MEMS 工艺

——半导体制造技术

石云波
3920397(O)
shiyunbo@nuc.edu.cn
 主要内容
 材料
 硅材料
 其他材料
 半导体加工工艺
 薄膜制造及外延生长
 氧化技术
 掺杂技术
 化学气相淀积
 接触与互连
 MEMS 对材料的要求
 1 、具有可微机械加工的特性；
 2 、具有一定的机械性能；
 3 、具有 好的电性能；
 4 、具有 好的 性能。
目前能基本满足上述要求的材料有：半导体
硅、锗、砷化镓、金属铌，以及石英晶体等，
其中，尤以硅材料最为常见。
 材料的分类

按性质分：
结构材料、功能材料和智能材料
按具体的应用场合：
微结构材料、微致动材料与微传感
材料
 MEMS 材料
 结构材料
基底材料：硅、砷化镓、其他半导体材料
薄膜材料：单晶硅、氮化硅、氧化硅
金属材料：金、铝、其他金属
 功能材料
高分子材料：聚酰亚胺、 PMMA
敏感材料：压阻、压电、热敏、光敏、其
他
 MEMS 材料

 金属－ Al, Au, Cu, W, Ni, TiNi, NiFe,

 绝缘体
 SiO2 － 生 或蒸汽淀积
 SiO2 －晶体（压电）
 Si3N4 － CVD
 聚合体－光刻胶、聚酰亚氨等
 半导体硅－单晶硅、多晶硅和非晶硅
为什么硅是比较理想的衬底材料
 1 、它的力学性能稳定，并且可被集成到相
同衬底的电子器件上；
 2 、硅几乎是一个理想的结构材料，它具有
几乎与钢相同的杨氏模量，但却与铝一样
轻
；
 3 、硅材料的质量轻，密度为不锈钢的 1 ／
3 ，而弯曲强度却为不锈钢的 3.5 倍，它具
有高的强度密度比和高的刚度密度比。
为什么硅是比较理想的衬底材料
 4 、它的熔点为 1400℃ ，约为铝的两倍；
 5 、它的热膨胀系数比钢小倍，比铝小 10 倍
；
 6 、单晶硅具有优良的机械、物理性质，其
机械品 因数可高达 106 数量级，滞后和蠕
变极小，几乎为零，机械稳定性好，是理想
的传感器和执行器的材料；
 硅衬底在设计和制造中具有更大的灵活性。
 一、硅材料
 单晶硅的生长
 单晶硅的性质
 晶面与晶向
 Silicon wafer fabrication
Czochralski process: widely-used to make single crystal Si
 Si crystal growth: float-zone crystal
growth

http://www.egg.or.jp/MSIL/english/msilhist0­e.html from Mitsubishi Materials Silicon Corporation
Silicon wafer fabrication – slicing & polishing

Smart cutting process? CMP is used.. Why?

有关单晶硅的机械物理性质
 晶面与晶向
硅晶体属于金刚石型晶
体结构，其晶胞都具有
立方体的形式，在立方
体的每个角上都具有一
个原子。我们把这个立
方体的边长定为晶格常
数，用 a 表示，在室温
标准大气压下硅的
a=5.43A 。
 晶面
由于单晶体是原子周期性规则排列所组成，
因此在单晶体中可以划分出一系列彼此平行
的平面，这些面被称为晶面。这些彼此平行
的晶面组成了晶面族，晶面族有以下性质：
(1) 每一晶面上结点排列的情况完全相同；
(2) 相邻的晶面之间距离相等；
(3) 一族晶面可以把所有的结点都包括进去 。
 晶面指数
 为了识别晶体内的一个平面，习惯上用晶
面指数来标记 。
 Si crystal orientation

Each site is tetrahedrally coordinated 
with four other sites in the other sublattice

More atoms per cm 2 
(oxidizes faster than 100) but 
etches much slower

A ． {111} 包括（ 1 1 1 ），（ 1 1 1 ），（ 1 1 1 ），（ 1 1 1 ）

B ． {110} 包括（ 110 ），（ 1 1 0 ），（ 101 ），（ 101 ），（ 011 ）
Equivalent  planes i.e. families {} ，（ 0 1 1 ）
C ． {100} 包括（ 1 0 0 ），（ 0 1 0 ），（ 0 0 1 ）

http://www.novagate.com/~ahines/rocks/vir_cris.htm
 晶向
 晶体中所取的方向不同，其物理化学性质也不同
．这就形成了晶体的各向异性。晶向可以用垂直
于该
晶面的法线方向来表示
 由于硅属于立方晶体结构，在不同晶面上原
子的排列密度不同，导致硅晶体的各向异性
，因此杂质的扩散速度、腐蚀速度也各不相
同。
 硅单晶在晶面上的原子密度是以
(111)>(110)>(100) 的次序递减，因此扩散速
度是以 (111)<(110)<(100) 方向递增。
 腐蚀速度也是以 (111)<(110)<(100) 的
顺序而增加 。
Wafer Indices
Miller indices of planes
in a cubic crystal
 1.2 多晶硅

单晶是指整个晶体内原子都
是周期性的规则排列，而多晶
是指在晶体内各个局部区域里
原子是周期性的规则排列，但
不同局部区域之间原子的排列
方向并不相同。因此多晶体也
看作是由许多取向不同的小单
晶体组成的 。
 硅晶体的传感特性
物理量 信号变换效应

光，辐射 光电效应，光电子效应，光电导效应
，光磁电子效应
应力 压阻效应
，温度 赛贝克效应，热阻效应， P-N 结，
磁性 霍尔效应，磁阻效应
离子 离子感应电场效应
 硅材料的优点

 1 、优异的机械特性；
 2 、便于批量生产微机械结构和微机电元件
；
 3 、与微电子集成电路工艺
兼容；
 4 、微机械和微电子显露便于集成。
 2 硅化合物
二氧化硅（ SiO2 ）、碳化硅
（ SiC ）和氮化硅（ Si3N4 ）是微
系统中常用的三种硅化合物。
 二氧化硅

二氧化硅在微系统中有三个主要应
用：
（ 1 ）作为热和电的绝缘体
（ 2 ）作为硅衬底刻蚀的掩膜
（ 3 ）作为表面微加工的牺牲层
二氧化硅的性质
 碳化硅
 碳化硅（ SiC ）在微系统中的基本应用是利
用其在高温下尺寸和化学性质的稳定性。甚
至在极高的温度下，碳化硅对氧化也有很强
的抵抗力。
 MEMS 器件经常沉积一层碳化硅薄膜以防止
它们被高温破坏。在 MEMS 中使用 SiC 的
另一原因是采用铝掩膜的干法刻蚀（可以很
容易实 SiC 薄膜的图形化。
 氮化硅
 氮化硅（ Si3N4 ）具有许多吸引 MEMS 和微
系统的突出特性。它可以有效地阻挡水和离
子，如钠离子，的扩散。氮化硅超强抗氧化
和抗腐蚀的能力使其适于作深层刻蚀的掩膜。
氮化硅可用作光波导以及防止水和其它有毒
流体进入衬底的密封材料。它也被用作高强
度电子绝缘层和离子植入掩膜
 3 砷化镓
 砷化镓（ GaAs ）是一种半导体化合物。它
是由等量的砷原子和镓原子组成。作为化合
物，含有两种元素原子的砷化镓的晶格结构
更为复杂，是用于电子和声子器件在单个衬
底单片集成的优秀材料。
 GaAs 的迁移率约比硅高 7 倍 ，当它被光源
激发时，能更好地促进电子电流流动。
 4 石英
 石英是 SiO2 的化合物。石英的一个单位晶胞是四面体
形状，三个氧原子分别位于四面体底部的三个顶点，一
个硅原子在四面体的另一个顶点上。垂直于基面的轴叫
Z 轴。石英晶体结构是六个硅原子组成的圆环。
 石英几乎是用作传感器的理想材料，因为它几乎绝对的
尺寸热稳定性。它用于市场中的许多压电器件中，石英
晶体的商业应用包括手表、电子滤波器和谐振器。石英
是应用于微流体生物医学分析的理想材料
 5 、陶瓷

 在微机电系统所用的陶瓷材料与一般陶瓷
不同，它是以化学合成的物质为原料，控
制其中的组分比，经过精密的成型烧结，
制成适合微系统需要的多种精密陶瓷材料
，通常称为功能陶瓷材料。
 功能陶瓷具有耐热性、耐腐蚀性、多孔性
、光电性、介电性和压电性等许多独特的
性能。
陶瓷材料在微机电系统技术中的
应用

(1) 作为基板材料；
(2) 作为微致动器的材料；
(3) 作为微传感器的材料。
作为基板材料的陶瓷材料

 作为基扳材料，陶瓷材料在微电子技术中
已得到广泛的应用。
 用作基板材料的陶瓷是氧化铝陶瓷，它是
混合电路的基础，在基板上采用厚膜技术
、薄膜技术、键合技术和粘连技术来制造
微电子电路和微机械系统。除去化学惰性
、机械稳定性、表面质量外，它的热传导
性和热膨胀系数也起着决定的作用 。
 用于致动器和传感器的陶瓷材料
 微致动器和微传感器所用的陶瓷材料是压电
陶瓷材料。压电陶瓷材料是一种电致伸缩材
料，同时兼有正压电效应和逆压电效应。若
对其施加作用力，则在它确定的两个表面上
产生等量异号电荷。反之，当对它施加外电
压时，便会产生机械变形。
 常用压电陶瓷有钛酸钡 (DT) 、锆钛酸铅
(BZT) 、改性锆钛酸偏铌酸铅 (PN) 、铌酸铅
钡锂 (PBLN) 、改性钛酸铅 (PT) 等
 6 、金属

金属由于其具有良好的机械强度、延
展性及导电性，在微机电技术中是一
类极其重要的材料。除去镍、铜、金
等金属材料外，一些特殊的金属材料
在微机电系统中也有着广泛的应用。
 6.1 磁致伸缩金属

 磁致伸缩金属是一种同时兼有正逆磁机械耦
合特性的功能材料。当受到外加磁场作用时
，便会产生弹性变形；若对其施加作用力，
则其形成的磁场将会发生相应的变化。
 磁致伸缩材料在微机电系统中常被用作微传
感器和微致动器材料。
 6.2 形状记忆合金

 形状记忆合金是利用应力和温度诱发相变
的机理来实现形状记忆功能，即将已在高
温下定型的形状记忆合金，放置在低温或
常温下使其产生塑性变形，当环境温度升
高到临界温度 ( 相变温度 ) 时，合金变形
消失并可恢复到定型时的原始状态。在此
恢复过程中，合金能产生与温度呈函数关
系的位移或力，或者二者兼备。
 形状记忆合金是集“感知”与“驱动”于一
体的功能材料 。形状记忆合金的应用主
要有以下几个方面：
 (1) 形状恢复的应用；
 (2) 伴随形状恢复时应力的应用
 (3) 热敏感性的应用；
 (4) 作为能量贮存体的应用。
 通过形状记忆
合金模仿肌肉
的收缩来实现
人工肌肉的功
能。用背部的
金属 振动
翅膀（ TOKI 公
司）
6.3 电流变液和磁流变液材料

电或磁的流变体是 2 种神奇的液体。
它们经受电场或磁场作用时，其粘性
系数会发生巨变。当其处于常态下，
可以很容易搅动；但是当其中有电流
或磁流穿过时，它会突然间（ ms 级
）变得很粘稠。
 电 / 磁流变体的应用

 用于制造各种力学元器件，如：
 离合器（具有无级可调、容易控制、响
应速度高的特点）；
 减震器（可在约 1ms 内实现由低粘度到
高粘度的变化，从而可独立而迅速的实
现减震）；
 液压阀等。
 讨 论
1 、 MEMS 装置为何大多选用
硅材料制造？
2 、 MEMS 材料主要分为几类
？
3 、晶面与晶向？
 主要内容
 材料
 硅材料
 其他材料
 半导体加工工艺
 薄膜制造及外延生长
 氧化技术
 掺杂技术
 化学气相淀积
 接触与互连
集成电路制造过程
 一、基本半导体工艺

 掺杂与退火
 氧化、 CVD 、外延
 光刻
 金属化：溅射与蒸发
 腐蚀
 净化与清洗
 1. 掺杂与退火
掺杂
 定义：掺杂就是用人为的方法，将所需的杂质
（如磷、硼等），以一定的方式掺入到半导体基
片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求
的分布，以达到改变材料电学性质、制作 PN 结、
集成电路的电阻器、互联线的目的。
 在微机械加工中，通过掺杂技术来实现自停止腐
蚀以及构造薄膜层。
掺杂
掺杂的主要形式：注入和扩散
退火
将掺杂层纵向推进
结构释放后消除残余应力
 3. 扩散

定义：在一定温度下杂质原子具有一
定能量，能够克服阻力进入半导体并
在其中做缓慢的迁移运动。
形式：替代式扩散和间隙式扩散
恒定表面浓度扩散和再分布扩散
 替位式扩散：杂质离子占据硅
原子的位：
Ⅲ 、Ⅴ族元素
一般要在很高的温度 (950 ～
1280℃) 下进行
磷、硼、砷等在二氧化硅层中的
扩散系数均远小于在硅中的扩散
系数，可以利用氧化层作为杂质
扩散的掩蔽层
 间隙式扩散：杂质离子位于晶
格间隙：
Na 、 K 、 Fe 、 Cu 、 Au 等元
素
扩散系数要比替位式扩散大 6 ～
 扩散工艺主要参数

 结深：当用与衬底导电类型相反的杂质
进行扩散时，在硅片内扩散杂质浓度与
衬底原有杂质浓度相等的地方就形成了
pn 结，结距扩散表面的距离叫结深。
 薄层电阻 Rs （方块电阻）
 表面浓度：扩散层表面的杂质浓度。
扩散的适用数学模型是 Fick 定律
∂N ( x)
F = −D
∂x
式中：
F 为掺入量
D 为扩散率
N 每单位基底体积中掺入浓度
扩散方式
 液态源扩散：利用保护气体携带杂质蒸汽进
入反应室，在高温下分解并与硅表面发生反
应，产生杂质原子，杂质原子向硅内部扩散
。
 固态源扩散：固态源在高温下汽化、活化后
与硅表面反应，杂质分子进入硅表面并向内
部扩散。
利用液态源进行扩散的装置示意图
 液态源扩散

硼B
 扩散源：硼酸三甲酯，硼酸三丙酯等
 扩散原理：硼酸三甲酯 500°C 分解后与硅
反应，在硅片表面形成硼硅玻璃，硼原子
继续向内部扩散，形成扩散层。
扩散系统： N2 气源、纯化、扩散源、
扩散炉
扩散工艺：预沉积，去 BSG ，再分布
工艺条件对扩散结果的影响
气体流量、杂质源、温度
 液态源扩散
磷P
 扩散源： POCl3 ， PCl3 ， PBr3 等
 扩散原理：三氯氧磷 600°C 分解后与硅反应
，在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原子继续向
内部扩散，形成扩散层。
 扩散系统： O2 和 N2 气源、纯化、扩散源、
源冷却系统、扩散炉
 扩散工艺：预沉积，去 PSG ，再分布
 固态源扩散
箱法 B 扩散
B2O3 或 BN 源，石英密封箱
片状 BN 扩散
氧气活化，氮气保护，石英管和石英
舟，预沉积和再分布
片状 P 扩散
扩散源为偏磷酸铝和焦磷酸硅
固 - 固扩散（乳胶源扩散）
固态源扩散：如 B2O3 、 P2O5 、 BN 等
扩散炉
 2. 离子注入
• 定义：将掺杂剂通过离子注入机的离化、加
速和质量分析，成为一束由所需杂质离子组
成的高能离子流而投射入晶片（俗称靶）内
部，并通过逐点扫描完成整块晶片的注入
• 掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定
• 掺杂浓度由注入杂质离子的数目 ( 量 ) 决
定
 掺杂的均匀性好
温度低：小于 600℃
可以精确控制杂质分布
可以注入各种各样的元素
横向扩展比扩散要小得多。
可以对化合物半导体进行掺杂
 离子注入
 特点：横向效应小，但结深浅；杂质量可控
；晶格缺陷多
 基本原理：杂质原子经高能粒子轰击离子化
后经电场加速轰击硅片表面，形成注入层
 装置：离子源、聚焦、分析器、加速管、扫
描、偏转、靶室、真空系统
离子注入系统的原理示意图
离子注入的步骤
注入的离子在基底中的分布
根据 Ruska(1987) ，注入离子的浓度
N （ X ）可遵循下面方程式
 2 

N(X ) =
Q
exp 
− ( x − R P
)

2
2π ∆ R P  2∆ R P 

RP 为注入的范围， um
ΔRP 为分散度或者“离散度”
Q 是离子束的剂量（原子数 /cm2 ）
 硅中常用掺杂剂的离子注入
离子 范围 Rp ， nm 分散 Rp ， nm
在 30keV 能级
硼（ B ） 106.5 39.0
磷 (P) 42.0 19.5
砷 (As) 23.3 9.0
在 100 keV 能级
硼（ B ） 307 ． 0 69 ． 0
磷 (P) 135 ． 0 53 ． 5
砷 (As) 67 ． 8 26 ． 1
 退火
 定义：一般是利用各种能量形式所产生
的热效应，来消除半导体片在其加工过
程中所引起的各种晶格缺陷和内应力，
或根据需要使表面材料产生相变和改变
表面形态。
方式：
热退火：管式炉，保护气氛， 900°C ，
20~30min ，用于再扩散
激光退火：自淬火，局部加热，制备欧
姆接触
电子退火
 2. 表面薄膜技术
在微电子技术以及在微结构、微光学和
微化学传感器中，需要在由不同材料构成的大面
积的薄膜层中构造功能完善的结构。
功能： 1 完成所确定的功能；
2 作为辅助层。
方式：氧化 (Oxidation)
化学气相淀积 (Chemical Vapor
Deposition)
 氧化
 定义：硅与氧化剂反应生成二氧化硅。
 原理：氧化剂被表面吸附，向膜中扩散，在
二氧化硅和硅的接触界面反应生成新的二氧
化硅，接触界面向深层逐步推进。
 种类：热氧化、热分解淀积、外延淀积。
 常压氧化技术
 种类：水汽氧化、干氧氧化、湿氧氧化
 干氧：二氧化硅膜干燥致密，掩蔽能力强，与光刻
胶粘附性好，但氧化速度慢。
 湿氧：速度快，但二氧化硅疏松，与光刻胶粘附性
不好，易脱落。
 实际工作中，往往用干氧、湿氧、干氧的方法，速
度快粘附性好。
 水汽氧化速度更快，但是质量差，一般不用。
 常压氧化技术

设备：氧化源，加热器，氧化炉
，热电偶
氧化效果分析
厚度检测：比色法、干涉法
针孔检测：腐蚀法、电化学法
C-V 性能检测
 其他氧化技术

高压水汽氧化： VLSI 应用
等离子体氧化
热分解淀积二氧化硅
烷氧基硅烷分解淀积
硅烷在氧气中分解
在硅基上产生二氧化硅最经济的方法就
是热氧化。此工艺中的化学反应如下：
二氧化硅的热氧化设备
 热氧化率

热氧化原理已被用于估计基底中二
氧化硅的增长
a) 氧化初始阶段 b) 氧化层的形成 c ）氧化层的生长
由颜色来确定氧化层厚度
 化学气相淀 技
 CVD ： Chemical Vapor Deposition
 定义：使用加热、等离子体和紫外线等各
种能源，使气态物质经化学反应（热解或
化学合成），形成固态物质淀积在衬底上。
相对的蒸发和溅射为物理气相淀积。
特 点 ： 温 度 低 、 均 匀 性 好 、 通 用 性 好 、 台
阶覆盖性能好，适合大批量生产。
 化学气相淀 技
 分类：
 按照淀积温度：
 低温（ 200 － 500 ）、中温（ 500 － 1000 ）、高
温（ 1000 － 1200 ）
 按照反应压力：
 常压、低压
 按反应壁温度：
 热壁、冷壁
 按反应激化方式：
 热激活、等离子体激活、光激活
 常用 CVD

 常压冷壁
用于生长掺杂与不掺杂的二氧化硅
 低压热壁
用于生长多晶硅与氮化硅
 等离子体激活
可以降低反应所需温度，常用于生长氮化硅，
作最后钝化层使用
 化学气相淀积
 LPCVD ：成本低，均匀性好，台阶覆盖好
，片子干净
 PECVD ：温度低，易于腐蚀，针孔密度小
 系统：
气体输入：正硅酸乙酯，硅烷和氨气，硅烷
激活能源：电阻加热（热壁），射频或紫外光
（冷壁）
气体排出：氮气或氩气保护
旋转装置：保证均匀性
化学气相沉积工作原理
携带扩散反应物的气体流过热表面
，携带反应物的气体称为载体气。
 CVD 中的化学反应
 常用三种薄膜的化学反应：
二氧化硅 SiH 4 + O2 → SiO2 + 2H 2
氮化硅 3SiH 4 + 4 NH 3 → Si3 N 4 + 12 H 2
3SiCl 4 + 4 NH 3 → Si3 N 4 + 12 HCl
3SiH 2 Cl 2 + 4 NH 3 → Si3 N 4 + 6 HCl + 6 H 2

多晶硅 SiH 4 → Si + 2H 2
 增强 CVD
低压强 CVD （ LPCVD ）
等离子加强 CVD （ PECVD ）
 表 8.8 三种主要 CVD 工序的总结和比
较.
CVD 压强 / 通常的淀积速 优点 缺点 应用
工艺 温度 率
SiO ： 米
10 700/ 分
-10
APCVD 100—10 2
简单、高 较差的覆 掺杂或非
千帕 速、低温 盖度 掺杂氧化物
350~400 微粒污染
℃
LPCVD 1—8 汞 SiO2 ： 50—180 纯度高和 温度高 掺杂或非
柱℃ Si3N4 ： 30—80 均匀 高淀积速 掺杂氧化物、氮
550~900 性高，晶 率 化物、晶体硅、
多晶硅： 30—80
℃ 片容量大 钨
PECVD 0.2—5 Si3N4 ： 300— 较低的衬 易受化学 在金属上和钝化
汞柱 350 底温度； 污染 物的低温绝缘体
300~400 快；好的
℃ 附着性
 8. 外延沉积

概念：在单晶体基底生长同样单晶体材料
的薄膜
特点：
生长的外延层能与衬底保持相同的晶向
外延层厚度比氧化和 CVD 得到的厚度都大
利用外延层可以有效控制准三维结构深度
微电子工业中有几种技术可用于外延沉积

气相外延 (VPE)
分子束外延 (MBE)
金属有机物 CVD(MOCVD)
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 外延
 用于外延淀积的反应物气体
反应物蒸 正常工艺温 正常淀积速 需要的能量供 评论
气 度 率 给
℃ μm/min eV
SiH4 1000 0.1~0.5 1.6~1.7 没有模式转变
SiH2Cl2 1100 0.1~0.8 0.3~0.6 有些模式转变
速
SiHCl3 1175 0.2~0.8 0.8~1.0 有大的模式转
变
SiCl4 1225 0.2~1.0 1.6~1.7 有非常大的模
式转变
在上页中用 SiH4 蒸气在硅衬底上生长硅膜
是其中最简单的一种。在约 1000℃ 时，通
过简单的分解可生产硅，如下式所示：

SiH 4 → Si（固）+ 2H（气）

2
 3. 光刻 (Lithography)
 定义：用辐照方式形成图形的方法。
 种类：接触式，接近式，投影式
 重要性：是唯一不可缺少的工艺步骤
，是一个复杂的工艺流程
 工艺过程：备片 清洗 烘干 甩胶 前
烘 对准 曝光 显影 坚膜 腐蚀工艺等
去胶
 4. 金属化：溅射和蒸发
 蒸发和溅射是制备金属结构层和电极的主
要方法。是物理气相淀积的方法。
 金属材料的要求
良好的导电性
容易形成良好的欧姆接触
与硅和二氧化硅粘附性好
能用蒸发或溅射的方法形成薄膜
易于光刻， 实现图 形化
 常用金属材料： Al, Au, Ag, Pt, W, Mo, Cr,
 蒸发
 在真空室中把金属加热到相当高的温度，
形成金属蒸汽，在硅片表面淀积形成金属
薄膜。
 分类：电阻加热蒸发和电子束蒸发
 真空镀膜机：
真空镀膜室：钟罩、加热器、挡板、底盘
抽气系统： 10-5~10-2Pa, 真空泵和扩散泵
真空测量仪器：热偶、热阴极电离、高频火
 蒸发 Al 工艺
 挂置 Al 丝，清洗并放置硅片
 抽真空：机械泵、扩散泵， 7×10-3Pa
 衬底加热
 熔球，预蒸发和蒸发
 冷却、取出硅片
 合金化，形成欧姆接触。 <577°C
 质量分析
厚度控制和测量：时间控制，电阻法，天平
称量
铝膜表面氧化
 电子束蒸发
 利用经过高压加速并聚焦的电子束，在真空中直
接打到源表面，将源蒸 发 并淀 积 到 衬 底表面形成
薄膜。
 设备：偏转电子枪真空镀膜机
 优点
淀积的 Al 膜纯度高，钠离子玷污少
台阶覆盖性能好
采用红外线加热衬底，工作效率高
 溅射
 惰性气体（ Ar ）在真空室中高电场作用
下电离，产生的正离子被强电场加速形
成高能离子流轰击溅射靶，靶（源）原
子和分子离开固体表面，以高速溅射到
阳极（硅片）上淀积形成薄膜。
 分类：直流溅射、等离子体溅射、高频
溅射、磁控溅射
 直流溅射
 设备：阴极（溅射源）、阳极（硅片）
，距离 3~10cm
 氩气压强 1~10Pa
 3~5V 直流电压，辉光放电
 特 点 ： 结 构 简单 ， 可 得 到 大 面 积 均 匀 薄
膜；放电电流容易随电压和气压变化，
速率不易控制
 等离子四极 溅 射

 热阴极发射电子，在阴极和阳极间产生
等离子体。用电磁线圈产生的磁场可使
等离子体在中心轴附近聚焦成等离子柱。
靶上加负高压，等离子体中的正离子在
电场作用下轰击靶，使源原子溅射到接
地的硅片上。
特 点 ： 真 空 度 要 求 低 ， 淀 积 膜 厚 度 容 易
控制，金属膜的纯度高。
 高频溅射

 在绝缘材料的背面加上一个金属电极，
加上高频电压，使绝缘材料中产生位移
电流，实现绝缘材料的溅射淀积。
 频率： 10MHz
 特 点 ： 不 需 要 热阴 极 ， 能 在 较 低 的 气 压
和电压下进行溅射，可以溅射多种材料
的绝缘介质膜。
 磁控溅射

 可溅射各种合金和难熔金属；
 磁控溅射中衬底可不加热，从阴极表面发
射的二次电子由于受到磁场的束缚而不再
轰击硅片，避免了硅片的温升及器件特性
的退化。
 合金化

 目的：使接触孔中的铝与硅之间形成低欧
姆接触，并增加铝与二氧化硅之间的附着
力，使互连线和压焊点牢固的固定在硅片
上。
 关键：合金温度和合金时间的控制。
 5. 腐蚀
 选用适当的腐蚀剂，将掩膜层或衬底刻
穿或减薄，以获得完整、清晰、准确的
光刻图 形或结构 的技术
 腐蚀必须具有选择性，腐蚀剂应对光刻
胶或掩膜 层 不腐 蚀
 腐蚀因子：腐蚀深度与横向腐蚀量之比
 分类：干法等离子体腐蚀和湿法腐蚀
 6. 净化和清洗
 清洗：除去器件制造过程中偶然引入的 “
表面玷污 ”杂质（来自加工过程或清洗）
，如颗粒、杂质膜、物理吸附或化学吸
附等。清洗是一个必需的复杂的工艺过
程。
 清洗过程必须遵循固定的程序和顺序。
 硅片的清洗：原始硅片、工艺环节前、
 清洗液
 有机溶剂：去除有机杂质（油脂、蜡等），常
用甲苯、丙酮、乙醇等；
 无机酸：去除金属、金属离子和氧化物等，
常用盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸和王水等；
 洗液：重铬酸钾与过量的浓硫酸混合液，是
强氧化剂，去除金属及氧化物、油膜等；
 I 、 II 号液：以双氧水为基础。 I 号为碱性，
II 号为酸性。
 一般清洗技术
工艺 清洁源 容器 清洁效果
剥离光刻胶 氧等离子体 平板反应器 刻蚀胶
去聚合物 H2SO4:H2O=6:1 溶液槽 除去有机物
去自然氧化层 HF:H2O<1:50 溶液槽 产生无氧表面
旋转甩干 氮气 甩干机 无任何残留物
RCA1#( 碱性 ) NH4OH:H2O2:H2O= 溶液槽 除去表面颗粒
1:1:1.5
RCA2#( 酸性 ) HCl:H2O2:H2O 溶液槽 除去重金属粒
=1:1:5 子
DI 清洗 去离子水 溶液槽 除去清洗溶剂
 净化
 保证半导体工艺环境保持洁净
 污染来源：
环境中的尘埃、杂质、有害气体；
工作人员、设备、工具、药品等带入的杂质
。
 净化标准：以直径大于 0.5µm 的尘埃数衡量，
分五级。相对湿度要求 40~45% 。
 净化方式：空气过滤、洁净室、超净工作台。
 风淋、工作服、鞋、物品传递箱等
 安全知识

 气体安全：氢气、硅烷、认清标志。
 有机溶剂：防止燃烧、挥发，保持通风
。
 酸碱溶液：身体防护，保存和容器清洗
。
 酸烧伤救治：水、 NaHCO3 清洗，注射
葡萄糖酸钙。
 键合、装配和封装
 当单独硅片上的工艺完成后，为最终实现
具备设计功能的器件所做的后续工艺。
 步骤：释放 划片 分离 分选 粘片 检验 键
合引线 检验 多芯片装配 检验 封装 终测
 商业化器件封装成本占 80% 以上。
 目的：
形成最终结构，实现最终功能；
对器件进行保护，防止冲击和腐蚀；
便于安装和器件散热等。