MOSFET

6.7 MO SFET TIPO

EMPO BRECIMIENTO
6. 8 MO SFET TIPO
ENRIQ UECIMIENTO

6.7 MOSFET TIPO

EMPOBRECIMIENTO
2
CONOCEREMOS SU CONSTRUCCIN BSICA Y
SUS PRINCIPALES CARACTERSTICAS
OPERACIONALES.

Construccin bsica
3
Se forma una placa de material tipo p a

partir de una base de silicio y se conoce

como sustrato.
Es la base sobre la cual se construye el
dispositivo.
La fuente y el drenaje estn conectados
mediante contactos
metlicos a regiones tipo n dopadas
vinculadas a un canal n como se
muestran en la figura. Tambin
la compuerta est conectada a una
superficie de contacto metlica aunque
permanece aislada
del canal n por una capa de bixido de
silicio (SiO2) muy delgada. El SiO2 es
un tipo de
aislante conocido como dielctrico
No hay una conexin elctrica
entre la terminal de compuerta y
el canal de un MOSFET

Operacin y caractersticas bsicas

4

El voltaje de la compuerta

a la fuente se ajusta a 0 V
por la conexin directa de
una terminal a la otra y se
aplica un voltaje VDS del
drenaje a la fuente. El
resultado es la atraccin
del potencial positivo en el
drenaje por los electrones
libres del canal n y la
corriente semejante a la
que se establece a travs
del canal del JFET

Operacin y caractersticas bsicas

6

MOSFET tipo empobrecimiento de canal p

7
La construccin de un MOSFET tipo empobrecimiento
de canal p es exactamente a la
inversa
Las terminales no cambian, pero las polaridades del voltaje y
las direcciones de corriente se invierten
Las caractersticas
de drenaje apareceran exactamente como tipo n, pero VDS con valores negativos,
e ID valores positivos como se indica (puesto que ahora la direccin definida est
invertida)

Smbolos, hojas de especificaciones y construccin de la

cpsula
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Los smbolos seleccionados

tratan de reflejar la
construccin real del
dispositivo.
La lnea vertical que representa
el canal est conectada entre el
drenaje y la fuente y esta
soportada por el sustrato. Por
cada tipo de canal se
proporcionan dos smbolos
para reflejar el hecho de que en
algunos casos el sustrato est
disponible de manera externa,
en tanto que en otros no

MOSFET Motorola 2N3797 tipo empobrecimiento de canal n.

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MOSFET Motorola 2N3797 tipo empobrecimiento de canal n.

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Ejercicios
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12

13

14

15

16

17

6.8 MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO

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CONOCEREMOS SU CONSTRUCCIN BSICA Y
SUS PRINCIPALES CARACTERSTICAS
OPERACIONALES.

Construccin bsica
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Se observa que no hay un canal entre

las dos regiones tipo n dopadas.
sta es la diferencia principal entre
la construccin de los MOSFET tipo
empobrecimiento y el tipo
enriquecimiento: la ausencia de un
canal como componente construido
del dispositivo.
La capa de SiO2 (oxido de silicio)
sigue presente para aislar la
plataforma metlica de la
compuerta de la regin entre el
drenaje y la fuente pero, ahora,
simplemente est separada de una
seccin del material tipo p.

Operacin y caractersticas bsicas

20
Si VGS se ajusta a 0 V producir una corriente
de efectivamente 0 A
No es suficiente contar con una gran
acumulacin de portadores (electrones) en el
drenaje y la fuente (debido a las regiones tipo n
dopadas)
Existen en realidad dos uniones p-n polarizadas
en inversa entre las regiones tipo n dopadas el
sustrato que se oponen a cualquier flujo
significativo entre el drenaje y la fuente.
El potencial positivo en la compuerta ejercer
presin en los huecos (puesto que las cargas
semejantes se repelen) en el sustrato p a lo
largo del borde de la capa de SiO3 para que
abandonen el rea y lleguen a regiones ms
profundas del sustrato p

Operacin y caractersticas bsicas

21
Conforme VGS se incrementa, la concentracin
de electrones cerca de la superficie de SiO3 se
incrementa y con el tiempo la regin tipo n
inducida puede soportar un flujo mensurable
entra el drenaje y la fuente.
Conforme VGS se incrementa ms all del nivel
de umbral, la densidad de los electrones libres
en el canal inducido aumentar y el resultado es
el nivel incrementado de la corriente de drenaje.
Sin embargo, si mantenemos VGS constante y
aumentamos el nivel de VDS, la corriente de
drenaje con el tiempo alcanzar un nivel de
saturacin como ocurri para el JFET y el
MOSFET tipo empobrecimiento.
Para valores de VGS menores que el nivel
de umbral, la corriente de drenaje de un
MOSFET tipo enriquecimiento es de 0
mA.

Operacin y caractersticas bsicas

22

El nivel de saturacin est relacionado con

el nivel de VGS aplicado por

Para niveles de VGS _ VT, la corriente de

drenaje est relacionada con el voltaje
de la compuerta a la fuente aplicado por
la siguiente relacin no lineal:

El valor de k se determina a partir de la

siguiente ecuacin
wwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwww
wwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwww
wwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwww

Operacin y caractersticas bsicas

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Las caractersticas de drenaje de la siguiente figura revelan que el dispositivo

trabaja con VGS= 8 V, la saturacin ocurre a un nivel de VDS=-6 V.

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