SEMICONDUCTORES

Presentado por
Andrs Jaramillo Roldan
 DOPADO DE UN
SEMICONDUCTOR
La adicin de un pequeo porcentaje de
tomos extraos en la red cristalina
regular de silicio o germanio, produce
unos cambios espectaculares en sus
propiedades elctricas, dando lugar a los
semiconductores de tipo n y tipo p.
En resumen:
Tipo p(donadores de huecos)
Tipo n (donadores de electrones)
 IMPUREZAS PENTAVALENTES

Los
tomos de impurezas con 5
electrones de valencia, producen
semiconductores de tipo n, por la
contribucin de electrones extras.
 IMPUREZAS TRIVALENTES

Los
tomos de impurezas con 3
electrones de valencia, producen
semiconductores de tipo p, por la
produccin de un "hueco" o deficiencia
de electrn.
 DIODO NO POLARIZADO

Los semiconductores tipo p y tipo n

separados no tienen mucha utilidad, pero
si un cristal se dopa de tal forma que una
mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p,
esa unin pn tiene unas propiedades muy
tiles y entre otras cosas forman los
"Diodos".
 El tomo pentavalente en un cristal de
silicio (Si) produce un electrn libre y se
puede representar como un signo "+"
encerrado en un crculo y con un punto
relleno (que sera el electrn) al lado.

El tomo trivalente sera un signo "-"

encerrado en un crculo y con un punto
sin rellenar al lado (que simbolizara un
hueco).
 POLARIZACIN DIRECTA

Eneste caso, la batera disminuye la

barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a travs de la
unin; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado
directamente, se debe conectar el polo
positivo de la batera al nodo del diodo
y el polo negativo al ctodo
 POLARIZACIN INVERSA

Se invierte la polaridad de la fuente de

continua, el diodo se polariza en inversa,
el terminal negativo de la batera
conectado al lado p y el positivo al n,
esta conexin se denomina "Polarizacin
Inversa".
En la siguiente figura se muestra una
conexin en inversa:
 LA TENSIN DE RUPTURA
Es un parmetro de los diodos que definen el
mximo voltaje inverso que se puede aplicar
sin que se cause un incremento exponencial
de la corriente en el diodo. Esta
caracterstica se puede utilizar para hacer
reguladores de tensin, como es el caso del
Diodo Zener, un diodo muy dopado que
explota la caracterstica de la tensin de
ruptura: cuando la tensin en polarizacin
inversa alcanza el valor de la tensin de
ruptura, el mismo campo elctrico de la
unin pn es capaz de arrancar electrones de
la banda de valencia permitiendo la
conduccin casi sin variacin de la tensin.