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DEFECTOS O IMPERFECCIONES
CRISTALINAS
1. GENERALIDADES.
VACANTES.
INTERSTICIALES.
IMPUREZAS O INCLUSIONES.
A. VACANTES.
C. IMPUREZAS.
Constituidas por tomos extraos a la red
cristalina, los que pueden tener un dimetro mayor o
menor que los de la red. Estos estn presentes,
desde el inicio del proceso de los materiales y se
pueden ubicar en posiciones reticulares o
intersticiales.
Fig. 5.2. DEFECTOS PUNTUALES EN LA RED CRISTALINA.
D. DEFECTO SCHOTTKY.
En cristales inicos, los defectos puntuales son
ms complejos, debido a la necesidad de mantener
la neutralidad elctrica de los mismos, cuando dos
iones de cargas opuestas se pierden en un cristal
inico, se producen huecos anin - catin;
produciendo defectos Schottky.
E. DEFECTO FRENKEL.
En cristales inicos, cuando un catin se mueve a
una posicin intersticial, se produce una vacante en
la posicin del ion, a esta dualidad de vacante -
defecto intersticial, se le llama defecto Frenkel. La
presencia de estos defectos, en un material inico
incrementa su conductividad elctrica.
Fig. 5.3. DEFECTOS PUNTUALES EN LA RED CRISTALINA DE MATERIALES
IONICOS.
Las vacantes adicionales, en un material
tambin puede producirse por:
a)Por enfriamiento rpido desde altas temperaturas
a bajas temperaturas.
b)Por deformacin plstica del metal.
c) Por bombardeo con partculas energticas.
d)En los compuestos qumicos, como una respuesta
a las impurezas qumicas y a las composiciones
no estequiomtricas.
Las vacantes no equilibradas, tienen tendencia
a unirse formando clsteres, las cuales pueden
cambiar de posicin con sus vecinas; este proceso
es importante en la difusin de tomos en estado
slido, sobre todo a altas temperaturas donde la
movilidad de tomos es mayor.
2.2. DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES O DE
UNA DIMENSION
Son defectos en los slidos cristalinos que
distorsionan la red alrededor de una lnea, estos se
crean por:
Por una deformacin plstica permanente.
Por condensacin de vacantes.
Por desajustes atmicos en disoluciones
slidas.
Durante la solidificacin.
Estos pueden ser :
De borde o de Taylor.
De tornillo o alabeo.
A. DISLOCACION DE BORDE.
MONOCRISTAL
POLICRISTAL
Cristales
d d 4 3 2
G T r G V 4 r
sl
dr dr 3
12 r*2 G 8 r * 0
3 V sl
r * 2 sl Tm
H s T
De la tabla 5.1 para el Fe (BCC).
sl = 204 x 10-7
(Joule/cm2),
Tm = 1538 C Tm = 1538+273 = 1811 K
Hs = 1737 Joule/cm3
T = 420 C
Reemplazando
7 2
* 2 204 10 (J/cm ) 1811K 1,0128 107cm
r
1737(J/cm 3 ) 420C
r
* 1,0128nm
Celda(BCC) 2 atm.equiv.
r * 2 sl Tm Reemplazando valores
H s T
2 177 107 J/cm2 1358K
r* 1,0872 107cm
1628J/cm3 x 271,6K
r* 1,0872nm
b) Clculo del nmero de tomos en ncleo de tamao crtico
v 4 *3
ncleo 3 r v
nucleo 3
4
1,0872nm 3
4,554nm3
Vncleo 4,554nm3
Nceldasncleo Vcelda 96.8celdas
0,361nm 3
Ntomosncleo 96,8celdas 4atm/celda 387tomos
Ntomosncleo 387tomos
4.1 NUCLEACION HETEROGENEA
La nucleacin heterognea, tiene lugar en un
lquido sobre la superficie del recipiente que lo
contiene, o en impurezas insolubles u otros
materiales que estn en contacto con el lquido,
los que disminuyen la energa libre disponible
requerida para formar un ncleo estable y no
requiere de grandes subenfriamientos, estos
varan entre 0.1 a 10 C. Este es el tipo de
nucleacin que se da en los materiales metlicos
usados comnmente.
Solidificacin heterognea, la cual ocurre sobre
una impureza o sobre la superficie del molde
donde produce el enfriamiento
Fig. 5.17. FORMACION DE UN SOLIDO CRISTALINO POR NUCLEACION
HETEROGENEA EN UN MOLDE
Fig. 5.18. FORMACION DE UN SOLIDO CRISTALINO POR NUCLEACION
HETEROGENEA EN UNA JUNTA SOLDADA
Fig. 5.19. TIPOS DE GRANO DE UN SOLIDO CRISTALINO TERMINADO
EL PROCESODE ENFRIAMIENTO.
5. TAMAO DE GRANO.
El tamao de grano en metales policristalinos es
importante debido a que la cantidad de superficie del
lmite de grano, tiene efecto significativo en muchas
propiedades de los metales especialmente en la
resistencia mecnica, que a bajas temperaturas los lmites
de grano se refuerzan y a elevadas temperaturas pueden
convertirse en regiones dbiles.
Un mtodo para determinar el tamao de grano, es el
de ASTM, en el cual el ndice de tamao de grano se
define por:
N = 2 (n 1) (a/100)2 N = 2 (n 1)
Donde :
N = Nmero de granos por pulgada cuadrada,
con un aumento x 100.
n = ndice ASTM de tamao de grano (nmero entero).
a = aumento diferente de x 100.
PROCEDIMIENTO PARA DETERMINAR EL INDICE DE
GRANO EN UNA MICROFOTOGRAFIA
D= 80 mm
Aumento x 100
a) Se cuenta el nmero de granos
cortados por el borde = 23 de
los cuales se consideran la
mitad 23/2 = 11.5 = 12
b) Se cuenta el nmero de granos
enteros = 28.
El nmero de granos total ser
= 12+28 = 40
Aplicando la ecuacin
Para un aumento x 100
N=2 (n 1)
f = Esfuerzo de fluencia
Y0 , K = constantes del metal.
d = dimetro promedio de los granos
Fig. 5.20. EFECTO DEL TAMAO DE GRANO EN EL ESFUERZO DE
CEDENCIA DEL ACERO A TEMPERATURA AMBIENTE
TABLA 5.2. TAMAOS DE GRANO SEGN ASTM
1 1 0,75 - 1,25
2 2 1,5 - 3,0
3 4 3-6
4 8 6 - 12
5 16 12 - 24
6 32 24 - 48
7 64 48 - 96
8 128 96 - 192
9 256 192 - 384
10 512 384 - 768
PROBLEMA.
La resistencia del titanio es 65000 psi cuando el tamao de
grano es 17 x 10-6 m y de 82000 psi cuando el tamao de
grano es de 0,8 x 10-6 m. Determine lo siguiente:
a) Las constantes de la ecuacin de Hall-Petch.
b) La resistencia del titanio, cuando se reduce el tamao de
grano a 0,2 10-6 m.
SOLUCION.
1
65000psi Y0 K Y0 242.5K
17 106
1
82000psi Y0 K Y0 1118K
6
0,8 10
Resolviend
o
K 19,4psi / m y Y0 60290psi
b) Resistencia del Titanio cuando el tamao de grano se
reduce a 0,2 x 10-6 m.
Aplicando la ecuacin de Hall-Petch.
f = Y0 + K d -1/2
19,4psi
f 60290psi 103670psi.
0,2 10-6
f 103670psi.
PROBLEMA.
Una aleacin de cobre y zinc tiene las propiedades
siguientes:
Dimetro de granos (mm) Esfuerzo de fluencia
(Mpa)
0,015 170
0,025 158
0,035 151
0,050 145
Determine lo siguiente:
a) Las constantes de la ecuacin de Hall Petch
b) El tamao de grano requerido para obtener una
resistencia de 200 Mpa.
6. VELOCIDAD DE PROCESOS EN SLIDOS
Relacionado con la velocidad a la cual los tomos
se mueven en el estado slido, lo que implica
espontneos reagrupamientos en nuevas y ms
estables ordenaciones atmicas; para lo cual los
tomos que se reagrupan deben tener suficiente
energa de activacin para superar la barrera de la
energa de enlace.
ENERGIA DE ACTIVACION. Es la energa adicional
requerida por los tomos reaccionantes (se mueven),
la cual es superior a la energa media de los tomos
enlazados, esta se expresa en Joule/mol, Cal/mol.
Activacin
Energa
?E
de
ER
Reactivos
Energia liberada
por la reaccion
ENERGIA
EP
Productos
Donde :
nv = Nmero de vacantes por metro cbico de metal.
N = Nmero total de stios para tomos, por metro
cbico de metal.
Ev = Energa de activacin para formar un hueco.
T = Temperatura absoluta en K.
k = 8.62 x 10-5 ev/K (Constante de Boltzman).
C = Constante (C = 1).
6.2. DETERMINAR EL NUMERO DE SITIOS
ATMICOS DEL METAL
Referido al nmero de tomos en posiciones
reticulares para un metal por unidad de volumen
N
N
M .A.
Donde :
N0 = 6.023 x 1023 (tomos/mol)
= Densidad del metal (gr/cm3)
M.A. = Masa Atmica del metal (gr/mol)
PROBLEMA.
a) Calcular la concentracin de vacantes por
metro cbico en el equilibrio en estao puro a
150 C, Suponga que la energa de formacin de
una vacante en estao puro de 0,51 eV.
b) Cul es la fraccin de vacantes a 200 C?
Considere que la densidad del estao es 7,3
gr/cm3 y su masa atmica es 118,69 gr/mol.
SOLUCION
a) Concentracin de vacantes x m 3 metal.
E
v
nv k T
Ce
N
nv = ??
Ev = 0,51 eV.
T = 150 +273 = 423 K.
k = 8,62 x 10-5 ev/K .
C =1
Calculando el valor de N (nmero de sitios atmicos)
Energa de
E
activacin
Energa
Posicin
ATOMOS EN DIFUSION
CONCENTRACION DE
C2
X1 X2 DISTANCIA X
UNIDAD DE
ATOMOS EN
AREA
DIFUSION
J = - D dC
dx
J = Flujo o corriente neta de tomos.
d C = Gradiente de la concentracin
dx
ATOMOSENDIFUSION
Cx
CONCENTRACIONDE
Inicialmente para t = 0
Co
x DISTANCIA x
d Cx = d ( D d Cx )
dt dx dx
Gas A Slido B
A T O M O S E N D IF U S IO N
C O N C E N T R A C IO N D E
Cx
Inicialmente para t = 0
Co
x DISTANCIA x
d Cx = d ( D d Cx )
dt dx dx
B.2 SOLUCION PARTICULAR DE LA SEGUNDA LEY DE
FICK APLICADA A TRATAMIENTOS TERMOQUIMICOS
Solucin particular:
Cs - Cx = f err ( x )
Cs - C0 2 Dt
Cs : Concentracin superficial del gas que se difunde.
Co : Concentracion inicial uniforme del elemento en el slido.
Cx : Concentracin del elemento a una distancia x de la superficie en un
tiempo t.
x : Distancia desde la superficie.
D : Coeficiente de difusin del elemento soluto que se difunde
t : Tiempo.
ferr: Funcin error
PROBLEMA.
Considerar el metano como gas carburante, para
un engranaje de acero SAE 1020, a 927 C.
Calcular el tiempo en minutos necesario para
incrementar el contenido de carbono a un 0.40 %
a 0,50 mm bajo la superficie. Suponer que el
contenido de carbono en la superficie es de 0,90
% y que el acero tiene un contenido nominal de
carbono de 0,20 %. D = 1,28 x 10 -11 m2/s.
TABLA 5.3. FUNCION ERROR
FUNCION ERROR
Z Er F(z) Z Er F(z)
0,000 0,0000 0,85 0,7707
0,025 0.0282 0,90 0,7970
0,05 0,0564 0,95 0,8209
0,10 0,1125 1,00 0,8427
0,15 0,1680 1,10 0,8802
0,20 0,2227 1,20 0,9103
0,25 0,2763 1,30 0,9340
0,30 0,3286 1,40 0,9523
0,35 0,3794 1,50 0,9661
0,40 0,4284 1,60 0,9763
0,45 0,4755 1,70 0,9838
0,50 0,5205 1,80 0,9891
0,55 0,5633 1,90 0,9928
0,60 0,6039 2,00 0,9953
0,65 0,6420 2,20 0,9981
0,70 0,6778 2,40 0,9993
0,75 0,7112 2,60 0,9998
0,80 0,7421 2,80 0,9999
7.4. EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LA
DIFUSION EN SLIDOS
Como la difusin atmica implica movimientos
atmicos, entonces el incremento de la
temperatura en un sistema de difusin dar lugar
a un incremento en la velocidad de difusin el
cual se expresa por la siguiente ecuacin.
Q RT
D D0 e
Donde :
D = Difusividad m2/s.
Do = Constante de proporcionalidad m 2/s.
independiente de la temperatura.
Q = Energa de activacin de las especies en
difusin J/mol o cal/mol (mov. Del defecto)
R = 8,314 J/mol K (constante universal de los
gases).
T = Temperatura en K.
PROBLEMA.
Calcular el valor de la difusividad D en m 2/s, para
la difusin del C, en hierro (FCC) a 927 C,
utilizar Do = 2,0 x 10 -5 m2/s, Q = 142 kJ/mol y R
= 8,314 J/mol K.