Memorias: Definiciones y

caractersticas (1)
Un memoria es un dispositivo fsico capaz de
almacenar informacin.
Existen una gran variedad de parmetros que
permiten caracterizar o clasificar una memoria:
-Naturaleza fsica del almacenamiento:
* Semiconductor (Ej. RAM, ROM, FlashROM,
StickMemory, ...)
* Magntico (Ej. Unidades de cinta o disco)
* ptico (Ej. Unidades DVD, CDROM)

Memorias: Definiciones y
caractersticas (1)
-Modo de Acceso a la Informacin:

* Secuencial: Para acceder a un byte se

requieren leer o escribir en las posiciones
previas. (Ej. Unidad de cinta, FIFO)
* Aleatorio: Se puede acceder a cualquier
byte sin condicin de acceder a bytes
previos (Ej. RAM, ROM, DVD, Discos
magnticos).

Memorias: Definiciones y
caractersticas (2)

-Mantenimiento de la informacin:
* Voltiles: pierden la informacin almacenada
transcurrido cierto tiempo o si se desconecta la
alimentacin de la memoria. (Ej. DRAM, RAM)
* No voltiles: la informacin almacenada
perdura en el tiempo independientemente de la
alimentacin del dispositivo y hasta que sta
sea sustituida por una nueva. (Ej. NVRAM,
FLASH, Magnticas, pticas.

Memorias: Definiciones y
caractersticas (2)
-Tiempo

de acceso:
Mide el intervalo de tiempo que transcurre
desde que se solicita un dato a la memoria y
sta lo devuelve.
* Bajo. Ej. SRAM (cach), DRAM, ROM (en
general las de tipo semiconductor)
* Alto. Ej. Unidades magnticas y pticas.

Memorias: Jerarquas

Memorias semiconductoras:
Organizacin(1)
La unidad mnima de almacenamiento es el
bit y la estructura fsica que lo soporta se
denomina celda bsica.
La memoria organiza las celdas por filas y
columnas (estructura matricial).
Existen varias formas de acceder la celdas
(o grupos de ellas):decodificacin por filas y
decodificacin por filas y columnas.

Memorias semiconductoras:
Organizacin(1)

Memorias semiconductoras:
Organizacin(2)

Memorias semiconductoras: ROM (1)

Son memorias de slo lectura.
No
pierden
la
informacin
aunque
se
interrumpa la alimentacin.
Tipos: ROM, PROM (OTP ROM), EPROM,
EEPROM (FLASH)
Las memorias ROM se programan en fbrica y
no es posible modificar su contenido
Las memorias PROM contienen una matriz de
fusibles que es programable por el usuario una
sola vez.

Memorias semiconductoras: ROM (1)

Las EPROM permiten su reprogramacin
despus de someter al chip a un proceso de
borrado por radiacin ultravioleta.
Las EEPROM permiten su reprogramacin
elctrica. Las FLASH EEPROM son ms rpidas
por permitir borrado y escritura por bloques
aunque tienen el inconveniente del desgaste
(10.000-90.000 borrados).

Memorias Semiconductoras: ROM 2

Ejemplo: Memoria Eprom

Memorias semiconductoras: ROM (3)

Proceso de lectura:
-Establecer direccin
-Habilitar chip y salidas

Memorias semiconductoras:
RAM (1)
Son memorias de lectura y escritura.
Tipos: SRAM y DRAM.
Caractersticas de la SRAM:
-Celda bsica basada en un biestable(6
transistores)
-Rpidas (-> Cach)
-La informacin no se pierde mientras exista
alimentacin

Memorias semiconductoras:
RAM (1)

Memorias semiconductoras: RAM (2)

Ejemplo de SRAM
Seales de control (#CS, Habilitador de chip;
#WE, Lectura/Escritura; #OE, Habilitador de
salida)

Memorias semiconductoras: RAM (2)

Memorias semiconductoras: RAM (3)

RAM DINMICA (DRAM)
-celda bsica: 1 transistor + condensador
-Necesita refresco.
-Requiere lgica externa compleja.
-Mayor densidad que SRAM -> mayor capacidad
-Menor velocidad de acceso

Memorias semiconductoras: RAM (4)

Ejemplo de DRAM:
Seales de control: #RAS, (Habilitador de
fila), #CAS, (Habilitador de columna), #CS,
#WE y #OE.

Memorias semiconductoras: RAM (4)

Memorias semiconductoras: RAM (4)

Memorias semiconductoras: RAM (5)

La reduccin del tiempo de latencia es
imprescindible para mejorar la velocidad de las
DRAM.-FPM (Fast Page Mode)/EDO (Extended
Data Output) DRAM. Agiliza los accesos a los
bits de una misma fila (pgina). Dentro de una
pgina slo es necesario identificar la columna.
-El tiempo de acceso a n datos de una pgina
es Trac*n en DRAM y Trac+(n-1)*Tpcen
FPM/EDO RAM (Tpc= tiempo de ciclo en modo
pagina). Tpces menor en EDO DRAM que en
FPM DRAM.

Memorias semiconductoras: RAM (5)

Memorias semiconductoras: RAM (6)

Los microprocesadores tienden a buscar bytes en
posiciones consecutivas de la memoria y, si disponen de
cach, adems, en rfagas. (Ej. Cach L2 de un
Pentium busca bloques de 32 bytes).Las SDRAM
(DRAM sncronas) incorporan una seal de reloj que
establece la base de tiempos para el modo paginado y
un contador interno que genera las direcciones de
columna para cada ciclo de reloj. El tiempo de acceso
para
n
palabras
(de
m
bits)
es
Trac+(n1)Tclk.Ejemplo: Una SDRAM PC-100Mhz, tiene Tclk=
10ns, si Trac=60ns y n=8, entonces TaccesoSDRAM =
130ns.

Memorias semiconductoras: RAM (6)

Memorias semiconductoras: RAM (7)

Las DDR (Double Data Rate) RAM permiten
duplicar la velocidad al utilizar, tanto los
flancos de subida como los de bajada del reloj
para transferir un bit. Taccesode n palabras
(de m bits) en DDR RAM = Trac+ (n1)*Tclk/2. (95ns si se usan los mismos datos
de la SDRAM anterior)
Futuro: QDR (QuadData Rate) RAM (cuatro
transferencias por ciclo de reloj)
Las memorias para un ordenador personal
vienen en mdulos: SIMM, DIMM

Memorias semiconductoras: RAM (7)

Memorias: Mapas de Memorias:

Generalidades
Todo microprocesador dispone de un bus de
direcciones (AB), bus de datos (DB) y bus de
control (CB) para gestionar el flujo de
informacin entre la memoria y el propio
procesador Desde el punto de vista del
microprocesador, la memoria est organizada
en una ristra de bytes en la que cada uno
ocupa una direccin concreta dentro de la
ristra.

Memorias: Mapas de
Memorias: Generalidades

Memorias: Mapas de
Memorias: Organizacin
El valor que el microprocesador sita en el AB
en un momento determinado se denomina
direccin fsica (DF).
Cada byte almacenado en la memoria se
distingue de cualquier otro porque ocupa o tiene
asignado
una direccin lgica (DL).
El
microprocesador
trabaja
con
direcciones
lgicas.
El conjunto de todas las posibles direcciones
lgicas
determina
el
espacio
de
direccionamiento.

Memorias: Mapas de
Memorias: Organizacin
El tamao del espacio de direccionamiento y
su organizacin dependen del nmero de lneas
de los buses AB y DB:
-Un bus AB con n lneas identifica 2n
direcciones fsicas diferentes.
-Un DB con mx8lneas (m=1, 2, 4, 8...)
asigna m direcciones lgicas a una direccin
fsica.
-Espacio de direccionamiento = 2n x m

Memorias: Mapas de
Memorias: Organizacin: Ejs(1)
Ejemplo 1: Microprocesador con 16 lneas en
bus de direcciones y 8 lneas en el bus de
datos (n=16 y m=1).
-Existen 216 = 65536 direcciones fsicas.
-Cada direccin fsica tiene asignada una
lgica (m=1) y por cada direccin lgica
existe un byte.
-Espacio de direccionamiento es de 64Kbytes

Memorias: Mapas de
Memorias: Organizacin: Ejs(1)

Memorias: Mapas de
Memorias: Organizacin: Ejs(2)
Ejemplo 2: Microprocesador con 15 lneas en
bus de direcciones y 16 lneas en el bus de
datos (n=15 y m=2).
-Existen 215 =32768 direcciones fsicas.
-Cada direccin fsica tiene asignada dos
lgicas (m=2) y por cada direccin lgica
existe un byte.
-Espacio de direccionamiento es de 64Kbytes
(fsicamente org. 32Kwords)

Memorias: Mapas de
Memorias: Organizacin: Ejs(2)

Memorias: Mapas de
Memorias: Organizacin: Ejs(3)
Ejemplo 1: Microprocesador con 14 lneas en
bus de direcciones y 32 lneas en el bus de
datos (n=14 y m=4).
-Existen 214 =16384 direcciones fsicas.
-Cada direccin fsica tiene asignada cuatro
lgicas (m=4) y por cada direccin lgica
existe un byte.
-Espacio de direccionamiento es de 64Kbytes
(fsicamente 16Klong words)

Memorias: Mapas de
Memorias: Organizacin: Ejs(3)

Memorias

Memorias

Memorias

Memorias