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Definimos la unidad de carga +1 como +1,610-19 culombios.

As un electrn tiene una carga -1 equivalente a -1,610-19 culombios La mayor parte de los metales y semiconductores tienen estructura cristalina. Un cristal consiste en una espacio ordenado de tomos o de molculas (estrictamente hablando, iones) en forma de bloque repetido regularmente en tres dimensiones. ENLACE QUMICO Hay dos modelos que explican la formacin del enlace qumico: Modelo de la nube de electrones: Segn este modelo, los tomos metlicos ceden sus electrones de valencia a una "nube electrnica" que comprende todos los tomos del metal. As pues, el enlace metlico resulta de las atracciones electrostticas entre los restos positivos y los electrones mviles que pertenecen en su conjunto a la red metlica. Hay que aclarar que los tomos cuando han cedido los electrones a la nube comn, no son realmente iones, ya que los electrones quedan dentro de la red, perteneciendo a todos los "restos positivos". Este modelo es muy simple y sirve para interpretar muchas de las propiedades de los metales principalmente su conductividad. Teora de bandas de energa: Los niveles de energa electrnica definidos para un tomo libre no se pueden aplicar de la misma manera a los tomos de un cristal. Cuando los tomos forman un cristal, los niveles de energa de sus tomos ms exteriores se ven afectados por la presencia de tomos vecinos, ya que stos estn solicitados por ms de un tomo de cristal. Segn la teora de bandas de energa, cuando dos tomos se enlazan, los orbitales de la capa de valencia se combinan para formar dos orbitales nuevos que pertenecen a toda la molcula. En general, cuando se combinan N orbitales, de otros tantos tomos, se obtienen N orbitales moleculares de energa muy prxima entre s, constituyendo lo que se llama una "banda".

Como es difcil sacar un electrn de las bandas inferiores, no nos interesan las 2 bandas inferiores. De esta manera se observan 2 bandas especiales: Una en la que se encuentran los electrones de la capa de valencia que se denomina "banda de valencia" (e- que pertenecen a la ltima capa de un tomo determinado) y otra que se llama "banda de conduccin" (e- libres) que es la primera capa vaca.

En los metales La banda de valencia est llena o parcialmente llena; pero en estas sustancias, la diferencia energtica entre la banda de valencia y la de conduccin estn solapadas. Por lo tanto se requiere slo una cantidad despreciable de energa para promover un electrn de valencia a la banda de conduccin, donde adquiere libertad para moverse a travs de todo el metal, dado que la banda de conduccin carece de electrones. Esta libertad de movimiento explica el hecho de que los metales sean capaces de conducir la corriente elctrica, esto es, que sean buenos conductores. Ejemplo: El Cobre (valencia 1).

Su nmero atmico es 29. Esto significa que en el ncleo hay 29 protones (cargas positivas) y girando alrededor de l hay 29 electrones girando en diferentes rbitas. Lo que interesa en electrnica es la rbita exterior, que es la que determina las

propiedades del tomo. Como hay + 29 y - 28, queda con + 1. Por ello vamos a agrupar el ncleo y las rbitas internas, y le llamaremos parte interna. En el tomo de cobre la parte interna es el ncleo (+ 29) y las tres primeras rbitas (- 28), con lo que nos queda la parte interna con una carga neta de +1. Como el electrn de valencia es atrado muy dbilmente por la parte interna, una fuerza externa puede liberarlo fcilmente, por eso es un buen Conductor. Nos referiremos a ese electrn de valencia, como electrn libre. Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrn en la rbita de valencia (valencia 1).

En los aislantes La banda de valencia est llena y la de conduccin vaca; pero hay una importante diferencia de energa entre una y otra (hay una zona prohibida) por lo que no pueden producirse saltos electrnicos de una a otra. Es decir, los electrones no gozan de la movilidad que tienen en los metales y, por ello, estas sustancias no conducen la corriente elctrica. En los semiconductores (Ge, Si, GaAs, InSb) La banda de valencia est llena y la de conduccin vaca pero la zona prohibida no es tan grande, energticamente hablando, y algunos electrones pueden saltar a la banda de conduccin. La conductividad en los semiconductores aumenta con la temperatura, ya que se facilitan los saltos de los electrones a la banda de conduccin. Ntese que este comportamiento es opuesto al de los metales: la capacidad de un metal para conducir la electricidad disminuye al aumentar la temperatura, ya que se acenta la vibracin de los tomos a mayores temperaturas y esto tiende a romper el flujo de electrones. Por ejemplo, a 0 K los 4 electrones de cada tomo estn en la Banda de Valencia

A 300 K (27 C, temperatura ambiente) o a mayor temperatura, algn electrn puede conseguir suficiente energa como para pasar a la Banda de Conduccin, dejando as un hueco en la Banda de Valencia (generacin Trmica de Pares electrn libre-hueco)

SEMICONDUCTORES Son elementos que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas resulta posible su conduccin. Los semiconductores con el Silicio y el Germanio:

Como vemos los semiconductores se caracterizan por tener una parte interna con carga + 4 y 4 electrones de valencia. Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las uniones entre tomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los tomos de Silicio. Un cristal de silicio presenta la siguiente forma:

Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los tomos vecinos, de tal manera que completa los 8 electrones en la rbita de valencia, alcanzando la estabilidad. El aumento de la temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio vibren dentro de l, con lo que un electrn se puede liberar de su rbita, dejando un hueco. Esta unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida". Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto es una generacin de pares electrn libre-hueco. La importancia del hueco es primordial, ya que puede servir de como portador de electricidad. El mecanismo por el cual los huecos contribuyen a la conductividad puede explicarse de la siguiente manera: Cuando un enlace queda incompleto aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn de valencia del electrn vecino dejar su enlace covalente y llenar este hueco. Un electrn que deja su enlace para llenar un hueco deja a su vez otro hueco en su posicin inicial. Por tanto el hueco se mueve efectivamente en direccin contraria al electrn. He aqu un nuevo mecanismo de conduccin de la electricidad que no implica electrones libres.

A medida que fluye la corriente elctrica, los huecos se comportan como cargas positivas de igual valor que la carga del electrn. Segn un convenio ampliamente aceptado tomaremos la direccin de la corriente como contraria a la direccin de los electrones libres.

DENSIDAD DE CORRIENTE (INDEPENDIENTEMENTE DEL MECANISMO DE CONDUCCIN) Donde: n= concentracin de portadores de carga por metro cbico q = valor absoluto de la carga del portador E = intensidad del campo elctrico = conductividad = movilidades de del portador de carga

CLASIFICACIN DE LOS SEMICONDUCTORES Semiconductor Intrnseco Es un semiconductor puro. En un semiconductor intrnseco hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que debido a la agitacin trmica continuamente produce nuevos pares de electrn-hueco, mientras que otros pares desaparecen como resultado de la recombinacin. Por lo tanto, hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero. y Donde: n= concentracin de portadores negativos (electrones), es decir, nmero de electrones libres por unidad de volumen. p= concentracin de portadores positivos (huecos), es decir, nmero de huecos por unidad de volumen. q = valor absoluto de la carga del electrn = conductividad = movilidades de electrones = movilidades de huecos Semiconductor extrnseco Es un semiconductor intrnseco contaminado con impurezas a fin de incrementar su conductividad. Segn el tipo de impureza que contiene, se divide en: Semiconductores del tipo "n": Es aquel contaminado con tomos pentavalentes (Sb, P, As, etc) conocidos como impurezas donadoras puesto que donan un electrn a la red. Una impureza donadora es, por ejemplo, el Arsnico. Si se aaden tomos de As a un semiconductor (Ge), a condiciones adecuadas de presin y temperatura, stos forman enlaces covalentes con el Ge (compartiendo 4 de sus e- de valencia) liberando el quinto e- a la red. ste mejora la conductividad del semiconductor porque aumenta el nmero de portadores de corriente (electrones).

Los tomos de impureza son pocos comparados con los tomos del semiconductor original, por lo que poseen una cantidad de energa (como tomos libres)

llamada Energa del tomo donador. En cuanto se le d una pequea energa


los electrones suben a la BC y se convierten en libres. Tambin se da la generacin trmica (generacin de pares hueco-electrn), pero lo que ms ocurre es debido a las impurezas y muy poco por generacin trmica, por lo que se puede despreciar esta ltima. Semiconductores del tipo "p" (posee impurezas aceptoras-tomos trivalentes) Es aquel contaminado con tomos trivalentes conocidos como impurezas aceptoras puesto que originan un hueco en la red. Una impureza aceptora es, por ejemplo, el Boro. Si se aaden tomos de Boro a un semiconductor (Ge), a condiciones adecuadas de presin y temperatura, stos forman enlaces covalentes con Ge (compartiendo 3 de sus e- de valencia) pero le falta un e- para completarlos, originando un hueco. ste mejora la conductividad del semiconductor porque aumenta el nmero de portadores de corriente (huecos).

Los tomos de impureza son pocos comparados con los tomos del semiconductor original, por lo que poseen una cantidad de energa (como tomos libres) llamada Energa del tomo aceptor. En cuanto se le d una pequea energa los electrones suben a la BC y se convierten en libres. A 300 K o ms, el electrn cercano a EA sube desde la BV y deja un hueco en la BV mientras que la EA se llena de electrones. Se sigue dando generacin trmica tambin, pero como antes es despreciable. LEY DE ACCIN DE MASAS Debido al efecto de la temperatura, en un semiconductor permanentemente se estn generando pares electrn-hueco. Llamemos G a la velocidad con que se generan dichos pares. Para los semiconductores de aplicacin prctica en electrnica, se sabe que el nmero de impurezas es muchsimo menor que la cantidad de tomos del semiconductor. Esto quiere decir que la velocidad con que se generan los pares electrn hueco en un conductor extrnseco es prcticamente la misma que ocurrira en un semiconductor intrnseco: ya que, en un conductor intrnseco Existe, a la par en el slido, un proceso contrario de recombinacin de pares cuando un electrn libre se encuentra con un hueco, desapareciendo as el par electrn-hueco. Llamaremos R a la velocidad con que se recombinan los pares.

La Ley de Accin de Masas postula que la velocidad de recombinacin es mayor mientras ms electrones libres hallan, ya que aumenta la probabilidad de que un hueco consiga a un electrn. Tambin postula que la velocidad de recombinacin es mayor mientras ms huecos hallan, ya que aumenta la probabilidad de que un electrn consiga a un hueco, es decir: Donde k es una constante que no depende de las concentraciones. Para un semiconductor en equilibrio la velocidad de generacin se compensa con la velocidad de recombinacin: De esta ltima expresin obtenemos que:

LEY DE NEUTRALIDAD ELCTRICA Sea ND la concentracin de tomos donadores. Debido a que, en la prctica, estn todas totalmente ionizadas, aparecern ND cargas positivas por metro cbico; de ah que la densidad de carga positiva total sea . Similarmente, si NA es la concentracin de tomos aceptores, estos contribuyen al suministro de NA cargas negativas por metro cbico. La densidad de carga total negativa ser . Como el semiconductor es elctricamente neutro, el valor de la densidad de carga positiva deber ser igual a la concentracin negativa, o sea:

Donde: n= concentracin de portadores negativos (electrones), es decir, nmero de electrones libres por unidad de volumen. p= concentracin de portadores positivos (huecos), es decir, nmero de huecos por unidad de volumen. NA = concentracin de impurezas aceptoras ND = concentracin de impurezas donadoras En un semiconductor tipo n: ( En un semiconductor tipo p: ( CONDUCTIVIDAD La diferencia fundamental entre un metal y un semiconductor consiste en que el primero es unipolar (conduce corriente mediante cargas de un solo signo, o sea electrones), mientras que el semiconductor es bipolar (contiene dos partculas portadoras de carga de signo opuesto). Uno de los portadores mencionados es negativo (electrones libres), de movilidad y el otro es positivo (el hueco) de movilidad . Estas partculas se mueven en sentidos opuestos en un campo elctrico E, debido a que tienen signos opuestos, pero por esto mismo la corriente de ambos tiene la misma direccin. De ah que la densidad de corriente J sea: ) )

( = Densidad de corriente total = Densidad de corriente de electrones = Densidad de corriente de huecos n= concentracin de electrones por metro cbico p= concentracin de huecos por metro cbico q = valor absoluto de la carga del portador E = intensidad del campo elctrico = movilidades de electrones = movilidades de huecos CONCENTRACIN INTRNSECA:

Con el incremento de la temperatura, la densidad de pares electrn-hueco aumenta y, consecuentemente, la conductividad se eleva:

Donde: = Salto de energa de la banda vaca a 0K (eV) K = Constante de Boltzman (V/K) =Constante independiente de la temperatura T = Temperatura = Concentracin de electrones en un semiconductor intrnseco

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