Eletrônica II

Aplicação do TBJ como

“Chave” e “Amplificador”
Revisão
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

Microelectronic Circuits – Fifth Edition Sedra/Smith Copyright © 2004 by Oxford University Press, Inc.
Revisão
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

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O TBJ como Chave ou Amplificador

 Para funcionar como “chave”, o TBJ

deve estar operando nas regiões corte e
saturação.

 Para trabalhar como amplificador, o TBJ

deve estar operando na região ativa.

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 O TBJ como Chave

vO  vCE  VCC  RD I C

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 O TBJ como Chave
- TBJ como chave: corte e saturação.

- Para Vi menor que aprox. 0,5V, a junção base-emissor

não está polarizada diretamente, e o TBJ está em corte.
Sendo assim: Vc = Vo = Vcc.

- Para Vi maior que aprox. 0,7V, surge uma corrente de

base: IB = ( Vi – VBE ) / RB
- Enquanto VCB > -0,4 V, a junção coletor-base estará polarizada
reversamente, e o TBJ estará na região ativa. Nesta região, IC = β.IB.
- O aumento de Vi provoca o aumento de IB e IC, e a diminuição de VC.
- Quando VCB = -0,4 V, o TBJ estará no limiar de saturação (VCE = 0,3 V).
- O aumento de Vi acarreta no aumento de IB, enquanto a corrente IC
permanece constante (IC_SATURADO). Na região de saturação, VCE = 0,2 V.

βFORÇADO = IC_SATURADO / IB e βFORÇADO < β

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 O TBJ como Chave
Exemplo: considere o circuito abaixo, para VCC = 5V, vi = 5V, β = 100 e RB
= RC = 1kΩ. Calcule as correntes de base e coletor. Para qual valor RB
deveria ser aumentado a fim de trazer o TBJ para o limiar da saturação?

* Considerando inicialmente o NPN saturado, temos que VCE = 0,2V

* IC = (VCC – VCE ) / RC  IC = 4,8 mA
* IB = ( vi – VBE ) / RB  IB = 4,3 mA
* β = 4,8 / 4,3 = 1,1 << 100! (confirmando saturação)

* No limiar de saturação, VCE = 0,3 V

* IC = (VCC – VCE ) / RC  IC = 4,7 mA
* IB = IC / β  IB = 0,047 mA
* RB = ( vi – VBE ) / IB  RB = 91,5 kΩ

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Operação em Pequeno Sinal

I C  I S .e(VBE / VT )
I E  IC / 
I B  IC / 
VC  VCE  VCC  I C .RC

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Operação em Pequeno Sinal
vBE  VBE  vbe
iC  I S .e VBE  vbe / VT  I S .eVBE / VT .e vbe / VT
iC  I C .e vbe / VT
Série de Taylor (exponenci al) :

xn x 2 x3
e    1  x   ...
x

n  0 n! 2! 3!
x 2 x3
Se vbe  VT  "  ..."  0
2! 3!
iC  I C 1  vbe / VT 

Obs1.: aproximação válida apenas para vbe < VT.

Obs2.: o livro-texto adota que Vbe deve ser inferior a
10mV. Esta é a aproximação para pequenos sinais.

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Operação em Pequeno Sinal

iC  I C 1  vbe / VT 
IC
iC  I C  vbe  I C  ic
VT
IC
ic  vbe  g m vbe FONTE DE CORRENTE
VT CONTROLADA POR TENSÃO
IC
gm 
VT

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Operação em Pequeno Sinal
IC
iC  I C  vbe  I C  ic
VT
iC IC ic IC 1 IC
iB      vbe
     VT
iB  I B  ib
1 IC
ib  vbe
 VT
gm
ib  vbe

Cálculo da resistência de entrada para pequenos
sinais entre a base e o emissor, olhando para o
terminal da base:
  .VT VT
r  vbe / ib   
gm IC IB

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Operação em Pequeno Sinal
IC
iC  I C  vbe  I C  ic
VT
iC IC ic IC 1 IC
iE      vbe
     VT
iE  I E  ie
1 IC I
ie  vbe  E vbe
 VT VT

Cálculo da resistência para pequenos sinais

entre a base e o emissor, olhando para o
terminal do emissor:

VT
re  vbe / ie 
IE
IC VT  1
gm   re   
VT IC /  gm gm

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 Operação em Pequeno Sinal

Cálculo da resistência de entrada para Cálculo da resistência de entrada para

pequenos sinais entre a base e o pequenos sinais entre a base e o emissor,
emissor, olhando pelo terminal da base: olhando pelo terminal do emissor:

VT VT VT .
  .VT VT re  vbe / ie   
r  vbe / ib    I E IC /  IC
gm IC IB
IC 1 
gm   re  
VT gm gm

vbe  r ib  reie
r ib  re   1.ib  r    1.re

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Operação em Pequeno Sinal
GANHO DE TENSÃO :
Tensão no coletor :
vC  VCC  RC iC
 VCC  RC I C  ic 
 VCC  RC I C  RC ic
 
VC vc

Assim :
vc   RC ic   RC  g m vbe    g m RC vbe
vc
  g m RC
vbe

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 Modelos para Pequenos Sinais
MODELO TIPO “π-Híbrido” ou “π”

VA IC 
onde ro  gm  r 
IC VT gm

g m .vbe  g m .(ib .r )  ( g m .r )ib   .ib

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Modelos para Pequenos Sinais
MODELO TIPO “T”

VA IC VT 
onde ro  gm  re  
IC VT IC /  gm

g m .vbe  g m .(ie .re )  ( g m .re )ie   .ie

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 Modelos para Pequenos Sinais

Observações :
VA
 Nos modelos apresentados, ro  e modela o efeito Early.
IC
 Os parâmetros dos modelos g m , r , re e ro  dependem das
condições de polarizaçã o!
 Os modelos servem para BJT ' s npn ou pnp, sem inversão
de polaridade s.

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 Modo de Aplicação dos Modelos
1. Calcule os valores CC do circuito, principalmente o valor
da corrente IC. Os capacitores funcionam como circuitos
abertos na análise CC.
2. Calcule os parâmetros (gm, rπ, re e ro).
3. Elimine as fontes DC do circuito:
 Fontes de tensão  curto-circuito.
 Fontes de corrente  circuito aberto.
4. Escolha o modelo (π-Híbrido ou T) mais conveniente e
substitua o TBJ pelo modelo escolhido.
5. Use o circuito resultante para determinar as grandezas
de interesse.

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 Modo de Aplicação dos Modelos
Exemplo 1: Qual o ganho de tensão do circuito abaixo? Considere β = 100.

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Modo de Aplicação dos Modelos

VT 25
re    10,8
I E (2,3 / 0,99)
I C 2,3
gm    92m A V
VT 25
 100
r    1,09k
gm 92

r 1,09
vbe  vi  vi  0,011.vi
r  RBB 101,09
vo   g m vbe RC  92.0,011.vi .3  3,04.vi
vo
  3,04 V V
vi

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 Modo de Aplicação dos Modelos
Exemplo 2: suponha do exemplo anterior que Vi tenha uma forma de
onda triangular. Determine a amplitude máxima permitida para Vi. Depois,
com a amplitude de Vi em seu valor máximo, determine as formas de onda
da corrente de base, tensão base-emissor, corrente e tensão de coletor.

Restrição para vbe: não exceder 10mV.

r 1,09
vbe  vi  vi  0,011.vi
r  RBB 101,09
^
^ Vbe 10 A tensão no coletor atinge 3,1 – 2,77 = 0,33V.
Vi    0,91V
0,011 0,011 De acordo com o livro-texto, esta tensão não é
^ ^ suficiente para polarizar junção coletor-base,
Vc  Vi .ganho  0,91x3,04  2,77V colocando o TBJ para operar fora da região
ativa. Por que, se VCB > – 0,4 V ?!

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 Modo de Aplicação dos Modelos

De acordo com o livro-texto...

“Contudo, vamos utilizar um valor um pouco menor para Vi de aproximadamente 0,8 V...”
^
^ Vi 0,8
Ib    0,008mA
r  RBB 1,09  100
^ r ^ 1,09
Vbe  Vi  0,8  8,6mV
r  RBB 1,09  100
^ ^
I c   I b  100 x0,008  0,8mA
^
Vc  3,04 x0,8  2,43V

Mas... Por que especificamente 0,8 V ?!

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 Modo de Aplicação dos Modelos

Resolvendo de uma maneira um pouco mais sistemática, temos:

* O ganho negativo, ou seja, quando VB é máximo, VC é mínimo.
* Para que TBJ se mantenha na região ativa, VCB ≥ - 0,4V
* Sendo assim, (VC_MÍNIMO – VB_MÁXIMO) = - 0,4V [ pior caso ]
* VB_MÁXIMO = VB_CC + VB_AC_PICO (desprezou-se VB_AC_PICO - valor inferior a 10 mV)
* VC_MÍNIMO = VC_CC – VC_AC_PICO = VC_CC - |G|. VB_AC_PICO
* ( VC_CC - |G|. VB_AC_PICO ) – ( VB_CC ) = - 0,4 V
* (3,1 – 3,04. VB_AC_PICO ) – 0,7 = - 0,4 V
* VB_AC_PICO = 0,92 V [...]

Os gráficos a seguir representam a solução do livro-texto.

Ela foi mantida com efeito de aproveitar as imagens disponibilizadas pelo mesmo.

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Modo de Aplicação dos Modelos

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