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Figure 4.23 (a) Circuito conceitual para ilustrar a operao do transistor como um
amplificador. (b) O circuito em (a), eliminando-se a fonte de sinais vbe para a anlise
cc (polarizao).
I C I S eVBE / VT
I E IC
I B IC
VC VCE VCC I C RC
A corrente de coletor e a
transcondutncia
vbe 0:
IC
iC I C
vbe
VT
vbe / VT
vbe
Aproximao para
1
VT pequenos sinais!!!
Componente de sinal ic
Corrente de polarizao
ic g m vbe
gm
IC
transcondutncia
VT
A corrente de coletor e a
transcondutncia (2)
gm
IC
VT
iC
gm
vBE
iC I C
A corrente de coletor e a
transcondutncia (3)
Figura 4.24 Operao linear do
transistor na condio de pequenos
sinais: um sinal pequeno vbe com
uma forma de onda triangular
sobreposto tenso cc VBE . Ela d
origem ao sinal de corrente de
coletor ic, com forma de onda
tambm triangular, sobreposta
corrente cc IC. Neste caso, ic =
gmvbe, em que gm a inclinao da
curva iCvBE no ponto de
polarizao Q.
Para pequenos sinais (vbe <<
VT), o transistor se comporta como
uma fonte de corrente controlada
por tenso (entrada: BE; sada:
ic C
B
ic = gm vbe
E
gm (transcondutncia
da fonte)
E
ro
(supondo que vce no
influencia
ic no modo ativo)
vbe
VT
ib
gm
1 IC
ib
vbe
vbe
VT
IB
v
r be r
ib
gm
r
VT
IB
A corrente de emissor iE e a
resistncia de entrada do emissor re
iC I C ic
iE
iE I E ie
vbe
VT
re
re
ie
IE
IC
gm
VT
re
ie
ic
I
I
C vbe E vbe
VT
VT
VT
1
VT
IE
IC gm gm
vbe
r
ib
vbe
re
ie
ie
ie
r re
re
ib
ie /( 1)
( 1)re
O ganho de tenso
Transistor excitado pelo sinal vbe faz com que uma
corrente proporcional a gmvbe circule pelo terminal de coletor em
uma alta impedncia (idealmente infinita) transistor fonte
de corrente controlada por tenso.
Para obter um sinal de tenso na sada forar a corrente por
um resistor.
v i R g v R
c
vC VCC iC RC
VCC I C ic RC
VCC I C RC ic RC
VC ic RC
VC : tenso de polarizao
do coletor
c C
m be C
( g m RC ) vbe
vc
Ganho de tenso
vbe
g m RC
gm : IC: o ganho ser
to estvel quanto a
corrente de polarizao
do coletor.
O modelo -Hbrido
ic g m vbe
ib vbe / r
vbe
ie
g m vbe
r
vbe
(1 g m r )
r
vbe
vbe
(1 )
vbe / re
r
r /(1 )
g m vbe g m (ib r )
( g m r )ib ib
O modelo T
vbe
ib
g m vbe
re
vbe
(1 g m re )
re
vbe
(1 )
re
vbe
vbe
vbe
1
re
1 ( 1) re r
g m vbe g m (ie re )
( g m re )ie ie
Figura 4.27 Duas verses ligeiramente diferentes do que conhecido como modelo T
do TJB. O circuito em (a) a representao com fonte de corrente controlada por tenso
e em (b) a representao eom fonte de corrente controlada por corrente. Esses
modelos mostram explicitamente a resistncia do emissor re , diferente do modelo hibrido, o qual mostra uma resistncia de base r.
2.
3.
4.
5.
Exemplo 4.9
Analise o amplificador com transistor para determinar
seu ganho de tenso. Suponha = 100.
Figura 4.28 Examplo 4.9: (a) circuito; (b) anlise cc; (c) modelo para pequenos sinais.
0,023 mA
RBB
100
10,8
I E (2,3 / 0,99) mA
I C 2,3 mA
gm
92 mA/V
VT 25 mV
100
r
1,09 k
g m 92
Para realizar a anlise de pequenos sinais, que modelo -hbrido
utilizar? Ambos so igualmente convenientes para a
determinao do dado requisitado.
Vamos utilizar o modelo da figura 4.26 (a).
Anlise
do
circuito
equivalente para pequenos
sinais (fontes cc eliminadas):
vbe
r
1,09
vi
vi
0,011 vi
r RBB
101,09
vo g m vbe RC 92 0,011 vi 3
3,04 vi
vo
Ganho de tenso
vi
3,04 V/V
Inverso de fase
Exemplo 4.10
Com base no circuito do exemplo 4.9, suponha que vi
tenha uma forma de onda triangular. Determine a
amplitude mxima permitida a vi. A seguir, com a
amplitude de vi em seu valor mximo, determine as
formas de onda de iB (t), iC (t) e vC (t).
Restrio amplitude de vi: aproximao para
pequenos sinais. vbe << VT vbe 10 mV
vbe : onda triangular de 20mV pico a pico
vbe = vi r / (r + R ) = 0,011 vi
vi pico = vbe pico / 0,011 = 0,91 V
Para este valor de pico de vi , o transistor
V c V i ganho V i
0,79 V
3,04
V i
Escolhendo
pico.
Corrente de base:
i
V
0,8
I b
0,008 mA
RBB r 100 1,09