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Rectificacin controlada

Cesar Quea
Sistemas de Rectificacin controlada, Tiristores, Los
SCR, Teora y Operacin
de los SCR. Formas de onda, caractersticas.
Circuitos comunes de control de compuerta SCR en
circuitos de CD.
Los UJT Teora y Operacin de los UJT. Osciladores de
relajacin de IJT.
Circuitos de disparo con SCR.
Resuelve problemas con UJTs para controlar la
compuerta de los SCRs.
Disea un circuito oscilador de relajacin y observa las
formas de onda verificando el ngulo alfa.
Un tiristor es un dispositivo semiconductor con
cuatro capas, de estructura pnpn, con tres
uniones pn.
Los tiristores tienen menores prdidas por
conduccin en estado encendido y mayor
especificacin de manejo de potencia.
Caracterstica v-i Conduccin
Activacin del tiristor
El tiristor se enciende, aumentando la
corriente andica. Esto se hace de una de las
siguientes maneras.
Un tiristor est polarizado en sentido directo,
la inyeccin de corriente de compuerta al
aplicar voltaje de compuerta positivo, entre
las terminales de la compuerta y el ctodo,
enciende al tiristor.
Encendido del Tiristor
Termica
Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento
en el nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar
las corrientes de fuga.
Luz
Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor,
aumentaran los pares electrn-hueco pudindose activar
el tiristor.
Alto voltaje
Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el
voltaje de ruptura directo VBO, fluir una corriente de
fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa.
Encendido del Tiristor
Velocidad de cambio de voltaje (dv/dt)
Si la rapidez de aumento del voltaje nodo-ctodo
es alta, la corriente de carga de las uniones
capacitivas puede bastar para activar el tiristor.
Corriente de compuerta.
Si un tiristor est polarizado en sentido directo, la
inyeccin de corriente de compuerta al aplicar
voltaje de compuerta positivo, entre las terminales
de la compuerta y el ctodo activar al tiristor.
Criterios para el diseo de circuito de
control de compuerta
La seal de compuerta debe eliminarse despus activarse el
tiristor. Una seal de control continua aumentara la
prdida de potencia en la unin de la compuerta.
Mientras est polarizado en sentido inverso, no debe haber
seal de compuerta, porque de lo contrario puede fallar a
causa de un aumento en la corriente de fuga.
El ancho del pulso en la compuerta tG debe ser mayor que
el tiempo requerido para que la corriente del nodo
alcance el valor de la corriente de retencin IH. En la
prctica, el ancho tG del pulso se hace, en el caso normal,
mayor que el tiempo de activacin ton del tiristor.
Apagado del tiristor
Un tiristor que est en el estado encendido se
apaga reduciendo la corriente en sentido directo
hasta un valor inferior al de la corriente de
retencin IH durante un tiempo suficientemente
largo para que todo el exceso de portadores en
las cuatro capas fluyan o se recombinen.

trr: tiempo de recuperacin inverso


tr: tiempo de recombinacin
tq: tiempo de apagado
Apagado del tiristor
Si durante el intervalo tq se aplica un voltaje directo al
tiristor, el dispositivo se podra encender
prematuramente y daar al dispositivo y/o al circuito.
El tiempo de apagado, tq, es el valor mnimo del
intervalo entre el momento en que la corriente en
estado de encendido ha bajado a cero, y el momento
en que el tiristor es capaz de resistir el voltaje en
sentido directo, sin encenderse. El tiempo tq depende
del valor pico de la corriente en estado encendido y el
voltaje instantneo de encendido.
TIPOS DE TIRISTORES
Tiristores controlados por fase (o SCR).
Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT, de bidirectional
phase-controlled thyristors).
Tiristores de conmutacin rpida (o SCR).
Rectificadores controlados de silicio fotoactivados (LASCR, light-activated
silicon-controlled rectifier) .
Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
Tiristores de conduccin en sentido inverso (RCT, de reverse-conducting
thyristor).
Tiristores apagados por compuerta (GTO).
Tiristores controlados por FET (FET-CTH, de FET-controlled thyristor).
Tiristores de apagado por MOS (MTO, de MOS turn-off).
Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO, de emitter turn-off).
Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT, de integrated gate-
commutated thyristors).
Circuitos de disparo
Al aplicar una seal de pulso se activa un tiristor.
Los circuitos de potencia estn sujetos a altos voltajes por
lo que es necesario un circuito de aislamiento entre un
tiristor individual y su circuito generador de pulsos de
compuerta.
El aislamiento se puede lograr mediante transformadores
de pulsos o con optoacopladores.
Con cargas inductivas, el periodo de conduccin de un
tiristor depende del factor de potencia (FP) de la carga por
tanto no est bien definido el inicio de la conduccin del
tiristor. Se requiere disparar en forma continua a los
tiristores, pero esto aumentara las prdidas en el tiristor.
Es preferible entonces un tren de pulsos.
Circuitos de disparo

Aislador de foto-SCR acoplado.


TRANSISTOR MONOUNIN
El transistor monounin (UJT, de unijunction transistor) se
usa en forma comn para generar seales de disparo para
SCR.
Un UJT tiene tres terminales, llamadas emisor, E, base uno,
B1 y base dos, B2.
DISPARO CON UJT

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