarizado reversamente temos I
AC
= u
v = v
D
+I
AC
R

v = v
D
+ u R

Su = v
D
+u SuK
vB = Su

vB = E = Su v
v Tenso total do circuito
v
D
Tenso no diodo
I
AC
Corrente do circuito
R Resistncia do circuito
E Tenso na sada do circuito

3. Calcule a corrente pelo resistor de 1 K no circuito abaixo

RESOLUO:
O Diodo esta polarizado diretamente.
Como o Diodo esta polarizado diretamente temos v
D
= u

Analisando o circuito equivalente podemos verificar que as resistncias de 3K e 1K
esto em paralelo, resolvendo o paralelo temos:
R
cq
=
R1 R2
R1 +R2


R
cq
=
SK 1K
SK +1K


R
cq
= u,7Su K = 7Su



Agora podemos achar a corrente total do circuito (I)
v = I R
I =
v
R


I =
18
6,7SK


I = 2,6667 mA
Usando divisor de corrente chegamos a corrente que passa pela resistncia de 1 K
I
2
=
I R1
R1 +R2


I
2
=
2,6667mA SK
SK +1K


I
2
= 2,uumA
v Tenso total do circuito
v
D
Tenso no diodo
I Corrente Total do circuito
I
1
Corrente em cima do resistor de 3K
I
2
Corrente em cima do resistor de 1K
R
cq
Resistncia equivalente do paralelo entre 3K e 1K





4. Determine a direo da corrente e calcule a mesma.


RESOLUO:
Analisando o funcionamento dos diodos percebemos que o Diodo D1 no esta
conduzindo, pois o maior valor de tenso esta no catodo, enquanto o Diodo D2 esta
conduzindo, pois o maior valor de tenso esta no anodo. Redesenhando circuito
teremos:



I =
v
R

I =
1u
12 +8


I = u,S A

5. Calcule a corrente total fluindo pelo circuito seguinte e mostre o seu sentido

Analisando o funcionamento dos diodos percebemos que o Diodo D1 esta conduzindo,
pois o maior valor de tenso esta no anodo, enquanto o Diodo D2 no esta conduzindo,
pois o maior valor de tenso esta no catodo. Redesenhando circuito teremos:


No circuito equivalente podemos verificar a existncia de resistncias em paralelo (5
// 20) calculando iremos ter a seguinte resistncia equivalente
R
cq
=
S 2u
S +2u
= 4





Redesenhando temos


v = I R
I =
v
R

I =
12
4 +8

I = 1 A













CAPITULO 3: DIODO DE JUNO PN REAL

3.1 DIFERENAS BASICAS ENTRE DIODO IDEAL E REAL

a.) Polarizao Direta
No caso ideal conduz uma corrente grande mesmo com uma tenso
praticamente zerada aplicada nos seus terminais (v
D
). Isto indica que na
sua juno no existe barreira de potencial.
No caso real o Diodo conduz uma pequena corrente, podemos dizer que
praticamente no conduz, enquanto a fonte externa for menor que a
barreira de potencia v
y
,v
D
.
Este potencia de 0,7 V para o Silcio (Si) e 0,3 V para o Germnio
(Ge). A partir do instante que esta tenso atingida, acontecer um
rpido crescimento de I
D
.
b.) Polarizao Reversa
No caso ideal no existe corrente reversa I
R
apesar de se aplicar uma
tenso externa ao diodo.
No caso real existe uma pequena corrente reversa, esta em principio
gerada apenas termicamente. Neste caso conhecida como corrente de
saturao I
S
e que no varia com a tenso reversa aplicada.
S que a realidade que a corrente reversa possui outro componente
que varia com a tenso reversa aplicada, fazendo com que exista um
limite mximo para o valor de tenso reversa, este valor chamado de
tenso de Ruptura. Quando este valor ultrapassado acontecer o
rompimento da juno PN.

3.2 CURVA CARACTERISTICA DO DIODO REAL

3.3 RETA DE CARGA E PONTO DE OPERAO OU PONTO QUIESCENTE.
Uma das dificuldades em eletrnica consiste em encontrar uma corrente de operao
adequada para um elemento no linear, produzida a partir de uma fonte de tenso
continua e uma resistncia linear. Por meio de um mtodo grfico, traado da reta de
carga, obtm se o resultado desejado de modo simples e rpido.
EXEMPLO:
Sejam o circuito e a curva caracterstica do Diodo de juno. Qual o valor de I
D
e de v
D

de operao?

Do circuito temos:
I = I

+I
R

I = I

+I R
Como fazer o traado da reta de carga.
1 passo Faamos I
D
= u na expresso acima, com isto iremos ter o ponto de tenso
mxima .
I = I

= SI
2 passo Agora devemos achar o ponto de corrente mxima, para isto v
D
= u ,
novamente trocando o valor na expresso , obtemos:
I = I

+I
R

I = u +I R
I =
I
R

I = SumA
Marquemos os pontos sobre o grfico, o primeiro ponto no eixo horizontal de tenses, o
segundo no eixo vertical de correntes. Interligando os dois pontos obtidos obteremos a
reta de carga. A interseo da reta de carga com a curva caracterstica do Diodo usado
determina o ponto de operao ou quiescente.
No exemplo dado o ponto quiescente definido por:
I
DQ
= 4umA e v
DQ
= 1v
Estes valores so encontrados da seguinte forma:
Traa-se uma linha horizontal at o eixo vertical de correntes, a partir do ponto
Q, para encontrar I
DQ
.
Traa-se uma linha perpendicular at o eixo horizontal de tenses, a partir do
ponto Q, para encontrar v
DQ
.



Exerccios
1 ) Para a curva caracterstica dada no exemplo anterior, determine o ponto de operao
do Diodo no circuito.

Devemos redesenhar o circuito de forma a fechar a malha e verificar se o Diodo esta
polarizado diretamente.

1 Passo Escolher no circuito o que vamos considerar como carga, neste exerccio
ser escolhida como carga resistncia de 50 mais o Diodo D, como mostrado na
figura abaixo.


2 Passo Calcular a resistncia de Thevenin R
TH
, para isto devemos curto circuitar as
fontes de tenso e analisar o circuito a partir do ponto aberto com a retirada da carga.
Desta forma iremos encontrar dois resistores de 50 em serie, para um melhor
entendimento iremos chamar de R1 o resultado desta serie.
R1 = Su +Su
R1 = 1uu

No circuito acima podemos verificar que a resistncia R1 esta em paralelo com a
resistncia de 50 , fazendo este calculo iremos chegar no R
TH
.
R
TH
=
R1 Su
R1 +Su

R
TH
=
1uu Su
1 +5

R
TH
=
5
15

R
TH
= 33, 33
3 Passo Para calcular V
TH
devemos analisar o circuito sem os componentes
escolhidos para serem a nossa carga, mas levando em considerao os outros
componentes existentes no circuito.
O V
TH
sempre ser a tenso no local aberto com a retirada na carga, no nosso exemplo
o V
TH
ser a tenso encontrada entre os pontos A e B.

V
TH
= I 5
Analisando a formula acima conclumos que devemos calcular o valor da corrente que
passa pela resistncia de 5 para encontrarmos o valor da tenso de Thevenin.
Considerando o circuito acima podemos constatar que o circuito composto de uma
nica malha, sendo assim existir uma nica corrente.
V = I 5+I 5+I 5
1 = I (5 +5 +5)
I =
1
15
I = , mA
Com o valor da corrente podemos calcular V
TH

V
TH
= I 5
V
TH
= , mA 5
V
TH
= 3, 333 V
4 passo Com os valores de Thevenin encontrados pode se desenhar o circuito
equivalente. Este circuito ser composto por V
TH
, R
TH
e Carga.

Neste momento acaba o uso do teorema de Thevenin.
5 passo Calculo da tenso no Diodo para se achar um dos pontos da reta de carga.
Deve ser encontrado o valor da maior tenso no Diodo, para isto deve-se ZERAR a
corrente que passa no Diodo.
V = I 33, 33+I 5+ V
D

V = I (33, 33 +5) + V
D

3, 33 = (33, 33 +5) + V
D

V
D
= 3, 33
6 passo Calculo da corrente no Diodo para se achar o outro ponto da reta de carga.
Para este calculo deve-se admitir que V
D
= para acharmos o maior valor da corrente
V = I 33, 33+I 5+ V
D

V = I (33, 33 +5) + V
D

3, 33 = I (33, 33 +5) +
I =
3, 33
33, 33 +5
I = 4mA
7 passo Traar a reta de carga usando os dois valores encontrados.


2 ) O Diodo D no circuito representado pela curva caracterstica fornecida. Traar a
reta de e encontrar os valores quiescentes de tenso e corrente do Diodo.



Devemos redesenhar o circuito de forma a deixa-lo mais fcil de ser visualizado e
verificar a polarizao do Diodo.

1 Passo Escolher no circuito o que vamos considerar como carga, neste exerccio
ser escolhida como carga apenas o Diodo D, como mostrado na figura abaixo.

2 Passo Calcular a resistncia de Thevenin R
TH
, para isto devemos considerar as
fontes de tenso como um curto circuito e analisar o circuito a partir do ponto
aberto com a retirada da carga.
Desta forma iremos encontrar dois resistores em paralelo (120 //80 ), para um
melhor entendimento irei chamar de R1 o resultado deste calculo
R1 =
12 8
12 +8
R1 = 48



No circuito acima podemos verificar que a resistncia R1 esta em serie com a
resistncia de 32 , fazendo este calculo iremos chegar no R
TH
.
R
TH
= R1 +32
R
TH
= 48 +32
R
TH
= 8
3 Passo Para calcular V
TH
devemos analisar o circuito sem os componentes
escolhidos para serem a nossa carga, mas levando em considerao os outros
componentes existentes no circuito. O V
TH
sempre ser a tenso no local aberto com a
retirada na carga, no nosso exemplo o V
TH
ser a tenso encontrada entre os pontos A e
B.


V
TH
= V (I 12)
Analisando a formula acima conclumos que devemos calcular o valor da corrente que
passa pelo circuito para encontrarmos o valor da tenso de Thevenin.
Considerando o circuito acima podemos constatar que o circuito composto de uma
nica malha, sendo assim existir uma nica corrente.
V = I 12+I 8
1 = I (12 +8)
I =
1
2
I = 5 mA
Observar que no foi usada a resistncia de 32, pois como o circuito esta aberto em
serie com esta resistncia no existira corrente neste ramo.
Com o valor da corrente podemos calcular V
TH

V
TH
= V I 12
V
TH
= 1 (5mA 12)
V
TH
= 4 V



Neste momento acaba o uso do teorema de Thevenin.
5 passo Calculo da tenso no Diodo para se achar um dos pontos da reta de carga.
Deve ser encontrado o valor da maior tenso no Diodo, para isto deve-se ZERAR a
corrente que passa no Diodo.
V = I 8+ V
D

4 = (8) + V
D

V
D
= 4
6 passo Calculo da corrente no Diodo para se achar o outro ponto da reta de carga.
Para este calculo deve-se admitir que V
D
= para acharmos o maior valor da corrente
V = I 8+ V
D

4 = I (8) +
I =
4
8
I = 5 mA
7 passo Traar a reta de carga usando os dois valores encontrados.

3-) Verifique se o Diodo, no circuito dado, polarizado diretamente ou no. Em caso
afirmativo, use a curva caracterstica fornecida no problema anterior para traar a reta
de carga e encontrar a sua corrente de operao.

Devemos redesenhar o circuito de forma a deixa-lo mais fcil de ser visualizado e
verificar a polarizao do Diodo.



1 Passo Escolher no circuito o que vamos considerar como carga, neste exerccio
ser escolhida como carga apenas o Diodo D, como mostrado na figura abaixo.



2 Passo Calcular a resistncia de Thevenin R
TH
, para isto devemos considerar as
fontes de tenso como um curto circuito e analisar o circuito a partir do ponto
aberto com a retirada da carga.
Desta forma iremos encontrar dois resistores em paralelo (200 //300 ), para um
melhor entendimento irei chamar de R1 o resultado deste calculo
R
TH
=
2 3
2 +3

R
TH
= 12

3 Passo Para calcular V
TH
devemos analisar o circuito sem os componentes
escolhidos para serem a nossa carga, mas levando em considerao os outros
componentes existentes no circuito. O V
TH
sempre ser a tenso no local aberto com a
retirada na carga, no nosso exemplo o V
TH
ser a tenso encontrada entre os pontos A e
B.

V
TH
= V (I 2)
Analisando a formula acima conclumos que devemos calcular o valor da corrente que
passa pelo circuito para encontrarmos o valor da tenso de Thevenin.
Considerando o circuito acima podemos constatar que o circuito composto de uma
nica malha, sendo assim existir uma nica corrente.
V1 = I 2+I 3+V2
8 = I (2 +3) +( 2)
I =
8 (2)
5

I = 2 mA

Com o valor da corrente podemos calcular V
TH

V
TH
= V I 2
V
TH
= 8 (2mA 2)
V
TH
= 4 V

Neste momento acaba o uso do teorema de Thevenin.
5 passo Calculo da tenso no Diodo para se achar um dos pontos da reta de carga.
Deve ser encontrado o valor da maior tenso no Diodo, para isto deve-se ZERAR a
corrente que passa no Diodo.
V = I 12+ V
D

4 = (12) + V
D

V
D
= 4
6 passo Calculo da corrente no Diodo para se achar o outro ponto da reta de carga.
Para este calculo deve-se admitir que V
D
= para acharmos o maior valor da corrente
V = I 12+ V
D

4 = I (12) +
I =
4
12

I = 33, 33 mA
7 passo Traar a reta de carga usando os dois valores encontrados.








3.4 APLICAO DO DIODO
3.4.1 CONFIGURAES SRIE, PARALELA E SERIE-PARALELAS DE DIODOS
COM ENTRADAS DC
Neste tpico ser abordado um procedimento que pode ser aplicado a circuitos com uma
quantidade qualquer de Diodos e em varias configuraes.
O primeiro passo deste procedimento estabelecer o estado de cada diodo no circuito,
usando a analogia de Diodo ligado e Diodo desligado.
O Diodo esta ligado quando a corrente do circuito esta a no mesmo sentido da seta do
smbolo, quando esta condio no satisfeita o Diodo esta desligado.
O segundo passo para se resolver um circuito com Diodo redesenh-lo usando os
padres da tabela a seguir:

Devemos sempre nos lembrar que V
D
, 7 V para o Silcio e V
D
, 3V para o
Germnio.

EXEMPLO.SRIE
Para a configurao abaixo determine V
D
, V
R
, I
D
.

O Diodo esta polarizado diretamente, com isto podemos redesenhar o circuito da
seguinte forma.


V
D
= , 7 V
Calculo da corrente
V = V
D
+ I R
8 = , 7 +I 2, 2K
I =
8 , 7
2, 2K

I = 3, 318mA
Calculo da Tenso na Resistncia
V = V
D
+V
R

8 = , 7 +V
R

V
R
= 7, 3V

1-) Determine V
u
, I
D1
, I
D2
, I .

Os Diodos esto polarizados diretamente, com isto podemos redesenhar o circuito da
seguinte forma.


V

= , 7 V
Calculo da corrente total
V = V
D
+ I R
1 = , 7 +I , 33K
I =
1 , 7
, 33K

I = 28, 18 mA
Se considerarmos os diodos iguais.
I
D1
= I
D2
= 14, 9 mA


1-) Determine I
D1
, I
D2
, I .

Os 2 Diodos esto polarizados diretamente e o circuito fica como o abaixo



Calculo da corrente que passa sobre a resistncia de 3,3 K
I
1
=
V
R1
R1

I
1
=
, 7
3, 3K

I
1
= , 212 mA


Calculo da corrente sobre o D
1

V = D
1
+D
2
+(I
D1
5, K)
2 = , 7 +, 7 + (I
D1
5, K)
I
D1
=
2 , 7 , 7
5, K

I
D1
= 3, 32 mA
Calculo da corrente sobre o D
2

I
D1
= I
D2
+I
1

I
D2
= I
D1
I
1

I
D2
= 3, 32mA , 212 mA
I
D2
= 3, 18mA

Determinar as correntes do circuito.

Podemos verificar que o Diodo D2 esta polarizado reversamente, com isto no haver
corrente passando por ele.
Calculo da corrente no ramo da Resistncia de 2K
I
3
=
V
R

I
3
=
, 7
2K

I
3
= , 35 mA
Calculo da corrente sobre o D1
V = V
D1
+I
1
R + V
D2

9 = , 7 +(I
1
1K) +, 7
I
1
=
9 , 7 , 7
1K

I
1
= 7, mA
Calculo da corrente sobre o ramo da resistncia de 1K
I
1
= I
2
+I
3

I
2
= I
1
I
3

I
2
= 7, mA , 35 mA
I
2
= 7, 25 mA
Determine V
u
, I
D
, V
R

.

Calculo da corrente total
V = V
D1
+I
1
R + V
D2

12 = , 7 +(I
1
5, K) +, 3
I
1
=
12 , 7 , 3
5, h

I
1
= 1, 9 mA
Calculo da tenso sobre a resistncia de 5,6K
V
R
= 1, 9mA 5, K
V
R
= V

= 11V

Calcule V
R1
, V
R2
, V

, I.

Redesenhando o circuito para melhor entendimento temos.


Calculo da corrente total
V
1
= V
R1
+V
R2
+V
D
+V
2

1 = (I R
1
) +(I R
2
) +, 7 +(2)
I =
1 , 7 +2
1, 2K +4, 7h

I = 1, 9152 mA
Calculo da tenso sobre R1
V
R1
= I R
1

1, 9152mA 1, 2K
V
R1
= 2, 3V
Calculo da tenso sobre R2
V
R2
= I R
2

1, 9152mA 4, 7K
V
R1
= 9V
Calculo de Vo
V

= V
R2
+ V2
V

= 9 +(2)
V

= 7 V