ZAENAL ABIDN

Detektor paling tua dan tipe yang paling

banyak digunakan adalah dengan
memanfaatkan efek yang dihasilkan ketika
partikel radioaktif melewati gas.
Bentuk utama interaksi : ionisasi dan eksitasi
molekul gas sepanjang jejak partikel
Ion-ion terbentuk karena interaksi langsung
partikel radioaktif dengan gas atau karena
efek sekunder
Parameter penting: jumlah ion yang
terbentuk sepanjang jejak partikel

GAS

1st ionization
potential (ev)

W untuk elektron
cepat (ev/ion pair)

W untuk alfa
(ev/ion pair)

Ar

15,7

26,4

26,3

He

24,5

41,3

42,7

H2

15,6

36,5

36,4

N2

15,5

34,8

36,4

33,8

35,1

Udara
O2

12,5

30,8

32,2

CH4

14,5

27,3

29,1

Energi rata-rata yang diperlukan untuk

pembentukan pasangan ion lebih tinggi dari energi
ionisasi karena ada mekanisme yang memungkinkan
partikel radioaktif kehilangan energi tanpa
menimbulkan ionisasi misalnya eksitasi ke bound
state yang energinya lebih tinggi.
Untuk 1 Mev partikel kira-kira ia akan berhenti
setelah mengionisasi ~ 30000 pasangan ion.
Muatan yang terkumpul Q=4.8x10-15Coulomb.
Faktor Fano: Faktor pengali yang harus dilakukan
pada varian yang diprediksi agar sesuai dengan
harga eksperimen.

Atom dan molekul netral berada dalam gerak

termal yang tetap, ditandai dengan jarak
bebas rata-rata yang spesifik untuk jenis gas
tertentu.
Ion + dan elektron juga mengalami gerak
termal dengan elektron lebih besar geraknya.
Sebuah kumpulan titik elektron akan
menyebar disekitar titik itu dengan distribusi
gaussian dengan standar deviasi:
= (2Dt)
D =tetapan difusi, t = elasped time

Bila ion + bertumbukan dengan elektron

akan terjadi rekombinasi
Laju rekombinasi:

dn dn

n n
dt
dt
koefisien rekombinasi

n+=kerapatan ion +
n- =kerapatan ion -

Untuk ion di gas kecepatan drift dapat

diprediksi dengan
E
v
P
mobilitas

P=tekanan gas, v=laju drift,

E = kuat medan listrik
Untuk P=1atm, E=104 V/m,
mobility=1~1.5x10-4
then the drift velocity is about 1 m/s

Untuk elektron mobilitasnya jauh lebih

tinggi, mobilitasnya sekitar 1000 kali ion.
Collection time untuk ion dalam orde
~10ms, sedang untuk elektron dalam
orde miko sekon.

Dalam pengaruh medan listrik ion+ dan

elektron akan bergerak dan menimbulkan
arus listrik.
Bila fluks partikel radioaktif cukup konstan
dengan ukuran tabung cukup kecil, maka laju
pembentukan ion akan setimbang dengan
laju hilangnya ion (rekombinasi, keluar, dll.)
Bila rekombinasi relatif kecil, maka arus
tunak yang mengalir menggambarkan laju
pembentukan pasangan ion, yang berarti
fluks partikel radioaktif.
Ini merupakan prinsip kerja detektor ini.

Didaerah datar Ion

Chamber, medan
listrik telah cukup
besar untuk
menekan
rekombinasi ke
level yang dapat
diabaikan.

Dikembangkan pertama kali akhir tahun 40an.

Bekerja dalam modus pulsa
Menggunakan ionisasi sekunder untuk
memperbesar muatan yang terbentuk akibat
masuknya partikel radioaktif.
Tinggi pulsa sebanding dengan energi partikel
radioaktif yang masuk
Aplikasi penting adalah pada radiasi sinar X
energi rendah

Medan listrik yang lebih tinggi dari pada Ion

chamber menyebabkan terjadinya ionisasi sekunder

Kuat medan listrik : E = V / (r lnb/a) ; di sini a

adalah radius kawat dan b adalah radius silinder. Jika
a=0.01 cm dan b=1.0 cm dan V=1000 volt maka
kuat medan listriknya 104 Volt/cm.
Ambang medan listrik untuk gas yang biasa pada
tekanan 1 atm adalah 106 V/m
n(x)=n(0)ex
Di sini alfa adalah konstanta Townsend pertama dari
gas.

Untuk daerah mendekati darah geiger

counter maka proporsionalitas detektor
menjadi berkurang (ada deviasi)
disebut daerah proporsional terbatas

Bila tegangan elektroda terus dinaikkan dari daerah

proporsional (1000volt atau lebih) maka akan terjadi kondisi
ionisasi sekunder yang sangat tinggi sehingga terjadi keadaan
dadal (avalanche). Di sini pulsa yang terjadi akibat masuknya
partikel radioaktif ke bejana gas akan menghasilkan pulsa
tegangan yang cukup tinggi dibandingkan dengan pulsa pada
proportional counter.
Sebaliknya, tinggi pulsa di sini tak lagi menyimpan informasi
energi partikel datang karena tegangan pulsa akan sama untuk
berbagai jenis energi pratikel radioaktif yang masuk.
Jadi pencacah ini fungsinya untuk mencacah jumlah partikel
yang masuk saja, bukan melihat spektrum energinya
Pencacah geiger counter memiliki daerah operasi tegangan
yang lebar(plateau) sehingga tak memerlukan sistem regulasi
tegangan yang sangat ketat. Ini merupakan keuntungan
pencacah Geiger Counter.

Bentuk Pencacah geiger counter seperti pada

pencacah proporsional, diisi dengan gas bertekanan
sekitar 10 cm Hg yang terdiri atas campuran 90%
argon, dan 10% nya adalah uap organik (seperti etil
alkohol) atau dari gas halogen seperti Cl2 atau Br2.
Tekanan rendah menyebabkan discharge terjadi
pada tegangan yang relatif lebih rendah dari pada di
pencacah proporsional.
Elektron hasil ionisasi partikel datang akan ditarik
dengan kuat ke kawat dan menghasilkan ionisasi
sekunder yang lebih besar dari pada pada pencacah
proporsional, menghasilkan pulsa listrik yang tak
sensitif terhadap harga energi atau inisialisasi awal.

Masalah pada geiger counter adalah terjadinya

breakdown baru mengikuti terjadinya pulsa
akibat adanya radiasi masuk. Avelanche terjadi
tak merata/uniform di seluruh panjang kawat.
Ada elektron yang diserap dan menghasilkan
foton yang dapat memicu avelanche
berikutnya.
Ini dapat diatasi dengan menaruh gas diatomik
yang akan menyerap foton ini. Jadi di sini gas
poliatomik bertindak untuk "quenching"

Mampu mencacah jumlah partikel radioaktif

dan energinya.Prinsip kerjanya dapat dilihat
pada gambar di samping.
Partikel radioaktif yang menembus detektor
menimbulkan cahaya tampak. Cahaya
tampak ini kemudian menimbulkan efek foto
listrik yang menghasilkan elektron.
Elektron ini akan muncul dalam bentuk pulsa
dan untuk memudahkan proses deteksinya
terlebih dahulu diperkuat dengan tabung
photo multiplier.

PRINSIP KERJA DETEKTOR

SINTILASI

1.
2.
3.
4.
5.
6.

Mengubah energi kinetik partikel bermuatan ke cahaya

yang dapat dideteksi dengan efisiensi yang tinggi
Konversi ini bersifat linier terhadap energi partikel
datang
Medium bersifat transparan terhadap panjang
gelombang yang dipancarkannya
Waktu tunda ke terbentuknya pulsa sesingkat mungkin
Material bersifat baik secara optik dan memungkinkan
fabrikasi dengan ukuran ideal
Indeks refraksi mendekati gelas (~1,5) untuk
memungkinkan kopling secara efisien cahaya sintilasi
ke tabung fotomultiplier

Prinsip kerja
tabung foto
multiplier:
terjadinya ionisasi
sekunder dengan
menarik elektron
dengan beda
potensial yang
tinggi

Density Index of
Refract.
(g/cm3)

Relative Time
output const.
(ns)
(%)
0.43
30

Antrasena

Organik padat

1.25

1.62

Max
emisi
(nm)
447

Pilot B

Plastik (organik padat)

1.03

1.58

408

0.30

1.8

NE 213

Organik cair

0.87

1.508

425

0.34

3.7

NaI (Tl)

Kristal inorganik

3.67

1.85

410

1.00

230

CsF

Inorganik kristal

4.11

1.48

390

0.05

Nama

Tipe

Dibuat dari bahan semikonduktor, ada

beberapa jenis : high purity germanium, high
purity silicon, lithium drifted germanium dan
lithium drifted silicon
Ge dan Si memiliki elektron valensi 4, secara
umum semuanya terikat dalam ikatan
kovalen, sehingga seluruh pita valensi terisi
penuh sedang pita konduksi kosong.
Semikonduktor memiliki orde energi gap yang
kecil sekitar 1 ev atau kurang. Sedangkan
insulator energi gap nya dapat mencapai 5 ev.

Pada suhu ruang sejumlah kecil elektron tereksitasi ke

pita konduksi dan ada lubang di pita valensi.
Lubang ini dapat diisi elektron dari atom sebelahnya
maka seakan lubang ini dapat bergerak(tentu mmuatan
positif inti atom tak berpindah).
Untuk mengontrol konduksi di semikonduktor, sejumlah
kecil bahan dari golongan III atau V yang dikenal
sebagai doping diberikan pada bahan semikonduktor
ini.
Dengan adanya bahan doping gol. V maka ada atom
dari doping ini yang kelebihan elektron (tak
berpasangan). Elektron ini mudah terksitasi ke pita
konduksi. Bahan ini menjadi semikonduktor tipe n.
Sebaliknya kalau doping dari golongan III maka atom
doping hanya bervalensi 3 maka ada sebuah lubang
yang mudah diisi oleh elektron dari pita valensi. Bahan
ini menjadi semikonduktor tipe p)

Semikonduktor dengan
doping dari golongan V
(menjadi semikonduktor
tipe n)

Semikonduktor dengan
doping dari golongan III
(menjadi semikonduktor
tipe p)

Jika semikonduktor tipe n dan tipe p disambungkan

maka elektron dari tipe n akan menyeberang
sambungan menuju tipe p menyebabkan terjadinya
daerah deplesi. Di sekitar sambungan ini pembawa
muatan bebas ternetralisasi.
Akibatnya terjadi medan listrik di sekitar sambungan
yang mencegah penyeberangan selanjutnya.
Bila partikel radioaktif memasuki daerah deplesi dan
menimbulkan ionisasi (pasangan elektron dan hole)
maka elektron dan hole akan bergerak dalam arah
berlawanan di bawah medan listrik yang ada
sehingga tercipta pulsa elektronik yang sebanding
dengan energi partikel radioaktif tersebut.

Sambungan semikonduktor
jenis n dan p yang bertindak
sebagai detektor
semikonduktor.
Tampak bahwa di daerah
deplesi ada medan listrik
yang mencegah rekombinasi
berikutnya.

Pada gambar bawah bias

eksternal digunakan

Pada prakteknya detektor

semikonduktor dioperasikan dengan
tegangan balik sekitar 1000~3000V
Tegangan ini berfungsi untuk
meningkatkan medan listrik
menyebabkan pengumpulan muatan
menjadi lebih efisien
Fungsi lain adalah untuk memperlebar
daerah deplesi

High purity Ge atau Si : penyimpanan bisa suhu kamar

tetapi operasi pada suhu N2 cair untuk menekan noise.
Pembuatan Lithium drifted detector:
Mulai dari sampel semikonduktor tipe p
Li didifusikan ke salah satu ujungnya dengan reverse
bias dan sedikit penaikan temperatur maka Li masuk
ke bahan itu. Ini menyebabkan tipe n
Ini menyebabkan daerah deplesi yang luas
Detektor ini harus disimpan di suhu N 2 cair agar Li tak
kembali keluar. Operasi juga harus dengan suhu N 2
cair.
Tebal daerah tipe n sekitar 1 mm.

Sinar gamma 100 kev data tembusnya di Ge

sekitar 4mm dan di Si sekitar 2 cm.
Untuk 1 Mev elektron daya tembusnya ~
1mm di Si dan Ge.
Untuk 5 Mev alfa daya tembusnya ~ 0.02
mm di Si dan Ge.
Karena itu untuk partikel bermuatan dibuat
detektor khusus yaitu dengan meng-etching
lapisan p sangat tipis (~< 0.1 u m) di
semikonduktor n Si. detektor surface
barrier

Distribusinya poisson:
n n e n
P ( n)
n!
n pN

p=probabilitas decay

Energy Spectra of detector : large detector

Large detector: All secondary absorbed

SMALL DETECTOR

SMALL DETECTOR

Intermediate volume detector